昂宝OB2263中文规格书

通用描述：

OB2263是一个高度集成的电流模式PWM控制

IC，优化了高性能、低待机功耗和低成本有效，用于30W内的离线反激变换器。

正常操作时，PWM开关频率由外部编程并在

小范围内调整。在空载或轻载条件下，IC工作

在扩展“burst模式”来减少开关损耗，实现低

待机功耗和高转换效率。

VDD低启动电流和低工作电流有助于用

OB2263设计一个启动可靠的电源。一个大的

电阻值可以用于启动电路以最小化待机功率。

内部斜率补偿，提高了系统的大信号稳定性，

减少高PWM占空比输出时的可能的次谐波振

荡。电流检测输入脚(CS)过滤信号前沿消除了

信号的干扰，从而大大降低了设计中的外部元

件数量和系统成本。

OB2263提供完整的保护，覆盖自动的自恢复功

能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护

（OLP），VDD过压钳位和欠压锁定（UVLO）。

栅极驱动输出钳位到最大18V以保护功率

MOSFET。优良的EMI性能的获得是图腾柱式栅

极驱动输出基于昂宝的专有的频率抖动技术和

软开关控制。

工作时，低于20kHz的音能量被最小化，音频

噪声设被消除。OB2263封装提供SOT23-6、

SOP-8和DIP-8。特征：

???昂宝特有频率抖动技术，提升

EMI性能。

???扩展“burst模式”提高效率和

最小的待机功耗。

???无音频噪音。

???扩展的可编程PWM开关频率。

???内同步斜率补偿。

???低VDD启动电流和工作电流

(1.4mA)。

???CS前沿消除。

???覆盖自动自恢复的良好保护：

??迟滞的VDD过压钳位和欠压

锁定（UVLO）。

??栅极驱动最大18V锁定。

??对于超过通用输入电压的连

续输出功率限值，昂宝专有

线性输入补偿逐周期过流

阈值设定。

??过载保护（OLP）。

应用：

离线的AC/DC反激式变换器

●???电池充电器

●???电源适配器

●???机顶盒电源

●???开放式开关电源（SMPS）

1 典型应用

2 通用信息

脚位配置

OB2263封装提供SOT23-6、SOP-8和DIP-8，

下图：

9 工作描述

OB2263是一个高度集成的PWM控制器

IC，针对离线反激变换器做了优化，用

于30W以下。扩展的Burst模式控制大

大降低了待机功耗，有助于设计容易地

满足国际节能的要求。

●??启动电流和启动控制

OB2263设计的启动电流很低，VDD被充

电到UVLO阈值水平，芯片迅速启动。因此大启动电阻值能用于减少功率损耗，

但为应用提供了可靠的启动。对于通用

输入范围设计的AC/DC适配器，2MΩ，

1/8W启动电阻与VDD电容可以提供一个快速启动和低功耗的解决方案。

●??工作电流●??振荡器工作

连接RI和GND之间的电阻设置恒流源为内部电容充电/放电，这就确定了PWM振荡频率。在额定负载和工作环境下，RI和开关频率之间的关系按如下方程，其中RI单位为kΩ。

●??电流检测和前沿消除

在OB2263电流模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流由Sense脚内一个电阻检测。内部的前沿消隐电路由于缓冲二极管的反向恢复，在初始MOSFET的通状态砍下了检测的电压尖峰，使此脚不再需要外部RC滤波。在消隐周期，电流限制比较器被禁用，因此无法关闭外部MOSFET。PWM占空比是由电流检测输入电压和FB输入电压来确定。

●??内部同步斜率补偿

内置斜率补偿电路为生成PWM，在电流检测输

OB2263的工作电流低于1.4mA，低工作电流与扩展的Burst模式控制功能实现了高效率。

●??改善EMI的频率抖动

OB2263采用了频率波动/抖动（开关频率调制），振荡频率随机调制使音能量发散，发散频谱最小化了EMI传导，因而降低了系统设计挑战。

●??扩展Burst模式工作

在空载或轻载条件下，开关模式电源中的大部分功耗是MOSFET晶体管的开关损耗、变压器的铁心损耗和缓冲电路的损耗。功率损耗的大小正比于固定的时间内开关事件的数量。降低开关次数能减少功率损耗，从而节约了能源。

OB2263根据负载条件自动调节开关模式。从空载到光/中等负载条件下，FB 输入低于Burst模式的阈值，芯片进入Burst模式控制。只有当VDD电压下降到低于预定水平和FB输入为开时，栅极驱动才输出。否则，栅极驱动器处于关闭状态，以最大程度地最小化开关损耗和待机功耗。频率控制也消除了任何条件下的音频噪声。入电压增加了斜率电压，这在CCM时大大提高了闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。

●??栅极驱动

OB2263的栅极连接到电源开关控制的外部MOSFET的栅极。栅极驱动强度太弱，导致更高的传导和开关损耗，太强则影响EMI。一个很好的平衡是通过有合适的输出强度和死区时间控制的内置的图腾柱栅极设计来实现，这一专用控制方案更容易实现低空载损耗和良好的电磁系统的设计。MOSFET栅极加了内部18V钳位，保护高于预期的VDD输入。

●??保护控制

丰富的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和过压钳位，VDD欠压锁定（UVLO），实现了优异的电源系统可靠性。

昂宝的专有技术，OCP阈值跟踪PWM占空比，和由线性电压补偿，实现超出推荐参考设计的通用输入电压范围外的恒定的输出功率限值。

在过载条件下当FB输入电压超过高于TD_PL

的功率限定阈值时，控制电路关闭输出功率MOSFET，VDD电压低于UVLO限值时，芯片重启。

VDD电压由变压器辅助绕组的输出提供，高于阈值将被锁定。当VDD低于UVLO限值时，功率MOSFET被关闭，之后芯片进入电源启动程

序。