(完整版)模电知识总结

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第一部分半导体的基本知识

二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。

1、导体导电和本征半导体导电的区别:

导体导电只有一种载流子:自由电子导电

半导体导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电

自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带电荷极性不同,故运动方向相反。

2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。

3、杂质半导体

(1)N型半导体——掺入五价元素(2)P型半导体——掺入三价元素

4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压

在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层

反向电压超过一

定值时,就会反

向击穿,称之为

反向击穿电压

正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数

(1)P区引出的电极——阳极;N区引出的电极——阴极

其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压——0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电流<0.1μA,锗的开启电压——0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十μA。

(2)主要参数

1)最大整流电流I:最大正向平均电流

2)最高反向工作电流U:允许外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半

3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对

温度越敏感

4)最高工作频率f:二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性

7、稳压二极管

在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。

(1)稳压管的伏安特性

温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。

(2)主要参数

1)稳定电压U :规定电流下稳压管的反向击穿电压

2)稳定电流I :稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏,甚至根

本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳压效果越好。

【附加】限流电阻:由于稳压管的反向电流小于I 时不稳定,大于最大稳定电

流时会因超过额定功率而烧坏,故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。

3)额定功率P :等于稳定电压U 与最大稳定电流I 的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过

高而损坏。

4)动态电阻r :在稳压区,端电压变化量与电流变化量之比。r 越小,说明电流变化时稳定电

压的变化越小,稳压特性越好。

5)温度系数α:表示电流不变时,温度每变化1℃稳压值的变化量,即α=△U/△T 。

U<4V 时,α为负值,即温度升高时稳定电压值下降; U>7V 时,α为正值,即温度升高时稳定电压值上升; 4

7、 双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数

(2)特性曲线

P 区很薄且杂质浓度很低,发射区-上层的N 区杂质浓度很高,集电区-下层的N 区面积很大——上述三个区域的特点与晶体管的外特性紧密相关。 主要以NPN 型硅管为例讲解放大作用、特性 曲线和主要参数

放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件,它能控制能量的转换,将输入的任何微小变化不失真地放大输出,放大的对象是变化量。

Ie :发射区杂质浓度高,基区杂质浓度低,大量自由电子越过发射结到达基区。 Ib :基区很薄,杂质浓度低

Ic :集电结外加反向电压且结面积较大,基区的非平衡少子越过集电结到达集电区,形成漂移电流。可见,在Vcc 的作用下,漂移运动形成集电极电流Ic 。

(3)主要参数

1)直流参数

①共射直流电流系数β

②共基直流电流放大系数α

③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗管的好

发射极开路时集电结的反向饱和电流——Icbo

基极开路时集电极与发射极间的穿透电流——Iceo

2)交流参数

①共射交流电流系数β

②共基交流电流放大系数α

③特征频率fT——使β下降到1的信号频率称为特征频率

3)极限参数——为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率耗损的限制

①最大集电极耗散功率P——是一个确定的值

决定于晶体管的温升。P=iu=常数

②最大集电极电流I

使β明显减小的i即为I

③极间反向击穿电压

第二部分基本放大电路及多级放大电路

晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌

握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点,动态和静态的

分析方法。

1、放大的概念

放大的前提是不失真,即只有在不失真的情况下放大才有意义。晶体管和场效应管是放大电路的核心元件。

任何稳态信号都可以分解为若干频率正弦信号的叠加,所以放大电路以正弦波为测试信号。

2、基本共射放大电路的工作原理

(1)设置静态工作点的必要性

1)静态工作点——I 、I 、U

2)原因

不设置静态工作点会使输出电压严重失真,输出电压也毫无变化。

Q点不仅会影响电路是否会产生是真,还会影响着放大电路几乎所有的动态系数。

(2)工作原理及波形分析

所以选择合适的静态工作点才不会使输出波形产生非线性失真。基本共射放大电路的电压放大作用是利用晶体管的电流放大作用,并依靠Rc将电流的变化转化成电压的变化来实现。

3、放大电路的组成原则

(1)组成原则

1)必须根据所用放大管的类型提供直流电源,以便设置合适的静态工作点并做为输出的能源。

2)电阻取值适当,与电源配合,使放大管有合适的静态工作电流。

3)输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。

4)当负载接入时,必须保证放大管输出回路的动态电流能够作用于负载,从而使负载获得比输入信号大得多的信号电流或信号电压。

(2)常见的两种共射放大电路

1)直接耦合共射放大电路

电路中信号源与放大电路,放大电路与负载电阻均直接相连,故称其为“直接耦合”。

2)阻容耦合共射放大电路

由于C1用于连接信号源与放大电路,电容C2用于连接放大电路与负载,在电子电路中起连接作用的电容就称为耦合阻容。

4、放大电路的分析方法——求静态工作点和各项动态参数

(1)直流通路与交流通路

直流通路——研究静态工作点:电容视为开路;电感线圈视为短路;信号源视为短路,但

要保留其内阻。

交流通路——研究动态参数:容量大的电容(如耦合电容)视为短路;无内阻的直流电源

(如+Vcc)视为短路。

(2)图解法——多分析Q点位置、最大不失真电压和失真情况

(3)等效电路法

1)晶体管的直流模型及静态工作点的估算法

直流模型

2)晶体管共射h参数等效模型——只能用于放大电路动态小信号参数的分析

共射h参数等效模型

(4)静态工作点稳定的必要性

1)影响Q点不稳定的因素中温度对晶体管参数的影响最大。

2)稳定静态工作点的措施——利用负反馈或温度补偿

5、晶体管单管放大电路的三种基本接法及性能特点

接法的判断:输入电压和输出电压的公共端

6、多级放大电路的耦合方式、特点,动态和静态分析方法

(1)三种:直接耦合、阻容耦合、变压耦合

1)直接耦合

前一级的输出端直接连接到后一级的输入端。

直接耦合多级放大电路常采用的是NPN和PNP型管混合使用的方法,在图(d)中,为使T2工作在放大区,T2管的集电极电位应该低于T1管的集电极电位。

优点:具有良好的低频特性,可以放大变化缓慢的信号;没有大容量的电容,便于集成。缺点:静态工作点相互影响,带来一定困难;有零点漂移现象。

【附加】零点漂移:输入电压为零时而输出电压不为零且有缓慢变化。,温度是主要原因,故又称其为温度漂移。

2)阻容耦合

前一级的输出端通过电容连接到后一级的输入端

T1:共射T2:共集

优点:各级静态工作点相互独立;适合于信号频率较高的电路。

缺点:低频性能差,不能放大变化缓慢的信号,不易于集成。

3)变压器耦合

将前一级的输出端通过变压器接入到后一级的输入端或负载电阻上。

优点:各级静态工作点相互独立,可实现阻抗变换。

缺点:低频性能差,不能放大变化缓慢的信号,不易于集成。

(2)多级放大电路的动态分析

上式即为多级放大电路的电压放大倍数

输入电阻为第一级的输入电阻:Ri=Ri1

输出电阻为最后一级的输出电阻:Ro=Ron

【注意】当共集放大电路做为第一级时,它的输入电阻与其负载,即第二级的输入电阻有关;当共集放大电路作为最后一级时,它的输出电阻与其信号源内阻,

即倒数第二级的输出电阻有关。

当多级放大电路的输出波形产生失真时,首先确定是哪一级失真,再判断是饱和失真还是截止失真。

第三部分反馈和反馈放大电路

反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈

类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。估算深度负反馈电路的输出、

输入间的关系。

第四部分运算电路

比例、加减、微积分线性运算电路。应熟练掌握其工作原理和输出、输入间的关系的分析。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。

1、理想运放的两个工作区

其工作区域只有两个:线性区和非线性区

下面介绍的各电路中,集成运放均工作在线性区。

(1)理想运放的性能指标

1)开环差模增益(放大倍数)Aod=∞;

2)差模输入电阻Rid=∞;

3)输出电阻Ro=0;

4)共模抑制比K CMR=∞;

5)上限截止频率f H=∞;

6)失调电压U OI、失调电流I OI和它们的温漂dU OI/dT(℃)、dI OI/dT(℃)均为零,且无任何内部噪声。

(2)理想运放在线性工作区

1)特点:

①虚短路:两个输入端电位无穷接近但又不是真正短路。

由;Aod=∞;uO为有限值

可得到,即

②虚断路:两个输入端的电流趋于零但又不是真正断路

因为净输入电压为零,又因为理想运放的输入电阻为无穷大,所以两个输入端的输入电流

也均为零,即

2)集成运放工作在线性区的电路特征

对理想运放,由于Aod=∞,因而若输入端之间加无穷小电压,则输出电压将超出其线性范围,因而电路中引入了负反馈,才得以保证了集成运放工作在线性区,集成运放工作在线性区

的特征就是电路引入了负反馈——可以用是否引入了负反馈来判断电路是否工作在线性区。

(3)理想运放的非线性工作区

若集成运放不是处于开环状态(即没有引入反馈),就只是引入了正反馈,则表明集成运

放工作在非线性区。

2、基本运算电路

在运算电路中,以输入电压作为自变量,以输出电压作为函数;当输入电压变化时,输出电压将按

一定的数学规律变化,即输出电压反映输入电压某种运算的结果。因此,集成运放必须工作在线性区,在深度负反馈条件下,利用反馈网络能够实现各种数学运算。 介绍比例、加减、积分、微分、对数、指数等基本运算电路。

在运算电路中,无论输入电压,还是输出电压,均是对“地”而言。 (1)比例运算电路

1)反相比例运算电路 ①基本电路

引入电压并联负反馈;R ’为补偿电阻,以保证集成运放输入级差分放大电路的对称性;其

值为uI=0(即将输入端接地)时反相输入端总等效电阻,即R ’=R/Rf 。

“虚地”—

对理想运放,由于差模增益无穷大,

只要同相输入端和反相输入端之间

有无穷小的差值电压,输出电压就 将达到正的最大值或负的最大值, 即uo 与输入电压(up-uN )不再是 线性关系,其电压传输特性如图

有两个特点:

1) 输出电压只有两种可能:U OM 或-U OM 。 2)

——虚断

得到输出电压和输入电压的关系:

负号表明:uI与uO是反相。

因为电路引入了深度电压负反馈,且

1+AF=∞,所以输出电阻Ro=0,电路带

负载后运算关系不变。

因为输入端和地之间看进去的等效电阻等于输入端和虚地之间看进去的等效电阻,所以电路的输入电阻Ri=R。

为得到更大的输出电压从而获得较大的比

例系数,引入T形网络反相比例运算电路。

②T形网络反相比例运算电路

电阻R2、R3、R4构成英文字母T。

节点N的电流方程:

节点M的电位及R3和R4的电流,输出电压及整理式为:

因为R3的引入是反馈系数减小,所以为保证足够的反馈深度,应选用开环

增益更大的集成电路。

2)同相比例运算电路

输入端和接地端互换,电路

引入电压串联负反馈,故可认

为输入电阻无穷大,输出电阻

为零。

根据“虚短”和“虚断”的概

念,得到:

输出电压为:

得到uI与uO同相。

虽然此电路有高输入电阻、低输出电阻的优点,但因为集成运放有共模输入,所以为了提高运算精度,应当选用高共模抑制比的集成运放。

3)电压跟随器

若将电压的全部全部反馈到反相输入端,如图:

得到uO=uI=uN=uP。

在理想运放的条件下,输出电阻为零,所以可以认为

电路的输出为恒压源,带负载后运算关系不变。

(2)加减运算电路

实现多个输入信号按各自不同的比例求或求差的电路。

若所有输入信号均作用于集成运放的同一输入端,则实现加法运算;若一部分输入信号作用于集成运放的同相输入端,而另一部分作用于反相输入端,则实现减法运算。

模电数电及电力电子技术知识点

集成运算放大电路 输入级采用高性能的恒流源差动放大电路 要求输入阻抗高、差摸放大倍数大、共模抑制比高、差摸输入电压及共模输入电压范围大且静态电流小 作用减少零点漂移和抑制共模干扰信号 中间级采用共射放大电路 作用提供较高的电压增益 输入级要求其输出电压范围尽可能宽、输出电阻小以便有较强的带负载能力且非线性失真小 采用准互补输出级 偏置电路确定合适的静态工作点 采用准互补输出级 综合高差摸放大倍数、高共模抑制比、高输入阻抗、高输出电压、低输出阻抗的双端输入单端输出的差动放大器交直流反馈的判断电容隔直通交直流:短路交流:开路 串并联反馈的判断输入信号与反馈信号同时加在一个输入端上的是并联,反之 电压电流反馈的判断反馈电路直接从输出端引出的是电压反馈从负载电阻RL的靠近 “地”端引出的是电流反馈 直流脉宽调制PWM变换器 将固定电压的直流电源变换成大小可调的直流电源的DC-DC变换器又称直流斩波器。 它能从固定输入的直流电压产生出经过斩波的负载电。负载电压受斩波器工作率的控制。变 更工作率的方法与脉冲宽度调制(斩波频率f=1/T不变,改变导通时间t on)和频率调制(导 通时间t on或关断时间t off不变,改变斩波周期T即斩波频率f=1/T)两种。 斩波器的基本回落方式有升压(斩波器所产生的输出电压高于输入电压)和降压两种,改变回落元件的连接就可改换回路的方式。 用晶闸管作为开关的斩波器,由于晶闸管无自关断能力,它在直流回路里工作是,必须有一套使其关断的(强迫)换相(流)电路。晶闸管的换流方式有:电源换流、负载换流和 强迫换流。 负载换流缺点主要是电骡的揩振频率与L和C的大小有关,随着负载与频率的变化,换流的裕量也随之改变。 为了可靠换流,换流脉冲的幅值应足以消去晶闸管中的电流,脉冲的宽度应保证大于晶闸管的关断时间。 晶闸管斩波器的缺点是需要庞大的强迫换流电脑,是设备体积增大和损耗增加;而且斩波开关频率也低,致使斩波器电流的脉动幅度大,电源揩波也大,往往需加滤波器。 直流PWM变换器分不可逆、可逆输出两大类。前者输出只有一种极性的电压,而后者可输出正或负极性电压。如果在一个斩波周期中输出电压正、负相间的称为双极式可逆PWM 变换器;如果在一个斩波周期中输出电压只有一种极性电压的称为单极式可逆PWM变换 器。 双极式可逆PWM变换器的输出电压Uab在一个周期正、负相间。单机式可逆PWM变换器只在一个阶段中输出某一极限的脉冲电压+Uab或—Uab,在另一阶段中Uab=0. 无制动作用的不可逆输出PWM变换器电流始终是一个方向,因此不能产生制动作用,电动机只能作单象限运行,又称为受限式脉宽调制电路。 受限单极式可逆PWM变换器与单极式可逆PWM变换器的不同是避免了上下两个开关直通的可能性。 双极式脉宽调制器由三角波振荡器、电压比较器构成,单极式脉宽调制器由两只运算放

模电基础知识

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电 极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy )1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

模电数电基础笔试总结

模拟电路(基本概念和知识总揽) 1、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用) 3、基尔霍夫定理的内容是什么? 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用? 反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。 电压(流)负反馈的特点:电路的输出电压(流)趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别? 无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点,广泛采用差分结构的原因。 答:基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路,简称共基、共射、共集放大电路。 共射放大电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻在三种电路中居中,输出电阻较大,频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。 共基放大电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当,频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。 共集放大电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。 广泛采用差分结构的原因是差分结构可以抑制零点漂移现象。 ?7、二极管主要用于限幅,整流,钳位. ?判断二极管是否正向导通: 1.先假设二极管截止,求其阳极和阴极电位; 2.若阳极阴极电位差>UD ,则其正向导通; 3.若电路有多个二极管,阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通;其导通后,其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压(0.7V 或0.3V );再判断其它二极管.

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电和数电有何区别和联系

先来简要了解模电和数电的区别:很多刚进入电子行业,自动化行业的人士对模似电子电路和数字电子电路存在一些疑惑,由其是刚进这行的人更是不明了,当然在接触变频器维修与维护时肯定要熟悉。 所谓模似电子电路实际是相对数字电子电路而言。 模电:一般指频率在百兆HZ以下,电压在数十伏以内的模似信号以及对此信号的分析/处理及相关器件的运用。百兆HZ以上的信号属于高频电子电路范畴。百伏以上的信号属于强电或高压电范畴。 数电:一般指通过数字逻辑和计算去分析、处理信号,数字逻辑电路的构成以及运用。数电的输入和输出端一般由模电组成,构成数电的基本逻辑元素就是模电中三级管饱和特性和截止特性。 由于数电可大规模集成,可进行复杂的数学运算,对温度、干扰、老化等参数不敏感,因此是今后的发展方向。但现实世界中信息都是模似信息(光线、无线电、热、冷等),模电是不可能淘汰的,但就一个系统而言模电部分可能会减少。理想构成为:模似输入——AD采样(数字化)——数字处理——DA转换——模似输出。 模拟电路(Analog Circuit):处理模拟信号的电子电路模拟信号:时间和幅度都连续的信号(连续的含义是在某以取值范围那可以取无穷多个数值)。 模拟电子技术的主要章节 一、半导体器件 包括半导体特性,半导体二极管,双极结性三极管,场效应三级管等 二、放大电路的基本原理和分析方法: 1.原理单管共发射极放大电路;双极性三极管的三组态---共射共基共集;场效应管放大电路--共源极放大,分压自偏压式共源极放大,共漏极放大;多级放大。 2方法直流通路与交流通路;静态工作点的分析;微变等效电路法;图解法等等。 三、放大电路的频率响应 单管共射放大电路的频响--下限频率,上限频率和通频带频率失真波特图多级放大电路的频响 四、功率放大 互补对称功率放大电路—— OTL(省去输出变压器);OCL(实用电路) 五、集成放大电路;偏置电路;差分放大电路;中间级;输出级。

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模电数电复习题(已整理)

第1章常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,=100,U BE=0.7V。 试问: (1)R b=50k时,U o=? (2)若T临界饱和,则R b=? 解:(1)26 BB BE B b V U I A R μ - ==, 2.6 C B I I mA β ==, 2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==,/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示,已知10sin i u tω =(V),试画出i u与o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解: i u与o u的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压 U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图 P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。 第2章 基本放大电路 2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,' 100bb r =Ω。分别计算 L R =∞ 和3L R k =Ω时的 Q 点、u A 、i R 和o R 。 图P2.6 图P2.7

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 .什么是杂质半导体?有哪 2 种杂质半导体? 2 .什么是 N 型杂质半导体?在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体? 3 .什么是 P 型杂质半导体?在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4 .什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5 .二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6 .理想二极管的特点? 7 .什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳 定电压 Uz 指的是什么?稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8 .二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1 )二极管的开关电路, D 为理想二极管,求U AO (2 )二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形(3 )二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4 )二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9 .什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29 页),晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么?

数电模电超有用知识点,值得拥有

《数字电子技术》重要知识点汇总 一、主要知识点总结和要求 1.数制、编码其及转换:要求:能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。 举例1:(37.25)10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解:(37.25)10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2.逻辑门电路: (1)基本概念 1)数字电路中晶体管作为开关使用时,是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2)TTL 门电路典型高电平为3.6 V ,典型低电平为0.3 V 。 3)OC 门和OD 门具有线与功能。 4)三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5)门电路参数:噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。 要求:掌握八种逻辑门电路的逻辑功能;掌握OC 门和OD 门,三态门电路的逻辑功能;能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2:画出下列电路的输出波形。 解:由逻辑图写出表达式为:C B A C B A Y ++=+=,则输出Y 见上。 3.基本逻辑运算的特点: 与 运 算:见零为零,全1为1;或 运 算:见1为1,全零为零; 与非运算:见零为1,全1为零;或非运算:见1为零,全零为1; 异或运算:相异为1,相同为零;同或运算:相同为1,相异为零; 非 运 算:零 变 1, 1 变 零; 要求:熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表(组合逻辑电路)或状态转换真值表(时序逻辑电路):是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式:是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图:是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1.什么是杂质半导体?有哪2种杂质半导体? 2.什么是N型杂质半导体?在N型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体? 3.什么是P型杂质半导体?在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4.什么是PN结?PN结具有什么样的导电性能? 5.二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6.理想二极管的特点? 7.什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压Uz指的是什么?稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么? 8.二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。(1)二极管的开关电路,D为理想二极管,求U AO (2)二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形(3)二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4)二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9.什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29页),晶体管是一种电流控制器件,用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么?

数电 模电面试总结

一、模拟电路 1基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) 基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等. 基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零. 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。(未知) 3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子) 5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知) 6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子) 7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法。(未知) 8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。(凹凸) 9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。(未知) 10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y 和Y-,求共模分量和差模分量。(未知) 11、画差放的两个输入管。(凹凸) 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。(仕兰微电子) 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。(未知) 14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的rise/fall时间。(Infineon笔试试题) 15、电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R 上电压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤波器。当RC

模电基础知识教程

模电基础教程 01单元半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 基本放大电路的工作原理 基本放大电路的组成 直流通路与静态工作点 交流通路与放大原理 放大电路的性能指标

放大电路的图解分析法 放大电路的静态图解分析 放大电路的动态图解分析 输出电压的最大幅度与非线性失真分析 微变等效电路分析法 晶体管的h参数 晶体管的微变等效电路 用微变等效电路法分析放大电路 静态工作点的稳定 温度变化对静态工作点的影响 工作点稳定的电路 场效应管放大电路 场效应管放大电路的静态分析 多级放大电路 多级放大电路的级间耦合方式 多级放大电路的分析方法 放大电路的频率特性 单级阻容耦合放大电路的频率特性 多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类 反馈的基本概念和一般表达式 反馈放大电路的类型与判断 负反馈放大电路基本类型举例 电压串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 负反馈对放大电路性能的影响 降低放大倍数 提高放大倍数的稳定性

展宽通频带 减小非线性失真 改变输入电阻和输出电阻 负反馈放大电路的分析方法 深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识 概述 甲类单管功率放大电路 互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路 复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路 概述 直接耦合放大电路中的零点漂移 基本差动放大电路的分析 基本差动放大电路 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理 基本差动放大电路的静态分析 基本差动放大电路的动态分析 差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识 集成电路的特点 集成电路恒流源 有源负载的基本概念 集成运放的典型电路及参数 典型集成运放F007电路简介 集成运放的主要技术参数

模电知识点总结

第一章绪论 1.掌握放大电路的主要性能指标:输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真 2.根据增益,放大电路有那些分类:电压放大,电流放大,互阻放大,互导放大 第二章预算放大器 1.集成运放适合于放大差模信号 2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如:在运算电路中,集成运放的反相输入端是否均 为虚地。 3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈 4.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。 5.根据输入输出表达式判断电路种类 同相:两输入端电压大小接近相等,相位相等。 反相:虚地。 第三章二极管及其基本电路 1.二极管最主要的特征:单向导电性 2.半导体二极管按其结构的不同,分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路 4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂 6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏,锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏,锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容 9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况 正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管 13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压 下进行,反向电流随光照强度的增加而上升 14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二 极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好. 当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章双极结型三极管及放大电路 1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断 5.工作在放大区的三极管,若当I b 以12A μ增大到22A μ时,I c 从1mA变为2mA,β约 为100

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

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电路与系统复试专题 模拟电路 1.有源滤波器和无源滤波器的区别 答:无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成。具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 2.什么是负载?什么是带负载能力? 答:把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。对于不同的负载,电路输出特性(输出电压,输出电流)几乎不受影响,不会因为负载的剧烈变化而变,这就是所谓的带载能力 3.什么是输入电阻和输出电阻? 答:在独立源不作用(电压源短路,电流源开路)的情况下,由端口看入,电路可用一个电阻元件来等效。这个等效电阻称为该电路的输入电阻。从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro。 4.什么叫差模信号?什么叫共模信号? 答:两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。差动放大电路输入差模信号(uil =-ui2)时,称为差模输入。两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。差动放大电路输入共模信号(uil =ui2)时,称为共模输入。在差动放大器中,有用信号以差模形式输入,干扰信号用共模形式输入,那么干扰信号将被抑制的很小。 5.怎样理解阻抗匹配? 答:阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方式。阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。 低频:当负载电阻跟信号源内阻相等时,负载可获得最大输出功率,这就是我们常说的阻抗匹配之一。对于纯电阻电路,此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性阻抗时,结论有所改变,就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等,虚部互为相反数,这叫做共扼匹配。 在高频电路中:如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗不相等(即不匹配)时,在负载端就会产生反射。为了不产生反射,负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等,这就是传输线的阻抗匹配。 6. 解释电流偏置的产生电路。 答:偏置电路:以常用的共射放大电路说吧,主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的IB。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件,其中有一重要电阻,往往要调整阻值,以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻。 7.偏置电阻: 答:在稳态时(无信号)通过电阻为电路提供或泄放一定的电压或电流,使电路满足工作需求,或改善性能。 8. 什么是电压放大?什么是电流放大? 什么是功率放大? 答:电压放大就是只考虑输出电压和输入电压的关系。比如说有的信号电压低,需要放大后才能被模数转换电路识别,这时就只需做电压放大。

模电基础知识

模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。 2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。 3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。 4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。 5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。 放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件:微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况;2. 直观 形象;3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差;2. 作图麻烦,易带来误差; 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题; 2. 不能分析非线性失真;3. 不能分析最大输出幅度 。 6.根据理论分析,PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e I I ,其中S I 被称为( 反向饱和 ) 电流,在室温下T U 约等于( 26mV )。 7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式:阻容耦合,优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合,优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合,优点:有阻抗变换作用,各级静态工作点互不影响。缺点:不能放大直流及缓慢变化信号; 笨重;不易集成。

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