12_封装可靠性与失效分析-课件

1.温度循环（TC） －40℃或－55℃或－65℃到＋
2. 高温 / 高湿 / 偏压 高温、高湿环境并施正偏压或反向 铝引线或铝金属化层的 偏压工作。通常为85℃/85%RH/ 腐蚀；模塑料中的离子 （THB）
额定偏臵 性杂质的浸蚀。
3.高温贮存寿命 （HTS） 4.压力锅试验 （PCT）
高温环境下，施加偏压或不加偏压下工 高温失效机理； 作。 Al-Au互扩形成金属间化 如125℃或150℃下1000h。 合物，或金属-Si互扩散。
JEDEC（Joint Electron Devices Engineering Council ）,电子元件工业联合会，作 为一个全球性组织，JEDEC所制定的标准为全行业所接受和采纳。 MIL-STD 美国军用标准，当今世界技术最先进、体系最完备的军用标准 。
温度循环曲线示意
JESD22-A104D
a注：与封装或组装密切关联的失效共计28.1%
过载(Overstress) 大弹性变形 机械 - 屈服
失效机理
磨损(Wear out)
热
- 断裂—脆性，韧性 - 裂纹，爆裂(Popcorn) - 弯曲 - 界面分开 - 热过载 - 接近Tg(玻璃化温度)
- 融化 - 蠕变断裂温度
机械
- 高低周疲劳 - 蠕变 - 磨损（磨粒磨损 等） - 金属迁移 （电/离子迁移） - 应力驱动扩散 - 表面充电 - 内部扩散 Kirkendall空洞 - 氢脆 - 腐蚀 - 解聚
失效率＝失效率函数
n（t t） n（t） n（t） （t） [ N n（t） ]t [ N n（t） ]t
N为产品的总数，且足够大； n(t)为N个产品从开始工作到t时刻的累积失效数。
失效分布函数 F(t)、失效密度函数 f(t）与失效率(t） 的关系：
f（t） f（t） （t） R（t） 1 F（t） R（t） exp[ （t）dt]
预处理 (Pre-condition)
温度循环 TC (Thermal Cycling) 压力锅试验PCT (Pressure Cooker Test) 温湿度和偏压测试THB (Temperature, Humidity & Bias Test) 高温贮存试验 HTS (High Temperature Storage Test)
微电子封装可靠性与失效分析
蔡坚 清华大学 jamescai@
可靠性基础知识
Reliability is possibility!
可靠性的定义-名词解释

生产率(Productivity)资源的利用效率，即产出与投入的比值。 质量(Quality) 产品符合顾客规定要求的程度 。(经久耐用) 可靠性（Reliability）产品在规定条件下、规定时间内完成规 定功能的能力。
可靠度：R（t） 产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的概率：
Rt PT t N nt N
T：产品寿命，N：产品总数，且足够大。 n（t）：从开始工作到t时刻的累积失效数。
失效分布函数=累积失效概率：F（t） 产品在规定的时间t以前累积失效的概率： n（t） F（t） P（T t） （ 0 1 ） N R（t） F（t） 1
失效密度函数 f(t) 理论上失效概率在时间上的分布。
dF（t） dR（t） f（t） dt dt F（t） 1 R（t）

t
0
f（t）dt
f(t)、F(t)和R(t)的关系
失效率λ(t)
Lambda(t) 工作到某一时刻尚未失效的产品，在该时刻后，单位时 间内发生失效的概率 。

动态机械载荷下的可靠性非常重要


跌落、拉伸、剪切、弯曲、冲击和振动 焊点：

脆性断裂－－对应力集中更为敏感 影响因素：金属间化合物（IMC）、润湿性、…

PCB: 绝缘层/铜线裂开 封装:焊球、焊点大小
可靠性试验加载方式

循环载荷

热机械 循环弯曲、震动 跌落、弯曲、剪切、拉伸、冲击
在高温高压饱和蒸气中贮存。一般 耐湿性能， 为121℃，100%RH，2atm下168h. Al的电解腐蚀。
可靠性测试标准




环境应力试验 JESD22-A103-B High Temperature Storage Life高温储存寿命试验 JESD22-A104-D Temperature Cycling温度循环 JESD22-A106-A Test Method A106-A Thermal Shock热冲击 电应力和电测试试验 EIA/JESD78 IC Latch-Up Test集成电路器件闩锁试验 JESD22-C101-A Field-Induced Charged-Device Model Test Method for Electrostatic-Discharge-Withstand Thresholds of Microelectronic Components微电子器件在电荷感应模型条件下的抗静电放电试验 机械应力试验 EIA/JESD22-B116 Wire Bond Shear Test Method焊线邦定的剪切试验方法 JESD22-B117 BGA Ball Shear BGA焊球的剪切试验 JESD22-B111 Board Level Drop Test Method of Components for Handheld Electronic Products 综合试验与测试 JEDEC Standard No.22-A109 Test Method A109 Hermeticity密封性试验
1. 研制阶段用以暴露试制产品各方面的缺陷改善设计 2. 生产阶段为监控生产过程提供信息优化工艺 3. 对定型产品进行可靠性鉴定或验收实现量产 4. 暴露和分析产品在不同条件下的失效规律及失效模式和机理 有针对性地加以改进以提高寿命 5. 为改进产品可靠性，制定和改进可靠性试验方案为用户选用 产品提供依据
Δ耗损失效期： 失效率上升较快，这是由于产品已经老化、疲劳、磨损、 蠕变、腐蚀等所谓有耗损的原因所引起的 。
产品的寿命
产品寿命：对不可修复的产品是“产品失效前的工作时间
或工作次数”，或“无故障工作时间”。
产品寿命往往研究的是某一批或某一类产品的“总体寿 命”。所以在数学上常用的是平均寿命、中位寿命、特征 寿命（统计学概念）。
温度循环测试条件
11级别分别对应不同的使用环境或者加速因子；
JESD22-A104D
板级跌落试验设备(Drop Tester)
手机跌落
手机内存有可 能经常承受大 的冲击载荷 JESD22-B111
板级跌落试验条件
8级别分别对应不同的使用环境或者加速因子；
JESD22-B110
失效分析基础
技术名词：失效模式和失效机理 失效模式： 是指失效的形式，如开路、短路、漏气等。
失效机理 处理过程不当、与硅片制造有关 管芯损伤、裂纹/划伤 编程不当 氧化层不稳定 芯片设计 扩散缺陷 最后检测漏测 接触失效 键合失效，没有金 保护层缺陷 组装，其他 多晶硅/硅化物 外部沾污 其他因素
集成电路失效百分比（%） 2.4 2.4a 2.0 1.9 1.7 1.5 1.4 1.2 1.2a 0.9 0.9a 0.8 0.7a 5.3
Βιβλιοθήκη 高加速应力试验HAST(High Accelerated Temperature /Humidity Stress Test)
BGA的环境应力可靠性试验
筛选项目 筛选项目
85℃或125℃或150℃或175℃等两 个极端温度之间循环、每10分钟转 换一次，连续循环1000次。
失效机理
由热－力应力引起的失 效
“规定条件”：环境、负荷、工作方式、使用方法。
环境：温度、湿度、气氛、粒子、机械运动…… “规定时间”：贮存时间和使用时间，即寿命（ 实际上也是 “规定条件”） “完成规定功能”：顾客要求的“全部”功能。
产品失去规定的功能失效
生产率 1970~1980s
质量 1990s
可靠性 2000s~
可靠性和失效的数学定量描述
韦伯分布
分布函数：
F（t） 1 e
（t ）m / t0
t m t0
m m 1 f t t e t0
m为形状参数, 为位臵参数, t0为尺度参数。
m通常在[1，7]间取值，通过改变m可以表示不同阶段的失效情况； 也可以作为许多其他分布的近似，如，可将形状参数设为合适的 值近似正态、对数正态、指数（m=1)等分布。
失效机理：
是指造成器件失效的原因。 机械失效：疲劳、过载 电化学失效：腐蚀、电迁移
3400种VLSI器件失效机理分类
失效机理 电过应力和静电放电 未分析清的 金丝球焊在球焊点的失效 不能确认的 金丝球焊在楔焊点失效 剪切应力，芯片表面 腐蚀，芯片金属化/组装 介质失效，聚合物-金属，金属-金属 氧化层缺陷 肉眼可见沾污 金属短路、金属开路 闩锁现象 集成电路失效百分比（%） 19.9 15.9 9.0a 6.0 4.6a 3.5a 3.2a 3.0 2.9 2.7 2.6a 2.4
常用的失效分布
1） 2） 韦伯分布(Weibull distribution ) 正态分布（Normal Distribution）
3）
4）
指数分布（Exponential distribution ）
对数正态分布 （Lognormal distribution ）
*指数分布，对数正态分布是韦伯分布的特殊情况。

动态机械载荷


电化学

温度、湿度、电压
加速试验方法

常规的加速载荷 - 振动(Vibration) - 温度(Temperature) - 湿度(Humidity) - 电压（Voltage） - 杂质(Contaminations)