模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体:完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素,形成P型半导体,空穴为多子,电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素,形成N型半导体,电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uo n和Ube:0.5V和0.7V ;锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,)

②加反向电压时截止,相当断开。③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途:开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离(门电路)等。

9、三极管的三个区:放大区、截止区、饱和区。三种状态:工作状态、截止状态、饱和状态,放大时在放大状态,开

关时在截止、饱和状态。三个极:基极B、发射极E和集电极C。二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都正偏;截止时:两个结都反偏;放大时:发射结正偏,集电结反偏。三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.

10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。

11、失真有三种情况:

⑴截止失真原因I B

、I C太小,Q点过低,使输出波形正半周失真。调小R B,以增大I B

I C,使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B

、I C太大,Q点过高,使输出波形负半周失真。调大R B,以减小I B

I C,使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。(固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极电路)。

共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相,所以又称反相器。

共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相,所以又称同相器。

2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等,相位相反的输入电压。(是待放大的信号)

共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等,相位相同的输入电压。(是干扰信号)

差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。

共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。

差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。

共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。(电路完全对称时A uc =0)

共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比,电路越对称K CRM越大,电路的抑制能力越强。

3、差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电路的用途:用于直接耦合放大器中抑

制零点漂移。(即以达到U I =0,U0=0的目的)

4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ,R0 。

功率放大器的主要指标要求是(1)输出功率大,且不失真;(2)效率要高,管耗要小,所以功率放大电路通常工作在甲乙类(或乙类)工作状态,同时为减小失真,采用乙类互补对称电路。为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。

5、多级放大电路的耦合方式有:

直接耦合:既可以放大交流信号,也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号;

耦合过程无损耗。常用于集成电路。但各级工作点互相牵连,会产生零点漂移。

阻容耦合:最大的优点是各级工作点互相独立,但只能放大交流信号。耦合过程有损耗,不利于集成。

变压器耦合:与阻容耦合优缺点同,已少用。

1、射极输出器特点:如图F-a(为共集电路,又称同相器、跟随器)

①电压放大倍数小于近似于1,U O与U i同相。

②输入电阻很大。③输出电阻很小,所以带负载能力强。

反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。

1、反馈有正反馈(应用于振荡电路)和负反馈(应用于放大电路)之分。

2、反馈有直流反馈,其作用:稳定静态工作点。

有交流反馈,其作用:改善放大器性能。包括:①提高电压放大倍数的稳定度;②扩展通频带;

③减小非线性失真;④改善输入输出电路。

3、反馈放大电路的基本关系式:A f =A /(1+AF),其(1+AF)称反馈深度,当(1+AF)远远大于是1时为深度负反馈,

其A f =1/ F,即负反馈后的放大倍数大大下降,且仅由反馈网络参数就可求放大倍数,而与运放器内部参数无关。4、负反馈有四种类型:电压串联负反馈;电压反馈可减小输出电阻,从而稳定输出电压。

电压并联负反馈;

电流串联负反馈;电流反馈可增大输出电阻,从而稳定输出电流。

电流并联负反馈。串联反馈可增大输入电阻。并联反馈可减小输入电阻。

5、对集成运算放大器反馈类型的经验判断方法是:

当反馈元件(或网络)搭回到反相输入端为负反馈;搭回到同相输入端为正反馈。

当反馈元件(或网络)搭回到输入端为并联反馈,搭回到输入端的另一端为串联反馈。

当反馈元件(或网络)搭在输出端为电压反馈,否则为电流反馈。

而一般的判断方法:若反馈信号使净输入减少,为负反馈,反之为正反馈。(用瞬时极性判断)

若满足Ui=Uid+Uf 为串联反馈,满足Ii=Iid+If为并联反馈。

若反馈信号正比输出电压,为电压反馈,反馈信号正比输出电流,为电流反馈。

(A)(B)

如(A)图,经验判断:反馈元件搭回到反相输入端,所以是负反馈;

反馈元件搭回到输入端,所以是并联反馈;

反馈元件搭在输出端,所以是电压反馈,所以图是电压并联负反馈。

如(B)图,由瞬时极性判得电路有两级的电流并联负反馈。反馈元件为Rf

(因Rf搭在输入端,所以是并联,但不是搭在输出端,所以是电流反馈,即If是正比于输出电流IC2)

A、半波整流:U0=0.45U2 (U2为输入电压的有效值)

B、半波整流滤波:U0= U2

C、桥式整流:U0=0.9 U2

D、桥式整流滤波:U0=1.2 U2

E、桥式整流滤波:U0=1.4 U2 (空载)

补充知识:三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。(参考P40)

三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。

基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。

集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。

两个结:集电区——基区形成的PN结。叫集电结。(J C)

基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(J e)

5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区:

①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E.其偏置条件J C, J e都正偏.

②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏.

③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏.

所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.

6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)

7、对放大电路的分析有估算法和图解法

估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路),

求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。

⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数A U输入输出电阻R I和R0。

(参考P58图2.2.5)

图解法:是在输入回路求出I B后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的I BQ、U BEQ

而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的I CQ、U CEQ

加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。若工作点Q点设得合适,(在放大区)

则波形就不会发生失真。(参考P52图2.2.2)

8、失真有三种情况:

I C太小,Q点过低,使输出波形后半周(正半周)失真。消除办法是调小R B,以

⑴截止失真:原因是I B

增大I B

I C,使Q点上移。

I C太大,Q点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。消除办法是调大R B,以

⑵饱和失真:原因是I B

减小I B

I C,使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。

练习:1、射极输出器又称跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。

2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是:共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。

3、了解差分电路的结构特点,掌握电路的主要作用:抑制零点漂移,R E的作用及共模信号、差模信号、共模抑制比K CMR

等概念。K CMR越大,电路的抗干扰能力就强。

4、直流负反馈的作用是稳定工作点,交流负反馈的作用是改善放大器的性能:如减少非线性失真;提高电压放大倍数的

稳定度;扩展通频带。电压负反馈还可减少输出电阻、稳定输出电压;电流负反馈可以提高输出电阻、稳定输出电流;

而串联负反馈可以提高输入电阻;并联负反馈可以减小输入电阻。

其1+AF称反馈深度。

5、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体,当掺入五价微量元素便形成N型半导体,其电子为多数载流子,空穴为少数载流子。当掺入三价微量元素便形成P型半导体,其空穴为多子,而电子为少子。

二、分析计算题

1.会画固定偏置电路、分压式偏置电路,射极输出器等交流放大电路的直流通路和微变等效电路。

会求静态工作点、电压放大倍数和输入输出电阻。 2..会求各种电流源的基准电流和电流

I O。

3.会分析基本差分析电路,乙类功放电路工作原理。

4.会计算集成运放组成反相比例器、同相比例器,跟随器、反号器、反相加法器、减法器、积分微分器等的输出电压U0及电路特点。

5..会分析单门限比较器、画传输特性。6 会分析由集成模拟乘法器组成的乘法、除法、平方、开方运算。

7.会分析各种整流、滤波、稳压电路及U0、I0、I D U RM的计算。

模拟电子技术总结

模拟电子技术》院精品课程建设与实践 成果总结 模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程,它既有自身的理论体系,又有很强的实践性;是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课,而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及,它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。 我院模拟电子技术课程由原电子技术系首先开设,目前已建成由模拟电子技术、模拟电子技术基础实验、模拟电子技术课程设计三门课组成的系列课程。2002 年被列为学院精品课重点建设项目,2005 年获得学院教学成果一等奖。同年申报并获得四川省教学成果三等奖。 一、基本内容 1.确定课程在本科生基本素质培养中的地位和作用由于模拟电子技术课程的基础性和广泛性,使之在本科教育中起着重要的作用。通过学习,不但使学生掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能,而且由于本课程特别有利于学生系统集成的能力、综合应用能力、仿真能力的培养,可使学生建立以下几个观点,形成正确的认识论。 (1)系统的观念:一个电子系统从信号的获取和输入、中间的处理到最后的输出和对负载的驱动,各部分电路之间的功能作用、增益分配、参数设置、逻辑关系……都需相互协调、相互制约,只有不顾此失彼、通盘考虑、全面调试才能获得理想效果。 (2)工程的观念:数学、物理的严格论证及精确计算到工程实际之间往往有很大差距,电子技术中“忽略次要,抓住主要”的方法能引导学生的思维更切合工程实际。因而特别有利于学生工程观念的培养。 (3)科技进步的观念:电子技术的发展,电子器件的换代,比其它任何技术都快,学习电子技术可以让人深刻地体会到,在科学技术飞速发展的时代,只有不断更新知识,才能不断前进。学习时应着眼于基础,放眼于未来。 (4)创新意识:在阐述电子器件的产生背景、电路构思、应用场合等问题时特别具有启发性,电子电路可在咫尺之间产生千变万化,能够充分发挥学生的想象力和创造力,因而特别有利于创新意识和创新能力的培养。我们加强了场效应电路、集成电路和可编程模拟器件等新知识的介绍,拓宽了知识面,延续了所学知识的生命周期。 上述观念的培养,不仅为学生学习后续课铺平道路,而且培养了他们科学的思维方式和不断进取的精神,即使在工作后还会起作用,将受益一生。 2.创建先进科学的模拟电子技术课程教学结构电子技术学科是突飞猛进发展的学科,如何更好地解决基础与发展、基础知识与实际应用、理论与实践等矛盾,处理好知识的“博”新“”“深”的关系,建立先进和科学的教学结构,以适应不断更新的课程内容体系始终是我们改革的重点。 本课程建立起课堂教学、实验教学、网络教学和EDA 教学交叉融合的教学结构,如图所示。各教学环节各司其职,相辅相成,互相交融,实现“加强基础,注重实践,因材施教,促进创新”的同一个目标。

直流稳压电源设计模拟电子技术

课程设计说明书 题目:直流稳压电源设计 课程名称:模拟电子技术 学院:电子信息与电气工程学院学生姓名: 学号: 专业班级: 指导教师: 2015年 6 月6日

课程设计任务书

固定直流稳压电源设计 摘要: 通过模拟电子技术设计固定直流稳压电源,主要运用变压器,整流二极管,电解电容,稳压器等器件.该固定直流稳压系统先通过将220V市电降压,再经过整流二极管1N4007进行整流,通过电容滤波之后,采用稳压芯片7805,7905分别对其进行稳压,从而输出的稳定电压(+5V/-5V)。 关键词:变压;整流;滤波;稳压;

目录 1.设计背景 (1) 1.1设计背景 (1) 1.2设计目的 (1) 2.设计方案 (1) 2.1电路概述 (1) 2.2整流电路 (3) 2.3稳压电路 (4) 2.4固定直流稳压电源电路设计 (5) 3.方案实施 (6) 3.1电路仿真设计与仿真 (6) 3.2Altium Designer设计原理图及PCB设计 (7) 3.3电路板的制作与调试 (8) 3.4相关数据测量 (8) 4.结果与结论 (9) 5.收获与致谢 (9) 6.参考文献 (10) 7.附件 (10) 7.1电路实物图 (10) 7.2元器件清单 (11)

1. 设计背景 1.1设计背景 随着科技日新月异的发展,越来越多的小型电子产品出现在我们身边,它们一般都需要稳定的直流电源供电,电池作为低效率,高污染的产品不能得到广泛的使用,而我们最常见到的电源就是220V的交流电源,再次情况下,我们设计了一个转换装置,从而可以使其给小型电子设备供电,达到及节能又环保,既方便有快捷的目的。 1.2设计目的 设计这个固定直流稳压电源是为了锻炼学生的动手能力,理论与实践相结合,更有利于同学们在学习中积极的思考,培养同学们对学习的兴趣;而且,检验了同学们对电路仿真软件和DXP这些软件的熟悉程度,进一步加深了对这些软件的理解,提高了应用能力;另外,让同学们看到,理论知识在现实生活中的应用,知道了这些知识的重要性,要更加努力的学习。本次课程设计就是在这样的一个背景下而进行的一次十分重要的实习安排。 2. 设计方案 2.1电路概述 根据电路的特点和性质,电路可有这几部分组成,变压器电路部分,整流电路部分,滤波电路部分,稳压电路部分。 变压器电路可以使电压达到设备可以使用的一个电压范围,如下图所示。 整流电路使用来把变压器副边通过的交流电压转换为直流电压,满足设备需要直流电源供电的要求。即将正弦波电压转换为单一方向的脉动电压,半波整流电路和全波整流电路的输出波形如下图所示。但实际情况是整流后还含有较大的交流分量,会影响负载电路的正常工作。 滤波电路是用来进一步的减少电路中的交流分量,增加电路中的直流分量,使输出电压平滑。理想情况下,应将交流分量全部滤掉,使滤波电路的输出电压仅为

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术课题总结报告

《电子技术Ⅱ》课程设计 总结报告 姓名 学号 院系 班级 指导教师 2012年06月

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节。课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法,培养学生的综合知识应用能力和实践能力,为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题、解决问题的能力,对培养和造就应用型工程技术人才将起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下,学习Multisim仿真软件的使用方法,分析和设计完成3个项目的电路设计和仿真。完成该次课程设计后,应达到以下要求: 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解; 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料; 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法; 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法; 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告,课程设计报告能正确反映设计 和仿真结果。 三、模拟电路的设计和仿真 1、单管放大电路的设计和仿真 1)原理图如图1-1 图1-1

2)理论计算 静态分析:在仿真电路中接入三个虚拟数字万用表,分别设置为直流电流表或直流电压表,如图1-2所示: 图1-2 测得A R U V I b BEQ cc BQ μ41.43=-= mA I I BQ CQ 925.3=≈ V R I V U C CQ CC CEQ 979.5=-=

图1-3 3)仿真分析 图1-4 静态工作点值

4)对比理论与仿真 图1-5 当i U =9.998mV 时,0U =783.331mV,A I i μ48.10=,则 3.78998.9331.7830 -=-==???i u U U A Ω=Ω=Ω==954954.0481 .10998.9k k I U R i i i 电路中负载电阻L R 开路,虚拟表测得V U 567.1'0 =,则 Ω=Ω?-=-=k k R U U R L 004.33)1783 .0567.1()1(0'00 观察单管共射放大电路仿真后,可从虚拟示波器观察到ui 和u0的波形图如上图所示,图中波动幅度较小的是ui 波形,波动幅度较大的是u0波形。由图可见,u0的波形没有明显的非线性失真,而且u0与ui 的波形相位相反。相比仿真的值要比理论的小,可能是电路的连接或仪器的不稳定造成的。 2功率放大电路的设计和仿真 1)原理图

模拟电子技术课程设计

模拟电子技术课程设计 ——线性F/v转换1.设计任务和要求 ------------------2 2.总体方案选择的论证 ------------------3 3.单元电路的设计 ------------------7 4.绘出总体电路图 ------------------14 5.组装与调试 ------------------15 6.所用元器件的购买清单 ------------------16 7.列出参考文献 ------------------16 8.收获、体会和建议 ------------------17

一.课程设计与要求 (1)设计任务 选取基本集成放大器 LF353、555定时器、二极管和电阻、电容等元器件,设计并制作一个简易的线性F/V转换器。首先,在EWB软件平台环境下进行电路设计和原理仿真,选取合适的电路参数,通过输出的波形的直流电压测试线性F/V转换器的运行情况。其次,在硬件设计平台上搭建电路,并进行电路调试,通过数字万用表观测电路的实际输出电压值。最后,将该实际电压值与理论分析和仿真结果进行比较,分析产生误差的原因,并提出改进方法。 (2)设计要求 1.性能指标要求。 ①输入频率为0~10KHz、幅度为20mV(峰峰值)的交流信号。 ②线性输出0~10V的交流信号。 ③转换绝对误差小于20mV(平均值)。 ④1KHz时的纹波小于50mV。 2.设计报告要求。 ①根据电路性能指标要求设计完成电路原理图,计算元件参数,写出理论推导工程,并分析各单元电路的工作原理。 ②利用EWB软件进行仿真调试。 ③绘出总体电路图 ④记录实验结果和调试心得,判断误差原因,万恒实验结果分析。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术课程设计心得体会

模拟电子技术课程设计心得体会此次设计也让我明白了思路即出路,有什么不懂不明白的地方要及时请教,做课程设计要有严谨的思路和熟练的动手能力,我感觉自己做了这次设计后,明白了总的设计方法及思路,通过这次尝试让我有了更加光火的思路,对今后的学习也有莫大的好处。 一、设计目的 1、学习基本理论在实践中综合运用的初步经验,掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤,培养综合设计与调试能力。 2、学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3、培养实践技能,提高分析和解决实际问题的能力。 1.电路图设计方法 (1)确定目标:设计整个系统是由那些模块组成,各个模块之间的信号传输,并画出直流稳压电源方框图。 (2)系统分析:根据系统功能,选择各模块所用电路形式。 (3)参数选择:根据系统指标的要求,确定各模块电路中元件的参数。 (4)总电路图:连接各模块电路。 (5)将各模块电路连起来,整机调试,并测量该系统的各项指标。 (6)采用三端集成稳压器电路,用输出电压可调且内部有过载保护的三端集成稳压器,输 出电压调整范围较宽,设计一电压补偿电路可实现输出电压从 0 V起连续可调,因要求电 路具有很强的带负载能力,需设计一软启动电路以适应所带负载的启动性能。该电路所用器 件较少,成本低且组装方便、可靠性高。 二、总体设计思路

1、直流稳压电源 直流稳压电源是一种将220V工频交流电转换成稳压输出的直流电压的装置,它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节才能完成。 直流稳压电源方框图 图2 直流稳压电源的方框图 2、整流电路 (1)直流电路常采用二极管单相全波整流电路,电路如图3所示。 图3 单相桥式整流电路 3、滤波电路——电容滤波电路 采用滤波电路可滤除整流电路输出电压中的交流成分,使电压波形变得平滑。常见的滤波电路有电容滤波、电感滤波和复式滤波等。 在整流电路的输出端,即负载电阻RL两端并联一个电容量较大的电解电容C,则构成

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了,而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒,到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电,我觉得模电的难度要大一些,学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲,虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异,但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效,上课的互动也能加深学习印象,更重要的是模电离不开电路,单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间,有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题,比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过,但是很少有人注意到。 2.要有个线索,建立自己的知识树,注意前后的联系,不要脱节。比如:半导体材料的性 质,半导体构成的元件,半导体元件组成的放大电路,处理电路。前后紧密相连,环环相扣,围绕着一个核心问题:信号的放大,运算,处理,转换,产生。在学习的时候,一定要从前往后切实的掌握基本概念,理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法,掌握工作原理,结构特点,性能特点。比如典型 的差分电路,多级放大电路的基本组成,各种功率放大电路等,唯有如此,才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真,这也是模电数电的一个重大区别,数电电路复杂,但是一 旦接对结果一定正确,而模电虽然电路简单,但是即使设计和电路都正确,结果还是出不来。这时就要具体分析电路,哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适,在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手,可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍,一方面对这些元件有个初步的认识,另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看:电路的识别及定性分析,首先根据电路特征判断其属于哪种电路,然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选:在已知需求情况下选择电路形式,在已知功能情况下选择元器件类型,在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选,比如选择合适的放大电路,应根据动态静态,带负载能力输入电阻大小等来选择,选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流,带负载能力,输入电阻等来选择。 3.会算:电路的定量分析,例如对于放大电路会求解静态工作点,Au,输入输出电阻,上 下限截止频率,会画出交直流等效电路;对于运算电路会求解运算关系等 4.会调:电路参数的调节和设置,主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数,比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真,是由于哪些因素引起,相应调节对应参数 5.会设计:能够根据要求设计相应功能的电路,这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路,设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多,但是主线清晰的学科,具有很强的工程性和实践性,对于我来说还是很有难度和挑战性的,但是迎难而上收获才会更多!

模拟电子技术课程设计报告

电子技术 课程设计报告 班级:电科1402 姓名:宋晓晨 学号:3140504043 指导教师:汪洋 2015 至2016 学年第二学期开课时 间:

目录 一、课程设计的目的 (3) 二、课程设计的要求 (3) 三、课程设计的内容 (6) 3.1.步进电动机三相六状态控制逻辑电路 (1) 3.2.具有校时功能的数字闹钟 3.3.洗衣机控制器 3.4.音频小信号前置放大电路 3.5.信号发生器设计 3.6.二阶RC有源滤波器设计 四、总结 (24) 五、参考文献 (25)

一、课程设计的目的 电子技术课程设计是继《模拟电子技术基础》、《数字电子技术基础》、《电子技术基础实验》课程后的一门实践性训练课程,旨在通过一周实践,理解电子设计基本原理,完整实现规定选题项目设计,考查学生运用电子技术基础理论完成综合设计的能力。 二、课程设计的要求 2.1、步进电动机三相六状态控制逻辑电路设计一个控制步进电机用的逻辑电路,使其工作于如图1所示的三相六拍状态。如果用“1”表示线圈通电,“0”表示线圈断电,设正转时控制输入端M=1,反转时M=0,则3个线圈ABC的状态转换图如图 2.2、具有校时功能的数字闹钟要求: (1)数字钟以一昼夜24小时为一计时周期;(2)有“时”、“分”数字显示,“秒”信号。驱动LED显示光点,将“时”、“分”隔开,显示情况如图3所示;(3)具校时功能,即:在需要时,用户可将数字钟拨至标准时间或其它所需时间;(4)在“0~23”小时内任意小时、任意分钟可有控制地起闹,每次起闹时间为3~5秒钟,或按使用者需要调定。

2.3、设计一个洗衣机控制器要求洗衣机实现如下运转(1)定时启动—〉正转20秒—〉暂停10秒—〉反转20秒—〉暂停10秒—〉定时不到,重复上面过程。(2)若定时到,则停止,并发出音响信号。(3)用两个数码管显示洗涤的预置时间(分钟数),按倒计时方式对洗涤过程作计时显示,直到时间到停机;洗涤过程由开始信号开始。(4)三只LED灯表示正转、反转、暂停三个状态。 2.4、音频小信号前置放大电路设计 设计音频小信号前置放大电路,并用合适软件模拟,。具体要求如下:(1)放大倍数Au≥1000; (2)通频带20Hz~20KHz; (3)放大电路的输入电阻RI≥1M,输出电阻RO=600 (4)绘制频响扫描曲线。 说明:设计方案和器件根据题目要求自行选择,但要求在通用器件范围内。 测试条件:技术指标在输入正弦波信号峰峰值Vpp=10mv的条件进行测试(输入输出电阻通过设计方案保证)。 2.5、信号发生器设计 设计一个能够输出正弦波、三角波和矩形波的信号源电路,电路形式自行选择。输出信号的频率可通过开关进行设定,具体要求如下:1输出信号的频率范围为100Hz~2kHz,频率稳定度较高,2步进为100Hz。要求输出是正

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。 ◆单向导电性:正向导通,反向截止。

(完整版)模电学习心得集

个人建议:认真分析几个典型电路,主要掌握晶体管的等效模型,以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了,模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕,开始不要太关注乱七八糟的内容,抓住主要的,次要的回过头来很容易解决。 我现在大三,自动化的。个人建议就是,不要要求每字每句都会,大概的了解那些理论,就可以。在以后的学习中,你会慢慢地发现,理解原来的知识的! 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短,稳压电路, 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象,其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法,所不同的是,新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件,首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材,一开始都会介绍pn结的特性,个人觉得可以不要太在乎里面的结构,但其特性方程是一定要记得的。然后,二极管比较简单,就是一个单一的pn结,在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决(理想模型、恒压降模型、小信号模型,前两者是用于直流分析的,而最后一个是用于交流分析的)。而对于三极管,就相对来说复杂些,在此本人不想说书上有的东西,只想强调一下学习中该注意的问题: 1、对于三极管,它总共有三种工作状态,当它被放在电路中时,我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。(在模电的习题中,除非那道题是专门地考你三极管的状态,否则都是工作在放大区,因为只有这样,管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中,我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的) 2、既然管子基本在放大区,那么它的直流特性就有:be结的电压为0.7V(硅管,锗管是0.2V),发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系,我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是:ce间电压,三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢?这就要弄清直流和交流之间的关系了:在模电里,我们研究的对象都是放大电路,而其中的放大量都是交流信号,并且是比较微弱的交流信号。大家知道,三极管要工作是要一定的偏置条件的,而交流信号又小又有负值,所以我们不能直接放大交流信号,在此我们用的方法就是:给管子一个直流偏置,让它在放大区工作,然后在直流上叠加一个交流信号(也就是让电压波动,不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动,而是围绕你加的那个直流电压波动),然后由于三极管的性质,就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路:从以上的叙述,我们可以看出分析电路应该分为两部分:直流分析和交流分析。不同的分析下,电路图是不一样的,这是因为元件在不同的量下,它的特性不同。(例如电容在直流下就相当于开路,而在交流下可以近似为短路)。而三极管,在交流下就有一个等效模型,也就是把be间等效为一个电阻,ce间等效为一个受控电流源,其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7.PN结 *PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 *PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术总结

《模拟电子技术》院精品课程建设与实践 成果总结 模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程,它既有自身的理论体系,又有很强的实践性;是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课,而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及,它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。 我院模拟电子技术课程由原电子技术系首先开设,目前已建成由模拟电子技术、模拟电子技术基础实验、模拟电子技术课程设计三门课组成的系列课程。2002年被列为学院精品课重点建设项目,2005年获得学院教学成果一等奖。同年申报并获得四川省教学成果三等奖。 一、基本内容 1.确定课程在本科生基本素质培养中的地位和作用 由于模拟电子技术课程的基础性和广泛性,使之在本科教育中起着重要的作用。通过学习,不但使学生掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能,而且由于本课程特别有利于学生系统集成的能力、综合应用能力、仿真能力的培养,可使学生建立以下几个观点,形成正确的认识论。 (1)系统的观念:一个电子系统从信号的获取和输入、中间的处理到最后的输出和对负载的驱动,各部分电路之间的功能作用、增益分配、参数设置、逻辑关系……都需相互协调、相互制约,只有不顾此失彼、通盘考虑、全面调试才能获得理想效果。 (2)工程的观念:数学、物理的严格论证及精确计算到工程实际之间往往有很大差距,电子技术中“忽略次要,抓住主要”的方法能引导学生的思维更切合工程实际。因而特别有利于学生工程观念的培养。 (3)科技进步的观念:电子技术的发展,电子器件的换代,比其它任何技术都快,学习电子技术可以让人深刻地体会到,在科学技术飞速发展的时代,只有不断更新知识,才能不断前进。学习时应着眼于基础,放眼于未来。 (4)创新意识:在阐述电子器件的产生背景、电路构思、应用场合等问题时特别具有启发性,电子电路可在咫尺之间产生千变万化,能够充分发挥学生的想象力和创造力,因而特别有利于创新意识和创新能力的培养。我们加强了场效应电路、集成电路和可编程模拟器件等新知识的介绍,拓宽了知识面,延续了所学知识的生命周期。 上述观念的培养,不仅为学生学习后续课铺平道路,而且培养了他们科学的思维方式和不断进取的精神,即使在工作后还会起作用,将受益一生。 2.创建先进科学的模拟电子技术课程教学结构 电子技术学科是突飞猛进发展的学科,如何更好地解决基础与发展、基础知识与实际应用、理论与实践等矛盾,处理好知识的“博”“新”“深”的关系,建立先进和科学的教学结构,以适应不断更新的课程内容体系始终是我们改革的重点。 本课程建立起课堂教学、实验教学、网络教学和EDA教学交叉融合的教学结构,如图所示。各教学环节各司其职,相辅相成,互相交融,实现“加强基础,注重实践,因材施教,促进创新”的同一个目标。 模拟电子技术的教学结构 (1)加强课堂教学的基础性,突出基本内容 基础性是指其具有广泛性和适应性,即本课程的基本概念、原理、法则及它们之间那

模拟电子技术课程设计(Multisim仿真).

《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日

目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真(积分电路) (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真(三角波与方波发生器) (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法,培养学生的综合知识应用能力和实践能力,为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题,解决问题的能力,提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力,对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下,学习Multisim仿真软件的使用方法,分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后,学生应该达到以下要求: 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解; 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料; 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法; 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法; 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告,课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。

模拟电子技术基础期末复习总结

本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 其特点: 在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴; 电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子; 温度越高,电子和空穴对的数目越多。 两种掺杂半导体: N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。 P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。 二极管 PN结及其单向导电性(正反接法,特点) 二极管的伏安特性(画伏安特性曲线) 二极管主要参数 稳压管 三极管 类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。 三种工作状态:(特例NPN型) 放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,) 饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,) 截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0), 三个工作区: 放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用; 饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用; 截止区:晶体管工作于截止状态,ic≈0,无放大作用。 基本放大电路的组成原则: 直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置; 信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。要求隔“直”,又能使信号顺利通过。 放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。 三种基本分析方法: 估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为或,锗管(PNP)为,),代入方程,求出静态工作点。图解法: 微变等效电路法: 半导体三极管的偏置与电流分配: 1、当晶体管工作在放大区时: 电极电位的特点:NPN型的(U C>U B>U E);PNP型的U C

模拟电子技术电路设计

一、课程设计目的 1通过课程设计了解模拟电路基本设计方法以及对电路图进行仿真,加深对所学理论知识的理解。 2通过解决比较简单的电路图,巩固在课堂上所学的知识和实验技能。 3综合运用学过的知识,并查找资料,选择、论证方案,完成电路设计并进行仿真,分析结果,撰写报告等工作。 4 使学生初步掌握模拟电子技术电路设计的一般方法步骤,通过理论联系实际提高和培养学生分析、解决实际问题的能力和创新能力。 二、方案论证 2.1设计思路 一般来说,正弦波振荡电路应该具有以下四个组成部分: 1.放大电路 2.反馈网络 3.选频网络 4.稳幅环节 其中放大电路和反网络构成正反馈系统,共同满足条件1=? ? F A 选频网络的作用是实现单一频率的正弦波振荡。稳幅环节的作用是使振荡幅度达到稳定,通常可以利用放大元件的非线形特性来实现。 如果正弦波振荡电路的选频网络由电阻和电容元件组成,通常成为RC振荡电路。 2.2工作原理

1.电路组成 振荡电路的电路图如2.3原理图所示。其中集成运放A 工作在放大电路,RC 串并联网络是选频网络,而且,当 f f o = 时,它是一个接成正反馈的反馈 网络。另外,R f 和R ' 支路引入一个负反馈。由原理图可见 RC 串并联网络中的串联支路和并联支路,以及负反馈支路中的R F 和R ' ,正好组成一个电桥的四个臂,所以又称文氏电桥振荡电路。 2.振荡频率和起振条件 (1)振荡频率 为了判断电路是否满足产生振荡的相位平衡条件,可假设在集成运放的同相输入端将电路断开,并加上输入电压? Ui 。由于输入电压加在同相输入端,故集成运放的输出电压与输入电压同相,即0=A ?已经知道,当 f f o = 时,RC

模电课程设计心得体会范文

模电课程设计心得体会范文 【模电课程设计心得体会范文一】 时间总是过得很快,经过一周的课程设计的学习,我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器,这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子,不仅面临着期末考试,而且中间还有一些其他科目的实验,更为紧急的是,之前刚做完protel99的课程设计,本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说,显得很重。昨天刚考完复变,为了尽快完成模电的课程设计,我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难,为了尽快掌握它的用法,我照着原理图学习视频一步一步做,终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图,但离实际应用差距较大,有些器件很难找到,后来到网上搜索了一下相关内容,顺便到学校图书馆借相关书籍,经过不断比较与讨论,最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图,并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时,我画好了电路原理图,修改好参数后,创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行,后来请教同学,他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的,开始是创建网络表时出现问题,后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的,这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线,我弄了一晚上也找不出原因,整个人也显得焦躁不已。 接下来,开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊

接实物,以为会比较轻松,但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同,要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线,增加了很大的难度。由于采用了电路板,为了使步线美观、简洁,还真是费了我们不少精力,经过不断的修改与讨论,最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子,我发现从刚开始的matlab到现在的pspice,不管是学习哪种软件,都给我留下了很深的印象。由于没有接触,开始学得很费力,但到后来就好了。在每次的课程设计中,遇到问题,最好的办法就是问别人,因为每个人掌握情况不一样,不可能做到处处都懂,发挥群众的力量,复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会,在很多时候,我遇到的困难或许别人之前就已遇到,向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 虽然最终实物做出来了,但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计,我明白了一个团队精神的重要性,因为从头到尾,都是大家集体出主意,来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定,到波形的仿真,到元器件的选择与购买,到最后实物的焊接与调试,这都是大家分工合作的结果,正是因为大家配合得默契,每项工作都完成得很棒,衔接得很好,才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计,离真正掌握还有一定距离,但学习的这段日子确实令我收益匪浅,不仅因为它发生在特别的时间,更重要的是我又多掌握了一门新的技术,收获总是令人快乐,不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】 在这次的模电课程设计中,我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候,还是比较头疼的,不知道如何下手,但是随着慢慢的摸索,思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的,从最开始的不愿意动手到后来的因为

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