电力电子技术期末复习考试资料汇总
电力电子技术复习题库
第二章：
1.使晶闸管导通的条件是什么？
①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。
备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。
2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。
3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。
A. 开关
B. 放大
C. 截止
D. 饱和
4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。
A. 单极
B. 双极
C. 混合
5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：
①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件
6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。
A. SCR
B. 基于PN结的电力二极管
C. 电力MOSFET
D. GTR
7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。
8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。
9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。（填“通态”、“断态”或“开关”）
10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。
11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。
12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ），“8”表示（额定电压为800V）。
13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V ）。
14.单极型器件和复合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动）型器件。（填“电压驱动”或“电流驱动”）
15. 对同一晶闸管，维持电流I H<擎住电流I L。（填“>”、“<”或“=”）
16.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流（保持晶闸管导通的最小电流）；
要使晶闸管由导通变为关断，可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。在实际电路中，常采用使阳极电压反向、减小阳极电压，或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。
17.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
答：CTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。
GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得： 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。
1 a +
2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
②GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；
② GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3 1.15，而GTO 则为1 a + 2
a 1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；
③多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
18.下面电力电子器件中（ D）属于电压驱动型器件。
A. GTR (电力晶体管)
B. GTO（门极可关断晶闸管）
C. SCR（晶闸管）
D. IGBT（绝缘栅双极性晶体管）
19.下面电力电子器件中（B）不属于全控型器件。
A. GTR
B.SCR
C. 电力MOSFET
D. IGBT
20.下面电力电子器件中（ A ）属于全控型器件。
A. GTR
B.SCR
C. 肖特基二极管
第三章：
1.整流电路按组成的器件可分为（不可控型电路）、（半控型电路）和（全控型电路）。
2.整流电路按电路结构可分为（桥式电路）和（零式电路）。
3.整流电路按交流输入相数分为（单相电路）和（双相电路）。
4.整流电路按变压器二次电流的方向是单向或双向，分为（单拍电路）和（双拍电路）。
5.整流电路按控制方式可分为（相控式电路）和（斩波式电路）。
6.什么叫触发延迟角？
答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲上的电角度，称之为触发延迟角。
7.带电阻负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（180 ）°。
8.带阻感负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（180）°。
9.单相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（U
2），最大反向电压为（U
2
）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
10.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（ U
2
），最大反向电
压为（U
2
）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
11.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（U
2
），最大反向电
压为（U
2
）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
12.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（180 ）°。
13.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（90）°。
14.单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大电压为（U
2
）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
15.三相半波可控整流电路又称为（B）脉波整流电路，三相桥式全控整流电路又称为（C）
脉波整流电路。
A. 双
B. 三
C. 六
D. 十二
16.什么叫自然换相点？
答：三相正弦波，无论在正半周还是在负半周,两相相交的点,就是三相整流波形的自然换相点。
17.带电阻负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（ 150）°。
18.带阻感负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（90）°。
19.三相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（U
2
）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
20.带电阻负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（120）°。
21.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（0）°~（90）°。
22.三相半波可控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d=（ 1.17 U2）。
（假设变压器二次侧电压的有效值为U2，晶闸管的触发延迟角为α）
23.三相桥式全控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d=（ 2.34 U2）。（假
设变压器二次侧电压的有效值为U2，晶闸管的触发延迟角为α）
24.三相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（U
）。（假设变压器二次侧电压的
2
有效值为U2）
25.什么叫换相重叠角？
答：换相过程持续时间用电角度用 表示，称为换相重叠角。
26.出现换相重叠角γ，整流输出电压平均值U d将（降低）。（填“降低”或“增加”）
27.由于电路中的电力电子器件采用整流二极管，不可控整流电路也称为（二极管）整流电路。
28.电容滤波的单相不可控整流电路，通常在设计时根据负载的情况选择电容C值，使，T为交流电源的周期，此时输出电压U d≈（U2）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
29.电容滤波的三相不可控整流电路，负载电流I d断续和连续的临界条件是（WRC=）。
）。（假设变压器二30.电容滤波的三相不可控整流电路中二极管承受的最大反向电压为（ U
2
次侧电压的有效值为U2）
31.什么是谐波？什么是谐波次数？
答：谐波是指电流中所含有的频率为基波的整数倍的电量，一般是指对周期性的非正弦电量进行傅里叶级数分解，其余大于基波频率的电流产生的电量。
谐波次数为整数，用谐波频率同基波频率之比给出。（谐波次数是能引起谐振的谐波次数）32.在电压波形为正弦波、电流波形为非正弦波的电路中，功率因数由（基波电流相移）和（电流波形畸变）这两个因素共同决定。
33.单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？
答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有2k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是2次谐波。变压器二次侧电流中含有2k＋1（k＝1、2、3……）次即奇次谐波，其中主要的有3次、5次谐波。
34.三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？
答：三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有6k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是6次谐波。变压器二次侧电流中含有6k＋1（k＝1、2、3……）次，其中主要的有5次、7次谐波。
35.什么是有源逆变？
答：当交流侧和电网连接时，这种逆变电路称为有源逆变电路。
备注：将直流电变为和电网频率的交流电，并返送到交流电网去的过程称为有源逆变。
36.整流电路中产生有源逆变的条件是什么？
答：①直流电动势E>Ud，且极性与晶闸管方向一致。
②晶闸管的控制角α>，使Ud为负值。
37.什么是逆变失败（或逆变颠覆）？
答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或者逆变颠覆。
补充：逆变失败的原因：①逆变角太小；②出现触发脉冲丢失；③主电路期间损坏④电源缺失等。
防止逆变失败的方法采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。
38.逆变时允许采用的最小逆变角一般取（30 ）o ~（35 ）o。
39.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中，功率因数λ=（ 0.955）。（假设晶闸管的触发延迟角为α）=0.955
40.变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在（ D ）。
A.0°~90°
B. 30°~120°
C. 60°~150°
D. 90°~150°
41.对于单相全波电路，当控制角 0 < α <时，电路工作在（整流）状态； < α< π时，电路工作在（逆变）状态。（填“整流”或“逆变”）
42.教材第50页例3-1。 43.教材第63页例3-2。
44.教材第95页第3题。 45.教材第95页第4题。
第四章：
1.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？
答：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
有源逆变电路是把交流低压或220V通过改变频率的方法，逆变成我们需要的电压或电流。
无源逆变电路应是纯逆变电路，它是将储存在电瓶中的电能变成我们所需要的交流电源。
有源逆变本质上是触发角大于90度的整流，有源逆变的拓扑结构与整流一模一样，只是当触发角大于90度时整流电路的功率方向发生了变化，相当于实现了逆变功能。所以有源逆变的交流侧一定需要电源
2.换流方式可分为（器件换流）、（电网换流）、（负载换流）和（强迫换流）四种。
3.逆变电路根据直流侧电源性质的不同可分为（电压逆变电路）和（电流型逆变电路）两种。
4.电压型逆变电路的特点有哪些？
答：（1）直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。
（2）由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位负载阻抗情况的不同而不同。
（3）当交流侧为阻感负载时，需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
5.电流型逆变电路的特点有哪些？
答：（1）直流侧串联有大电感，相当于电流源。直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。
（2）电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流测输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位侧因负载阻抗情况的不同而不同。
（3）当交流测为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量是直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
6.电流型逆变电路中，采用半控型器件的电路仍应用较多，就其换流方式而言，有的采用（负载）换流，有的采用（强迫）换流。
7.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？
答：电压型逆变电路中反馈二极管的作用是使负载电流连续。
在电压型逆变电路中,当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时,电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时,由反馈二极管提供电流通道。
在电流型逆变电路中,直流电流极性是一定的,无功能量由直流侧电感来缓冲。当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时,电流并不反向,依然经电路中的可控开关器件流通,因此不需要并联反馈二极管。
8.由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
第五章：
1.最基本的斩波电路有（降压斩波电路）和（升压斩波电路）两种。
2.根据对输出电压平均值进行调制的方式不同，斩波电路有（冲宽度调制）、（频率调制）和（混合型）三种控制方式。
3.电流可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第（ C ）象限。
A．1 B. 2 C. 1，2 D. 1，2，3，4
4.升降压斩波电路中占空比α需满足_______< α <1____才能使之呈现升压状态。（α为导通比）
5.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第（一）象限，升压斩波电路能使电动机工作于第（二）象限。
6.升降压斩波电路中占空比α需满足_______ 0 < α < _______才能使之呈现降压状态。
7.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路。
8.教材第138页第1题。 9.教材第138页第2题。 10.教材第138页第3题。
11.教材第138页第4题。 12.教材第138页第5题。 13.教材第122页例5-1。
14.教材第122页例5-2。 15.教材第124页例5-3。
第六章：
1.什么叫交流电力控制电路？
答：把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，通过对晶闸管的控制就可以控制交流输出。这种电路不改变交流电的频率，称为交流电力控制电路。
2.带电阻负载的三相交流调压电路，三相三线时触发延迟角α的移相范围是（ 0 ）°~（ 150 ）°。
3.带电阻负载的单相交流调压电路，其触发延迟角α的移相范围为（0）°~（180 ）°。
4.带阻感负载的单相交流调压电路，其触发延迟角α的移相范围为（ω） ~ （π）。
5.三相交-交变频电路主要有两种接线方式，即（公共交流母线进线方式）进线方式和（输入星型联结方式）联结方式。
6．交流调压电路喝交流调功电路有什么区别？
答：交流调压电路和交流调功的电路形式完全相同，二者区别在于控制方式不同。
交流调功电路是交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制。而交流调功电路是将负载与交流电源接通几个周波，再断开几个周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。
7.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交-交变频电路的输出上限频率约__20__Hz。
8.教材第161页第1题。
9.教材第161页第2题。
第七章：
1.什么叫PWM控制技术？
答：PWM控制技术：对脉冲的宽度进行调制的技术，即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效的获得所需要的波形（含形状和幅值）。
2.什么是SPWM波形？
答：通常采用等腰三角波作为载波，当调制信号波为正弦波时，所得到的就是SPWM波形。
3.PWM逆变电路的控制方法中，调制法通常采用（等腰三角波）波作为载波应用最多。
4.PWM逆变电路的控制方法中实际应用的主要是调制法，三相桥式PWM逆变电路都是采用（双极性）控制方式。（填“单极性”或“双极性”）
5.在PWM控制电路中，（载波）频率与（调制信号）频率之比称为载波比。N=
6.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为（同步调制）和（异步调制）两种。
7.逆变电路的直流电压利用率是指 ( 逆变电路所能输出的交流电压基波最大幅值Um ）和（直流电压Udc ）之比。
8.PWM逆变电路的控制方法有（计算法）、（调制法）和（跟踪控制法）。
9.PWM跟踪控制法中常用的有（滞环比较）方式和（三角波比较）方式。
10.教材第184页第1题。 11.教材第184页第3题。
12.教材第184页第5题。
第八章：
1.根据电路中主要的开关元件是零电压开通还是零电流关断，可以将软开关电路分成两大类：
①零电压电；②零电流电路。
2.根据软开关技术发展的历程，可以将软开关电路分为三类：
①零开关准谐振电路；②零电压开关PWM电路；③零电压转换PWM电路。
数字电子技术基础试题及答案(一)
数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；
⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分
填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电力电子技术汇总题库
南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库
第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
《数字电路》期末模拟试题及答案
. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1
电力电子技术期末考试试题及答案修订稿
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
数字电子技术期末考试试卷
09级2011年数字电子技术考试试卷 开课学院：通信工程学院 一、填空题：（每空1分，共14分） 1、数制转换：，。 2、若A/D转换器（包括取样—保持电路）输入模拟电压信号的最高变化频率为10kHZ，则取样频率的下限为（）。 3、正数的补码和它的（）相同，负数的补码可通过将（ ）得到。 4、试列出3种输出端可以并联使用的门电路：（）、（）、（）。 5、（）和（）是构成各种复杂数字系统的基本逻辑单元。 6、（）和（）是衡量A/D转换器和D/A转换器性能优劣的主要标志。 二、化简题：（每小题6分，共12分） （1）、用逻辑函数公式某法证明:
B’CD’+BC’D+ACD+A’BC’D’+A’B’CD+BC’D’+BCD=B’C+BC’+CD。 （2）、试用卡诺图法化简下式，要求画出卡诺图，并勾圈化简：。 三、由与非门构成的某表决电路如图1所示，其中ABCD表示4个人，L=1时表示决议通过。（共10分） （1）试分析电路，说明决议通过的情况有几种。 （2）分析ABCD四个人中，谁的权利最大。
图1 四、某逻辑函数的真值表如表1.2所示，试将74HC153扩展为8选1数据选择器，再实现该逻辑函数。74HC153的功能与逻辑符号分别见表1.1和图2。（共15分）
五、已知74LS138的逻辑符号见图3，逻辑功能见表2.试画出用两片74LS138组成4线-16线译码器的接线图，并说明设计原理。（共10分） 图3 表2、74LS138功能表 使能端选择输入端输出端 S1 A2 A1 A0 × 1 0 ×××× ××× 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1
数字电子技术基础试题及答案 (1)
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
电力电子技术考试试题
电力电子技术考试试题
华南农业大学期末考试试卷(A卷) 学号姓名年级专业 题号一二三四总分 得分 评阅人 一、填空题(每题2分，共20分) 1．电压驱动型电力电子器件有，电流驱动型电力电子器件有。2．全控型电力电子器件有，半控型电力电子器件有，不控型电力电子器件有。 3．晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等，其中电流定额参数包括通态平均电流和、、浪涌电流等。 4．缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的 、，以减小器件的开关损耗。 5．单相半波可控整流电流带电阻性负载，其触发角的移相范围是； 由于其输出脉动大，变压器二次侧电流中含有直流成分，造成变压器铁心的，所以在实际中很少使用。 6．单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大)，其触发角的移相范围是；此时晶闸管的导通角是。7．采用单相桥式半控型整流电路可能会发生现象，
可以采用 加以解决。 8． 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++，其中δ表示 ，γ表示 ， θ'表示安全裕量角。 9． 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的，一般要求负载 较重或者 。 10． 横向换流三相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是 ； 纵向换流三相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是 。 二、 判断题 (每题1分，10题共10分，对√、错×) 1． 电力系统中整流二极管一般是硅管。 ( ) 2． GTR 集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后，如果集电极电流不 超过最大允许耗散功率时对应的限度，GTR 一般不会损坏。 （ ） 3． 晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题，对静态和动态的均压和均 流解决方法是相同的。 （ ） 4． 漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的，应尽量减小或消除。 （ ） 5． 大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并 联电路的连接方式。 （ ） 6． 三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法，其A 、B 相的自然换相点 相差120度。 （ ） 7． 交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。 （ ） 8． 用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，减少 其谐波分量。 （ ） 9． 面积等效原理是PWM 控制技术的理论基础。 （ ） 10． PWM 整流电路可以实现静止无功功率发生器的功
《数字电子技术》期末考试题及答案(经典)
xxx~xxx学年第x学期 《数字电子技术》期末复习题 第一部分题目 一、判断题（每题2分,共30分。描述正确的在题号前的括号中打“√”，错误的打“×”）【】1、二进制有0 ~ 9十个数码，进位关系为逢十进一。 【】2、（325）8 ＞（225）10 【】3、十进制数整数转换为二进制数的方法是采用“除2取余法”。 【】4、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系：（100111010001）2=（9D1）16 【】5、8421 BCD码是唯一能表示十进制数的编码。 【】6、十进制数85的8421 BCD码是101101。 【】7、格雷码为无权码，8421 BCD为有权码。 【】8、数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。 【】9、逻辑变量的取值，１比０大。 【】10、在逻辑代数中，逻辑变量和函数均只有0和1两个取值，且不表示数量的大小。【】11、逻辑运算1+1=1 【】12、逻辑运算A+1+0=A 【】13、因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。 【】14、在时间和幅度上均不连续的信号是数字信号，所以语音信号是数字信号。 【】15、逻辑函数的运算次序为：先算括号内，后算括号外；先求与，再求或，最后求非。【】16、AB A C BC AB A C ++=+ 【】17、逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 【】18、逻辑真值表、逻辑表达式、逻辑图均是逻辑关系的描述方法。 【】19、n个变量组成的最小项总数是2n个。 【】20、逻辑函数的化简方法主要有代数化简法和卡诺图化简法。 【】21、逻辑函数化简过程中的无关项一律按取值为0处理。 【】22、数字电路中晶体管工作在开关状态，即不是工作在饱和区，就是工作在截止区。【】23、TTL或非门的多余输入端可以接高电平。 【】24、某一门电路有三个输入端A、B、C，当输入A、B、C不全为“1”时，输出Y为“0”，输入A、B、C全为高电平“1”时，输出Y为“1”，此门电路是或门电路。【】25、将三输入与非门中的两个输入端都接高电平，就可以实现非门功能。 【】26、基本的逻辑关系有与、或、非三种，其实现单元电路分别为与非门和或非门两种。【】27、CMOS门电路的输入电流大于TTL门电路的输入电流。 【】28、组合逻辑电路的基本组成单元是门电路。 【】29、组合电路没有记忆功能。 【】30、组合电路是一种具有记忆功能的逻辑电路。
数字电子技术基础习题及答案
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
电力电子技术期末考试试题及答案最新版本
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
数字电子技术基础期末考试试卷及答案1[1]
填空题 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方 程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。二、选择题1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中， 输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。
A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A + 2、用卡诺图法化简为最简或与式 Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0 四、分析下列电路。（每题6分，共12分） 1、写出如图1所示电路的真值表及最简逻辑表达式。
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数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）
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德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 题号一二三四合计 分数 阅卷人得分 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（）个PN结。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。 A、越大 B、越小 C、不变 D、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。 A、一个 B、两个 C、三个 D、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（） A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（） A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（） A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（） A、在栅极加正电压 B、在集电极加正电压 C、在栅极加负电压 D、
杭州电子科技大学数字电路期末考试试卷及答案
8. 如图所示电路，若输入CP 脉冲的频率为100KHZ ，则输出Q 的频率为_____D_____。 A ． 500KHz B ．200KHz C ． 100KHz D ．50KHz 13.给36个字符编码，至少需要____6______位二进制数。 19.T 触发器的特性方程是___n n Q T Q ⊕=+1_____,当T=1时,特性方程为___n n Q Q =+1_____,这时触发器可以用来作___2分频器_____。 20．构造一个十进制的异步加法计数器，需要多少个 __4____触发器。计数器的进位Cy 的频率与计数器时钟脉冲CP 的频率之间的关系是____1﹕10_________。 21．（本题满分6分）用卡诺图化简下列逻辑函数 ∑ =)15,14,13,12,10,9,8,2,1,0(),,,(m D C B A F 解：画出逻辑函数F 的卡诺图。得到 D B D A C B C A AB F ++++= 22． （本题满分8分）电路如图所示，D 触发器是正边沿触发器，图中给出了时钟CP 及输入K 的波形。 （1）试写出电路次态输出1+n Q 逻辑表达式。（2）画出Q Q ,的波形。
由出真值表写出逻辑函数表达式，并化简 )(B A C C A C B A BC A C B A C B A F ⊕+=++ += 画出逻辑电路图 四、综合应用题（每小题10分，共20分） 25．3-8译码器74LS138逻辑符号如图所示，S1、2S 、3S 为使能控制端。试用两片74LS138构成一个4-16译码器。要求画出连接图说明设计方案。 装 订