晶体管放大知识(甲类、乙类、推挽式等)

晶体管放大知识(甲类、乙类、推挽式等)
晶体管放大知识(甲类、乙类、推挽式等)

放大器基础知识(甲类、乙类、甲乙类、推挽式放大器)

经常会看到XX功放是采用推挽式结构,或者说XX采用甲类放大器,效果出色什么的描述,但各位可否知道这些类型功放工作代表的意义呢?下面就简单介绍一下:

1.甲类放大:

晶体管静态工作点设置在截止区与饱和区的中分点的放大电路,叫做甲类放大电路,适合于小功率高保真放大。

甲类放大又称为A类放大,在信号的整个周期内(正弦波的正负两个半周),放大器的任何功率输出元件都不会出现电流截止(即停止输出)。正弦信号的正负两个半周由单一功率输出原件连续放大输出的一类放大器。当输入信号较小时,在整个信号周期中,晶体管都工作于它的放大区,电流的导通角为180度,且静态工作点在负载线的中点。甲类放大器工作时会产生高热,效率很低,适用于小信号低频功率放大,但固有的优点是不存在交越失真。单端放大器都是甲类工作方式。

2.乙类放大:

晶体管静态工作点设置在截止点的放大电路,叫做乙类放大电路,适合于大功率放大。

乙类放大又称为B类放大,在信号的整个周期内(正弦波的正负两个半周),放大器的输出元件分成两组,轮流交替的出现电流截止(即停止输出)。正弦信号的正负两个半周分别由推挽输出级的两“臂”轮流放大输出的一类放大器,每一“臂”的导电时间为信号的半个周期。乙类功率放大其集电极电流只能在半个周期内导通,导通角为90度。乙类放大器的优点是效率高,缺点是会产生交越失真。

3.甲乙类放大:管静态工作点设置在截止区与饱和区之间,靠近截止点的放大电路,叫做甲乙类放大电路,适合于大功率高保真音频放大,推挽电路通常就是甲乙类放大电路。

甲乙类放大又称AB类放大,它界于甲类和乙类之间,推挽放大的每一个“臂”导通时间大于信号的半个周期而小于一个周期。甲乙类放大有效解决了乙类放大器的交越失真问题,效率又比甲类放大器高,因此获得了极为广泛的应用。

4.丙类放大:

晶体管静态工作点设置在截止区内的放大电路,叫做丙类放大电路,适合于大功率射频放大。丙类放大又称为C类放大,丙类放大器工作在开关状态,它只处理正半周信号,也就是脉动直流信号。而音频信号是正负都有的交流信号,使用丙类放大器会产生严重的失真。

5.推挽式:

由两个晶体管,共同完成的,在正半周一个推,另一个挽,在负半周,则两个晶体管互换,原来推的变成挽,原来挽的变成推。这就是推挽电路的简单表述,推挽电路多用于功率放大。按功放输出级放大元件的数量,可以分为单端放大器和推挽放大器。

单端放大器的输出级由一只放大元件(或多只元件但并联成一组)完成对信号正负两个半周的放大。单端放大机器只能采取甲类工作状态。

推挽放大器的输出级有两个“臂”(两组放大元件),一个“臂”的电流增加时,另一个“臂”的电流则减小,二者的状态轮流转换。对负载而言,好像是一个“臂”在推,一个“臂”在拉,共同完成电流输出任务。尽管甲类放大器可以采用推挽式放大,但更常见的是用推挽放大构成乙类或甲乙类放大器。

当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经VT3拉出。这样一来,输出高低电平时,VT3 一路和VT5 一路将交替工作,从而减低了功耗,提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路,管子导通电阻都很小,使RC常数很小,转变速度很快。因此,推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。供你参考。

如果输出级的有两个三极管,始终处于一个导通、一个截止的状态,也就是两个三级管推挽相连,这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱(Totem- pole)输出电路。当输出低电平时,也就是下级负载门输入低电平时,输出端的电流将是下级门灌入VT5长期以来,高品质音频放大器的工作类别,只限于A类(甲类)和AB类(甲乙类)。其原因在于过去只有电子管这样的器件,B类(乙类)电子管放大器产生的失真使它们甚至在公共广播用时都难于被人们所接受。所有的自称为高保真放大器均工作于推挽式的A类(甲类)。

随着半导体器件的出现和发展,放大器的设计得到了更多的自由。就放大器的类别而言,已不限于A类(甲类)和AB类(甲乙类),而出现了更多类别的放大器。为了使读者对此有所了解,这里仅就笔者所知的各种类别的放大器简介如下。不过需要指出,就目前来说用于音频功率放大器的工作类别,A类(甲类)、AB类(甲乙类)和B类(乙类)这三类放大器仍覆盖着半导体放大器的绝大多数。

一、A类(甲类)放大器

A类(甲类)放大器,是指电流连续地流过所有输出器件的一种放大器。这种放大器,由于避免了器件开关所产生的非线性,只要偏置和动态范围控制得当,仅从失真的角度来看,可认为它是一种良好的线性放大器。A类放大器在结构上,还有两类不同的工作方式。其中一类是将两个射极跟随器相联工作,其偏置电流要增加到在正常负载下有足够的电流流过,而不使任一器件截止。这一措施的最大优点是它不会突然地耗尽输出电流,如果负载阻抗低于标定值,放大器会短期出现截止现象,在失真上可能略有增加,但不致出现直感上的严重缺陷。另一类可称作为控制电流源型(VCIS),它本质上是一个单独的射极跟随器,并带有一个有源发射极负载,以达到合适的电流泄放。这一类作为输出级时,需要在开始设计之前就把所要驱动的阻抗是多低搞清楚。

二、B类(乙类)放大器

B类(乙类)放大器,是指器件导通时间为50%的一种工作类别。这类放大器可以说是最为流行的一种放大器,也许目前所生产的放大器有99%是属于这一类。由于大家比较熟悉,这里不作详细介绍。

三、AB类[甲乙类)放大器

AB类(甲乙类)放大器,实际上是A类(甲类)和B类(乙类)的结合,每个器件的导通时间在50—100%之间,依赖于偏置电流的大小和输出电平。该类放大器的偏置按B类(乙类)设计,然后增加偏置电流,使放大器进入AB类(甲乙类)。

AB类(甲乙类)放大器在输出低于某一电平时,两个输出器件皆导通,其状态工作于A类(甲类);当电平增高时,两个器件将完全截止,而另一个器件将供给更多的电流。这样在AB 类(甲乙类)状态开始时,失真将会突然上升,其线性劣于A类(甲类)或B类(乙类)。不过笔者认为,它的正当使用在于它对A类(甲类)的补充,且当面向低负载阻抗时可继续较好地工作。

四、C类(丙类)放大器

C类(丙类)放大器,是指器件导通时间小于50%的工作类别。这类放大器,一般用于射频放大,很难找到用于音频放大的实例。

五、D类(丁类)放大器

这类放大器,其特点是断续地转换器件的开通,其频率超过音频,可控制信号的占空比以使它的平均值能代表音频信号的瞬时电平,这种情况被称为脉宽调制(PWM),其效率在理论上来说是很高的。但是,实际困难还是非常大的,因为200kHz的高功率方波是不是好的出发点尚不清楚;从失真的角度来看,为保证采样频率的有效性,必须将一个陡峭截止频率的低通滤波器插入放大器与扬声器之间,以消除绝大部分的射频成分,这至少需要4个电感(考虑立体声),成本自然不会低。此外,表现在频响方面,它只能对某一特定负载阻抗保证平坦的频率响应。

六、E类(戊类)放大器

这类放大器,是一个极端聪明的半导体技术应用,它在几乎所有工作时间内,通过的电压或电流是较小的,亦即功率耗散很低。遗憾的是,它仅用于射频技术,而不用于音频。

七、F类(己类)放大器

这类放大器,就笔者目前所知并不存在,似乎是需要补充的空缺。

八、G类(庚类)放大器

这类放大器,似乎与B类(乙类)或AB(甲乙类)的放大器有些类似。对于小的输出信号,它的供电电流来自低电压源;而对于…大信号?,供电将转换到较高的电压源。这样,一定比B 类(乙类)的效率更高。但是,这种改进似乎不能超越多路输出器件的成本以及使开关二极管在高频时转换干净利落的技术难点,以致使其使用不适合某些高功率的专业设备。此外,G 类(庚类)放大器所产生的失真,大概要比相应的B类(乙类)更大,但也有资料显示,对转换细节进行精心设计,将会使其差别较小。

九、H类[辛类)放大器

这类放大器,也似乎与B类(乙类)相似,其特点在于动态地提升单供电电压(不用转换到另一个电压源),以提高效率,所采用的电路结构是自举电路。

十、S类放大器

S类放大器,是由桑德曼博士命名的一种放大器。这类放大器,采用一个A类(甲类)放大电路,其电流能力非常有限,加上B类(乙类)放大电路作后备,在连接上使负载呈现为一较高的电阻。Tech-nicsSE-1000所采用的方法与此极为相似。

详解经典三极管基本放大电路

详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1:三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

晶体管放大电分析及计算

晶体管放大电路分析及计算 一、共发射极放大电路 (一)电路的组成:电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置,为三极管的放大作用提供必要的条件,RB1、RB2称为基极偏置电阻,RE称为发射极电阻,RC称为集电极负载电阻,利用RC的降压作用,将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化,从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE,称为发射极旁路电容,用以短路交流,使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响,故要求它对信号频率的容抗越小越好,因此,在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。 V cc(直流电源): 使发射结正偏,集电结反偏;向负载和各元件提供功率 C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流; R B1、R B2(基极偏置电阻):提供合适的基极电流 R C(集极负载电阻):将D IC? D UC,使电流放大? 电压放大 R E(发射极电阻):稳定静态工作点“Q ” C E(发射极旁路电容):短路交流,消除R E对电压放大倍数的影响 (二)直流分析:开放大电路中的所有电容,即得到直流通路,如下图所示,此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求:I1 3(5~10)IBQ,UBQ3 (5 ~ 10)UBEQ 求静态工作点Q: 方法1.估算 工作点Q不稳定的主要原因:Vcc波动,三极管老化,温度变化稳定Q点的原理: 方法2.利用戴维宁定理求IBQ (三)性能指标分析 将放大电路中的C1、C2、CE短路,电源Vcc短路,得到交流通路,然后将三极管用H参数小信号电路模型代入,便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。 1.电压放大倍数 2.输入电阻计算 3.输出电阻R o = R C 没有旁路电容CE时: 1.电压放大倍数 源电压放大倍数 2.输入电阻 3.输出电阻R o = R C 二、共集电极放大电路(射极输出器、射极跟随器) (一)电路组成与静态工作点 共集电极放大电路如下图(a)所示,图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看,三极管的集电极是交流地电位,输入信号ui和输出信号uo以它为公共端,故称它为共集电极放大电路,同时由于输出信号uo取自发射极,又叫做射极输出器。 IBQ =(V cc–U BEQ)/[R B +(1+b) R E] ICQ = bIBQ,UCEQ=Vcc–I CQRE (二)性能指标分析 1.电压放大倍数 2.输入电阻 R¢L=R E//R L 3.输出电阻 共集电极电路特点共集电极电路用途 1.Uo与Ui同相,具有电压跟随作用 1.高阻抗输入级 2.无电压放大作用Au<1 2.低阻抗输出级 3.输入电阻高;输出电阻低 3.中间隔离级 一、共基极放大电路 共基极放大电路如下图所示。由图可见,交流信号通过晶体三极管基极旁路电容C2接地,因此输入信号ui由发射极引入、输出信号uo由集电极引出,它们都以基极为公共端,故称共基极放大电路。从直流通路看,也构成分压式电流负反馈偏置。

第二章 晶体管及放大电路基础

第二章晶体管及放大电路基础一、教学要求 知识点 教学要求 学时掌握理解了解 晶体管晶体管的结构√电流分配与放大作用√√ 晶体管的工作状态、伏安特性及主要参数√√ 放大电路基础放大电路的组成原则及工作原理√ 放大电路的主要技术指标√ 放大电路 的分析方法 图解法√ 静态工作点估算法√ 微变等效电路法√ 三种基本放大电路比较√ 静态工作点的选择与稳定√√多极放大电路 耦合方式及直接耦合电 路的特殊问题 √ 分析计算方法√ 放大电路的频率响 应 频率响应的基本概念√√ 频率响应的分析计算方 法 √√ 本章的重点是: 晶体管的伏安特性、主要参数;放大电路的组成原则及工作原理、静态工作点的近似估算法、主要动态指标的微变等效电路分析法、静态工作点的选择与稳定、三种基本放大电路的特点;放大电路频率响应的基本概念及分析计算方法。

本章的难点是: 放大电路频率响应的基本概念及分析方法。 三、教学内容 2.1晶体管 1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型晶体管简称为晶体管,而单极型晶体管简称场效应管。 晶体管是半导体器件,它由掺杂类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区)形成的两个PN结(发射结和集电结)组成,分别从三个区引出三个电极(发射极e、基极b和集电极c)。 晶体管根据掺杂类型不同,可分为NPN型和PNP型两种;根据使用的半导体材料不同,又可分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度,并且基区很薄,集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。 晶体管的电流分配关系如下: 其中电流放大系数和之间的关系是=/(1+),=/(1-);I CBO是集电结反向饱和电流,I CEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,并且I CEO=(1+)I CBO。 在放大电路中,通过改变U BE,改变I B或I E,由ΔI B或ΔI E产生ΔI C,再通过集电极电阻R C,把电流的控制作用转化为电压的控制作用,产生ΔU O=ΔI C R C。实质上,这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态 当给晶体管的两个PN结分别施加不同的直流偏置时,晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表2.1所列。 表2.1 晶体管的三种工作状态 工作状态直流偏置条件各电极之间的电位关系特点

2.1晶体管单级放大器

2.1晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、掌握用multisim仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 2、掌握晶体管放大器静态工作点的调试和调整方法,观察静态工作点对放大器输出波形的影响。 3、测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 实验电路如图2.1-1所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直 流电源V cc 而未加入信号(V i =0)时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点, 即 V BQ =R 2 V CC /(R 2 +R 3 +R 7 ) (2.1-1) I CQ =I EQ =(V BQ -V BEQ) /R 4 (2.1-2) I BQ =I EQ /β(2.1-3) V CEQ =V CC -I CQ (R 5 +R 4 )(2.1-4) 1、放大器静态工作点的选择和测量

放大器的基本任务是不失真的放大小信号。为了获得最大不失真输出电压,静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高,则容易引起饱和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶 体管的集电极电流I CQ 和管压降V CEQ 。其中V CEQ 可直接用万用表直流电压档测C-E 极间的电压既得,而I CQ 的测量则有直接法和间接法两种: (1)直接法:将万用表电流档串入集电极电路直接测量。此法精度高,但要断开集电极回路,比较麻烦。 (2)间接法:用万用表直流电压档先测出R 5上的压降,然后根据已知R 5 算出 I CQ ,此法简单,在实验中常用,但其测量精度差。为了减小测量误差,应选用内 阻较高的电压表。 当按照上述要求搭好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器观察输出。静态工作点具体的调节步骤如下: 根据示波器上观察到的现象,做出不同的调整动作,反复进行。当加大输入信号,两种失真都出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时的静态工作点正好处于交流负载线的中点,就是最佳的静态工作点。去掉输入信号, 测量此时的V CQ ,就得到了静态工作点。 2、电压放大倍数的测量 电压放大倍数是指放大器的输入电压Ui输出电压Uo之比 A V =U O /U i (2.1-5) 用示波器分别测出U O 和U i ,便可按式(2.1-5)求得放大倍数,电压放大倍数与 负载R 6 有关。 3、输入电阻和输出电阻的测量 (1)输入电阻Ri用电流电压法测得,电路如图2.1-3所示。在输入回路中 串接电阻R=1kΩ,用示波器分别测出电阻两端电压V i 和V s ,则可求得输入电阻 R i 为 R i =V i /R i =V i ×R/(V s -V i )(2.1-6)

西工大模电实验报告总结计划晶体管单级放大器.docx

实验一晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、掌握用 multisim仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 2、掌握晶体管放大器静态工作点的调试和调整方法,观察静态工作点对放 大器输出波形的影响。 3、测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 实验电路如图 2.1 -1 所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直流电源 V cc而未加入信号( V i =0)时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点, 即 图2.1 -1 晶体管单级放大器 V BQ=R2V CC/(R 2+R3+R7) I CQ=I EQ=(V BQ-V BEQ)/R 4 I BQ=I EQ/ β V CEQ= V CC-I CQ( R5+R4) 1、放大器静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真的放大小信号。为了获得最大不失真输出电压, 静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高,则容易引起饱和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶

体管的集电极电流I CQ和管压 降 V CEQ。其中V CEQ可直接用万用表直流电压档测C-E 极间的电压既得,而I CQ的测量则有直接法和间接法两种: (1)直接法:将万用表电流档串入集电极电路直接测量。此法精度高,但 要断开集电极回路,比较麻烦。 ( 2)间接法:用万用表直流电压档先测出R5上的压降,然后根据已知R5算出I CQ,此法简单,在实验中常用,但其测量精度差。为了减小测量误差,应选用内 阻较高的电压表。 当按照上述要求搭好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器观察输出。静态工作点具体的调节步骤如下: 现象出现截止失真动作减小 R 出现饱和失真 增大 R 两种失真都出 现 减小输入信号 无失真 加大输入信号 根据示波器上观察到的现象,做出不同的调整动作,反复进行。当加大输入信号,两种失真都出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时的静态工作点正好处于交流负载线的中点,就是最佳的静态工作点。去掉输入信号,测量此时的 V CQ, 就得到了静态工作点。 2.电压放大倍数的测量 Ui 输出电压 Uo 之比 电压放大倍数是指放大器的输入电压 Au=Uo/Ui(2.1-5) 用示波器分别测出 Uo 和 Ui ,便可按式( 2.1-5)求得放大倍数,电压放大倍数与负载 Rl 有关。 3.输入电阻和输出电阻的测量 ( 1)输入电阻 Ri 用电流电压法测得,电路如图电阻 R=1kΩ,用示波器分别测出电阻两端电压 2.1-3 所示。在输入回路中串接Ui 和 Us,则可求得输入电阻Ri 为 Ri=Ui/Ri=Ui×R/(Us-Ui )(2.1-6)

三极管及放大电路基础教案..

第2章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1.掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2.了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3.理解三极管的三种工作状态的特点,并会判断三极管所处的工作状态。 4.理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1.三极管结构特点、类型和电路符号。 2.三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3.三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1.三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2.三极管工作在放大状态时的条件。 3.三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路,通过对放大电路输入信号及输出信号的测试,引导学生认识三极管,并知道三极管能放大信号,为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分,中间部分是基区,两侧部分分别是发射区和集电区,排列方式有NPN和PNP两种, 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量,这就是三极管的电

流放大特性。 要使三极管具有放大作用,必须给管子的发射结加正偏电压,集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流(基极电流B I 、集电极电流C I 、发射极电流E I )之间的关系为: C B E I I I +=、B C I I = --β、B C I I ??=β 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压CE V 为定值时,输入回路中的基极电流B I 与加在基-射极间的电压BE V 之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似,也存在一段死区。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流B I 为定值时,输出电路中集电极电流C I 与集-射极间的电压CE V 之间的关系曲线。B I 不同,对应的输出特性曲线也不同。 截止区:0=B I 曲线以下的区域。此时,发射结处于反偏或零偏状态,集电结处于反偏状态,三极管没有电流放大作用,相当于一个开关处于断开状态。 饱和区:曲线上升和弯曲部分的区域。此时,发射结和集电结均处于正偏状态,三极管没有电流放大作用,相当于一个开关处于闭合状态。 放大区:曲线中接近水平部分的区域。此时,发射结正偏,集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数:电流放大系数- -β、β,集电极-基极反向饱和电流CBO I ,集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。 2. 极限参数:集电极最大允许电流CM I 、集电极-发射极反向击穿电压CEO BR V )(、集电极最大允许耗散功率CM P 。

晶体管单级放大电路实验报告

晶体管单级放大电路 实验目的: 1.掌握放大电路的组成,基本原理及放大条件。 2.掌握放大电路静态工作点的测量方法。 3.观察晶体管单级放大电路的放大现象。 实验仪器: 1.双踪示波器 2.函数发生器 3.数字万用表 4.交流毫伏表 5.直流稳压电源 实验原理: 1.晶体管,又叫半导体三极管,其主要分为两大类:双极性晶体管(包含发射极,基极和集电极)和场效应晶体管(包括源极,栅极,漏极)。晶体管在电路中主要起放大和开关的作用。 2.共射放大电路原理图: 3.放大电路的本质为它利用晶体管的基极对集电极的控制作用来实现,即iC= iB。放大的前提是晶体管的发射极正偏,集电极反偏。 4.放大电路的电压放大倍数是指电压不失真时,输出电压U0与输入电压Ui振幅或有效值之比,即Au=U0/Ui 5.输出电阻R0是指从放大器输出端看进去的等效电阻,其反映了放大器带负载的能力,在被测放大器后加一个负载电阻RL,输入端加正弦信号,分别测空载时和加负载电阻RL时的输出电压U0与UL,则RL=(U0-UL)/UL。 6.输入电阻Ri是指从放大器输入端看进去的等效电阻,其大小表示放大器从信号源获取电流的多少。在信号源与放大器之间串入一个样电阻Rs,分别测出UA与UB,则:Ri=UAXRs/(UB-UA)。 实验内容: 1.静态工作点测量 实验电路: 实验步骤: 1.使用万用表检查三极管的好坏:红笔接三极管基极,黑笔接集电极或射极,此时PN 结正偏,若显示数字为“500~700”(PN结正向导通管压降的毫伏值),说明其正向导通。当

用黑笔接基极,红笔分别接集电极.射极,此时PN结反偏,如果显示“1”,说明其反向不导通。当红笔接射极,黑笔接集电极,显示“1”,表示不导通;交换红黑笔,显示“1”,表示不导通。测试三极管满足上述数值,基本可以认为三极管是好的。 2.按照实验电路图连接电路。稳压电源的+极接到电路的Vcc,-极接地。 3.将稳压电源调到+12V,用万用表直流电压档测量静态工作点 UBQ,UCQ,UEQ。 实验结果: 提示:,Ucq,Ueq分别为晶体管各极对地的电压 =Ieq=Ueq/(Re1+Re2); Ubeq=Ubq-Ueq; Uceq=Ucq-Ueq 3.静态工作点是载电路无输入信号下测量的 :晶体管的集电极c与发射极e之间的电压。 2.输入输出波形观察及放大倍数的测量 实验步骤 1.在第一个实验的基础上,在电路A点输入Ui=50mV(峰峰值),f=1kHz的正弦波信号。 2.用示波器的二通道分别观察输入输出波形。 实验结果: 3.输出电阻Ro的测量 实验电路:

晶体管放大原理解析资料

晶体管放大原理 姓名学号: 系部:计算机系专业:计算机科学与技术 指导教师: 评阅教师:张 张 2012年11月4

论文摘要 题目:晶体管放大原理 摘要: 1、共射电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数,同时输入电阻和输出电阻适中.所以,在一般对输入电阻,输出电阻和频率响应没有特殊要求的地方,常被采用.例如低频电压放大电路的输入级,中间级或输出级. 2、共集电路的特点是: 输入电阻在三种基本电路中最大; 输出电阻则最小;电压放大倍数是接近于1 而小于1 的正数,具有电压跟随的性质.由于具有这些特点,故应用很广泛.常用于放大电路的输入级,也常用于电路的功率输出级. 3、共基电路的主要特点是输入电阻小,放大倍数和共射电路差不多频率特性好.常用于宽频放大器 关键词:晶体管放大基本电路频率

正文 晶体管简介: 1.晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型晶体管简称为晶体管,而单极型晶体管简称场效应管。 晶体管是半导体器件,它由掺杂类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区)形成的两个PN结(发射结和集电结)组成,分别从三个区引出三个电极 (发射极e、基极b和集电极c)。 晶体管根据掺杂类型不同,可分为NPN型和PNP型两种;根据使用的半导体材料不同,又可分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度,并且基区很薄,集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2.电流分配与放大作用 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。 晶体管的电流分配关系如下: A =出 E + d } C=用E:+ ^CEO 其中电流放大系数二和「之间的关系是二八/(1 +「),「丨(1 —二);I CB。是集电结反向饱和电流,I CEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,并 且I CEO=(1 + ' )|CBO。 在放大电路中,通过改变U BE,改变I B或I E,由4B或4E产生A C,再通过集电极电阻R C,把电流的控制作用转化为电压的控制作用,产生AU二A C R c。实质上,这种控制作用就是放大作用。 3.晶体管的工作状态 当给晶体管的两个PN结分别施加不同的直流偏置时,晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表 2.1所列。 表2.1晶体管的三种工作状态

西工大模电实验报告 晶体管单级放大器

一、实验目的 1、掌握用multisim仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 2、掌握晶体管放大器静态工作点的调试和调整方法,观察静态工作点对放大器输出波形的影响。 3、测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 实验电路如图-1所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直流电 源V cc 而未加入信号(V i =0)时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点,即 图-1 晶体管单级放大器 V BQ =R 2 V CC /(R 2 +R 3 +R 7 ) I CQ =I EQ =(V BQ -V BEQ) /R 4 I BQ =I EQ /β V CEQ =V CC -I CQ (R 5 +R 4 ) 1、放大器静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真的放大小信号。为了获得最大不失真输出电压,静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高,则容易引起饱和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶 体管的集电极电流I CQ 和管压降V CEQ 。其中V CEQ 可直接用万用表直流电压档测C-E 极间的电压既得,而I CQ 的测量则有直接法和间接法两种: (1)直接法:将万用表电流档串入集电极电路直接测量。此法精度高,但要断开集电极回路,比较麻烦。 (2)间接法:用万用表直流电压档先测出R 5上的压降,然后根据已知R 5 算出 I CQ ,此法简单,在实验中常用,但其测量精度差。为了减小测量误差,应选用内阻较高的电压表。 当按照上述要求搭好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器观察输出。静态工作点具体的调节步骤如下:

晶体管单级放大器实验报告

2.1 晶体管单级放大器 一、实验目的 (1) 掌握用Multisim 仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法; (2) 掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法,观察静态工作点对放大器输出波形的影响; (3) 测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 1. 静态工作点的选择和测量 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶体管集电极电流CQ I 和管压降CEQ V 。其中CEQ V 可直接用万用表直流电压档测得,而CQ I 可用万用表先测出电压降,再计算得出CQ I 的值。 为了获得最大不失真的输出电压,静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高则易引起饱和失真,而选的太低,又易引起介质失真。 因此,静态工作点的调整,就是用示波器观察输出波形,让输出信号达到最大限度的不失真。 根据示波器上观察到的现象,做出不同的调整动作,反复进行。当加大输入信号,两种失真同时出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时的静态工作点正好处于交流负载线的中点,就是最佳的静态工作点。去掉输入信号,测量此时的CQ V ,就得到了静态工作点。 2. 电压放大倍数的测量 i o V V V A = 用示波器分别测出输出电压和输入电压,便可求得电压放大倍数。 3. 输入电阻和输出电阻的测量 放大电路的输入电阻i R 可用电流电压法求得。在输入回路中串接一外接电阻R ,用示波器分别测出电阻两端的电压s V 和i V ,则 R V V V I V R i s i i i i )(-== (2.1-6) (2) 放大电路的输出电阻o R 可通过测量放大电路输出端开路时的输出电

晶体管单级放大电路的测试与分析

晶体管单级放大电路的测试与分析 一、实验目的 1、学习单级共射电压放大器静态工作点的设置与调试方法。 2、学习放大器的放大倍数(A u)、输入电阻(R)、输出电阻(RJ的测试方法。 3、观察基本放大电路参数对放大器的静态工作点、电压放大倍数及输出波形的影响。 4、进一步熟悉函数信号发生器、示波器、数字万用表和直流稳压电源等常用仪器的使用方法。 二、实验工具 电脑、Multisim 三、实验内容 (一)如图所示,建立放大电路,进行静态分析。 图S4-2 共发射极放大电路 图S4-3 放大电路的输入输出波形 (二)、测量电路的静态工作点 图S4-4 放大电路的直流工作点分析 (三)、测量电路的放大倍数、输入电阻、输出电阻。 1、放大倍数A的测量 方法一:瞬态分析法电压放大倍数是指输出电压与输入电压的有效值(或峰峰值)之比,即

图S 4-10 输入输出瞬态分析结果 从图S4-10读取输入、输出信号波形峰峰值,代入 4 - 1 : 方法二:幅频特性的测量 图S4-11 幅频特性图 知,A v =- 2、输入电阻R 、输出电阻R 0的测量 图S4-12 输入电阻和输出电阻的测量电路图 图S4-13 I i 、U 、L O1 (带负载R 6= k Q 的输出电压)、U (不带负载的输出电压)的值 仿真运行后,各表读数如图S4-13,读取各表的测量值得到:输 入电 流的有效无值I i =,输入电压U 二,输出电压U O1 =,输出电压 U)2 = Av U o Ui (4-1 ) Av U o Ui 11706.2 1075.7 9.899.3 9.899.3 112.46 该电路的幅频特性如图 S4-11所示。启动标尺移动至中频,如图

从晶体管电路方面来理解放大原理!对晶体管饱和、饱和压降的理解

从晶体管电路方面来理解放大原理!对晶体管饱和、饱和压降的理解众所周知,一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态(截止、饱和、放大)和四种运用接法(共基、共发、共集和倒置)。对这两个PN结所施加不同的电位,就会使晶体管工作于不同的状态:两个PN结都反偏——晶体管截止;两个PN结都导通——晶体管饱和:一个PN结正偏,一个PN结反偏——晶体管放大电路(注意:如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏,就是晶体管的倒置放大应用)。要理解晶体管的饱和,就必须先要理解晶体管的放大原理。 从晶体管电路方面来理解放大原理,比较简单:晶体管的放大能力,就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制能力强弱。控制能力强,则放大大。但如果要从晶体管内部的电子、空穴在PN结内电场的作用下,电子、空穴是如何运动的、晶体管的内电场对电子、空穴是如何控制的等一些物理过程来看,就比较复杂了。 对这个问题,许多教课书上有不同的描述。我对此问题的理解是:当晶体管处于放大状态时,基极得到从外电源注入的电子流,部分会与基区中的空穴复合,此时产生的复合电流,构成了基极电流的主体。由于此时晶体管是处于放大状态,故集电结处于反偏。又因集电结的反偏,就在此PN结的内部,就形成了一个强电场,电场的方向由集电极指向基极,即集电极为正,基极为负。也就是说,在此PN结(集电结)联接集电极的一端,集中了大量带正电的空穴。当从基极注入的电子流进入基区后,一部分与基区内部的空穴进行了复合,而大部分电子则在强电场的作用下,被“拉”到了集电极,这种被电场“拉”到集电极的电子流,构成了集电极电流的主要组成部分。由于从基极注入的电子流,只有很少一部分在基区被复合,大部分电子是在集电结的强电场的作用下,集中到了集电极,构成了集电极电流的主体,所以,此时的集电极电流要远大于从基极注入的电流,这就是晶体管放大功能的物理模型。此时,是以NPN型晶体管进行举例。如果是PNP型晶体管,则只要把晶体管的极性由正换成负就行。 如果要从基极电流、集电极电流、发射极电流的组成、流动,PN结的能级等等方面来讲

单级晶体管放大电路实验报告

竭诚为您提供优质文档/双击可除单级晶体管放大电路实验报告 篇一:晶体管单级放大器实验报告 晶体管单级放大器 一.试验目的 (1)掌握multisium11.0仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 (2)掌握晶体管放大器静态工作点的测试和调整方法,观察静态工作点对放大器输 出波形的影响。 (3)测量放大器的放大倍数,输入电阻和输出电阻。 二.试验原理及电路 VbQ=Rb2Vcc/(Rb1+Rb2)IcQ=IeQ=(VbQ-VbeQ)/Re IbQ=IcQ/β; VceQ=Vcc-IcQ(Rc+Re) 晶体管单级放大器 1.静态工作点的选择和测量 放大器的基本任务是不失真的放大信号。为了获得最大

输出电压,静态工作点应选在输出特性曲线交流负载线的中点。若工作点选的太高会饱和失真;选的太低会截止失真。静态工作点的测量是指接通电源电压后放大器不加信号,测量晶体管集电极电流IcQ和管压降VceQ。 本试验中,静态工作点的调整就是用示波器观察输出波形,让信号达到最大限度的不失真。当搭接好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器输出。静态工作点具体调整步骤如下: 具有最大动态范围的静态工作点图 根据示波器观察到的 现象,做出不同的调 整,反复进行。当加大输入信号,两种失真同时出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时静态工作点正好处于交流负载线的中点,这就是静态工作点。去点信号源,测量此时的VcQ,就得到了静态工作点。2.电压放大倍数的测量 电压放大倍数是输出电压V0与输入电压Vi之比 Av=V0/Vi 3、输入电阻和输出电阻的测量 (1)输入电阻。放大电路的输入电阻Ri可用电流电压法测量求得,测试电路如图2.1-3(a)所示。在输入回路中串接一外接电阻R=1KΩ,用示波器分别测出电阻两端的电压

最新2.1晶体管单级放大器汇总

2.1晶体管单级放大 器

2.1晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1、掌握用multisim仿真软件分析单级放大器主要性能指标的方法。 2、掌握晶体管放大器静态工作点的调试和调整方法,观察静态工作点对放大器输出波形的影响。 3、测量放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻。 二、实验原理 实验电路如图2.1-1所示,采用基极固定分压式偏置电路。电路在接通直流电源V cc而未加入信号(V i=0)时,三极管三个极电压和电流称为静态工作点,即 V BQ =R 2 V CC /(R 2 +R 3 +R 7 ) (2.1-1) I CQ =I EQ =(V BQ -V BEQ) /R 4 (2.1-2) I BQ =I EQ /β(2.1-3) V CEQ =V CC -I CQ (R 5 +R 4 )(2.1-4) 1、放大器静态工作点的选择和测量

放大器的基本任务是不失真的放大小信号。为了获得最大不失真输出电压,静态工作点应选在输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选的太高,则容易引起饱和失真;而选的太低,又易引起截止失真。 静态工作点的测量是指在接通电源电压后放大器输入端不加信号时,测量晶体管的集电极电流I CQ和管压降V CEQ。其中V CEQ可直接用万用表直流电压档测C-E极间的电压既得,而I CQ 的测量则有直接法和间接法两种: (1)直接法:将万用表电流档串入集电极电路直接测量。此法精度高,但要断开集电极回路,比较麻烦。 (2)间接法:用万用表直流电压档先测出R5上的压降,然后根据已知 R 5算出I CQ ,此法简单,在实验中常用,但其测量精度差。为了减小测量误差, 应选用内阻较高的电压表。 当按照上述要求搭好电路,在输入端引入正弦信号,用示波器观察输出。静态工作点具体的调节步骤如下: 根据示波器上观察到的现象,做出不同的调整动作,反复进行。当加大输入信号,两种失真都出现,减小输入信号,两种失真同时消失,可以认为此时的静态工作点正好处于交流负载线的中点,就是最佳的静态工作点。去掉输入信号,测量此时的V CQ,就得到了静态工作点。 2、电压放大倍数的测量 电压放大倍数是指放大器的输入电压Ui输出电压Uo之比 A V =U O /U i (2.1-5) 用示波器分别测出U O和U i,便可按式(2.1-5)求得放大倍数,电压放大倍数与负载R6有关。 3、输入电阻和输出电阻的测量

实验二 三极管基本放大电路(指导书)

实验二三极管基本放大电路 一、实验目的 学会放大器静态工作点的调试方法,分析静态工作点对放大器性能的影响。 掌握放大器电压放大倍数、及最大不失真输出电压的测试方法。 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 共射放大电路既有电流放大,又有电压放大,故常用于小信号的放大。改变电路的静态工作点,可调节电路的电压放大倍数。而电路工作点的调整,主要是通过改变电路参数来实现,负载电阻R L的变化不影响电路的静态工作点,只改变电路的电压放大倍数。该电路输入电阻居中,输出电阻高,适用于多级放大电路的中间级。 静态工作点是否合适,对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高,放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真,此时V0的负半周将被削底;如工作点偏低易产生截止失真,即V0的正半周被缩顶(一般截止失真不如饱和失真明显)。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试,即在放大器的输入端加入一不定期的V i,检查输出电压V0的大小和波形是否满足要求。如不满足,则应调节静态工作点的位置。工作点偏高或偏低不是绝对的,应该是相对信号的幅度而言,如信号幅度很小,即使工作点较高或较低也不一定会出现失真。所以确切地说,产生波形失真是信号幅度与静态工作点设置配合不当所致。 图2-1 基本放大电路实验图 三、实验内容与步骤 1.调整静态工作点:按图连线,然后接通12V电源,调节信号发生器的频率和幅值调切旋 钮,使之输出f=1000Hz,Ui=10mV的低频交流信号,然后调节电路图中Rp1和Rp2使放大器输出波形幅值最大,又不失真。 2.去掉输入信号(最好使输入端交流短路),测量静态工作点(Ic,U ce,U be) 3.测量电压放大倍数:重新输入信号,在波形不失真的条件下用交流毫伏表测量下述二种 情况下的U0值(加入信号和无信号),此时的U0和U i相位相反。 4.测量幅频频特性曲线:保持输入信号的幅度不变,改变信号源频率f,按照下面的的频率 要求逐点测出相应的输出电压U0,记入下表,并且画出幅频特性曲线。

模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)

晶体管及放大电路基础 1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。 (A)发射结正偏,集电结正偏(B)发射结反偏,集电结反偏(C)发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其___A______。 (A)发射结正偏,集电结正偏(B)发射结反偏,集电结反偏(C)发射结正偏,集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为,和。则该管的 为___。 (A)40 (B)50 (C)60 4.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能____A_____。 (A)越好(B)越差(C)无变化 5.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能___A______。 (A)高(B)低(C)一样 6.温度升高,晶体管的电流放大系数b_____A____。 (A)增大(B)减小(C)不变 7.温度升高,晶体管的管压降|UBE|______B___。 (A)升高(B)降低(C)不变 8.温度升高,晶体管输入特性曲线______B___。 (A)右移(B)左移(C)不变 9.温度升高,晶体管输出特性曲线_____A____。 (A)上移(B)下移(C)不变 10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔____C_____。 (A)不变(B)减小(C)增大 11.对于电压放大器来说,______B___越小,电路的带负载能力越强。 (A)输入电阻(B)输出电阻(C)电压放大倍数 12.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位__B_______。 (A)同相(B)反相(C)相差90度 13.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象, 这种失真是_____A____失真。 (A)饱和(B)截止(C)饱和和截止 14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。 (A)输入电阻太小(B)静态工作点偏低(C)静态工作点偏高 15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。 (A)输出功率(B)静态工作点(C)交流参数 16.既能放大电压,也能放大电流的是_____A____放大电路。

晶体管放大原理解析资料

晶体管放大原理. 姓名学号: 系部:计算机系 专业:计算机科学与技术 指导教师:张 评阅教师:张 完成时间:2012年11月4号

论文摘要 题目:晶体管放大原理 摘要: 1、共射电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数,同时输入电阻和输出电阻适中.所以,在一般对输入电阻,输出电阻和频 率响应没有特殊要求的地方,常被采用.例如低频电压放大电路的输入级,中间级或输出级. 2、共集电路的特点是:输入电阻在三种基本电路中最大;输出电阻则最小;电压放大倍数是接近于1而小于1的正数,具有电压跟 随的性质.由于具有这些特点,故应用很广泛.常用于放大电路的输入级,也常用于电路的功率输出级. 3、共基电路的主要特点是输入电阻小,放大倍数和共射电路差不多,频率特性好.常用于宽频放大器 关键词:晶体管放大基本电路频率

正文 晶体管简介: 1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型晶体管简称为晶体管,而单极型晶体管简称场效应管。 晶体管是半导体器件,它由掺杂类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区)形成的两个PN结(发射结和集电结)组成,分别从三个区引出三个电极(发射极e、基极b和集电极c)。 晶体管根据掺杂类型不同,可分为NPN型和PNP型两种;根据使用的半导体材料不同,又可分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度,并且基区很薄,集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。2. 电流分配与放大作用 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。 晶体管的电流分配关系如下: 其中电流放大系数和之间的关系是=/(1+),=/(1-);I CBO 是集电结反向饱和电流,I CEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,并 且I CEO=(1+)I CBO。 在放大电路中,通过改变U BE,改变I B或I E,由ΔI B或ΔI E产生ΔI C,再通过集电极电阻R C,把电流的控制作用转化为电压的控制作用,产生ΔU O=ΔI C R C。实质上,这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态 当给晶体管的两个PN结分别施加不同的直流偏置时,晶体管会有放大、饱和和截止三种不同的工作状态。这几种工作状态的偏置条件及其特点如表2.1所列。

最新单级晶体管放大电路实验

最新单级晶体管放大电路实验 ★使用示波器.实验电路, 1.调试和测量静态工作点, (1)接通电源,输出12V电压加VCC两端。 (2) 设置用户界面= 0,设置Rb2,设置集成电路=2mA。此时,Qis 点位于负载线的中间。(为了便于操作,可以用万用表测量VE =2 mare)分别用万用表测量VB.VE和VC,并填写表1。 注:测量静态工作点电压时(如UCE.UBE等。),使用万用表DC 档,实验电路,,+,+,+,B,C,E, 1.将“输出选择”设置为12v。 “电压指示开关”调整为“固定输出”,正负端子分别连接到VCC两端, 2.万用表的功能和量程选择如图所示。正极和负极分别连接到c点和接地., 3.调节旋钮,这样万用表读数约为7V(此时q点在中间位置),然后测量VB VC填写表格注意:测量静态工作点电压时,使用万用表DC电压范围....+.+.B.C.E, 1.将“输出选择”设置为12v。 “电压指示器开关”调整为“固定输出”,正极和负极分别连接到VCC的两端。

2.万用表的功能和量程选择如图所示。正极和负极分别连接到C点和接地., 3.旋钮,使万用表读数约为2V(此时IC =2V,Qis点在中间位置)。然后测量VB。V C填写表格注意:在静态工作点测量电压时,使用万用表DC电压档.....2.测量电压放大系数, (1)在输入端增加一个频率为1KHZ的正弦信号us,调整函数信号发生器的输出旋钮,使放大器输入电压VIP-p ≈30 mv。 (2) 将示波器夹在Uo两端,波形不失真。分别测量以下各组数据后,更换RL (Rc不变)并填写表2:注意:计算放大倍数时,观察波形,当波形没有失真时再次测量.....1.调整信号发生器旋钮,使毫伏表读数约为5 mV,2 .将示波器连接到Ui ·Uo两端, 3.调节旋钮,使示波器不失真, 4.更换RL,将测量值填入表中,RL.....3 .静态工作点Q变化对输出波形的影响,将示波器连接到Uo两端,将Rp调节到以下状态,观察示波器的波形,并记录下来 1.Rp适中,Qpoint合适,输出波形无失真。 2.Rp太小,Qpoint太高。(饱和失真) 3.Rp太大,Qpoint低。(截止失真) (注意:观察截止失真时,如果效果不明显,输入信号可以稍微增加)

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