xx市封装基板产业发展规划

封装基板是芯片封装不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、

散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电气连接。具有高

密度、高精度、高性能、小型化以及轻薄化的特点。

全行业实施“由大变强、靠新出强”的发展战略，在产业结构调整、方式转变等方面取得了长足进步，为国民经济和城乡建设的快速

发展提供了重要的保障。

为促进产业转型升级、由大变强、可持续发展，特制定改规划方案，请结合实际认真贯彻实施。

一、规划思路

坚持以科学发展观为指导，以转变行业发展方式为主题，由资本

驱动型产业向创新驱动型产业转变；坚持以市场为导向、以结构调整

为主线的原则；大力发展产业集群，促进产业集聚化和分工专业化，

形成大中小企业优势互补，产业产品链式发展；进一步完善产业布局，着力培育、壮大优势企业，提高生产集中度，培育品牌企业，全面提

升区域产业发展的水平、质量和效益。

二、原则

1、坚持创新发展。实施创新驱动发展战略,突破并推广关键共性技术,加快新产品研发与应用进程,完善标准体系,增强自主创新和品牌建设能力。

2、加强引导，市场推动。完善法规和标准，规范产业市场主体行为，建立公平的市场环境；综合运用价格、财税、金融等经济手段，发挥市场配置资源的决定性作用，激发企业发展的内生动力。

3、因地制宜，特色发展。紧密结合区域发展要素条件，充分发挥比较优势，围绕核心产业，引进培育龙头企业，形成各具特色、差异发展的发展新格局。

4、开放融合。树立全球视野，对标国际先进，把握“一带一路”重大战略契机，聚焦产业重点领域，探索发展合作新模式，在全球范围配置产业链、创新链和价值链，更大范围、更高层次上参与产业竞争合作，走开放式创新和国际化发展的道路。

5、坚持协调发展。围绕战略性新兴产业等重大需求，鼓励产学研用相结合、上下游产业融合发展，促进发展速度与质量、效益相统一，与资源、环境相协调。

三、背景分析

封装基板是芯片封装不可或缺的一部分，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB母板之间提供电气连接。具有高密度、高精度、高性能、小型化以及轻薄化的特点。

封装基板行业上游主要是玻纤布、铜箔、环氧树脂等原材料，下游应用广泛，主要应用于消费电子，通讯设备和工控医疗等领域。

2019年全球半导体材料整体市场营业收入下降，包括半导体封装材料；2019年中国集成电路测封材料市场规模为54.28亿美元，较2018年的56.75亿美元同比下降4.35%。

中国封装基板市场规模占封测材料市场规模的46-50%之间，预计随着封装基板生产技术不断的发展，占比将不断提升；若2019年中国封装基板市场规模占封测材料市场规模的48%，则封装基板市场规模将达到186.4亿元。

从各企业封装基板营业收入来看，中国封装基板市场集中度较为分散；2019年深南电路封装基板市场占有率为6.46%，兴森科技封装基板市场占有率为1.65%，丹邦科技封装基板市场占有率为0.85%。

四、规划目标

力争到xx年，全面建成完善的产业体系，产值突破xx亿元，增加值突破xx亿元，不少于xx家企业进入全国行业500强企业行列。

五、主要任务

(一)优化发展环境

进一步强化服务意识、提高办事效率，努力营造良好的发展环境。健全公平公正的市场规则，突出市场在优化资源配置的决定性作用，

最大程度激发企业活力和创造力。创造公平公正的市场机会，加快要

素市场体系建设。保障公平公正的市场权利，规范市场经济秩序，切

实保护投资者合法权益。

(二)加强组织协调

完善多部门联动机制，研究制定促进产业行业去产能、供给侧改革、转型升级、等一系列政策措施，研究行业发展过程中存在的重点

难点问题，及时提出解决办法，制定具体推进方案。

(三)实施科技创新提升工程

引导行业企业提高信息化、自动化水平。重点建设各类产业公共

研发平台、重点试验室、工程中心、企业技术中心等高水平创新平台。依托大型企业集团、科研院所、高校等单位，构建完善产学研用相结

合的产业发展创新体系。创建一批以行业为特色的技术中心、工程中

心或重点实验室，完善产业发展所需公共研发、技术转化、检验认证

等平台。提升行业产业科技创新能力。推动企业与行业科研机构合作，

加强核心技术自主创新和引进消化吸收再创新，到xx年新增创新平台

xx个。

(四)加强政策引导和促进作用，推动行业健康发展

根据行业发展的需要，在相关领域制定产业政策，加强引导作用，促进整个产业的结构调整和升级。加强组织领导，建立相关部门参加

的协调机制，加强政策衔接，强化部门联动，推动产业的发展。

(五)实施产业集聚发展工程

依托优势企业，整合要素资源，支持区域以产业为特色的产业基

地建设。产业基地要根据产业发展基础和资源禀赋，实行“差别竞争、错位发展”，完善产业链条，促进产业集聚。

(六)培育龙头骨干企业

以产业发展重点为主线，以产业园区建设为主要载体，遵从弥补

短缺、突出重点的原则，对规划中重点发展的具有引领和支撑作用项

目加大招商引资力度，积极引进国内大型企业集团以及特色优势企业。发挥龙头企业对产业发展的牵引和辐射作用，推动产业集聚和做大做强。延长产业链条，向产业链的终端和价值链的高端发展。同时，借

助大企业的引进加快现代企业管理理念的有效输入和品牌嫁接，实现

技术进步、管理提升、资源有效利用、产业链整合等要素的优化组合。

附：实施保障

(一)深化国际交流合作

在产业技术标准、知识产权、产业应用等方面广泛开展国际交流，不断拓展合作领域。加强与国外产业研究机构开展交流合作，及时准

确把握世界产业发展趋势。鼓励企业与国外产业先进企业和研发机构

合作，鼓励企业创造条件到境外设立产业研发机构，努力掌握产业核

心技术。鼓励跨国公司、国外机构等在本地设立产业研发机构、人才

培训中心，争取更多高端产业项目落户本地。

(二)加强技术指导

各地应建立产业现代化专家委员会和关键技术人才库，负责对本

地区产业现代化项目建设方案和应用技术进行论证把关。分层次培养

产业现代化领军人才、中高级经营管理人才和专业技术人才。加强产

业现代化实训基地建设，建立各种类型的产教联盟，建设大批量的高

技能产业技术人才队伍。

(三)强化规划指导

各地区要结合当地实际，制定产业发展专项规划，明确发展方向

和目标，合理布局。按照国家产业政策和行业准入条件，强化规划指导，加强协调配合，规范管理。加强产业市场监管，净化产业市场。

【CN110277318A】一种铝碳化硅封装基板及其制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910117332.0 (22)申请日 2019.02.15 (71)申请人西安明科微电子材料有限公司地址 710000 陕西省西安市航天基地东长安街888号2号楼1层厂房南区 (72)发明人刘昌涛　陈燕　 (74)专利代理机构深圳市精英专利事务所 44242 代理人王文伶 (51)Int.Cl. H01L 21/48(2006.01) H01L 23/498(2006.01) (54)发明名称一种铝碳化硅封装基板及其制备方法(57)摘要本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片，然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板，在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔，不仅可制作丝孔，且丝孔不易滑牙，解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题，且通过该制作方法，孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固，不易开裂和脱落，从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性高。权利要求书2页说明书7页附图3页CN 110277318 A 2019.09.24 C N 110277318 A

权　利　要　求　书1/2页CN 110277318 A 1.一种铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、分别制作具有孔位的碳化硅陶瓷基板及与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片； S20、将硅片镶嵌在碳化硅陶瓷基板的孔位并对它们进行渗铝处理，形成孔位处由铝硅材料填充的铝碳化硅基板； S30、在铝硅材料上制作安装孔，形成铝碳化硅封装基板。 2.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述具有孔位的碳化硅陶瓷基板的制作步骤为： S111、将粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀，得到粉料M1； S112、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M2； S113、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％； S114、将溶液M5与混合物M2混合均匀，得到坯料M6；然后将坯料M6放入模具中并压制成型，得到坯体M7； S115、对坯体M7进行烧结处理，得到陶瓷基体M10；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为1000-1500℃； S116、对陶瓷基体M10进行机械加工钻孔，形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板M12。 3.根据权利要求2所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M1中，粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为10-30％、10-40％、20-40％、20-60％。 4.根据权利要求3所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述混合物M2中，粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95％、0.1-1％、0.1-1％、3-15％。 5.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述硅片的制作步骤为： S121、将粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉混合均匀，得到粉料M3； S112、向粉料M3中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M4； S123、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％； S124、将溶液M5与混合物M4混合均匀，得到坯料M8；然后将坯料M8放入模具中并压制成型，得到坯体M9； S125、对坯体M9进行烧结处理，得到陶瓷基体M11；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为800-1300℃； S126、对陶瓷基体M11进行机械加工，形成与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片M13。 6.根据权利要求5所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M3中，粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉的质量百分比分别为20-40％、 2

电子封装技术发展现状及趋势

电子封装技术发展现状及趋势摘要电子封装技术是系统封装技术的重要内容，是系统封装技术的重要技术基础。它要求在最小影响电子芯片电气性能的同时对这些芯片提供保护、供电、冷却、并提供外部世界的电气与机械联系等。本文将从发展现状和未来发展趋势两个方面对当前电子封装技术加以阐述，使大家对封装技术的重要性及其意义有大致的了解。引言集成电路芯片一旦设计出来就包含了设计者所设计的一切功能，而不合适的封装会使其性能下降，除此之外，经过良好封装的集成电路芯片有许多好处，比如可对集成电路芯片加以保护、容易进行性能测试、容易传输、容易检修等。因此对各类集成电路芯片来说封装是必不可少的。现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代，芯片特征尺寸不断缩小，必然会促使集成电路的功能向着更高更强的方向发展，这就使得电子封装的设计和制造技术不断向前发展。近年来，封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一，各种封装方法层出不穷，实现了更高层次的封装集成。本文正是要从封装角度来介绍当前电子技术发展现状及趋势。

正文近年来，我国的封装产业在不断地发展。一方面，境外半导体制造商以及封装代工业纷纷将其封装产能转移至中国，拉动了封装产业规模的迅速扩大；另一方面，国内芯片制造规模的不断扩大，也极大地推动封装产业的高速成长。但虽然如此，IC的产业规模与市场规模之比始终未超过20%，依旧是主要依靠进口来满足国内需求。因此，只有掌握先进的技术，不断扩大产业规模，将国内IC产业国际化、品牌化，才能使我国的IC产业逐渐走到世界前列。新型封装材料与技术推动封装发展，其重点直接放在削减生产供应链的成本方面，创新性封装设计和制作技术的研发倍受关注，WLP 设计与TSV技术以及多芯片和芯片堆叠领域的新技术、关键技术产业化开发呈井喷式增长态势，推动高密度封测产业以前所未有的速度向着更长远的目标发展。大体上说，电子封装表现出以下几种发展趋势：（1）电子封装将由有封装向少封装和无封装方向发展；（2）芯片直接贴装（DAC）技术，特别是其中的倒装焊（FCB）技术将成为电子封装的主流形式；（3）三维（3D）封装技术将成为实现电子整机系统功能的有效途径；（4）无源元件将逐步走向集成化；（5）系统级封装（SOP或SIP）将成为新世纪重点发展的微电子封装技术。一种典型的SOP——单级集成模块（SLIM）正被大力研发；（6）圆片级封装（WLP）技术将高速发展；（7）微电子机械系统（MEMS）和微光机电系统（MOEMS）正方兴未艾，它们都是微电子技术的拓展与延伸，是集成电子技术与精密

封装与微组装

摘要：近年来，封装与微组装技术进入了超高速发展时期,新的封装和组装形式不断涌现,而其标准化工作已经严重滞后，导致概念上的模糊，这必然会对该技术的发展造成影响。力求将具有电子行业特点的封装与微组装技术的内涵和特点加以诠释,并对其发展提出见解和建议，以促进该技术的发展。关键字:封装、微组装、发展、BGA、SOP、FC、CSP、MCM、集成电路、系统级封装正文：一、电子产品技术概述第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。随着电子元器件向小型化、复合化、轻量化、多功能、高可靠、长寿命的方向变革，从而相继出现了各种类型的片式电子元器件（SMC/SMD），导致了第四代组装技术即表面组装技术（SMT）的出现，在世界上引发了一场电子组装技术的新革命。在国际上，片式电子元器件应用于电子整机，始于用年代，当时美国ＩＢＭ公司首先把片式电子元器件用于微机。目前世界上发达国家已广泛采用表面贴装技术，片式元器件已成为电子元器件的主体，其中片式电容、片式电阻、片式电感以及片式敏感元件的需求量约占片式元件的90%，世界上发达国家电子元器件片式化率己高达80%以上，全世界平均亦在40%，而我国仅为约30%，可以预见，加入WTO后,片式元件产业的市场竞争将更趋激烈。实现了批量生产全系列片式电容器、片式电阻器、片式电感器，开始摆脱一代代重复引进的被动局面，并逐步走上自主发展的道路。2001年片式电容器、片式电阻器、片式电感器等片式元件市场低迷,价格普遍下调15%～20%，对国内元件生产企业造成了一定的影响。二、集成电路与微电子封装技术集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案参考模板

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料，占封装材料比重超过50%，全球市场规模接近百亿美金。有机封装基板主要用于消费电子领域，目前是封装基板的主流产品，根据数据统计，有机封装基板的产值占整个IC封装基板的80%。该显示屏封装基板项目计划总投资18446.40万元，其中：固定资产投资13216.87万元，占项目总投资的71.65%；流动资金5229.53万元，占项目总投资的28.35%。达产年营业收入41436.00万元，总成本费用31471.17万元，税金及附加381.34万元，利润总额9964.83万元，利税总额11720.63万元，税后净利润7473.62万元，达产年纳税总额4247.01万元；达产年投资利润率54.02%，投资利税率63.54%，投资回报率40.52%，全部投资回收期 3.97年，提供就业职位634个。报告目的是对项目进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证，在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案，最终使得项目承办单位建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。 ......

封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。

关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告

报告摘要说明封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。 xxx实业发展公司由xxx集团（以下简称“A公司”）与xxx科技公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1000.0万元，占公司股份62%；B公司出资620.0万元，占公司股份38%。 xxx实业发展公司以显示屏封装基板产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。 xxx实业发展公司计划总投资18738.37万元，其中：固定资产投资13847.08万元，占总投资的73.90%；流动资金4891.29万元，占总投资的26.10%。根据规划，xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入43589.00万元，总成本费用33777.80万元，税金及附加391.79万元，

利润总额9811.20万元，利税总额11556.26万元，税后净利润7358.40万元，纳税总额4197.86万元，投资利润率52.36%，投资利税率61.67%，投资回报率39.27%，全部投资回收期4.05年，提供就业职位795个。集成电路产业链大致可以分为三个环节：芯片设计、晶圆制造和封装测试。封装基板属于封装材料，是集成电路产业链封测环节的关键载体，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB之间提供电子连接，甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装材料中封装基板占比46%左右，是集成电路产业链中的关键配套材料。

微电子封装

晶圆：由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片微电子封装技术特点： 1：向高密度及高I/O引脚数发展，引脚由四边引出趋向面阵引出发展 2：向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装（SMT）技术及生产要求 3：向高频率及大功率封装发展 4：从陶瓷封装向塑料封装发展 5：从单芯片封装（SCP）向多芯片封装（MCP）发展 6：从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术微电子封装的定义：是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片，并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳狭义的电子封装技术定义：是指利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。（最基本的）广义的电子封装技术定义：是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为能适用于设备或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学与技术。（功能性的）微电子封装的功能： 1：提供机械支撑及环境保护； 2：提供电流通路； 3：提供信号的输入和输出通路； 4：提供热通路。微电子封装的要点： 1：电源分配； 2：信号分配; 3：机械支撑； 4：散热通道； 5：环境保护。零级封装：是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路；更确切地应该叫未加封装的裸芯片。一级封装：是指采用合适的材料（金属、陶瓷或塑料）将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合（wire bonding,WB）、载带自动焊（tape automated bonding,TAB）、倒装片键合（flip chip bonding，FCB）三种互联技术连接，使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。二级封装技术：实际上是一种多芯片和多元件的组装，即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。

LED封装基板

高功率LED的封装基板发展趋势相关专题：电子资讯时间：2011-09-21 11:01 来源：华强电子网长久以来显示应用一直是led发光元件主要诉求，并不要求LED高散热性，因此LED大多直接封装于一般树脂系基板，然而2000年以后随著LED高辉度化与高效率化发展，尤其是蓝光LED元件的发光效率获得大幅改善，液晶、家电、汽车等业者也开始积极检讨LED的适用性。现今数码家电与平面显示器急速普及化，加上LED单体成本持续下降，使得LED 应用范围，以及有意愿采用LED的产业范围不断扩大，其中又以液晶面板厂商面临欧盟颁布的危害性物质限制指导(RoHS: Restriction of Hazardous Substances Directive)规范，而陆续提出未来必须将水银系冷阴极灯管(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)全面无水银化的发展方针，其结果造成高功率LED的需求更加急迫。技术上高功率LED封装后的商品，使用时散热对策实为非常棘手，而此背景下具备高成本效率，且类似金属系基板等高散热封装基板的产品发展动向，成为LED 高效率化之后另1个备受嘱目的焦点。环氧树脂已不符合高功率需求以往LED的输出功率较小，可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板，然而照明用高功率LED的发光效率只有20%~30%，且芯片面积非常小，虽然整体消费电力非常低，不过单位面积的发热量却很大。汽车、照明与一般民生业者已经开始积极检讨LED的适用性，业者对高功率LED 期待的特性分别是省电、高辉度、长使用寿命、高色彩再现性，这意味著散热性佳是高功率LED封装基板不可欠缺的条件。树脂基板的散热极限多半只支持0.5W以下的LED，超过0.5W以上的LED封装大多改用金属系与陶瓷系高散热基板，主要原因是基板的散热性对LED的寿命与性能有直接影响，因此封装基板成为设计高辉度LED商品应用时非常重要的元件。金属系高散热基板又分成硬质(rigid)与可挠曲(flexible)系基板两种，硬质系基板属于传统金属基板，金属基材的厚度通常大于1mm，广泛应用在LED灯具模块与照明模块，技术上它与铝质基板相同等级高热传导化的延伸，未来可望应用在高功率LED封装。可挠曲系基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型LCD背光模块薄形化，以及高功率LED三次元封装要求的前提下，透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性，进而形成兼具高热传导性与可挠曲性的高功率LED封装基板。

封装基板技术的发展

封装基板技术的发展芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装，例如BGA，CSP和倒装芯片使用．它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度，以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体，再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体，在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来，集成电路芯片制造技术已进入纳米范围，并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强，所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展，印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强，使得管脚引线增多。在八十中叶，IBM(美国)就展示了具有10，000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装，芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是

倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内，芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品，包括移动手机，笔记本电脑，游戏机，工作站，直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI，SIA，ITRS，IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研，预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内，倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个，引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米)，为在此间距内布入二至三根金属导线，则线宽和线距必需在10微米或更细．即使布入一根线，线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米，与这要求还有相当大的差距。印刷电路技术今后将继续提高布线密度，制造更薄更小的

微电子封装技术及发展探析

微电子封装技术及发展探析摘要近年来，随着科学技术的不断进步与发展，集成电路的广泛使用使得我国工业的飞跃发展成为现实和可能，受此影响，集成电路产业也成为可我国国民经济长期可持续发展的关键。在集成电路产业之中，微电子封装技术的高低将直接决定整个集成电路的电性能、机械性能、光性能和热性能的优劣，在这样的情况下，对微电子封装技术及其发展进行分析和探讨就变得十分有必要了。基于此，本文从微电子封装技术的发展历程、现状出发，就现阶段我国微电子封装技术的特点及其未来的发展趋势进行了探析。关键词微电子；封装技术；发展探析在电子信息技术不断发展的当下，微型化、多功能化、高性能化逐步成为电子产品未来发展的基本要求，而为了更好地实现上述目的、确保电子产品能够正常使用，就离不开微电子封装技术对其提供相应的支持。目前，我国常用的微电子封装技术主要有倒装芯片技术、芯片规模封装等，不同的封装技术有不同的应用范围，只有在明确不同封装技术的特点的基础上，才能保证对大限度地发挥不同封装技术的优势和作用。下面，本文将就微电子封装技术及其发展进行详细阐述。 1 微电子封装技术常见分类及特点 1.1 BGA封装技术 BGA封装技术诞生于20世纪90年代，其中文全称为焊球阵列封装技术，由于已经有了较长的发展历程，因而在目前的应用实践中有着较高的技术成熟度，通过球柱形焊点阵列进行I/O端与基板的封装是其主要的封装原理。相较于其他常见微电子封装技术，BGA封装技术的主要优势在于阵列密度高、组装成品率高。在塑料焊球阵列、陶瓷焊球阵列、金属焊球阵列等多种BGA封装技术中，装芯片焊球阵列封装将是未来BGA技术的主要发展方向[1]。 1.2 3D封装技术 3D封装技术是伴随着移动互联网的发展而逐渐兴起的，目前主要应用于手持设备的高密度立体式组装之中，是同时满足多个芯片组立体式封装需求的有效途径。在现阶段市面上常见的各种封装技术中，3D封装技术具备的主要技术优势在于功能性丰富、封装密度高、电性能热性能突出。 1.3 表面封装技术钎焊技术是目前使用最广的一种微电子表面封装技术，根据具体的衔接需要，将需要衔接的物体表面的电子元件与指定的焊盘进行钎焊，使原件与焊盘之间产生电路功能是钎焊技术的主要封装原理。此种焊接方式下，原件与焊盘的连

微电子封装必备答案

微电子封装答案微电子封装第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页）答：特点：（1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。（2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。（3）从陶瓷封装向塑料封装发展。（4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。发展趋势：（1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。（2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。（3）微电子封装将更轻、更薄、更小。（4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。（5）微电子封装的可靠性会更高。（6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。（2）二级微电子封装技术这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。（3）三级微电子封装技术由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能？（P19页）答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页）答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。（2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。） (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子） 5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。答：系统组成部分： 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别（PR）系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答：名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶

封装基板及其基材的新发展(下)

ＡＩｎＨ是叠层构造，部品安装用焊盘下方可以赋予内层互连用的ＶＬ～，ＡＩｎＨ是全层ⅣＨ构造和全层均一规格。ＡＩⅣＨ有效利用了自动设计，正在开发包容ＡＩⅣＨ功能的自动布线设计系统，提高ＡＩ风Ｈ的设计容易性。自动布线设计系统是根据网表的连接情报，满足端子之间设定的线宽、间距和ⅣＨ数量等条件，实现１００％连接的系统。检验结果表明，安装０．＆１１ＩＩｌ间距的ＣＳＰ３封装用途的９００对针的ＡＩⅣＨ［６层基板，采用过去的设计系统连线率为８０％左右，而采用新的自动设计布线系统在ｌ１１ｒ左右就可以完成１００％的布线（图４）。，ＡＬＪＶ咿段针待徵奇活批Ｌ自勤化１００％遵成！图４ＡＬ｜ＶＨ自动设计系统６今后的ＰＣＢ设计课题今后关于ＶＣＣＩ、ＦＣＣ等的ＥＭＩ管制更严，携带电话和ＰＤＡ等电子设备的小型轻量化要求更高，因此Ｐ｜（强要求更细的图形，更高的密度，更薄型轻量化的基板，Ｐ（强设计对Ｑ气Ｄ系统的依赖性更高。通过Ｑｍ可以实行自动设计，但是人必须掌握主动权，Ｑ气Ｄ是由人开发的，还要靠人去利用、去改进，才能促进Ｐ（强设计的进步。电路设计者和布图（Ｌａｖｏｕｔ）设计者只具备某一方面的知识是不够的，而是要具备广泛的知识，应该拆除相互之间的篱笆，协同进行开发设计。今后人们期望着高精度自动化的Ｑ∞ｌ系统与人共存。参考文献［１］乾尚弘，电子安装技术，Ｖ０１．１５Ｎｏ．１ｌ，１９９９．１１．林金堵校上接第１０页参考文献［１］祝大同，ＰＣＢ基板材料走向高性能、系列化（九），《印制电路信息》，Ｎｏ．５，２０００［２］铃木铁秋（日），半导体／≮、ｙ穸一≯关连基板材料，《电子材料》，Ｎｏ．５，２０００［３］高野希等（日），半导体实装用低热膨胀、高弹性率基板材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装技术学会志》，Ｎｏ．３，２０００［４］人野哲朗（日），匕，ｐ卜、丁、、／７。配线板用绝缘材料，《工Ｌ／夕｝、口二夕叉实装学会志》，Ｎｏ．６．１９９９［５］羽崎拓奇（日），ＣＯ。沙一吵一汇土弓加工力｛可能万、表面平滑性允优札允新夕／ｆ７。屯登场——７。ｌＪ７Ｌ／少（ＢＴ），《电子技术》，№．６．２０００［６］日诘雅博（日），疗乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，１９９９［７］神田正昭（日），力、、乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，２０００［８］《电子材料》编辑部（日），１ＰＣＡ趼ＩＯｗ２０００，《电子材料》Ｎｏ．７，２０００［９］樱井弘之（日），７。ｌＪ工卜基板④高密度化艺今后④展开，《工Ｌ／夕卜口二夕叉实装技术》Ｎｏ．６，２０００［１０］大桥嘉隆（日），７Ｌ／专夕７、、，ｐ铜张积层板（工术音夕），《电子技术》№．６，１９９９［１１］石丸修（日），７ｐ等三／７，Ｌ，铜张积层板（工水专夕），《电子技术》，Ｎｏ．６，２０００［１２］田中善喜（日），／弋、、／夕一≯７夕、’用廿７、、叉卜沙一卜材料汇招Ｃ于为现状匕动向，《工Ｌ／夕卜口二夕灭实装技术》，№．２，２０００［１３］田中善喜、小野寺稔（日），ＩＪｓＩ实装用液晶水ｌＪ７材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装学会志》，Ｎｏ．２，１９９９

微电子封装技术作业(一)

第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。芯片功能（1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件（2）LED器件：光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。微电子封装技术的技术层次第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP）第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module）第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建相对应的产品如图（1）所示：

PCB封装术语

1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心

IC封装基板技术简介

IC封装基板技术随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求PCB迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅PCB迅速走向HDIBUM板、嵌入（集成）元件PCB等，而且IC封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（PCB板）。有机IC封装基板是在HDI/BUM板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说IC封装基板是具更高密度化的HDI/BUM板。 1 封装基板的提出及其类型 1.1 有机封装基板的提出封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装IC组件再封（组）装形成更大密度与容量的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度PCB封装基板。（1）陶瓷封装基板。陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是CTE较小，导热率较高。但是，随着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。 ①介电常数εr大（6∽8）。信号传输速度V是由来介电常数εr决定的，如下式可得知。 V=k·C/(εr)1/2 其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。 ②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足IC高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热量大和影响电气性能。 ④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，而且生产、组装和应用等都要格外小心。 ⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。 ⑥成本高。（2）有机（PCB）基板。有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。 ①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。 ②高密度化好。L/S可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。 ③电阻小。发热低，电气性能好。 ④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2。 ⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。 ⑥成本低。在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的PCB和HDI/BUM板，这些有机封装基板和HDI/BUM板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为IC的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC）的金属丝的封装上，既解决了封装的CTE匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。关于PCB基板的CTE较大和导热差方面，可以通过改进和选择CCL基材得到较好的解决。 1.2 IC封装基板的类型

什么是基板

什么是基板现今，印制电路板已成为绝大多数电子产品不可缺少的主要组件。单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板(Copper-(2lad I。aminates，CCI。)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(Pregpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。因此可以看出，作为印制板制造中的基板材料，无论是覆铜箔板还是半固化片在印制板中都起着十分重要的作用。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。二、基板的发展历史基板材料技术与生产，已历经半世纪的发展，全世界年产量已达2．9亿平方米，这一发展时刻被电子整机产品、半导体制造技术、电子安装技术、印制电路板技术的革新发展所驱动。自1943年用酚醛树脂基材制作的覆铜箔板开始进入实用化以来，基板材料的发展非常迅速。1959年，美国得克萨斯仪器公司制作出第一块集成电路，对印制板提出了更高的高密度组装要求，进而促进了多层板的产生。1961年，美国Hazeltine Corpot ation公司开发成功用金属化通孔工艺法的多层板技术。1977年，BT树脂实现了工业化生产，给世界多层板发展又提供了一种高低Tg的新型基板材料。 1990年日本IBM公司公布了用感光树脂作绝缘层的积层法多层板新技术，1997年，包括积层多层板在内的高密度互连的多层板技术走向发展成熟期。与此同时，以BGA、CSP为典型代表的塑料封装基板有了迅猛的发展。20世纪90年代后期，一些不含溴、锑的绿色阻燃等新型基板迅速兴起，走向市场。我国基板材料业经40多年的发展，目前已形成年产值约90亿元的生产规模。2000年，我国大陆覆铜板总产量已达到6400万平方米，创产值55亿元。其中纸基覆铜板的产量已跻身世界第三位。但是在技术水平、产品品种、特别是新型基板的发展上，与国外先进国家还存在相当大的差距。三、基板的分类

先进微电子封装工艺技术

先进微电子封装工艺技术培训培训目的： 1、详细分析集成电路封装产业发展趋势； 2、整合工程师把握最先进的IC封装工艺技术； 3、详细讲述微电子封装工艺流程及先进封装形式； 4、讲述微电子封装可靠性测试技术； 5、微电子封装与制造企业以及设计公司的关系； 6、实际案例分析。参加对象： 1、大中专院校微电子专业教师、研究生；； 2、集成电路制造企业工程师，整机制造企业工程师； 3、微电子封装测试、失效分析、质量控制、相关软件研发、市场销售人员； 4、微电子封装工艺设计、制程和研发人员； 5、微电子封装材料和设备销售工程师及其应用的所有人员； 6、微电子封装科研机构和电子信息园区等从业人员【主办单位】中国电子标准协会培训中心【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司课程提纲（内容）： Flip Chip Technology and Low Cost Bumping Method l What is Flip Chip l Why Use Flip Chip

l Flip Chip Trend l Flip Chip Boding Technology l Why Underfill l No Flow Underfill l Other Key Issues Wafer Level Packaging l What is IC packaging? l Trend of IC packaging l Definition and Classification of CSP l What is wafer level packaging? l Overview Technology Options —Wafer level High Density Interconnections —Wafer level Integration —Wafer Level towards 3D l WLP toward 3D l Wafer level Challenges l Conclusion 讲师简介：罗乐（Le Luo）教授罗教授1982年于南京大学获物理学学士学位，1988年于中科院上海微系统与信息技术研究所获工学博士学位。1990年在超导研究中取得重大突破被破格晋升为副研究员，1991—199

封装技术发展趋势

微电子封装技术发展趋势电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。在铝电解电容和钽电解电容片式化后，现在高Q 值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%。集成化是片式元件未来的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上，并能有效地提高电路性能。由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。六七十年代的中、小规模IC，曾大量使用TO型封装，后来又开发出DIP、PDIP，并成为这个时期的主导产品形式。八十年代出现了SMT，相应的IC封装形式开发出适于表面贴装短引线或无引线的LCCC、PLCC、SOP等结构。在此基础上，经十多年研制开发的QFP 不但解决了LSI的封装问题，而且适于使用SMT在PCB或其他基板上表面贴装，使QFP终于成为SMT主导电子产品并延续至今。为了适应电路组装密度的进一步提高，QFP的引脚间距目前已从1.27mm发展到了0.3mm 。由于引脚间距不断缩小，I/O数不断增加，封装体积也不断加

各封装的区别

1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA的别

称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。