第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案
《电工与电子技术》考试【 存储器和可编程逻辑器件】题目类型【问答题】难度【易】
ROM的存储矩阵是如何构成的?怎样表示它的存储容量?
答案：
ROM的存储矩阵是由纵横两组平行线的交叉上设置一定的存储元件(二极管或三极管)构成的。有元件处表示存放数字“1”，无元件处表示存放数字“0”，出厂时便做成了固定存储内容的器件，其存储内容不可修改；只能读出使用。其中纵线称位线，位线数M表示数据的二进制位数，即字节。横线称字线,字线数N表示可存放的字数,存储容量是字数和位数的乘积：N×M。
问题【5】删除修改
随机存取存储器(RAM)是由哪些主要部分构成的?它的读／写控制端和片选控制端各起什么作用?
答案：
RAM的主要组成部分有存储矩阵、地址译码器、读写控制电路及输入/输出三态缓冲器等。读/写控制端是控制读出或写入用的，当R/W=1时，RAM读出,当R/W=0时，RAM写入。片选控制端CS是在有多片RAM组成的存储器中选择被访问的RAM片时用的，CS=0的一片或几片工作，其余CS=1的各片均不工作。
问题【3】删除修改
ROM的地址译码器为什么又称N取一译码器和最小项译码器?
答案：
问题【4】删除修改
ROM为什么只能随时读出信息而不能随时Байду номын сангаас入信息?
答案：
由于ROM中的信息是用存储矩阵中交叉点上的元件来表示的，有元件处为“1”，无元件处为“0”，可以随时读出。但若要写入信息,就要改变交叉点上元件的位置,这只有重新制造ROM才行，所以不能随时写入信息。
问题【8】删除修改
试比较ROM、PROM、EPROM、EEPROM在结构和功能上有什么联系和区别?
答案：
上述几种器件都是只读存储器，可互相代用，一般存储内容不要求经常改变，在计算机中作为监控程序存储器。但ROM是由生产厂家将信息固化在其中出售,而PROM, EPROM和EEPROM则可由用户输入信息后固化,即是可编程的,存储矩阵的每一个交叉点上均设置有存储元件。其中EPROM和EEPROM则还可以擦除原存信息，重新改写新的信息。
课后习题答案第8章_存储器和可编程逻辑器件
第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1存储器按读写功能以及信息的可保存性分别分为哪几类？并简述各自的特点。
解答：存储器按读写功能可分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。
随机存取存储器在工作过程中，既可从其任意单元读出信息，又可以把外部信息写入任意单元。
因此，它具有读、写方便的优点，但由于具有易失性，所以不利于数据的长期保存。
只读存储器在正常工作时其存储的数据固定不变，只能读出，不能随时写入。
ROM为非易失性器件，当器件断电时，所存储的数据不会丢失。
存储器按信息的可保存性可分为易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。
非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。
8-2什么是SRAM？什么是DRAM？它们在工作原理、电路结构和读/写操作上有何特点？解答：SRAM（Static Random Access Memory）为静态随机存储器，其存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路构成的。
DRAM（Dynamic Random Access Memory）为动态随机存储器，常利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器，为了避免存储信息的丢失，必须定时地对电路进行动态刷新。
SRAM的数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存，但其存储单元所用的管子数目多，因此功耗大，集成度受到限制。
DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息，由于电荷保存时间有限，为避免存储数据的丢失，必须由刷新电路定期刷新，但其存储单元所用的管子数目少，因此功耗小，集成度高。
SRAM速度非常快，但其价格较贵；DRAM的速度比SRAM慢，不过它比ROM 快。
8-3若RAM的存储矩阵为256字⨯4位，试问其地址线和数据线各为多少条？解答：存储矩阵为256字⨯4位的RAM地址线为8根，数据线为4根。
8-4某仪器的存储器有16位地址线，8位数据线，试计算其最大存储容量是多少？解答：最大存储容量为216⨯8=524288=512k bit（位）8-5用多少片256⨯4位的RAM可以组成一片2K⨯8位的RAM？试画出其逻辑图。
存储器习题及参考答案
习题四参考答案1．某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1）如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？（2）该存储器能存放多少字节的信息？（3）片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K×8位，故，（1）需要1k×4位的RAM芯片位32片。
（2）该存储器存放16K字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器，要求：（1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器，要求：（1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？解：（1）（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器，试问：（1）数据寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）共需多少个EPROM芯片？（4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以：（1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM芯片？（4）逻辑框图为：5. 某机器中，已经配有0000H～3FFFH的ROM区域，现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W（读/写）、MREQ（访存），要求：（1）画出地址译码方案。
数电第8章习题答案
习题一、填空题1. 如果一个半导体存储器中有m位地址线，则有2m个存储单元，若输出位数为n位，则其存储容量为n* 2m 位。
2. ROM的电路结构一般由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器等构成。
3. 一片存储容量为4K×1位的ROM芯片应该有12 条地址线。
4. RAM一般由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路组成。
5. 将存储容量为2K×4位的RAM扩展成16K×8的存储器，共需要16 片2K×4位的RAM。
二、分析与设计题1. 半导体存储器的特点及分类是什么？半导体存储器分ROM和RAMROM只读存储器只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产3、可擦除可编程ROM（EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护RAM 随机存取存储器既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。
RAM又分为静态RAM，动态RAM1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元双极双极型的SRAM型速度快，MOS管速度慢，不需要刷新2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。
动态RAM需要进行刷新操作2. 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？答： 232 *16位3. 试用4片4K ×4位的RAM 接成16K ×4位的存储器。
数字电子技术基础习题册2010-答案8-11
第8章存储器【8-1】填空1．按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。
磁芯存储器利用来存储数据；而半导体存储器利用来存储数据。
两者相比，前者一般容量较；而后者具有速度的特点。
2．半导体存储器按功能分有和两种。
3．ROM主要由和两部分组成。
按照工作方式的不同进行分类，ROM可分为、和三种。
4．某EPROM有8条数据线，13条地址线，则存储容量为。
5．DRAM 速度SRAM，集成度SRAM。
6．DRAM是RAM，工作时（需要，不需要）刷新电路；SRAM是RAM，工作时（需要，不需要）刷新电路。
7. FIFO的中文含义是。
解：1．正负剩磁，器件的开关状态，大，快。
2．ROM，RAM。
3．地址译码器，存储矩阵，固定内容的ROM 、PROM，EPROM三种。
4．213×8。
5．低于，高于。
6．动态，需要；静态，不需要。
7．先进先出数据存储器。
【8-2】图8.2是16×4位ROM，A3A2A1A0为地址输入，D3D2D1D0为数据输出，试分别写出D3、D2、D1和D0的逻辑表达式。
AAAA3 2 1 0图8.2解：⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧∑=⋅=∑==)m(0,5,9,13312,15)m(3,6,9,12100D A A D D A D【8-3】用16×4位ROM 做成两个两位二进制数相乘（A 1A 0×B 1B 0）的运算器，列出真值表，画出存储矩阵的阵列图。
解：图8.3【8-4】由一个三位二进制加法计数器和一个ROM 构成的电路如图8.4(a)所示 1．写出输出F 1、F 2和F 3的表达式；2．画出CP 作用下F 1、F 2和F 3的波形（计数器的初态为”0“）F 1F 2F 3CP(a) (b)图8.4解：1． ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⋅=⋅⋅+⋅+⋅⋅=⋅+⋅+⋅=013012012012201212011Q Q F Q Q Q Q Q Q Q Q Q F Q Q Q Q Q Q Q F2．CP F1F2F3图8.4（b ）【8-5】用ROM 实现全加器。
可编程逻辑器件(PLD)简介
③ 有上电复位功能和加密功能，可以防止非法 复制。
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2．通用可编程逻辑器件（GAL）
20世纪80年代初，美国Lattice半导体公司研制。 GAL的结构特点：输出端有一个组态可编程的输 出逻辑宏单元OLMC，通过编程可以将GAL设置成不 同的输出方式。这样，具有相同输入单元的GAL可以 实现PAL器件所有的输出电路工作模式，故而称之为 通用可编程逻辑器件。
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作业题
8-3
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当三态门被选通时，I/O引脚作输出用。
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③ 寄存器输出结构。输出端有一个D触发器， 在使能端的作用下，触发器的输出信号经三态门缓 冲输出。能记忆原来的状态，从而实现时序逻辑功 能。
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④ 异或—寄存器型输出结构。 输出部分有两个或门，它们的输出经异或门后 再经D触发器和三态缓冲器输出，这种结构便于对 与或逻辑阵列输出的函数求反，还可以实现对寄存 器状态进行维持操作，适用于实现计数器及状态。 （A⊕0=A，A⊕1=A ）
8
（5）常采用可编程元件(存储单元)的类型：
① 一次性编程的熔丝或反熔丝元件；
② 紫外线擦除、电可编程的
EPROM(UVEPROM)存储单元，即UVCMOS工艺
结构；
③ 电擦除、电可编程存储单元，一类是
E2PROM即E2CMOS工艺结构，另一类是快闪
(Flash)存储单元；
④ 基于静态存储器(SRAM)的编程元件。
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8.2.4 现场可编程门阵列（FPGA）
是20世纪80年代中期出现的高密度PLD。
数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a）2K×8位（）（）（）（）（b）256×2位（）（）（）（）（c）1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案：1． a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
数字电子技术存储器与可编程逻辑器件习题及答案
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a）2K×8位（）（）（）（）（b）256×2位（）（）（）（）（c）1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案：1． a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
数字电子技术课后习题答案
ABACBC
BC
A
00 01 11 10
00
1
0
1
11
0
1
0
Y ABC
❖ 3.13某医院有一、二、三、四号病室4间，每室设有 呼叫按钮，同时在护士值班室内对应的装有一号、 二号、三号、四号4个指示灯。
❖ 现要求当一号病室的按钮按下时，无论其它病室的 按钮是否按下，只有一号灯亮。当一号病室的按钮 没有按下而二号病室的按钮按下时，无论三、四号 病室的按钮是否按下，只有二号灯亮。当一、二号 病室的按钮都未按下而三号病室的按钮按下时，无 论四号病室的按钮是否按下，只有三号灯亮。只有 在一、二、三号病室的按钮均未按下四号病室的按 钮时，四号灯才亮。试用优先编码器74148和门电路 设计满足上述控制要求的逻辑电路，给出控制四个 指示灯状态的高、低电平信号。
HP RI/BIN
I0
0/ Z1 0 10 ≥1
I1
1/ Z1 1 11
I2
2/ Z1 2 12 18
YS
I3
3/ Z1 3 13
I4
4/ Z1 4 14
YEX
I5
5/ Z1 5 15
I6
6/ Z1 6 16
I7
7/ Z1 7 17
Y0
V18
Y1
ST
E N
Y2
(b)
74148
(a)引脚图;(b)逻辑符号
A
00 01 11 10
00
0
0
1
11
1
0
1
Y AB BC AC
由于存在AC 项，不存在相切的圈，故无冒险。
❖ 4.1在用或非门组成的基本RS触发器中，已知 输入SD 、RD的波形图如下，试画出输出Q, Q
数字电子技术基础第8章可编程逻辑器件
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
PLD是70年代发展起来的新型逻辑器件，是一种通用大规模 集成电路，用于LSI和VLSI设计中，采用软件和硬件相结合的方 法设计所需功能的数字系统。相继出现了ROM、PROM、PLA、 PAL、GAL、EPLD和FPGA等，它们组成基本相似。
数字电子技术基础第8章 可编程逻辑器件
2020/11/21
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
传统的逻辑系统，当规模增大时 （SSI MSI)
焊点多，可靠性下降 系统规模增加成本升高 功耗增加 占用空间扩大
连接线与点增多 抗干扰下降
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
从逻辑器件的功能和使用方法看，最初的逻辑器件全部采用标准通用 片，后来发展到采用用户片和现场片。
通用片的功能是器件厂制造时定死的，用户只能拿来使用而不能改变 其内部功能。
通用片有门、触发器、多路开关、加法器、寄存器、计数器、译码器 等逻辑器件和随机读写存储器件。
用户片是完全按用户要求设计的VLSI器件。它对用户来讲是优化的， 但是设计周期长，设计费用高，通用性低，销售量少。用户片一般称为专 用集成电路(ASIC)，但是它也向通用方向发展。
PROM----可编程存储器
P
PLA----可编程逻辑阵列
L
PAL----可编程阵列逻辑
D
GAL----通用可编程阵列逻辑
FPGA----现场可编程门阵列
ispLSI----在系统可编程大规模集成电路
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
1.与固定、或编程： 与阵列全固定，即全译码；ROM和PROM
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
数字电子技术江晓安答案
数字电子技术江晓安答案【篇一：数字电路教学大纲】txt>一、课程基本情况教学要求：二、课程的性质、目的和任务：①、课程性质：《数字电子技术》是机电一体化技术、电气自动化技术等专业的一门专业基础课，是理论和实际紧密结合的应用性很强的一门课程。
是在学完《电路基础》和《模拟电子技术》课程后，继续学习数字电子技术方面知识和技能的一门必修课。
②、本课程的目的：从培养学生的智力技能入手，提高他们分析问题、解决问题以及实践应用的能力，为学习其它有关课程和毕业后从事电子、电气工程、自动化以及计算机应用技术方面的工作打下必要的基础。
③、本课程的任务：本课程的主要任务是使学生掌握数字电子技术的基本概念、基本理论、基础知识和基本技能，熟悉数字电路中一些典型的、常用的集成电路原理，功能及数字器件的特性和参数。
掌握数字电路的分析方法和设计方法。
通过这门课程的学习和训练，达到掌握先进电子技术的目的。
并为今后学习有关专业课及解决工程实践中所遇到的数字系统问题打下坚实的基础。
本课程的研究内容该课程教学内容主要包括：逻辑代数基础、门电路、触发器等与数电技术及相关的课题。
本课程的研究方法三、本课程与相关课程的联系（先修后修课程）本课程的先修课程是高等数学、普通物理、电路理论及模拟电子技术，本课程应在电路理论课学过一学期之后开设。
要求学生在网络定理（如戴维南定理、迭加原理和诺顿定理等）、双口网络、线性交流电路和暂态分析等方面具有一定基础。
?四、教学内容和基本要求各章节主要内容、重点难点及学生所需掌握的程度。
（一般了解，理解和重点掌握）教学内容：第一章数制和码制第一节概述第二节几种常用的数制第三节不同数制间的转换第四节二进制算术运算第五节几种常用的编码第一节概述第二节逻辑代数中的三种基本运算第三节逻辑代数的基本公式和常用公式第四节逻辑代数的基本定理第五节逻辑函数及其表示方法第六节逻辑函数的化简方法第七节具有无关项的逻辑函数及其化简第三章门电路第一节概述第二节半导体二极管门电路第三节 cmos门电路第四节 ttl门电路第四章组合逻辑电路第一节概述第二节组合逻辑电路的分析方法和设计方法第三节若干常用的组合逻辑电路第四节组合逻辑电路中的竞争——冒险现象第五章触发器第一节概述第二节sr锁存器第三节电平触发的触发器第四节脉冲触发的触发器第五节边沿触发的触发器第六节触发器的逻辑功能及其描述方法第一节概述第二节时序逻辑电路的分析方法第三节若干常用的时序逻辑电路第四节时序逻辑电路的设计方法第五节时序逻辑电路中的竞争——冒险现象第七章半导体存储器第一节概述第二节只读存储器（rom）第三节随机存储器（ram）第四节存储器容量的扩展第五节用存储器实现组合逻辑函数第八章可编程逻辑器件第一节概述第二节可编程阵列逻辑（pal）第三节通用阵列逻辑（gal）第四节可擦除的可编程逻辑器件（epld）第五节复杂的可编程逻辑器件（cpld）第六节现场可编程门阵列（fpga）第七节在系统可编程通用数字开关（ispgds）第八节 pld的编程第九章脉冲波形的产生和整形第一节概述第二节施密特触发器第三节单稳态触发器第四节多谐振荡器第五节 555定时器及其应用第十章数-模和模-数转换第一节概述第二节 d/a转换器第三节 a/d转换器五、课程考核办法课程成绩由两部分组成：平时成绩和期末考试平时成绩考核方式：由学习中心辅导教师负责考核或网上作业系统自测期末考试考核方式：大作业/考试笔试/口试开卷/闭卷总评成绩构成：平时成绩20%；考试成绩80%。
课后习题答案第8章 存储器和可编程逻辑器件
课后习题答案第8章存储器和可编程逻辑器件课后习题答案第8章-存储器和可编程逻辑器件第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1根据读写功能和信息的可存储性，存储器的类型是什么？并简要描述每种情况自的特点。
答：根据读写功能，存储器可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）。
在随机存取存储器的工作过程中，它不仅可以从任何单元读取信息，还可以将外部信息写入任何单元。
因此，它具有读写方便的优点，但由于其波动性，不利于数据的长期保存。
在正常操作期间，存储在只读存储器中的数据是固定的，只能读取，不能在任何时候写入。
ROM是一种非易失性设备。
当设备断电时，存储的数据不会丢失。
存储器按信息的可保存性可分为易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。
非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。
8-2什么是sram？什么是dram？它们在工作原理、电路结构和读/写操作的特点是什么？解答：sram（staticrandomaccessmemory）为静态随机存储器，其存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路构成的。
dram（dynamicrandomaccessmemory）为动态随机存储器，常利用mos管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器，为了避免存储信息的丢失，必须定时地对电路进行动态刷新。
SRAM的数据由触发器存储。
只要不断电，数据就可以保存，但其存储单元中使用的管数很大，因此功耗大，集成度有限。
DRAM通常使用MOS管的栅极电容来存储信息。
由于充电的存储时间有限，为了避免存储数据的丢失，必须由刷新电路定期刷新，但其存储单元中使用的管数较少，因此功耗小，集成度高。
SRAM速度很快，但价格昂贵；DRAM比SRAM 慢，但比ROM快。
8-3少条？回答：存储矩阵是256个字？有8条4位RAM地址线和4条数据线。
若ram的存储矩阵为256字?4位，试问其地址线和数据线各为多一8-4某仪器的存储器有16位地址线，8位数据线，试计算其最大存储容多少钱？解答：最大存储容量为216?8=524288=512kbit（位）8-5其逻辑图。
数字逻辑设计习题(7、8章)答案
第七章 存储器和可编程器件7—1 填空1．半导体存储器按功能分有＿RAM ＿＿和＿＿ROM ＿两种。
2．ROM 主要由＿＿存储矩阵＿＿＿＿和＿＿地址译码器＿＿＿＿和输出缓冲器三部分组成，按照工作方式的不同进行分类，ROM 可分为＿MROM ＿＿、＿PROM ＿＿和＿EPROM ＿＿三种。
3．某EPROM 有位8数据线，13位地址线，则其存储容量为＿8K ×8b ＿＿。
4．随机存储器按照存储原理可以分为_____SRAM ______和___DRAM ________，其中______DRAM_____由于具有“漏电”特性，因此需要进行_____刷新______操作。
7—2 图7.2是16⨯4位ROM ，3A 2A 1A 0A 为地址输入，3D 2D 1D 0D 为数据输出，试分别写出3D 2D 1D 0D 的逻辑表达∑=)15,10,6,2(3m D ∑=)15,12,11,8,7,4,3(2m D ∑=)12,9,6,3,0(1m D ∑=)14,13,12,11,8,7,6,5,2,0(0m D7—3 由一个三位二进制加法计数器和一个ROM 构成的电路如图7.3（a ）所式。
1. 写出输出1F 2F 3F 的表达式；2. 画出CP 作用下1F 2F 3F 的波形（计数器的初态为“0”）。
答：∑=)5,4,2,1(1m F ∑=)6,5,3(2m F∑=)6,5,4,2,1,0(3m F2、波形如图所示。
注意：F 为组合逻辑。
A A A A 3210图7.2123F F F 图7.3（a ）123F F F 图7.3（a ）图7.3（b ）W 7第8章 脉冲波形的产生及整形8-1 图8.1（a ）为由555定时器和D 触发器构成的电路，请问： 1. 555定时器构成的是哪种脉冲电路？ 2. 在图（b ）中画出C U O1U O2U 的波形； 3. 计算O1U O2U 的频率；4. 如果在555定时器的第5脚接入4V 的电压源，则O1U 的频率将为多少？答：1、该电路为多谐振荡器。
半导体存储器和可编程逻辑器件习题解答
复习思考题6-1ROM一共分为几种，它们都有哪些特性？答：只读存储器(ROM)实际上是一个具有n个输入和m个输出的组合逻辑电路,分为掩模ROM、PROM和EPROM三种。
掩模只读存储器是最早出现的只读存储器，在存储器出厂的时候，存储器中的数据就已经被固化在它的内部了；掩模只读存储器之能够读取数据，而不能写入数据。
PROM的总体结构和掩模ROM相同，都是由地址译码器、存储矩阵和输出电路构成。
PROM和掩模ROM不同的地方则在于，它们的存储单元具有不同的结构；PROM既可以读也可以写，但是只能写入一次。
可擦除的可编程存储器(EPROM)中存储的数据可以被反复擦除和重新编程，所以，它的应用范围比PROM更加广泛。
6-2为什么说ROM实际上一种组合逻辑电路？答：因为ROM中没有时钟信号，地址输入端和数据输出端构成了组合逻辑的一一对应关系。
6-3掩模ROM和PROM有什么区别？答：PROM和掩模ROM不同的地方则在于，它们的存储单元具有不同的结构；掩模只读存储器只能够读取数据，而不能写入数据，PROM既可以读也可以写，但是只能写入一次。
6-4PROM和EPROM的最大区别是什么？答：PROM存储单元和EPROM不同。
前者主要是熔丝和反熔丝结构，而后者则采用各种可擦除半导体结构。
PROM只能写一次，而EPROM能反复地擦和写。
6-5SRAM和DRAM的区别是什么？在实际中，它们各自有什么用途？答：它们的存储单元结构不同。
SRAM不需要刷新，而DRAM需要不断地周期性地刷新。
6-6当字数不够用，位数也不够用时，应该怎样扩展存储器的存储容量？答：可以进行字扩展和位扩展。
6-7可编程逻辑器件主要有哪几种？答：有PAL、GAL、CPLD和FPGA等6-8PAL器件和ROM的区别是什么？答：ROM只有或阵列都可以编程，而与阵列不能编程；PAL只有与阵列能编程，或阵列是固定的。
6-9怎样用PAL实现任意组合逻辑函数？用PAL实现任意组合逻辑函数有什么限制？答：先将逻辑函数式化简，再按照乘积和的方式在PAL中进行编程。
PLD可编程逻辑器件-数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案 精品
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a）2K×8位（）（）（）（）（b）256×2位（）（）（）（）（c）1M×4位（）（）（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案：1． a2．（a）2048×8；2048；2048；8（b）512；256；256；2（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
数电--数电习题答案
第1章习题答案1-1．按照集成度分类，试分析以下集成器件属于哪种集成度器件：（1）触发器；（2）中央处理器；（3）大型存储器；（4）单片计算机；（5）多功能专用集成电路；（6）计数器；（7）可编程逻辑器件。
解：（1）小规模；（2）大规模；（3）超大规模；（4）超大规模；（5）甚大规模；（6）中规模；（7）甚大规模。
1-2．将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数。
（1）45（2）78（3）（4）（5）65 （6）126解：（1）(45)10=(101101)2=(55)8=(2D)16（2）(78)10=(1111000)2=(170)8=(78)16（3）10=2=8=16（4）=2=8=16（5）(65)10=(1100101)2=(145)8=(65)16（6）(126)10=(1111110)2=(176)8=(7E)16101-3．将下列十六进制数转换为二进制数和十进制数。
解：（1）(49)16=(1001001)2=(73)10（2）(68)16=(1101000)2=(104)10（3）16=(1100101)2=(145)10（4）16=2=(84.)10（5）(35)16=(110101)2=(53)10（6）(124)16=(0)2=(292)101-4．将下列八进制数转换为二进制数和十进制数。
解：（1）(27)8=(010111)2=(23)10（2）(56)8=(101110)2=(46)10（3）8=2=10（4）8=2=10（5）(35)8=(11101)2=(29)10（6）(124)8=(1010100)2=(84)101-5．将下列二进制数转换为十六进制数、八进制和十进制数。
解：（1）(1110001)2=(71)16=(161)8=(113)10（2）2=16=8=10（3）2=16=8=10（4）(10001)2 =(11)16=(21)8=(17)10（5）(1010101)2=(55)16=(125)8=(85)101-6．试求出下列8421BCD码对应的十进制数。
半导体存储器习题参考答案
第八章半导体存储器习题参考答案
8-1 ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器
8-2 相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0
或1。
不同点：只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改。
PROM是可编程只读存储器。
EPROM是可擦除的可编程只读存储器
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。
8-3 PROM是可编程只读存储器。
EPROM是可擦除的可编程只读存储器
EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。
8-4 RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。
存储距阵由许多个存储单元排列而成。
在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。
8-5 静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。
动态RAM的存
储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周期性地对存储数据进行刷新
8-6 只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。
随时读出数据或
改写存储的数据，并且读/写数据的速度很快，因此，RAM多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。
但RAM 在断电后，数据将全部丢失。
8-7 电路如图所示：。
数电各章复习题及答案.
第1章逻辑代数基础一、选择题（多选题）1．以下代码中为无权码的为。
A. 8421BCD码B. 5421BCD码C. 余三码D. 格雷码2．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。
A. １B. ２C. ４D. 163．十进制数25用8421BCD码表示为。
A.10 101B.0010 0101C.100101D.101014．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。
A.(0101 0011.0101)8421BCDB.(35.8)16C.(110101.1)2D.(65.4)85.与八进制数(47.3)8等值的数为：A. (100111.011)2B.(27.6)16C.(27.3 )16D. (100111.11)26.常用的B C D码有。
A.奇偶校验码B.格雷码C.8421码D.余三码7.与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。
A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强8. 逻辑变量的取值１和０可以表示：。
A.开关的闭合、断开B.电位的高、低C.真与假D.电流的有、无9．求一个逻辑函数F的对偶式，可将F中的。
A .“·”换成“+”，“+”换成“·”B.原变量换成反变量，反变量换成原变量C.变量不变D.常数中“0”换成“1”，“1”换成“0”E.常数不变10. A+BC= 。
A .A+B B.A+C C.（A+B）（A+C） D.B+C11.在何种输入情况下，“与非”运算的结果是逻辑0。
A．全部输入是0 B.任一输入是0 C.仅一输入是0 D.全部输入是112.在何种输入情况下，“或非”运算的结果是逻辑0。
A．全部输入是0 B.全部输入是1 C.任一输入为0，其他输入为1 D.任一输入为113.以下表达式中符合逻辑运算法则的是。
A.C·C=C2B.1+1=10C.0<1D.A+1=114. 当逻辑函数有n个变量时，共有个变量取值组合？A. nB. 2nC. n2D. 2n15. 逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是。
第7章 存半导体储器与可编程逻辑器件(习题)
YY21
AC A
BC AB BC
Y0 AB AC
Y0 m3 m5 m6 m7
YY21
m3 m0
m4 m2
m6 m3
m7 m4
m5
m6
m7
Y3 m1 m3 m6 m7
7.8
解： 列出ROM数据表：
Y3 m(5,6,7,8,9) Y2 m(1,2,3,4,9) Y1 m(0,3,4,7,8) Y0 m(0,2,4,6,8)
A2 A1 A0 A2 A1A0 A2 A1 A0 A1 A0 A2 A1A0
D1 m(0,2,4,6) A2 A1 A0 A2 A1 A0 A2 A1 A0 A2 A1 A0
A2 A0 A2 A0 A0
7.7 解： 先把逻辑表达式化成最小项的形式。
Y0 AB AC BC
D2 m(1,6,7)
A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A1A0
A2 A1A0 A2 A1
D1 m(0,3,4)
地址/输入 A2 A1 A0 000 001 010 011 100 101 110 111
数据/输出 D3 D2 D1 D0 0011 1100 1001 0010 0011 1000 0101 1100
需要4片。扩展后需要12根地址线，4根数据线。
7.5
解： 8K 8 213 8
需要16片。扩展后需要13根地址线，8根数据线。
7.6
解：D3 m(1,2,5,7)
A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A1A0 A2 A1A0 A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A0 A1A0 A2 A1 A0 A2 A0
ABCD ABCD
Y1 ABC D ABC D ABC D ABCD
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第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
（a）位（b）字节（c）字2．指出下列存储器各有多少个存储单元？多少根地址线和数据线？（a）2K×8位（）（）（b）256×2位（）（）（c）1M×4位（）（）3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案：1． a2．（a）2048×8，11（b）512，8（c）1024×1024×4，203．a4．c5．d6．c7．b8.2随机存取存储器（RAM）自测练习1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。
2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。
4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。
5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。
答案：1．栅极电容，触发器2．刷新3．只读存储器，读/写存储器4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路5．11，8，2K×8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。
2．ROM只读存储器的电路结构中包含（）、（）和（）共三个组成部分。
3．若将存储器的地址输入作为（），将数据输出作为（），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。
4．掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（）。
25．28256 型EEPROM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，是以字节数据存储信息的。
6．EPROM是利用（）擦除数据的，EEPROM是利用（）擦除数据的。
7．PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（）。
8．一个PROM/EPROM能写入（）（许多，一）次程序。
9．存储器2732A是一个（）（EPROM，RAM）。
10．在微机中，4种存储类型为（）。
答案：1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路3．输入，输出4．标准与或形式（最小项表达式）5．15，8，32K×86．紫外线，电7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器8．一次/许多9．EPROM10．寄存器，高速缓存，主存，外存8.4 快闪存储器（Flash Memory）自测练习1．非易失性存储器有（）。
（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存（c）闪存和RAM 2．Flash Memory的基本存储单元电路由（）构成，它是利用（）保存信息，具有（）性的特点。
3．Flash Memory 28F256有（）和（）两种操作方式。
4．从功能上看，闪存是（）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（）存储器。
5．Flash28F256有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，编程操作是按字节编程的。
答案：1．b2．一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失3．只读存储方式，读/写存储方式4．RAM，ROM5．15，8，32K×8348.5存储器的扩展自测练习1． 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。
2． 如果用2K ×16位的存储器构成16K ×32位的存储器，需要（ ）片。
（a ） 4 （b ） 8 （c ） 163． 用4片256×4位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。
4． 若将4片6116 RAM 扩展成容量为4K ×16位的存储器，需要（ ）根地址线。
（a ） 10 （b ） 11 （c ） 12 （d ）135． 将多片1K ×4位的存储器扩展成8K ×4位的存储器是进行（ ）扩展；若扩展成1K ×16位的存储器是进行（ ）扩展。
6． 4256⨯的存储器有（ ）根数据线，（ ）根地址线，若该存储器的起始地址为００Ｈ，则最高地址为（ ），欲将该存储器扩展为81⨯K 的存储系统，需要4256⨯的存储器（ ）个。
答案：1．字扩展，位扩展 2．C3．256×16/1K ×4 4．C5．字，位6．4，8，FF ，88.6 可编程阵列逻辑PAL自测练习1． PAL 的常用输出结构有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4种。
2． 字母PAL 代表（ ）。
3． PAL 与PROM 、EPROM 之间的区别是（ ）。
（a ）PAL 的与阵列可充分利用（b ）PAL 可实现组合和时序逻辑电路（c ）PROM 和EPROM 可实现任何形式的组合逻辑电路4． 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的PLD 为（ ）。
（a ）PROM （b ）PLA （c ）PAL5．一个三态缓冲器的三种输出状态为（）。
（a）高电平、低电平、接地（b）高电平、低电平、高阻态（c）高电平、低电平、中间状态6．查阅资料，确定下面各PAL器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。
（a）PAL12H6 （）（）（）（b）PAL20P8 （）（）（）（c）PAL16L8 （）（）（）答案：1．输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构2．可编程阵列逻辑3．B4．C5．B6．（a）12，6，高电平（b）20，8，可编程极性输出（c）16，8，低电平8.7 通用阵列逻辑GAL自测练习1．GAL具有（）（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列2．GAL16V8具有（）种工作模式。
3．GAL16V8在简单模式工作下有（）种不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（）种不同的OLMC配置；在复杂模式工作下有（）种不同的OLMC配置。
4．GAL16V8具有（）。
（a）16个专用输入和8个输出（b）8个专用输入和8个输出（c）8个专用输入和8个输入/输出（d）10个专用输入和8个输出5．如果一个GAL16V8需要10个输入，那么，其输出端的个数最多是（）。
（a）8个（b）6个（c）4个56．若用GAL16V8的一个输出端来实现组合逻辑函数，那么此函数可以是（）与项之和的表达式。
（a）16个（b）8个（c）10个7．与、或、非、异或逻辑运算的ABEL表示法分别为（）。
=++用ABEL语言描述时，应写为（）。
8．逻辑表达式F AB AB AB答案：1．A2．33．3，2，24．B专用输入，专用组合输出，复合输入/输出（I/O），寄存器组合I/O，寄存器输出5．C6．87．B8．&，#，!，$9．A&B#A&!B#!A&B8.8 CPLD、FPGA和在系统编程技术简介自测练习1．PLD器件的设计一般可分为（）、（）和( )三个步骤以及( )、 ( ) 和( ) 三个设计验证过程.2．ISP表示（）。
（a）在系统编程的（b）集成系统编程的（c）集成硅片程序编制器3．CPLD表示（）。
（a）简单可编程逻辑阵列（b）可编程交互连接阵列（c）复杂可编程逻辑阵列（d）现场可编程逻辑阵列4．FPGA是（）。
（a）快速可编程门阵列（b）现场可编程门阵列（c）文档可编程门阵列（d）复杂可编程门阵列5．FPGA是采用（）技术实现互连的。
（ａ）熔丝（ｂ）CMOS（ｃ）EECMOS （d）SRAM66．PLD的开发需要有（）的支持。
（a）硬件和相应的开发软件（b）硬件和专用的编程语言（c）开发软件（d）专用的编程语言答案：1．设计输入，设计实现，编程，功能仿真，时序仿真，测试2．a3．c4．b5．d6．a习题8．１存储器有哪些分类？各有何特点？8．２ROM和RAM的主要区别是什么？它们各适用于哪些场合？8．３静态存储器SRAM和动态存储器DRAM在电路结构和读写操作上有何不同？8．４Flash Memory有何特点和用途？它和其它存储器比较有什么不同？8．５某台计算机系统的内存储器设置有20位的地址线，16位的并行输入/输出端，试计算它的最大存储容量？8．６试用4片2114（1024×4位的RAM）和3-8译码器组成4096×4位的存储器8．７试用4片2114RAM连接成2K×8位的存储器。
8．８PROM实现的组合逻辑函数如图P8．8所示。
（1）分析电路功能，说明当ABC取何值时，函数F1=F2=1；（2）当ABC取何值时，函数F1=F2=0。
图P8．888．９ 用PROM 实现全加器，画出阵列图，确定PROM 的容量。
8．１０ 用PROM 实现下列多输出函数，画出阵列图。
F 1=D C B +C B A +C B A +BD A +ABD F 2=D B +D B A +D C A +D B A +D C B A F 3=D C B A +D C A +D C AB +CD B A +C B A F 4=ACD +D B +BD8．１１ PAL 器件的结构有什么特点？8．１２ 描述PAL 与PROM 、EPROM 之间的区别。
8．１３ 任何一个组合逻辑电路都可以用一个PAL 来实现吗？为什么？8．１４ 选用适当的PAL 器件设计一个3位二进制可逆计数器。
当X=0时，实现加法计数；当X=1时，实现减法计数。
8．１５ 为什么GAL 能取代大多数的PAL 器件？8．１６ 试用GAL16V8实现一个8421码十进制计数器。
习题解答：8．1存储器有哪些分类？各有何特点？（基本题，第1、2、3、4节）答：半导体存储器可分类为：ROM 、RAM 和Flash 存储器。
ROM 属于非易失性存储器，断电后所存数据不丢失。
ROM 又可分为：掩膜ROM 、PROM 、EPROM 和EEPROM 。
掩模ROM 和PROM 是一次性编程的，EPROM 和EEPROM 是可以重复编程的。
掩模ROM 、PROM 和EPROM 在正常工作时，所存数据是固定不变的，只能读出，不能写入。
只有EEPROM 在正常工作时所存数据是可以读出，也可以写入。
RAM 也称为读/写存储器，是易失性存储器，断电后所存数据全部丢失。