三极管MOS管复习题

习题3

客观检测题

一、填空题

2. 三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。

6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。

8. 双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。

9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入

共集电极组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：

（1）电源电压CC V = 6V ；

（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ；（3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；

（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；

（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；

（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。

13. 稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻小。

15. 三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。

16. 共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。 17. 放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

18. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用； 20. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；

21. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。

题图3.0.1

22. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输

出电阻小。

23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解，不适合大信号的工作情况分析。 24. 放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。

25. 图解法适合于求静态工作Q 点；小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分析法则适合于求交变小信号的工作情况分析。

26. 放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。

27. 对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q 点。

28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O 和V I 的波形，则V O

和V I 的相位关系为反相；当为共集电极电路时，则V O 和V I 的相位关系为同相。 29. 在由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当Q 点太高（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；当Q 点太低（太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。 32. PNP 三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。 33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC 耦合，直接耦合，变压器耦合。 34. BJT 三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持正向偏置，它的集电结保持反向偏置。 36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由锗半导体材料制成。

37. 电压跟随器指共集电极电路，其电压的放大倍数为1；电流跟随器指共基极电路，指电流的放大倍数为1。

38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，CBO I 增加，β 增加，正向发射

结电压BE U 减小，CM P 减小。

40. 放大器产生非线性失真的原因是三极管或场效应管工作在非放大区。

41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQ V 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。（1）b R 增加时，CEQ V 将增大。（2）c R 减小时，CEQ V 将增大。（3）C R 增加时，CEQ V 将减小。（4）s R 增加时，CEQ V 将不变。（5）β减小时（换管子），CEQ V 将增大。（6）环境温度升高时，CEQ V 将减小。

42. 在题图3.0.3

电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能

题图3.0.2

的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。）

（1）若b R 阻值减小，则静态电流I B 将增大，CE V 将减小，电压放大倍数v A 将增大。（2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将不变，CE V 将增大，电压放大倍数v A 将减小。

（3）若C R 阻值增大，则静态电流B I 将不变， CE V 将减小，电压放大倍数v A 将增大。

43. 放大器的频率特性表明放大器对不同频率信号适应程度。表征频率特性的主要指标是中频电压放大倍数，上限截止频率和下限截止频率。 44. 放大器的频率特性包括幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真的原因是放大器对不同频率的信号放大倍数不同。

45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

二、判断题

1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。（4）5V ，1.2V ，0.5V ；

解：硅NPN 型BJT 管；5V 为集电极，1.2V 为基极，0.5V 为发射极（8）13V ，12.8V ， 17V ；

解：锗NPN 型BJT 管，17V 为集电极，13V 为基极，12.8V 为发射极，（9）6.7V ，6V ，9V ；

解：硅NPN 型BJT 管，9V 为集电极，6.7V 为基极，6V 为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管：;4,7.2,2V V V V V V C E B =-=-= 答：NPN 管，工作在放大状态。 2管：;5.5,3.5,6V V V V V V C E B === 答：NPN 管，工作在饱和状态。 3管：;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-= 答：NPN 管，工作在截止状态。

3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？

题图3.0.3

答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D ）所示的三极管处在放大区。

4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？

答：题图3.0.5所示的三极管，B 、E 极之间短路，发射结可能烧穿。

5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，则该管的β 为①。

①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b 极。

①e 极 ②b 极 ③c 极 9．题图3.0.6所示电路中，用直流电压表测出V CE ≈0V ，有可能是因为 C 或D 。

A R b 开路

B R c 短路

C R b 过小

D β过大

10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。

11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？

题图3.0.6

题图3.0.5

题图3.0.7

(b)

(c)

(d)

(a)

主观检测题

3.1.3硅三极管的CBO ，I

50=β可以忽略，

若接为题图3.1.3（a ），要求mA I C 2=，问E R 应

为多大？现改接为图(b)，仍要求B C R mA I 问,2=应为多大？

3.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示，试判断各晶体管的类型（PNP 管还是NPN 管，硅管还是锗管），并区分e 、b 、c 三个电极。

3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图3.3.2所示，已测出mA .I 211-=，

mA .I 0302=，mA .I 2313=，试判断e 、b 、c 三个电极，该晶体管的类型（NPN 型还是

题图 3.0.8

题图3.1.3

(a)

(b)

题图3.3.1

(a)

(b) (c)

PNP 型）以及该晶体管的电流放大系数β。

3.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示，晶体管A I CBO μβ4,50==，导通时V .V BE 20-=，问当开关分别接在A 、B 、C 三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流C I 为多少？设二极管D 具有理想特性。

3.3.

4. 题图3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。

题图 3.3.2

题图 3.3.3

(b)

(a)

(c)

(d)

3.4.1 一个如题图3.4.1（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4.1（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。

（1）确定CC V 、?b C R R 和的数值（设BE V 可以略去不计）。（2）若接入Ω=k R L 6，画出交流负载线。

（3）若输入电流)(sin 18A t i b μω=，在保证放大信号不失真的前提下，为尽可能减小直流损耗，应如何调整电路参数？调整后的元件数值可取为多大？

3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3（a ）所示。其晶体管输出特性曲线如图（b ）所示，电路中元件参数b b c L CC e R k ,R k ,R k ,R k ,V V ,R k ΩΩΩΩΩ======12156233241，晶体管的,200,50'Ω==bb r β饱和压降Ω10070==s CES r ,V .V 。

（1）估算静态工作点Q ；（2）求最大输出电压幅值om V ；（3）计算放大器的V A 、R i 、R o 和A vs ；

（4）若电路其他参数不变，问上偏流电阻2b R 为多大时，?V V CE 4=

(a)

(b)

题图

3.4.3

(a)

(b)

题图3.4.1

3.4.4 用示波器观察题图3.4.4（a ）电路中的集电极电压波形时，如果出现题图3.4.4（b ）所示的三种情况，试说明各是哪一种失真？应该调整哪些参数以及如何调整才能使这些失真分别得到改善？

3.5.1 画出下列题图3.5.1中各电路的简化h 参数等效电路，并标出?

b b I I β和的正方向。（电路中各电容的容抗可不计）。

3.5.2 在如图3.5.2电路中设Ω===k R R V V L c CC 3,12，晶体管的Ω==300,50'bb r β，在计算BQ I 时可认为0≈BE V ：

（1）若Ω=k R b 600，

(a)

(b)

题图

3.4.4

(a)

图3.5.1

问这时的?V CEQ = （2）在以上情况下，逐渐加大输入正弦信号的幅度，问放大器易出现何种失真？

（3）若要求V V CEQ 6=，问这时的?=b R

（4）在V V CEQ 6=，加入mV V i 5=?

的信号电压，问这时的?V o =?

3.6.1 放大电路如题图3.6.1所示，已知ΩΩk R ,k R ,V V b b CC 641021===，Ωk .R e 33=，

Ωk R R L c 2==，晶体管V .V ,r ,BE 'bb 7010050==Ωβ为，各电容的容抗均很小。

（1）求放大器的静态工作点?)V ?,I (Q CEQ CQ ==；（2）求L R 未接入时的电压放大倍数v A ；（3）求L R 接入后的电压放大倍数v A ；

（4）若信号源有内阻s R ，当s R 为多少时才能使此时的源电压放大倍数vs A 降为v A 的一半？

3.7.1某射极输出器用一个恒流源来设置射极电流，如题图 3.7.1所示，已知晶体管的

100=β，V .V BE 70=，Ω300='bb r ，电容21、C C 在交流通路中可视为短路。

（1）求静态时的CEQ CQ V I 和；（2）求射极输出器的输出电阻o R ；

题图3.6.1

（3）若∞=L R ，求输入电阻i R 和源电压放大倍数vs A ；（4）若Ω=110L R ，求输入电阻i R 和源电压放大倍数vs A ；（提示：恒流源的特点：交流电阻极大，而直流电阻较小。）

3.7.2 在题图3.7.2所示电路中，晶体管的,V 7.0V ,0r ,100BE 'bb ===β、电容1C 、2C 和3C 都足够大。

（1）求放大器静态工作点CQ I 、BQ I 、CEQ V ；（2）求放大器电压放大倍数V1A ?

和2V A ?

；（3）求放大器输入电阻i R ；（4）求放大器输出电阻1o R 、2o R 。

3.9.1 若放大器的放大倍数v A 、i A 、p A 均为540，试分别用分贝数表示它们。

3.9.2 已知某电路的波特图如题图3.29所示，试写出v

A 的表达式。

题图 3.7.1

题图

3.7.2

3.9.4 已知单级共射放大电路的电压放大倍数

10f j 15f j 1f

j 200A 4

???

??+??? ?

+?=

（1）m

v A ＝？f L ＝？f H ＝? （2）画出波特图。

习题4

客观检测题

一、填空题

1. 场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件。

2. 为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

3. 场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。

I。

5. 对于增强型N型沟道MOS管，V GS只能为正，并且只能当V GS >V TH时，才能形有

6. P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。

7. 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性好；饱和压降大；放大能力较差；频率特性较差（工作频率低）；输出功率较小。

8. 场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。

9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。

10. 由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。

g反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为ms(毫西门11. 跨导

子) 。

12. 若耗尽型N沟道MOS管的V GS大于零，其输入电阻不会明显变小。

13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是N 沟道的效应管，它的夹断电压V p是4.5V ，饱和漏电流I DSS是 5.4mA 。

4.0.1 填空题13图

题图

主观检测题

4.3.1 已知放大电路中一只N沟道增强型MOS管场效应管三个极①、②、③的电位分别为

4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断①、②、③与G、S、D的对应关系。

4.4.1题图4.4.1所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，试问：（1）它是哪一种类型的场效应管？

（2）它的夹断电压V p （或开启电压V T ）大约是多少？（3）它的DSS I 大约是多少？

4.4.2 已知场效应管的输出特性曲线如题图4.4.1所示，画出恒流区v DS =8V 的转移特性曲线。

4.6.1 分别判断题图4.6.1所示各电路中的场效应管是否有可能工作在放大区。

图

4.4.2

题图4.4.1

4.6.2 试分析题图4.6.2所示的各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

4.6.3 场效应管放大器如题图4.6.3所示，若V V DD 20=，要求静态工作点为mA I D Q 2=，

GSQ DSQ V V ,V V =-=210，试求D S R R 和。

4.6.5 题图 4.6.5（a ）是一个场效应管放大电路，（b ）是管子的转移特性曲线。设电阻

ΩM R G 1=，Ωk R R L D 18==，电容1C 、2C 、3C 足够大。试问：

（1）所用的管子属于什么类型？什么沟道？管子的DSS I 、P V 或T V 是多少？

题图4.6.2 (c) (b)

(a) 题图4.6.3

(a)

题图4.6.5

(b)

（2）G R 、S R 、3C 的作用是什么？若要求V V GS 2-=，则s R 应选多大？

4.6.6场效应管放大电路如题图 4.6.6所示，电路参数 Ωk R ,V V D D D 5624

==，ΩM R G 1=，Ωk R 42=场效应管的V V P 1-=，mA I D SS 1=；若要求漏极电位V V D 10=，试求1R 的值。

4.7.1已知题图 4.7.1(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图

（b ）(c)所示。

（1）利用图解法求解Q 点；

（2）利用等效电路法求解V

A 、R i 和R o 。

题图 4.9

4.7.4场效应管放大器如题图4.7.4所示，试画出其微变等效电路，写出V A 、i R 、o R 表达式。设管子ds r 极大，各电容对交流信号可视为

题图4.6.6 题图4.7.1

题图 4.7.4

三极管MOS管原理(很详细)

双极型晶体管
双极型晶体管又称三极管。电路表示符号：ＢＪＴ。根据功率的不同具有不同的外形结构。
（ａ）小功率管（ｂ）小功率管（ｃ）中功率管（ｄ）大功率管
1
双极型晶体管的几种常见外形

一. 基本结构
由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成，根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个 PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。
C NPN型 B
基极
集电极
集电极
C P N P E
2
N P N E 发射极
PNP型
B
基极发射极

C B IB E
IC B IE IB
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
3

集电区：面积较大
C N P N E
集电极
基区：较薄，掺杂浓度低
基极
B
发射区：掺杂浓度较高
4
发射极

C N P N E
集电极
集电结
ＢＪＴ是非线性元件，其工作特性与其工作模式有关：当ＥＢ结加正偏，ＣＢ结加反偏时，ＢＪＴ处于放大模式；
基极
B
发射结发射极
当ＥＢ结和ＣＢ结均加正偏时，ＢＪＴ处于饱和模式；当ＥＢ结加零偏或反偏、ＣＢ结加反偏时，ＢＪＴ处于截止模式。ＢＪＴ主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。
5

场效应管和mos管的区别

功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2功率MOSFET的工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 2.3功率MOSFET的基本特性

三极管的极性判断及参数

三极管的极性判断及参数作者：未知文章来源：来自网络点击数：57 更新时间： 2008-3-1 0:00:27 1．常用小功率三极管的主要参数常用小功率三极管的主要参数，参见表B311。 2．三极管电极和管型的判别 (1) 目测法 ① 管型的判别一般，管型是NPN 还是PNP 应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准，三极管型号的第二位(字母)，A 、C 表示PNP 管，B 、D 表示NPN 管，例如： 3AX 为PNP 型低频小功率管 3BX 为NPN 型低频小功率管 3CG 为PNP 型高频小功率管 3DG 为NPN 型高频小功率管 3AD 为PNP 型低频大功率管 3DD 为NPN 型低频大功率管 3CA 为PNP 型高频大功率管 3DA 为NPN 型高频大功率管此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP 管外，其余均为NPN 型管。 ② 管极的判别常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型，图T305 介绍了三种典型的外形和管极排列方式。 (2) 用万用表电阻档判别三极管内部有两个PN 结，可用万用表电阻档分辨e 、b 、c 三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。 ① 基极的判别判别管极时应首先确认基极。对于NPN 管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP 管，情况正相反，测量时两个PN 结都正偏的情况下，红表笔接基极。实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN 结是否完好(与二极管PN

三极管的主要参数及极性判断

PNP三极管管脚图TO-92管脚图： SOT-23管脚图：

本篇文章摘自百科查看详细内容请点：https://www.360docs.net/doc/7417359982.html,/Article/jk/200912/121135 5.html 三极管的主要参数及极性判断

Z304三极管的主要参数及极性判别 1．常用小功率三极管的主要参数常用小功率三极管的主要参数，参见表B311。 2．三极管电极和管型的判别 (1) 目测法 ①管型的判别一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准，三极管型号的第二位(字母)，A、C表示PNP管，B、D表示NPN管，例如： 3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管 3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管 3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管 3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外，其余均为NP N型管。 ②管极的判别常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型，图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式。

(2) 用万用表电阻档判别三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。 ①基极的判别判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。 ②集电极和发射极的判别确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反)，观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。 3．三极管性能的简易测量 (1) 用万用表电阻档测ICEO和基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反)，此时c、e间电阻值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明β值大。 (2) 用万用表hFE档测β 有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β，若β很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。

MOS管基本原理(经典图文动画).

MOS场效应管一、二极管三极管MOS器件基本原理 P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0 。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC 。在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE 很小，所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω= 0.1mA 。如果晶体管的共发射极电流放大系数β= IC / IB =100, 集电极电流IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。

三极管与MOS管区别

1.场效应管和三极管输入电阻的差异？答：1.场效应管是单极、三极管是双极区别. 2.解决问题方面: 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 3.三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点: 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射

极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm 比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到 4.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件 5.记住四种mos管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势．而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 6.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

MOS管三极管

由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。 D漏极(c集电极) S源极(e发射极) G栅极(b基极) PMOS管单数低有效 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

NMOS管双数高有效 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

场效应管与三极管的性能比较 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

三极管和MOS管的区别

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos 晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

三极管极性判断

三极管极性判断！一、三颠倒，找基极三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k 挡位。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠

倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。二、 PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c 和发射极e。(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电

阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b 极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c 极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。四、测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转

三极管极性判定

9013三极管 9013是一种NPN型小功率三极管。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。三极管的排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出以及开关等。中文名 9013三极管外文名 9013 triode 作用电流放大应用收音机的1W推挽输出，音频放大材料硅类型 NPN型

目录 .1型号对比 .2引脚参数型号对比 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或 R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

MOS管与三极管做开关用法比较

Kevin pen 1/1 MOS 管（MOSFET ）的压降是指MOSFET 饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。VDS 表示场效应管的漏极和源极的电压，G 表示栅极，I 表示流过DS 的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧。 MOSFET 的管压降，一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。三极管管压降三极管的管压降Uce 就是指集电极与发射极的电压。一般情况下，CE 极电压在0.3或者0.3V 以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了，也叫饱和电压。正常三极管管压降为0.1-0.7V 。由于管压降Uce 与集电极电流ic 具有非线性的函数关系，Uce 的大小随着Ice 的增大，在一定的范围内增大。通过Ic 与Uce （饱和压降）的曲线图，就可以清晰的知道Uce 的大小了。对比应用通过初步计算，在流过相同的电流（小于100MA ）的情况下，场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。一般小于0.1V 。随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V 左右。下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET 中都有给出。对于场效应管（MOSFET ），VDS 取决于电流和导通电阻RDS(on)。导通电阻一般变化不大，但是与VGS 有关，VGS 大导通程度也大，导通电阻就小。如果RDS(on)=250M Ω，流过电流为100MA ，管压降VDS=0.025V 。图一为0.05V ，图二为0.03V 。因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET 比三极管有略微的优势。

如何判断三极管的类型和极性

①用数字式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×200" 或"R×2k" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把红表笔接在假设的基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将万用表欧姆挡置"R ×200" 或"R ×2k" 处,以NPN管为例,把红表笔接在假设的集电极c 上, 黑表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。万用表都有测三极管放大倍数（Hfe）的接口。可以估测一下三极管的放大倍数。

己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R × 2k" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R ×2k" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 c 、e 的判别电路示意图（一）

万用表判断三极管管脚极性方法

万用表判断三极管管脚极性方法三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。 1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。 2.判别发射极和集电极

由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。将万用表拨在R×1K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的一次，对于NPN型，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。对于PNP型，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极。这种判别电极方法的原理是，利用万用表内部的电池，给三极管的集电极、发射极加上电压，使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时，就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流，使其导通，此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正确判别出发射极、集电极来。

三极管MOS管复习题

习题3 客观检测题一、填空题 2. 三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。 8. 双极型三极管是指它部的参与导电载流子有两种。 9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 11. 为了使高阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：（1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ；（3）集电极电阻C R = 3k Ω ；负载电阻L R = 3k Ω ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。 13. 稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻小。 15. 三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。 16. 共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。 17. 放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。题图3.0.1

各种二极管和三极管的检测方法

各种二极管和三极管的检测方法中心议题：二极管二极管和三极管三极管的检测方法二极管的检测：1、检测小功率小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测用万用表R×1k挡测量管子的好坏。对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极。高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。B、测量正、反向电阻来判断其好坏。具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。 7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。 8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。 9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而

分享一个比较经典的MOS管驱动电路

问题提出：现在的MOS驱动，有几个特别的需求， 1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。 3，双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者数字电压，而功率部分使用12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。电路图如下： ? 图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

三极管和MOS管的区别是什么

三极管和MOS管的区别是什么三极管和MOS管的区别是什么? 工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 (1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

三极管的判断方法(DOC)

三极管的判断方法一，三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以当测得都是低阻值时，b是N型材料，两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料，两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之后将假设的c ,e 极对调再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.