IGBT的结构原理与特性图解

IGBT 的结构原理与特性图解

摘要: 在IGBT 得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET 被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO 被用于中高压领域。MOSFET 虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在

200V 或更高电压的场...

在IGBT 得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET 被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO 被用于中高压领域。MOSFET 虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V 或更高电压的场合，MOSFET 的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。

IGBT 正是作为顺应这种要求而开发的，它是由MOSFET(输入级)和PNP 晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作于几十KHz 频率范围内。基于这些优异的特性，IGBT 一直广泛使用在超过300V 电压的应用中，模块化的IGBT 可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提高，今后将有更大的发展。

IGBT 的结构与特性：

如图1 所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源

IGBT的结构和工作原理

IGBT的结构和工作原理图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 2.IGBT 的工作特性 1.静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内，Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示： Uds(on) ＝Uj1 ＋Udr ＋IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。

间架结构九十二法帖

间架结构九十二法帖结构，是书法学习中常遇到的头疼环节。由清末书法家黄自元根据前人书论整编的《间架结构九十二法帖》，科学性的分析了楷书间架结构，是楷学经典法帖。基于楷学的“92法”对书法学习者了解间架结构很有指导意义，甚至对于行书，也具有很好的参考价值。在清末及民国初年达到了家喻户晓、人手一册、学书之人案头必备的程度。可见其效果不一般。今天，我们把这一系统的、全面的法帖理论配图（由书法家汪钟鸣先生临写），发布给大家，供参考学习，内容如下： 1. 天覆者凡画皆冒于其下上面是宝盖的字，其余笔画应帽于其下。如：宇、宙、定 2. 地载者有画皆托于其上下面有底托状的字，其余笔画应托于其上。如：至、孟、圣 3. 让左者左昂右低以左半部为主的字，左边要高，右边要低。如：部、幼、即 4. 让右者右伸左缩以右半部为主的字，右边要长，左边要短。如：绩、议、读 5. 横担者中画宜长有横担的字，中横应该写得长些；如：喜、吾、安 6. 直卓者中竖宜正有竖笔贯中的字，中竖应正直不歪。如：甲、平、干、午 7. 勾拿法其身不宜曲短以横折钩为主笔，且被包围部分笔画较多的字，横折钩宜长直而挺，折角正方。如：葡、萄、蜀、葛 8. 勾衂法，其势不可直长以横折钩为主笔，且被包围部分笔画较少的字，横折钩宜稍短而右倾，折角内收。如：句、匀、勿

9. 画短撇长横短撇长；如：左、在、尤、龙 10. 画长撇短横长撇短；如：右、有、灰 11. 画短直长横画短竖画长的字，撇捺应延伸。如：木、本、朱 12. 画长直短，撇捺宜缩横画长竖画短的字，撇捺应缩短为相背的点，两相呼应。如：乐、集 13. 横长直短在一个字中，横长则竖宜短，横长而细挺，竖短而粗健。如：十、上、下、士 14. 横短直长在一个字中，横短则竖宜长。横短略粗，竖垂直下挺。如：才、斗、丰、井 15. 上下有画，须上短而下长上下有横画的字，应上短而下长。如：丕、正、亚 16. 左右有直，须左收而右展左右有竖画的字，左边应收而右边伸展。如：目、自、因、固 17. 左撇右直，须左缩而右垂左为撇画右为竖画的字，应左撇短右竖长。如：川、升、邦 18. 左直右撇，左敛而右放左为竖画右为撇画的字，左竖应收缩上靠而右撇应放展。如：伊、侈、修 19. 点复者，宜偃仰向背以求变有几点的字，各点方向要不同，使其有所变化。如：亦、赤、然

igbt工作原理及应用

igbt工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。 1 IGBT的工作原理 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压; ——IGBT集电极与发射极之间的电压; ——流过IGBT集电极－发射极的电流; ——IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。 2 保护措施在进行电路设计时,应针对影响IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相应的保护措施。 2．1 IGBT栅极的保护 IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏IGBT,因此,在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若IGBT的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上

间架结构八大规律

间架结构八大规律 1、间距相等规律：横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律：先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律：独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律：玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律：首点居正：主、宇、市、京、童、庄中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。6、错位规律：凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等 7、包围结构组字规律：左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、左下包右上：旭、翘、延、述、尴、尬、超、题、毯、咫左三包围：区、医、巨、臣下三包围：画、凶、幽、函上三包围：同、问、冈、风、月全包围：国、四、田、回、目 8、章法排列规律：字间一线，字距相等；繁字应大，简字应小；斜钩写长，长竖突出；开门字大，尾字加重。写字口诀总括：上下结构找主笔，左右结构作对比，独体结构如上下，包围结构有诀窍。

解析IGBT工作原理及作用

解析IGBT工作原理及作用一、IGBT是什幺 ?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 ?通俗来讲:IGBT是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。 ?二、IGBT模块 ?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 ?IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，

IGBT驱动原理

IGBT 驱动原理目录一、简介二、工作原理三、技术现状四、测试方法五、选取方法简介：绝缘栅双极晶体管IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR 和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS 及逆变焊机当中。IGBT 的驱动和保护是其应用中的关键技术。 1 IGBT 门极驱动要求 1.1 栅极驱动电压因IGBT 栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET 驱动技术进行驱动，但IGBT 的输入电容较MOSFET 大，所以IGBT 的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在+20 ℃情况下，实测60 A ，1200 V 以下的IGBT 开通电压阀值为 5 ～6 V ，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取Ugc ≥(1.5 ～3)Uge(th) ，当Uge 增加时，导通时集射电压Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge 增加，集电极电流Ic 也将随之增加，使得IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此Ugc 的选择不应太大，这足以使IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力( 在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用IGBT 时，+Uge 在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力) 。

1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止IGBT 关断时产生的du/dt 误使IGBT 导通，应加上一个-5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成IGBT 栅射反向击穿，一般为-2 ～10 V 之间) 。 1.3 对驱动波形的要求从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使IGBT 快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在IGBT 关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt ，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT 或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及du/dt 吸收电路性能综合考虑。 1.4 对驱动功率的要求由于IGBT 的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出： I GP = △ U ge /R G +R g ；式中△Uge=+Uge+|Uge| ；RG 是IGBT 内部电阻；Rg 是栅极电阻。驱动电源的平均功率为： P AV =C ge △ Uge 2 f, 式中． f 为开关频率；Cge 为栅极电容。 1.5 栅极电阻为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小IGBT 集电极的电压尖峰，应在IGBT 栅极串上合适的电阻Rg 。当Rg 增大时，IGBT 导通时间延长，损耗发热加剧；Rg 减小时，di/dt 增高，可能产生误导通，使IGBT 损坏。应根据IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间( 在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT ，建议在栅射间加入一电阻Rge ，阻值为10 k Ω左右。 1.6 栅极布线要求合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护IGBT 正常工作有很大帮助。 a ．布线时须将驱动器的输出级和lGBT 之间的寄生电感减至最低( 把驱动回路包围的面积减到最小) ； b ．正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合； c ．应使用辅助发射极端子连接驱动电路； d ．驱动电路输出不能和IGBT 栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2 转/ cm) ； e ．栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。 1.7 隔离问题

IGBT系列焊机工作原理

第十一章IGBT系列焊机工作原理一、功率开关管的比较常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中，晶闸管（可控硅）的开关频率最低约1000次/秒左右，一般不适用于高频工作的开关电路。 1、效应管的特点：场效应管的突出优点在于其极高的开关频率，其每秒钟可开关50万次以上，耐压一般在500V以上，耐温150℃（管芯），而且导通电阻，管子损耗低，是理想的开关器件，尤其适合在高频电路中作开关器件使用。但是场效应管的工作电流较小，高的约20A低的一般在9A左右，限制了电路中的最大电流，而且由于场效应管的封装形式，使得其引脚的爬电距离（导电体到另一导电体间的表面距离）较小，在环境高压下容易被击穿，使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。 2、IGBT的特点： IGBT即双极型绝缘效应管，符号及等效电路图见图11.1，其开关频率在20KHZ~30KHZ 之间。但它可以通过大电流（100A以上），而且由于外封装引脚间距大，爬电距离大，能抵御环境高压的影响，安全可靠。图11.1 二、场效应管逆变焊机的特点由于场效应管的突出优点，用场效应管作逆变器的开关器件时，可以把开关频率设计得很高，以提高转换效率和节省成本（使用高频率变压器以减小焊机的体积，使焊机向小型化，微型化方便使用。（高频变压器与低频变压器的比较见第三章《逆变弧焊电源整机方框图》。但无论弧焊机还是切割机，它们的工作电流都很大。使用一个场效应管满足不了焊机对电流的需求，一般采用多只并联的形式来提高焊机电源的输出电流。这样既增加了成本，又降低了电路的稳定性和可靠性。三、IGBT焊机的特点 IGBT焊机指的是使用IGBT作为逆变器开关器件的弧焊机。由于IGBT的开关频率较低，电流大，焊机使用的主变压器、滤波、储能电容、电抗器等电子器件都较场效应管焊机有很大不同，不但体积增大，各类技术参数也改变了。

IGBT的工作原理与工作特性

IGBT的工作原理和工作特性 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性 IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，

其最佳值一般取为15V左右。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示: Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh （2－14）式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV； Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2－15）式中Imos——流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V 的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2．动态特性 IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应

汉字间架结构八大规律92法

汉字间架结构八大规律 1、间距相等规律：横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律：先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律：独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律：玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律：首点居正：主、宇、市、京、童、庄中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。 6、错位规律：凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等. 7、包围结构组字规律：左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、左下包右上：旭、翘、延、述、尴、尬、超、题、毯、咫左三包围：区、医、巨、臣下三包围：画、凶、幽、函上三包围：同、问、冈、风、月全包围：国、四、田、回、目

igbt逆变器工作原理_igbt在逆变器中的作用

igbt逆变器工作原理_igbt在逆变器中的作用 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前国内缺乏高质量IGBT模块，几乎全部靠进口。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是高压开关家族中最为年轻的一位。由一个15V高阻抗电压源即可便利的控制电流流通器件从而可达到用较低的控制功率来控制高电流。 IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT 导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。 IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。 IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。 IGBT的工作原理和作用电路分析版：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定： --IGBT栅极与发射极之间的电压;

2016年高考--高频率语病题型(含答案)

一、语病专题之高频率错题集锦回顾练习，请指出下列句子语病的错误（直接在句子画出错点并改正），并从中总结出语病题型的几点规律：每小题1.5分，共60分。 1、自从实施飞行员培训计划后，学员报名十分踊跃，有航空爱好者，有想开飞机节省时间的企业家，还有一些家长想给孩子增加一项实用技能。句式杂糅 2、2、目前，市场上有转基因食品如大豆油、油菜籽油及调和油等均已作了标志，今后，农业部门将借鉴国外标志管理经验，进一步完善转基因产品标志管理制度。句式杂糅 3、3、南京中央商场凭借丰富的商品、可靠的质量、合理的价格、周到的服务吸引了大量顾客，其中有20% 是国际友人慕名前来。句式杂糅 4、达芬奇家具涉嫌虚假宣传被曝光，社会各界对此极为关注，央视记者采访该企业负责人时，正式向消费者道歉。句式杂糅---暗换主语 5、行政执法应该遵循有法可依、有法必依、执法必严、违法必究以及公平公正、公开高效为原则，既对社会实行规范管理，又向公众提供优质服务。结构混乱---两种结构混用 6、他家离铁路不远，小时候常常去看火车玩儿，火车每当鸣着汽笛从他身边飞驰而过时，他就很兴奋，觉得自己也被赋予了一种力量。结构混乱---中途易辙 7、10月8日零点，随着全国各地高速收费站的收费杆的落下，使持续八天的高速公路免费通行鸣金收兵，首次实施的重大节假日小客车免费通行政策首战告捷。缺主语 8、由于美国农作物产量会对全球粮食市场产生举足轻重的影响，使联合国粮食计划署等机构对明年的粮价忧心忡忡。缺主语 9、我们来到这举世闻名的博物馆，看到琳琅满目的艺术珍品，无不使人感到自豪。缺主语（也可归类为“句式杂糅---暗换主语”） 10、中心思想是针对文章的整体内容而言的，要求具有较高的分析概括能力和准确的语言表达能力。缺主语 11、为改变因大山阻隔世代守着一片沃土却过着清贫日子□□，鄂西南五峰土家古城山的19户农民自筹资金，在山中打出210米长的隧道，一解百年阻隔之痛。缺宾语 12、执法部门对向未成年人出售、出租或以其他方式传播反动、淫秽、暴力、凶杀、封建迷信的图书报刊、音像制品□□，应依法从重处罚。缺宾语 13、眼下，很多人都认为武侠小说已穷途末路，再写武侠的人多是抱着勇于承担责任，不顾自己利益□□。可是武侠名家温瑞安，却认为只要写得好，武侠小说家的日子会很好过。缺宾语 14、政府主导，媒体监督与宣传，社会各界积极行动，是解决目前我国农村约5 800万缺失父母庇护的留守儿童身心成长、学习生活所面临的失管、失教和失衡问题□□。缺宾语15、最近又发动了全面的质量大检查运动，要在这个运动中完成建立与加强技术管理制度等一系列的工作。搭配不当 16、近年来，随着教育教学改革的不断深化，高校学生的培养深受社会广大用人单位的欢迎，就业率明显提高。搭配不当 17、北京市疾控中心学校卫生所所长段佳丽表示，眼保健操起到的是舒缓眼部疲劳、眼睛保健的功能，在一定程度上可以预防近视，但不是网友理解的治疗近视眼。搭配不当

IGBT 的工作原理和工作特性

IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系.IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示 Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh（2－14）式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV；

IGBT管的结构与工作原理

IGBT管的结构与工作原理 1.IGBT的结构与工作原理图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 2.IGBT 的工作特性 1.静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无 N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最

汉字书写间架结构规律

汉字书写间架结构规律 1、左边偏旁或部件短，偏上不偏下，(左小左齐上)如“唱、吩、明、峰”“听” 2、右边偏旁或部件短，偏下不偏上，(右小右下停)如“打、知、妇、细”配、缸 3、上盖稍长，罩住下方；如：会、富、穿， 4、底横要长，托住上方；如：至、孟、监（“垂”除外） 5、上下相同，上小下大才像样。（重形下载上）如：吕、炎、串、昌”等。 6、左耳小，右耳大，单耳向下拉。如“队、陈，都、邦，印、即”等。 7、横长则撇短（横长撇易短）如“布、右、有”等； 8、横短则撇长，（横短撇易长）如“左、龙、灰、存”等； 9、横长竖短则撇捺收，横短竖长则撇捺放，如“杂、杀，术、朱、本”等。 10、有中竖的字，笔画要正直，如“甲、平、午”等； 11、有中横的字，中横要长，如“喜、安、意、类”等。 12、左右有竖的，左竖收右竖伸，如“日、固、临、界”； 13、上下有横，上横短下横长，如“二、天、正、亚（“末”除外）”。 14、三包框的字，下缺、右缺向里收，如“同、用，臣、医”等； 15、上缺、左缺向外出，如“凶、幽、司、匐”等。 16、上中下结构的字要写肥一点，如“翼、冀、霎、蕊”等； 17、左中右结构的字要写得瘦一点，如“嫩、渺、徽”等； 18、全包围的字要写得略小点，如“国、回、囫囵”等。 19、捺在左内缩成点，如：林 20、左边底横要变提，如：地 21、月字当底撇变竖，如：育 22、左竖弯钩变竖提，如： 23、西四当头不拐弯，如：谭 24、雨字当头短而齐，如：需

25、小可几羽在上钩收起。如：歌，翼 26、排点齐有形如：雨、函 27、重横上易短如：春、老 28、重竖右易伸如：川、顺 29、连折兼方圆如：界、花、富 30、连勾角不同如：弯、穷 31、三点意不断如：法、亦 32、两撇对上胸如：行、得 33、四横求变形如：兼 34、四竖下合迎如：带、舞 35、疏者易舒展如：大、小 36、堆积要等腰如、品、晶 37、并立让右行如：林、流 38、大字促其小如：赢、赣 39、小字见大形如：一、十、东 40、长者自然长如：廿 41、横竖起平衡如：十、田 42、撇捺求飘逸如：贪、春 43、勾折有力量 44、点要有精神

汉字间架结构八大规律92法之令狐采学创编

汉字间架结构八大规律令狐采学 1、间距相等规律：横与横：三、日、月、里、国、言、平、音、重、与等竖与竖：川、洲、市、西、舞、带、删等撇与撇：杉、衫、彩、形、物、家、象、多等点与点：江、流、汗、点、杰、羔、恩、志等 2、笔顺规律：先横后竖；先撇后捺；从上到下；从左到右；从外到内；先中间后两边；先里头后封口；先主体后加点。 3、主笔规律：独体字与上下结构（包括上中下结构），首先要找出横向的主笔，一般为横、撇、捺、横钩、竖弯钩。其中优先级最高的为：四点底、皿字底、木字底、女字底、立字头等，次之为：人、儿、心等。例字：丰、合、意、童、热、柴、盖、益、婆、要、兄、志、恩。 4、缩短规律：

玩、此、场、攻、到、乱、取、职等字的偏旁，底部长横要缩短，右边的笔画要齐平。另外，撇捺组合的字做偏旁，当位于左时，撇长而捺化成点：烂、和、料、彩、耕、双、欲、林、欢、从、短。位于右时，撇短捺长：峰、路、政、松、给、体、挤、技。 5、中心线规律：首点居正：主、宇、市、京、童、庄中直对正：常、桌、卓、卡、尘、堂上下结构的字，纵向中心线两边对称。左右结构的字，横向中心线上下对称。 6、错位规律：凡左右结构者，右边部分上面平而下面有向下延伸的笔画则写成左高右低的错位结构。如：抨，秤，秆，柯，河，押，搓，扩等。如有右耳刀的，一律要错位：却、即、部、都等如斤在右边的，竖一律要低：斯、析、沂、拆等. 7、包围结构组字规律：左半包时要偏右，右半包时则偏左，上三包围要靠上，左三包围下横长，下三包围包一半，全包围时写中间。左上包右下：厄、庆、尼、启、左、有、差、病、劣、虎右上包左下：习、句、戈、武、可、虱、氧、匈、左下包右

汉字间架结构八大规律92法

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法 IGBT的工作原理和作用IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT 导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。 IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。 IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。 IGBT的工作原理和作用电路分析IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。图1 IGBT的等效电路由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定： --IGBT栅极与发射极之间的电压； --IGBT集电极与发射极之间的电压； --流过IGBT集电极-发射极的电流； --IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能

IGBT工作原理

IGBT IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET 的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是

IGBT工作原理及应用

IGBT工作原理及应用 1 IGBT的工作原理IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通, 这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：IGBT栅极与发射极之间的电压;IGBT集电极与发射极之间的电压;流过IGBT集电极－发射极的电流;IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT 集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。2 保护措施在进行电路设计时,应针对影响IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相应的保护措施。 2、1 IGBT栅极的保护IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏IGBT,因此,在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若IGBT的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集

电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上电压,则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生,应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几kΩ的电阻,此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体,特别是其栅极为MOS结构,因此除了上述应有的保护之外,就像其他MOS 结构器件一样,IGBT对于静电压也是分敏感的,故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：在需要用手接触IGBT前,应先将人体上的静电放电后再进行操作,并尽量不要接触模块的驱动端子部分,必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉;在焊接作业时,为了防止静电可能损坏IGBT,焊机一定要可靠地接地。IGBT在不间断电源的应用、2、2 集电极与发射极间的过压保护过电压的产生主要有两种情况,一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高,另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。 2、2、1 直流过电压直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT 时,进行降额设计;另外,可在检测出这一过压时分断IGBT的输入,保证IGBT的安全。