快恢复整流二极管参数
快恢复整流二极管参数
IF
VR
1.0A
50V100V200V400V600V800V1000V 1N49331N49341N49351N49361N4937
1N4933G1N4934G1N4935G1N4936G1N4937G
BA157BA159BA159D BA159
DSH6
ERB4302ERB4304ERB4306ERB4308
ERB4402ERB4404ERB4406ERB4408ERB4410
ES1Z ES1ES1A
EU01Z EU01EU01A EU01B EU01C
EU1Z EU1EU1A EU1B EU1C
EU02Z EU02EU02A
EU2Z EU2EU2A
FR101FR102FR103FR104FR105FR106FR107 FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G MPG06A MPG06B MPG06D MPG06G MPG06J MPG06K MPG06M RGP10A RGP10B RGP10D RGP10G RGP10J RGP10K RGP10M
RU1RU1A RU1B RU1C
S5295B S5295G S5295J
TVR1B TVR1D TVR1G TVR1J S5295B
TVR2B TVR2D TVR2G TVR2J
TVR10G TVR06J
TVR5B TVR5D TVR5G TVRGJ
1.5A
1S18341S1835
BYD33D BYD33G BYD33J BYD33K BYD33M
BYV95A BYV95B BYV95C
BYT42M FR151FR152FR153FR154FR155FR156FR157 FR151G FR152G FR153G FR154G FR155G FR156G FR157G PR1501/S PR1502/S PR1503/S PR1504/S PR1502/S PR1506/S PR1507/S RGP15A RGP15B RGP15D RGP15G RGP15J RGP15K RGP15M
快恢复二极管
快恢复二极管 快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A 以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴
1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM 值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
1N系列常用整流二极管的主要参数
1N 系列常用整流二极管的主要参数
反向工作 峰值电压 URM/V 额定正向 整流电流 整流电流 IF/A 正向不重 复浪涌峰 值电流 IFSM/A 正向 压降 UF/V 反向 电流 IR/uA 工作 频率 f/KHZ 外形 封装
型 号
1N4000 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5100 1N5101 1N5102 1N5103 1N5104 1N5105 1N5106 1N5107 1N5108 1N5200 1N5201 1N5202 1N5203 1N5204 1N5205 1N5206 1N5207 1N5208 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
25 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000
1
30
≤1
＜5
3
DO-41
1．5
75
≤1
＜5
3
DO-15
2
100
≤1
＜10
3
3
150
≤0.8
＜10
3
DO-27
常用二极管参数： 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
常用二极管型号及参数大全
1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD
整流管与快恢复二极管区别
整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，耐压越高越贵，所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。当然，如果你手头上只有快恢复二极管而没有一般整流管时，想怎么用就怎么用，只要耐压足够即可。 提问者评价 首先谢谢你的回答！！！ 是的，没有刚好合适耐压的整流二极管。所有用快恢复代替的 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS 的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
IN系列常用整流二极管的主要参数
IN系列常用整流二极管的主要参数 型号反向工作峰值 电压URM/V 额定正向整流 电流I F /A 正向不重复浪涌峰 值电流I F SM/A 正向压降 U F /V 反向电流 I R /uA 工作频率 f/KHZ 外形封装 1N4000 25 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4001 50 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4002 100 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4003 200 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4004 400 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4005 600 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-41 1N4006 800 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N4007 1000 1 30 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5100 50 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5101 100 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5102 200 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5103 300 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5104 400 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5105 500 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5106 600 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5107 800 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5108 1000 1．5 75 ≤1 ＜5 3 DO-15 1N5200 50 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5201 100 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5202 200 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5203 300 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5204 400 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5205 500 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5206 600 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5207 800 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5208 1000 2 100 ≤1 ＜10 3 DO-15 1N5400 50 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5401 100 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5402 200 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5403 300 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5404 400 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5405 500 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5406 600 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5407 800 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27 1N5408 1000 3 150 ≤0.8 ＜10 3 DO-27
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1．结构原理 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
US1G快恢复二极管
MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL US 1A US 1B US 1D US 1G US 1J US 1K US 1M UNITS Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS Voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC Blocking Voltage V DC 501002004006008001000V Maximum Average Forward Rectified Current (T L =100o C) Peak Forward Surge Current (8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load)Maximum Instantaneous Forward Voltage (at rated forward current) Maximum DC Reverse Current T a =25o C μA (at rated DC blocking voltage)T a =100o C μA Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)trr nS Typical Junction Capacitance (Note 2) C J pF Typical Thermal Resistance (Note 3) R θ(ja)o C/W Storage and Operation Junction Temperature T STG ,T J o C Note: 1.Reverse recovery condition I F =0.5A, I R =1.0A,Irr=0.25A. 2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0V dc 3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area US1A THRU US1M SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER (Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25o C, unless otherwise stated, for capacitive load,derate current by 20%) RATINGS I F(AV) 1.0 A I FSM 30A V F 1.0 1.4 1.7 V I R 5.020********* 32-50 to +150TECHNICAL SPECIFICATION
快恢复二极管选型
快恢复二极管参数 型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管 3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管 1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管 3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管 3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管 5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管 4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管 4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管 6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管 4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管 6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管 2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管 4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管 3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60 BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90 FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80 MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管 4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管 3.50
二极管的主要参数
二极管的主要参数 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。 2）检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 （3）开关二极管 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。 4）稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4 稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
肖特基二极管与快恢复二极管区别
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间
N系列常用整流二极管的主要参数
1N 系列常用整流二极管的主要参数
型号
反向工作 额定正向 峰值电压 整流电流
正向不重 复浪涌峰 值电流
正向 压降
反向 电流
工作 频率
外形 封装
URM/V
IF/A
IFSM/A
UF/V IR/uA f/KHZ
1N4000
25
1N4001
50
1N4002
100
1N4003
200
1
1N4004
400
30
≤1
＜5
3
DO-41
1N4005
600
1N4006
800
1N4007 1000
1N5100
50
1N5101
100
1N5102
200
1N5103
300
1N5104
400
1．5
75
≤1
＜5
3
1N5105
500
1N5106
600
DO-15
1N5107
800
1N5108 1000
1N5200
50
1N5201
100
2
1N5202
200
100
≤1 ＜10
3
1N5203
300
1N5204
400
1N5205
500
1N5206
600
1N5207
800
1N5208 1000
1N5400
50
1N5401
100
1N5402
200
1N5403
300
1N5404
400
3
150
1N5405
500
1N5406
600
1N5407
800
1N5408 1000
常用二极管参数： 硅稳压二极管 Vz=6~,Pzm=500mW, 硅稳压二极管 Vz=~,Pzm=500mW,
05Z13X 硅稳压二极管 Vz=~,Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=~,Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=~,Pzm=500mW,
≤
＜10
3
稳压二极管参数大全 常用稳压二极管参数
DO-27
型号
代换型号
最 大 功 稳定电压(V) 电 流
国产稳压管 日 立 稳
耗(mW)
(mA)
最小值 最大值
新型号 旧型号 压管
快恢复二极管参数
快恢复二极管参数大全 IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60
快恢复整流二极管参数
快恢复整流二极管参数 IF VR 1.0A 50V100V200V400V600V800V1000V 1N49331N49341N49351N49361N4937 1N4933G1N4934G1N4935G1N4936G1N4937G BA157BA159BA159D BA159 DSH6 ERB4302ERB4304ERB4306ERB4308 ERB4402ERB4404ERB4406ERB4408ERB4410 ES1Z ES1ES1A EU01Z EU01EU01A EU01B EU01C EU1Z EU1EU1A EU1B EU1C EU02Z EU02EU02A EU2Z EU2EU2A FR101FR102FR103FR104FR105FR106FR107 FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G MPG06A MPG06B MPG06D MPG06G MPG06J MPG06K MPG06M RGP10A RGP10B RGP10D RGP10G RGP10J RGP10K RGP10M RU1RU1A RU1B RU1C S5295B S5295G S5295J TVR1B TVR1D TVR1G TVR1J S5295B TVR2B TVR2D TVR2G TVR2J TVR10G TVR06J TVR5B TVR5D TVR5G TVRGJ 1.5A 1S18341S1835 BYD33D BYD33G BYD33J BYD33K BYD33M BYV95A BYV95B BYV95C BYT42M FR151FR152FR153FR154FR155FR156FR157 FR151G FR152G FR153G FR154G FR155G FR156G FR157G PR1501/S PR1502/S PR1503/S PR1504/S PR1502/S PR1506/S PR1507/S RGP15A RGP15B RGP15D RGP15G RGP15J RGP15K RGP15M
肖特基二极管和快恢复二极管
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件
快恢复二极管与普通二极管的区别
下述说明只适用于需要“单向导电”特性的二极管应用(特殊二极管，如稳压、变容二极管等不适用） 二极管一般工作在交流下，粗划为高低频两类，低频以集中参数为主，高频以分布参数为主。在低频下，电路特性只与零件本身的物理参数有关，比如一颗二极管在直流时降压是0.7V，反向漏电流<0.1uA，那么它在低频时基本与直流下的状态基本一致。所以，可以认为，只要是二极管，无论它是什么类型，只要能满足耐压、电流等要求，在低频下都是可以相互代用的，正如你所说，它们在低频下没有任何区别（严格上说是有区别的，但是这些区别影响不大），除了厂家、型号、外型不一样，它们的作用都一致，只是个“单向导电”的二极管罢了。但是到了高频情况就完全不一样了，二极管的应用及划分就只是在高频领域里才会体现出来，因为高频时，集中参数影响随频率升高而减弱，分布参数参数开始发威。什么是分布参数？举个例子来说明，同样的一根铜走线，在低频时，它的电抗小于0.1欧，到了高频，它可能会变成100欧甚至无穷大。分布参数只在高频才会出现，它要求我们把平时并不在意的走线，排线、布局方式等都要考虑到设计里面，因为一段导线，在高频下它会表现出感抗及容抗的特性，而不单单只是纯阻性。同样，电子元件本身在高频下也存在分布参数，对于二极管，影响最严重的就是本身的垒式电容，简单来说，就是以“PN结”为绝缘体，P、N极为平板构成的一个电容器，这个电容与二极管并联。这个电容也是分布参数的一部份，现在来考虑，在高频工作的二极管，你希望这个电容是大一些还是小一些？答案当然是小一些，越小越好。因为频率越高，容抗越小，容抗越小，二极管的“单向导电”性就越来越不明显，到了一定频率时，二极管直接变成一个电容了，完全失去了它应有的作用。现在我有个1Mhz的应用，手里有两个二极管，二极管A在1Mhz时，它的分布电容<10pF，另一个B在同样频率下，分布容>0.1uF，噢，毫无疑问我应该用A。为了区分它们，我把A叫“开关”二极管，意思是它能在高频下像个开关一样正常工作，为了减小分布电容，开关二极管的内部结构与其它二极管也是大不相同的，具体你可以上网搜索。那B呢？它可能是一个普通的整流二极管，也可能是一个快恢复二极管。快恢复二极管，如果它的分布电容能小到与开关管一样的程度，那么它就是一个开关管了。既然它还叫快恢复二极管，那就说明它与开关管是有区别的。虽然它有“快恢复”三个字，但并不代表它就能用于高频，相反，此类二极管多数都是在几百Khz以下工作，比如开关电的整流。对于普通二极管来说，它的工作环境算是高频了，但是，它的“快恢复”并不是用来提升它的工作频率的，而是用来减小开关损耗的，主要是方波整流的损耗，比如开关电源里的整流，它整的就是一个方波。我们知道电子运动也是需要时间的，简单的说，假定方波的上升延很陡，是90度。经过二极管时，因为足够的载流子运动一个距离需要一个时间，这个时间越小，输出的上升延波形就越接近90度且平均损耗的功率越小（与斜率有关），这个时间称之为恢复时间。快恢复二极管使用的制造工艺使得它能在很短的时间内产生足够的载流子并且移动距离很短，用来满足低损耗的需求。所以恢复时间越短表示在相同频率下越小表示损耗越小，在相同损耗下，越小表示能应用的频率越高。当然，快恢复二极管也有高频或超高频的，它可以代替相同等级的开关管，但是开关二极管就没办法代替快恢复二极管，那全部都用快恢复得了，为什么还要分？因为价格！可以在相同频率下工作的快恢复二极管价格是开关管的N倍（具体看频率，越高N越大），如果是你，明明可以用开关管解决的电路你不可能全部都用快恢复吧，所以还是要区别对待。它们的名称主要还是跟它们的应用场合相关的：开关管，用于高频整流；普通管，低频整流；快恢复管，方波整流（高低频）。
整流二极管的参数及应用
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快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 下面例举的是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时，对二极管基本的应用条件而言，特性和性能已优化。 整流二极管的特征 在这里，将整流二极管分为以下4类：通用整流用、通用开关用、肖特基势垒二极管、快速恢复二极管4种类型，特征汇总于下表。
通用型一般用于整流，主要目的是将交流整流为直流。桥式二极管是整流用的二极管组合。另外，用于无意中电源或电池反接时，保护用于防止过电流流过。正向电压VF因工作电流而异，1V左右为标准。这是硅PN结二极管的普通VF。反向恢复时间trr是以50Hz/60Hz的商用电源的整流为前提，以不是特别快的为标准。 开关型，用途如其字面所示，主要用于电源的切换。VF标准与通用型相同。因为以开关用途为目的，所以trr比通用型更快。但是，还达不到肖特基势垒二极管或快速恢复二极管的速度，其开关特性仅定位于比通用型快。 肖特基势垒二极管（SBD）不是PN结，而是利用金属和半导体如N型
整流二极管选型大全
整流二极管选型大全 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管的常用参数 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 深圳辰达行电子有限公司是集生产与销售MDD品牌二极管的企业，在二、三极管，桥堆领域为您服务。 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。