射频同轴电缆驻波的影响分析教学文稿

射频同轴电缆的技术参数

射频同轴电缆的技术参数 一、工程常用同轴电缆类型及性能： 1）SYV75-3、5、7、9…，75欧姆,聚乙烯绝缘实心同轴电缆。近些年有人把它称为“视频电缆”； 2）SYWV75-3、5、7、9…75欧姆,物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆。有人把它称为“射频电缆”； 3）基本性能： l SYV物理结构是100%聚乙烯绝缘；SYWV 是发泡率占70-80%的物理发泡聚乙烯绝缘电缆； l 由于介电损耗原因，SYV实心电缆衰减明显要大于SYWV物理发泡电缆；在常用工程电缆中，目前物理发泡电缆仍然是传输性能最好价格最低的电缆，在视频、射频、微波各个波段都是这样的。厂家给出的测试数据也说明了这一点； l 同轴电缆都可以在直流、射频、微波波段应用。按照“射频”/“视频”来区分电缆，不仅依据不足，还容易产生误导：似乎视频传输必须或只能选择实心电缆（选择衰减大的，价格高的？）；从工程应用角度看，还是按“实芯”和“发泡”电缆来区分类型更实用一些； l 高编（128）与低编（64）电缆特性的区别：eie实验室实验研究表明，在200KHz以下频段，高编电缆屏蔽层的“低电阻”起主要作用，所以低频传输衰减小于低编电缆。但在200-300KHz以上的视频、射频、微波波段，由于“高频趋肤效应”起主要作用，高编电缆已失去“低电阻”优势，所以高频衰减两种电缆基本是相同的。 二、了解同轴电缆的视频传输特性——“衰减频率特性” 同轴电缆厂家，一般只给出几十到几百兆赫的几个射频点的衰减数据，都还没有提供视频频段的详细数据和特性；eie实验室对典型的SYWV75-5、7/64编电缆进行了研究测试，结果如下图一： 同轴传输特性基本特点： 1. 电缆越细，衰减越大：如75-7电缆1000米的衰减，与75-5电缆600多米衰减大致相当，或者说1000米的75-7电缆传输效果与75-5电缆600多米电缆传输效果大致相当； 2. 电缆越长，衰减越大：如75-5电缆750米，6M频率衰减的“分贝数”，为1000米衰减“分贝数”的75%，即15db；2000米（1000+1000）衰减为20+20=40db,其他各频率点的计算方法一样。依照上面1000米电缆测试数据，计算不同长度电缆衰减时，请记住“分贝数是加碱关系”或“衰减分贝数可以按照长度变化的百分比关系计算”，就可以灵活运用了； 3. 频率失真特性：低频衰减少，高频衰减大。高/低边频衰减量之差，可叫做“边频差值”，这是一个十分重要参数。电缆越长，“边频差值”越大；充分认识和掌握同轴电缆的这种“频率失真特性”，这在工程上具有十分重要的意义；这是影响图像质量最关键的特性，也是工程中最容易被忽视的问题； 三、工程应用设计要点 网上技术论坛里经常有人问：75-5电缆能传多远？回答有300米，500米，600米，还有说1000多米也可以的。为什么会有这么多答案呢？原因是没有一个统一的标准。既然工程中同轴电缆是用来传输视频信号的，而视频传输最后又体现为图像，所以谈同轴电缆和同轴视频传输技术应用，就离不开图像质量，离不开决定图像质量的“视频传输质量”和标准。 1. 视频传输标准的参数很多，这里仅举一个十分重要的“频率特性”例子来理解。视频图像信号是由0-6M不同频率分量组成的。低频成分主要影响亮度和对比度，高频分量主要影响色度、清晰度和分辨率。显然，对视频传输的基本要求，不是只恢复摄像机原信号亮度、对比度就行了，而且还必须恢复摄像机原信号中各种频率份量的相对比例关系。“恢复”不可能

光刻胶配方分析成分组成解析

一、项目背景 光刻胶是一类利用光化学反应进行精细图案转移的电子化学品。光刻胶在曝光区域发生化学反应，造成曝光和非曝光部分在碱液中溶解性产生明显的差异，经适当的溶剂处理后，溶去可溶部分，得到所需图像。根据化学反应机理，分负性胶和正性胶两类。经曝光、显影后，发生降解反应，溶解度增加的是“正性胶”;发生交联反应，溶解度减小的是“负性胶”。 通常负性胶的灵敏度高于正性胶，而正性胶的分辨率高于负性胶，正性胶对比度高度负性胶。 二、项目特点 1)感光度，指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值，即曝光量。 2)分辨率，是光刻工艺的一个特征指标，表示在基材上能得到的立体图形良好的最小线路； 3)对比度，指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度，对比度越好，得到的图形越好； 4)残膜率，经曝光显影后，未曝光区域的光刻胶残余量； 5)涂布性，光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一； 6)耐热性，光刻工艺中，经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发，得到膜厚均一的胶膜；经过后烘，进一步蒸发溶剂，提高光刻胶在显影后的致密度，增强胶膜与基板的粘附性。这两个过程都要求光刻胶有一定的耐热性； 7)粘附性，蚀刻阶段，光刻胶有抗蚀刻能力； 8）洁净度，对微粒子和金属离子含量等材料洁净度的影响； 三、项目开发价值 a. 如何提高显影质量，光刻胶在显影过程中，通常会出现显影不足、不完全显影、过显影等问题，如何正确显影至关重要； b.如何提高对比度，光刻胶形成图形的侧壁越陡峭，对比度越好，质量越高； c. 如何进一步提高分辨率，光刻胶在集成电路的应用等级，分为普通宽普光刻胶、g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV （＜13.5nm）线水平。等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度就越大，性能越好。 d.如何提高去胶率，无论是湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶及其残留物去除效果之间取得平衡；

光刻中常见的几种效应

光刻中常见的效应和概念 1、驻波效应（Standing Wave Effect） 现象：在光刻胶曝光的过程中，透射光与反射光（在基底或者表面）之间会发生干涉。这种相同频率的光波之间的干涉，在光刻胶的曝光区域内出现相长相消的条纹。光刻胶在显影后，在侧壁会产生波浪状的不平整。 解决方案：a、在光刻胶内加入染色剂，降低干涉现象；b、在光刻胶的上下表面增加抗反射涂层（ARC，Anti-Reflective Coating）；c、后烘（PEB，Post Exposure Baking）和硬烘（HB，Hard Baking）。 2、摆线效应（Swing Curve Effect） 现象：在光刻胶曝光时，以相同的曝光剂量对不同厚度的光刻胶曝光，从而引起关键尺寸（CD，Critical dimension）的误差。 3、反射切口效应（Notching Effect） 现象：在光刻胶曝光时，由于接触孔尺寸的偏移等原因使入射光线直接照射到金属或多晶硅上发生发射，使不希望曝光的光刻胶被曝光，显影后，在光刻胶的底部出现缺口。 解决方案：a、提高套刻精度，防止接触孔打偏；b、涂覆抗反射涂层。 4、脚状图形（Footing Profiles） 现象：在光刻胶的底部，出现曝光不足。使显影后，底部有明显的光刻胶残留。 解决方案：a、妥善保管光刻胶，不要让其存放于碱性环境中；b、在涂覆光刻胶之前，硅片表面要清洗干净，防止硅基底上有碱性物质的残余。 5、T型图形（T-Top Profiles） 现象：由于表面的感光剂不足而造成表层光刻胶的图形尺寸变窄。

解决方案：注意腔室中保持清洁，排除腔室中的碱性气体污染。 6、分辨率增强技术（RET，Resolution Enhanced Technology） 包括偏轴曝光（OAI，Off Axis Illumination）、相移掩膜板技术（PSM，Phase Shift Mask）、光学近似修正（OPC，Optical Proximity Correction）以及光刻胶技术等。 a、偏轴曝光（OAI，Off Axis Illumination） 改变光源入射光方向使之与掩膜板保持一定角度，可以改善光强分布的均匀性。但同时，光强有所削弱。 b、相移掩膜板技术（PSM，Phase Shift Mask） 在掩膜板上，周期性地在相邻的图形中，每隔一个图形特征对掩膜板的结构（减薄或者加厚）进行改变，使相邻图形的相位相差180度，从而可以达到提升分辨率的目的。 相移掩膜板技术使掩膜板的制作难度和成本大幅增加。 c、光学近似修正（OPC，Optical Proximity Correction） 在曝光过程中，往往会因为光学临近效应使最后的图形质量下降：线宽的变化；转角的圆化；线长的缩短等。需要采用“智能型掩膜板工程（Clever Mask Engineering）” 来补偿这种尺寸变化。 7、显影后检测（ADI，After Development Inspection） 主要是检查硅片表面的缺陷。通常将一个无缺陷得标准图形存于电脑中，然后用每个芯片的图形与标准相比较，出现多少不同的点，就会在硅片的defect map 中显示多少个缺陷。 8、抗反射涂层（ARC，Anti-Reflective Coating） 光刻胶照射到光刻胶上时，使光刻胶曝光。但同时，在光刻胶层的上下表面也会产生反射而产生切口效应和驻波效应。 a、底部抗反射涂层（BARC，Bottom Anti-Reflective Coating）。将抗反射涂层涂覆在光刻胶的底部来减少底部光的反射。有两种涂层材料：有机抗反射涂层（Organic），在硅片表面旋涂，依靠有机层直接接收掉入射光线；无机抗反射涂层（Inorganic），在硅片表面利用等离子增强化学气相沉积（PECVD，Plasma

光刻

光刻 一、概述： 光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning）。 光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 二、光学基础： 光的反射（reflection）。光射到任何表面的时候都会发生反射，并且符合反射定律：入射角等于反射角。在曝光的时候，光刻胶往往会在硅片表面或者金属层发生反射，使不希望被曝光的光刻胶被曝光，从而造成图形复制的偏差。常常需要用抗反射涂层（ARC，Anti-Reflective Coating）来改善因反射造成的缺陷。 光的折射（refraction）。光通过一种透明介质进入到另一种透明介质的时候，发生方向的改变。主要是因为在两种介质中光的传播速度不同（λ=v/f）。直观来说是两种介质中光的入射角发生改变。所以我们在90nm工艺中利用高折射率的水为介质（空气的折射率为1.0，而水的折射率为1.47），采用浸入式光刻技术，从而提高了分辨率。而且这种技术有可能将被沿用至45nm工艺节点。 光的衍射或者绕射（diffraction）。光在传播过程中遇到障碍物（小孔或者轮廓分明的边缘）时，会发生光传播路线的改变。曝光的时候，掩膜板上有尺寸很小的图形而且间距很窄。衍射会使光部分发散，导致光刻胶上不需要曝光的区域被曝光。衍射现象会造成分辨率的下降。 光的干涉（interference）。波的本质是正弦曲线。任何形式的正弦波只要具有相同的频率就能相互干涉，即相长相消：相位相同，彼此相长；相位不同，彼此相消。在曝光的过程中，反射光与折射光往往会发生干涉，从而降低了图形特征复制的分辨率。 调制传输函数（MTF, Modulation Transfer Function）。用于定义明暗对比度的参数。即分辨掩膜板上明暗图形的能力，与光线的衍射效应密切相关。MTF=(Imax-Imin)/(Imax+Imin)，好的调制传输函数，就会得到更加陡直的光刻胶显影图形，即有高的分辨率。临界调制传输函数（CMTF,Critical Modulation Transfer Function）。主要表征光刻胶本身曝光对比度的参数。即光刻胶分辨透射光线明暗的能力。一般来说光路系统的调制传输函数必须大于光刻胶的临界调制传输函数，即MTF>CMTF。 数值孔径（NA, Numerical Aperture）。透镜收集衍射光（聚光）的能力。NA=n*sinθ=n*（透镜半径/透镜焦长）。一般来说NA大小为0.5~0.85。提高数值孔径的方法：1、提高介质折射率n，采用水代替空气；2、增大透镜的半径； 分辨率（Resolution）。区分临近最小尺寸图形的能力。R=kλ/(NA)=0.66/(n*sinθ) 。提高分辨率的方法：1、减小光源的波长；2、采用高分辨率的光刻胶；3、增大透镜半径；4、采用高折射率的介质，即采用浸入式光刻技术；5、优化光学棱镜系统以提高k（0.4~0.7）值（k是标志工艺水平的参数）。 焦深（DOF，Depth of Focus）。表示焦点周围的范围，在该范围内图像连续地保持清晰。焦深是焦点上面和下面的范围，焦深应该穿越整个光刻胶层的上下表面，这样才能够保证光刻胶完全曝光。DOF=kλ/(NA)2。增大焦深的方法：1、增大光源的波长；2、采用小的数值

什么是波长缩短效应

什么是波长缩短效应？试简要解释其原因. 对称振子上的相移常数β大于自由空间的波数k, 亦即对称振子上的波长短于自由空间波长, 这是一种波长缩短现象, 故称n1为波长缩短系数λ和λa分别为自由空间和对称振子上的波长 造成上述波长缩短现象的主要原因有:①对称振子辐射引起振子电流衰减, 使振子电流相速减小, 相移常数β大于自由空间的波数k, 致使波长缩短;②由于振子导体有一定半径, 末端分布电容增大（称为末端效应）, 末端电流实际不为零, 这等效于振子长度增加, 因而造成波长缩短.振子导体越粗, 末端效应越显著, 波长缩短越严重 电波/微波传播受什么因素影响？ 1地形对电波影响 地形对大气中电波传播的影响表现在三个方面：反射、绕射和散射。这三种情况在一般条件下都存在，只不过在不同条件下有主次之分：天线高架，地面平滑，反射为主；地面粗糙起伏较大，散射为主；天线低架，或障碍物尺寸较小，绕射为主。 2大气对微波影响 对流层对微波传播的影响，主要表现在以下几点。（1）由于气体分子谐振引起对电磁波能量的吸收。（2）由雨、雾、雪引起对电磁波能量的吸收。（3）由于气象因素等影响，使对流层也会形成云、雾之类的“水气囊”，形成了大气中的不均匀结构，对微波的散射和折射。 天线的基本概念？ 定义：用金属导线、金属面或其他介质材料构成一定形状，架设在一定空间，将从发射机馈给的射频电能转换为向空间辐射的电磁波能，或者把空间传播的电磁波能转化为射频电能并输送到接收机的装置。天线（antenna)是一种变换器，它把传输线上传播的导行波，变换成在无界媒介（通常是自由空间）中传播的电磁波，或者进行相反的变换。在无线电设备中用来发射或接收电磁波的部件。 简述天线的功能 ①天线应能将导波能量尽可能多地转变为电磁波能量.这首先要求天线是一个良好的电磁开放系统, 其次要求天线与发射机或接收机匹配.②天线应使电磁波尽可能集中于确定的方向上, 或对确定方向的来波最大限度的接受, 即天线具有方向性.③天线应能发射或接收规定极化的电磁波, 即天线有适当的极化. ④天线应有足够的工作频带. 从接收角度讲,对天线的方向性有哪些要求? ①主瓣宽度尽可能窄, 以抑制干扰。但如果信号与干扰来自同一方向, 即使主瓣很窄,也不能抑制干扰; 另一方面, 当来波方向易于变化时, 主瓣太窄则难以保证稳定的接收。 ②旁瓣电平尽可能低。如果干扰方向恰与旁瓣最大方向相同, 则接收噪声功率就会较高, 也就是干扰较大; 对雷达天线而言, 如果旁瓣较大, 则由主瓣所看到的目标与旁瓣所看到的目标会在显示器上相混淆, 造成目标的失落。 ③天线方向图中最好能有一个或多个可控制的零点, 以便将零点对准干扰方向,而且当干扰方向变化时, 零点方向也随之改变, 这也称为零点自动形成技术。 隔离器和环形器主要用途： 控制电磁波的单向传输

国内常用同轴电缆尺寸表

国内常用同轴电缆尺寸表(RG系列) 电缆型号标称阻抗 Ω 直径尺寸Φ（mm） 内导体 绝缘层屏蔽层护套外径构成外径 软电缆和半刚电缆（MIL-C-17-F） RG-5A/U50单芯 1.29 4.60 6.30D8.33 RG-6A/U75单芯0.72 4.70 6.30D8.43 RG-8/U527×0.7 2 2.177.248.20S10.29 RG-9/U517×0.7 2 2.177.118.70D10.67 RG-10/U527×0.7 2 2.177.248.20S12.07* RG-11/U757×0.4 1.217.248.20S1029 RG-12/U757×0.4 1.217.248.20S12.07* RG-21/U53单芯 1.29 4.70 6.30D8.43 RG-55/U53.5单芯0.81 2.95 4.20D 5.23 RG-58/U53.5单芯0.81 2.95 3.60S 4.95 RG-59B/U75单芯0.58 3.71 4.85S 6.15 RG-140/U75单芯0.64 3.71 4.47S 5.92 RG-141A/ U 50单芯0.99 2.95 3.71S 4.83 RG-142B/ U 50单芯0.99 2.95 4.34D 4.95 RG-144/U757×0.4 5 1.357.258.38S10.40 RG-165/U507×0.8 2.407.258.64S10.40 RG-174/U507×0.1 6 0.48 1.52 2.24S 2.54 RG-178B/ U 507×0.10.300.91 1.37S 2.01 RG-179B/ U 757×0.10.30 1.60 2.13S 2.54 RG-187/U757×0.10.30 1.52 2.13S 2.79 RG-188A/ U 50 7×0.1 8 0.51 1.52 2.06S 2.79 RG-196/U507×0.10.300.86 1.37S 2.03 RG-212/U50单芯 1.44 4.70 6.30D8.43 RG-213/U507×0.75 2.267.258.64S10.29 RG-214/U507×0.7 2.267.259.14D10.80

浅谈射频同轴电缆

射频同轴电缆是用于传输射频和微波信号能量的。它是一种分布参数电路，其电长度是物理长度和传输速度的函数，这一点和低频电路有着本质的区别。 射频同轴电缆分为半刚，半柔和柔性电缆三种，不同的应用场合应选择不同类型的电缆。半刚和半柔电缆一般用于设备内部的互联；而在测试和测量领域，应采用柔性电缆。 半刚性电缆 顾名思义，这种电缆不容易被轻易弯曲成型，其外导体是采用铝管或者铜管制成，其射频泄漏非常小（小于－１２０ｄＢ），在系统中造成的信号串扰可以忽略不计。这种电缆的无源互调特性也是非常理想的。如果要弯曲到某种形状，需要专用的成型机或者手工的模具来完成。如此麻烦的加工工艺换来的是非常稳定的性能，半刚性电缆采用固态的聚四氟乙烯材料作为填充介质，这种材料具有非常稳定的温度特性，尤其在高温条件下，具有非常良好的相位稳定性。 半刚性电缆的成本高于半柔性电缆，大量应用于各种射频和微波系统中。 半柔性电缆 半柔性电缆是半刚性电缆的替代品，这种电缆的性能指标接近于半刚性电缆，而且可以手工成型。但是其稳定性比半刚性电缆略差些，由于其可以很容易的成型，同样的也容易变形，尤其在长期使用的情况下。 柔性（编织）电缆 柔性电缆是一种“测试级”的电缆。相对于半刚性和半柔性的电缆，柔性电缆的成本十分昂贵，这是因为柔性电缆在设计时要顾及的因素更多。柔性电缆要易于多次弯曲而且还能保持性能，这是作为测试电缆的最基本要求。柔软和良好的电指标是一对矛盾，也是导致造价昂贵的主要原因。 柔性射频电缆组件的选择要同时考虑各种因素，而这些因素之间有些的相互矛盾的，如单股内导体的同轴电缆比多股的具有更低的插入损耗和弯曲时的幅度稳定性，但是相位稳定性能就不如后者。所以一条电缆组件的选择，除了频率范围，驻波比，插入损耗等因素外，还应考虑电缆的机械特性，使用环境和应用要求，另外，成本也是一个永远不变的因素。 在本节中，详细讨论了射频同轴电缆的各种指标和性能，了解电缆的性能对于选择一条最佳的射频电缆组件是十分有益的。 特性阻抗 射频同轴电缆由内导体，介质，外导体和护套组成。 “特性阻抗”是射频电缆，接头和射频电缆组件中最常提到的指标。最大功率传输，最小信号反射都取决于电缆的特性阻抗和系统中其它部件的匹配。如果阻抗完全匹配，则电缆的损耗只有传输线的衰减，而不存在反射损耗。电缆的特性阻抗（Ｚｏ）与其内外导体的尺寸之比有关，同时也和填充介质的介电常数有关。由于射频能量传输的“趋肤效应”，与阻抗相关的重要尺寸是电缆内导体的外径（ｄ）和外导体的内径（Ｄ）： Ｚｏ（?）＝１３８√ε×ｌｏｇＤｄ 常见的射频同轴电缆绝大部分是５０?特性阻抗的，这是为什么呢？ 通常认为导体的截面积越大损耗就越低，但事实并非完全如此。同轴电缆的每单位长度的损耗是ｌｏｇＤｄ的函数，也就是说和电缆的特性阻抗有关。经过计算可以发现，当同轴电缆的特性阻抗为７７?时，单位长度的损耗最低。 对于同轴电缆的最大承受功率，通常认为内外导体的间距越大，则同轴电缆可承受电压越高，即承受功率越大，但实际上也不完全准确。同轴电缆的最大承受功率同样与其特性阻抗有关。可以计算出当同轴电缆的特性阻抗为３０?时，其承受的功率最大。 为了兼顾最小的损耗和最大的功率容量，应该在７７?和３０?之间找一个适当的数值。二者的算术平均值为５３．５?，而几何平均值为４８．０６?；选取５０?的特性阻抗可以做到二者兼顾。此外，５０?阻抗的连接器也更加容易设计和加工。 绝大部分应用于通信领域的射频电缆的特性阻抗是５０?；在广播电视中则用到７５?的电缆。 大部分的测试仪器都是５０?的阻抗，如果要测量７５?阻抗的器件，可以通过一个５０～７５?的阻

光刻概述

《微电子学导论》课程报告题目：光刻工艺概述 姓名：王泽卫 学号：2011700214 专业：材料科学与工程 完成日期：2014年11月17日

光刻工艺概述 摘要：从半导体制造的初期，光刻就被认为是集成电路制造工艺发展的驱动力。直到今天，集成电路正致力于把更多的器件和组合电路集成在一个芯片上，这种趋势仍在延续。在半导体制造业发展的五十年来，正像摩尔定律所阐明的，相比于其他单个技术来说，光刻对芯片性能的发展有着革命性的贡献。本文将从光刻的原理、工艺流程、以及目前先进的光刻工艺等几个方面对其进行介绍。 关键词：光刻原理、光刻工艺流程、先进光刻工艺 一、光刻概述 （一）光刻的概念及原理 光刻就是利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。在光刻的过程中，使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形。光刻过程的其他说法是照相、光刻、掩膜、图形形成。总的来说，光刻指的是将图形转移到转移到一个平面的任一复制过程。因此，光刻有时就是指“复制”。 光刻的原理就是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。在光刻的过程中，为获得令人满意的光刻图形，对光刻提出了几点要求：高分辨率；光刻胶高光敏性；精确对准；精确的工艺参数控制；低缺陷密度。 （二）光刻胶 光刻胶也称为光致抗蚀剂，它是由感光树脂、增感剂和溶剂三部分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶主要用来将光刻掩模板上的图形转移到元件上。 根据光刻胶的化学反应机理和显影原理，可将其分为：正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面。正性光刻胶把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面。 根据所能形成的图形的关键尺寸可将其分为：传统光刻胶（包括I线、G线和H线）和深紫外光刻胶。传统的光刻胶只适用于线宽在0.35μm和以上的硅

射频同轴电缆行业分析报告

射频同轴电缆行业分析报告

目录 一、所属行业及行业管理体制 (4) 1、所属行业情况 (4) （1）电线电缆行业近年整体呈现快速增长趋势 (5) （2）电线电缆各分支产业发展速度不均衡 (6) （3）企业数量多、规模小，电线电缆行业产业集中度低，但正逐步提高 (6) （4）主要竞争手段由目前的价格竞争正逐步向品牌竞争和技术竞争转变 (6) （5）特种电缆逐渐成为行业内发展的重点领域 (7) 2、行业监管体制 (7) 二、射频同轴电缆的定义、用途、结构及分类 (9) 1、射频同轴电缆的定义及用途 (9) 2、射频同轴电缆的基本结构及分类 (9) （1）射频同轴电缆的基本结构 (9) （2）射频同轴电缆的分类 (11) 三、行业发展概况 (13) 四、行业的主要法律法规及产业政策 (14) 五、行业竞争情况 (16) 1、行业竞争格局 (16) （1）全球竞争格局 (16) （2）国内竞争格局 (16) 2、市场容量、发展前景及市场供求状况 (17) （1）行业市场容量及未来几年的增长趋势 (17) （2）市场前景分析 (18) （3）市场供求情况 (22) 3、行业内的主要企业及其市场份额 (22) （1）行业内主要企业 (22) （2）行业内主要企业的市场份额 (24)

4、行业利润水平的变动趋势及变动原因 (24) 5、进入本行业的主要壁垒 (25) （1）技术壁垒 (25) （2）资金壁垒 (26) （3）客户关系壁垒 (26) 六、影响行业发展的有利因素和不利因素 (27) 1、有利因素 (27) （1）国内宏观经济复苏 (27) （2）国家产业政策支持 (27) （3）全球通信设备制造业采购中心向中国转移 (28) （4）发达国家需求稳定，发展中国家和地区需求快速增长 (28) 2、不利因素 (29) （1）行业自主创新意识和能力不强，知识产权保护不力导致行业竞争无序 (29) （2）原材料价格波动加大行业经营风险 (29) 七、行业技术水平及发展趋势 (29) 1、行业技术水平 (29) 2、行业技术发展趋势 (30) （1）降低衰减和驻波比 (30) （2）提高电缆的特殊性能 (31) （3）研发高端绝缘介质 (31) （4）提高电缆的环保特性 (31) 3、行业的周期性、区域性 (32) （1）行业的周期性 (32) （2）行业的区域性 (32) 八、上下游行业发展状况及其对本行业的影响 (33) 1、上游行业 (33) 2、下游行业 (34)

14.驻波 多普勒效应

《大学物理》练习题 No.14驻波 多普勒效应 班级 ___________ 学号 __________ 姓名 _________ 成绩 ________ 一、选择题 1.在波长为λ的驻波中，两个相邻波腹之间的距离为 [ B ](A) λ/4 . (B) λ/2 . (C) 3λ/4 . (D) λ . 2. 关于产生驻波的条件,以下说法正确的是 [ D ](A) 任何两列波叠加都会产生驻波； (B) 任何两列相干波叠加都能产生驻波； (C) 两列振幅相同的相干波叠加能产生驻波； (D) 两列振幅相同，在同一直线上沿相反方向传播的相干波叠加才能产生驻波. 3. 关于驻波的特性, 以下说法错误的是 [ B ](A) 驻波是一种特殊的振动,波节处的势能与波腹处的动能相互转化； (B) 两波节之间的距离等于产生驻波的相干波的波长； (C) 一波节两边的质点的振动步调（或位相）相反； (D) 相邻两波节之间的质点的振动步调（或位相）相同. 4. 关于半波损失,以下说法错误的是 [ A ](A) 在反射波中总会产生半波损失； (B) 在折射波中总不会产生半波损失； (C) 波从波疏媒质射向波密媒质反射时,反射波中产生半波损失； (D) 半波损失的实质是振动相位突变了π. 二.填空题 1.. 两列波在同一直线上传播,其表达式分别为 y 1 = 6.0cos[π (0.02x -8t ) /2 ] y 2 = 6.0cos[π (0.02x +8t) /2 ] 式中各量均为( S I )制.则驻波波节的位置为 )12(50+=k x . 2. 设沿弦线传播的一入射波的表达式为 y 1=A cos [2π(t /T -x /λ)+?] 波在x=L 处(B 点)发生反射，反射点为固定端(如图)，设 波在传播和反射过程中振幅不变，则反射波的表达式 y 1=A cos [2π(t /T +x /λ)+(π+?-2L/λ]

高三地理常见的几种效应

高三地理常见的几种效应 1热岛效应 热岛效应，是一个地区的气温高于周围地区的现象，常见的是城市热岛效应（城市人口密集、工厂及车辆排热、居民生活用能的释放、城市建筑结构及下垫面特性的综合影响等是其产生 的主要原因），另外还有非城市热岛效应，如青藏高原的热岛效应等。 在城市热岛作用下，近地面产生由郊区吹向城市的热岛环流。在热岛效应的影响下，城市上空的云、雾会增加，使有害气体、烟尘在市区上空累积，形成严重的大气污染。 2冷岛效应 夏季绿洲、湖泊的最高气温比其毗邻的沙漠戈壁低30℃左右，水分的蒸发量要少一半。其 原因是由于沙漠戈壁和绿洲、湖泊对于太阳辐射的反射率不同，在白昼阳光辐射下，沙漠戈壁干燥地面强烈增温，通过大气的环流作用，暖空气被带到绿洲、湖泊上空，形成一个上热 下冷的逆温层，上下层空气间的热交换难以进行，下层冷空气块得以保持稳定，因而形成一个湿润、凉爽的小气候。这种现象就称之为“冷岛效应”. 这种“冷岛效应”在干旱地区的湖泊（包括水库）、绿洲地带普遍存在。（2016绵阳一模）“冷岛效应”指地球上干旱地区的绿洲、湖泊，其夏季昼夜气温比附近沙漠、戈壁低，温差最高可达30℃左右，这是由于周围戈壁沙漠的高温气流在大气的平流作用下，被带到 绿洲、湖泊上空，形成了一个上热下冷的大气结构，形成一种温润凉爽的小气候，据此完成1—3题。 3干岛效应 与热岛效应通常是相伴存在的。由于城市的主体为连片的钢筋水泥筑就的不透水下垫面，因此，降落地面的水分大部分都经人工铺设的管道排至他处，形成径流迅速，缺乏天然地面所具有的土壤和植被的吸收和保蓄能力。因而平时城市近地面的空气就难以像其他自然区域一 样，从土壤和植被的蒸发中获得持续的水分补给。这样，城市空气中的水分偏少，湿度较低，形成孤立于周围地区的"干岛"。 4雨岛效应 大城市高楼林立，空气循环不畅，加之盛夏时节，建筑物空调、汽车尾气更加重了热量的超 常排放，使城市上空形成热气流，热气流越积越厚，最终导致降水形成：大城市大气环流较 弱，由于城市热岛所产生的局地气流的上升有利于对流性降水的发生、发展，城区空气中凝结核多，大核（如硝酸盐）存在时有促进暖云降水作用，同时城市的下垫面粗糙度大使其降 水雨系减慢，延长城区降水时间。以上因素共同作用，就会形成“雨岛效应”。 阳伞效应 阳伞效应是由烟尘增多形成的。人类的生产与生活活动，导致大气中的烟尘越来越多。悬浮在大气中的烟尘，一方面将部分太阳辐射反射回宇宙空间，削弱了到达地面的太阳辐射能， 使地面接受的太阳能减少；另一方面吸湿性的微尘又作为凝结核，促使周围水汽在它上面凝结，导致低云、雾增多。这种现象类似于遮阳伞，因而称“阳伞效应”。 6周末效应 周末效应是指大气要素和污染物以星期为周期的变化，臭氧浓度、气溶胶浓度、二氧化碳浓度等经历周一到周五的积攒到周末达到极值，这些污染物导致了降雨云层的形成，降水概率在周末也变大的现象。 7冷盆效应

10.7 驻波

10.7 驻波 教学目的 1．知道驻波现象及什么是波节、波腹，驻波是一种特殊的干涉现象． 2．理解驻波的形成过程，理解驻波与行波的区别，理解空气柱共鸣的条件． 引入新课 一列波在向前传播的途中遇到障碍物或者两种介质的分界面时，会发生反射，如果反射波和原来向前传播的波相互叠加，会发生什么现象呢？ 一、驻波 1、驻波的演示: 如课本图10－31所示，把弦线的一端A固定在电磁打点计时器的振针上，另一端跨过定滑轮拴一个砝码盘，盘上放砝码，将弦线拉平．在靠近定滑轮的B处，用一个尖劈把弦线支起来．接通电磁打点计时器的电源，振针振动时，有一列波向定滑轮的一侧传播，并在B处发生反射．改变尖劈的位置，来调节AB的长度，当尖劈调到某适当位置时，可以看到，弦线会分段振动起来． 2、几个概念： ①波节——弦线上有些点始终是静止不动的，这些点叫做波节． 波腹——在波节和波节之间的那段弦线上，各质点以相同的频率、相同的步调振动，但振幅不同，振幅最大的那些点叫做波腹． 在相邻的两段弦线上，质点的振动方向是相反的．相邻的两个波节(或波腹)之间的距离等于半个波长，即等于λ/2． ②驻波——波形虽然随时间而改变，但是不向任何方向移动，这种现象叫做驻波．波形不传播，是媒质质元的一种集体振动形态。"驻"字的第一层含义。 行波——驻波跟前面讲过的波形向前传播的那种波显然是不同的，相对于驻波来说波形向前传播的那种波叫行波． ③驻波与行波的区别 A物理意义不同：驻波是两列波的特殊干涉现象，行波是一列波在介质中的传播．B质点振动不同：相邻波节间质点运动方向一致．波节两侧质点振动方向总相反．C波形不同：波形向前传播的是行波，波形不向任何方向传播的是驻波． 3、驻波的形成 两列振幅相同的相干波在同一直线上沿相反方向传播时形成的叠加波。 ①两列沿相反方向传播的振幅相同、频率相同的波叠加，形成驻波． ②振幅相同、频率相同波的叠加． 三、驻波的特点 课本10－33中用虚线表示两列沿相反方向传播的振幅相同、频率相同波的叠加，用实线表示这两列波叠加后形成的合成波．图中画出了每隔T/8周期波形的变化情况．由图可以看出，合成波在波节的位置(图中的“·”表示)，位移始终为零．在两波节之间，各质点以相同的步调在振动，两波节之间的中点振幅最大，就是波腹(图中用“＋”表示)． 驻波不是振动状态的传播，也没有能量的传播。媒质中各质点都作稳定的振动。 1.频率特点：由图及方程知，各质元以同一频率作简谐振动。 2.振幅特点： (1)各点的振幅：和位置 x 有关，振幅大小按余弦规律随 x 变化 (2)波节：有些点始终静止，这些点称作波节。波节处，由两列波引起的两振动

RF同轴电缆的结构与传输特性

1 RF同轴电缆的结构与传输特性 1.1结构 RF同轴电缆由内导体、绝缘体、外导体和护套4部分组成，绝缘体使内、外导体绝 缘且保持轴心重合，这就是同轴电缆。内外导体由电介质（绝缘材料）隔开，电介质在很大程度上决定着同轴电缆的传输速度和损耗特性，常使用的绝缘材料是干燥空气、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等材料的混合物。物理发泡电缆因损耗小、频率特性好、不易进水得到优选应用。 1.2传输特性 （1）同轴电缆内的电磁场分布 电场强度按正弦分布，在同轴电缆中传输的电波不会泄漏到电缆之外，在应用中，外导体通常是接地的，故具有良好的屏蔽作用，传输的电视信号不受外界杂波的干扰，里面的信号也不会辐射出去。 （2 ）趋肤效应 高频信号的电流流过电缆时，电流集中于导体表面而使导体有效横截面积减少、电阻值加大的现象称之为趋肤效应。因为有趋肤效应，同轴电缆中的电流只沿内导体的外侧和外导体的内侧流动，因此，电缆的许多性质取决于内导体的外径和外导体的内径，电缆内、外部的电磁场也不相互干扰。趋肤深度与频率 f （MHz ）的平方根成反比， 因此，同轴电缆的导体损耗与频率的平方根成正比。 1.3同轴电缆性能 （1 ）特性阻抗 特性阻抗Z c定义为在同轴电缆终端匹配的情况下，电缆上任意点电压与电流的比值。同轴电缆的特性阻抗由导体的直径和导体间介质决定，与电缆长度无关。在CATV 系统中，同轴电缆的特性阻抗均为75 a （2 ）衰减常数3与温度系数 RF信号在同轴电缆中传输时的衰减量与电缆的尺寸、介电常数、工作频率有关。同轴电缆信号的衰减程度，以衰减常数（ 3 ）表示单位长度（如100 m）电缆对信号衰 减的dB数。衰减常数与信号频率的平方根成正比，即在同一段电缆，信号频率越高，衰减常数越大；信号频率越低，衰减常数越小。温度系数表示温度变化对电缆损耗值的影响，温度上升，电缆的损耗值增大；温度下降，电缆的损耗值减小。温度系数定义为温度升高或降低1C,电缆对信号衰减量增大或减小的百分数。表1是根据和平县有线电视 台的频道配置选出8个频道，在33C和13C两个常温下，对汉胜RF同轴电缆-5型和-7 型进行测量的结果。 表1两种常温下的汉胜电缆-7与-5型的衰减常数（3 ）频道图像载频（MHz） 33 C dB/100 m13 C dB/100 m -7型-5 型-7 型-5 型

光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应

光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应 半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精确的电磁场(EMF)模拟方法。这些方法是在给定的几何形状、材料参数和入射场(照明)条件下，用合适的数值方法解麦克斯韦方程组。 时域有限差分法(FDTD)将离散积分格式用于微分形式麦克斯韦方程。此方法非常灵活，易于适应各种不同的几何形状和入射场条件。这一方法的计算结果和精确度主要取决于依据每波长网格点数(GPW) 的空间离散化程度。计算时间和存储要求与模拟体中网格点总数是线性比例关系。很多情况下，为了得到某些现象的直观近场分布图和定性研究，15-25 GPW就足够了。光刻模拟的典型准确度要求多半需要100GPW以上。FDTD已被应用于解决先进光刻中的许多典型问题。 像波导法(WGM)和严格耦合波分析(RCWA)一样，模态法也是用切割模拟体、切片内电磁场和光学材料特性的Fourier展开式，以及它们之间Fourier系数的耦合解麦克斯韦方程。散射场是以产生的代数方程式的解获得的。WGM(及类似方法)的计算结果和准确度主要决定于Fourier展开式的阶数(WG阶)和切片数。计算时间和存储要求随WG阶的三次方增加。一般说来，对于求解具有矩形块结构几何形状(如垂直吸收侧壁)的2D问题(线条和隔离)，这些模态法是非常准确而有效的。这些方法缩微化能力差使其难以应用到更大的3D问题(如接触孔的半密矩阵)。已开发了特殊的分解方法解决这一问题。有效执行WGM目前已用于光学和EUV掩膜及晶圆形貌效应的高效模拟。 其它EMF模拟方法基于麦克斯韦方程的积分表达式。最近的论文证明，对于模拟形状复杂的掩膜几何图形的光衍射，有限元方法(FEM)和有限积分技术(FIT)具有极高的准确度。这使得这些方法对于标定其它方法和一些特殊场合的模拟非常有用。详细了解和精确模拟从光刻掩膜和晶圆上的(亚)波长尺寸特征图形产生的光衍射，对于开发和优化先进光刻工艺是不可或缺的。 掩膜形貌的影响 掩膜模型

大学物理驻波、多普勒效应、习题课

§4-5 驻波 一、驻波方程 在同一介质中，在同一直线上，两列沿相反方向传播的频率相同、振动方向相同、振幅相同的简谐波叠加时, 就形成 驻波 。 驻波是一种特殊的干涉现象！ 为简单起见，设两列行波分别沿 x 轴正、反向传播，在x = 0处两波初相均为0 x + 方向： 12c o s A t x πξωλ??=- ??? x - 方向： 22c o s A t x πξωλ??=+ ?? ? 合成波： 1222cos cos A t x A t x ππξξξωωλλ? ?? ?=+=- ++ ? ???? ? 22c o s c o s A x t π ω ?? = ? x 和t 被分割于两个余弦函数中） 绝对值为振幅 谐振动，相位中不含x 二、驻波的特点 1、()(),,x x t t x t ξξ+?+?≠ 其中 x u t ?=? 只有波形的变化，不向前传播 2、cos t ω： 各个质点作同频谐振动 3、2cos x πλ ?? ??? ：振幅按余弦规律变化，各处不等大 振幅最大： 222 x k π π λ = （0,1,2,k =± ） 2 x k λ = 波腹 振幅最小： 2(21) 2 x k π π λ =+ （0,1,2,k =± ） (2 1) 4 x k λ =+ 波节

相邻两波腹或两波节之间的距离为 2 λ 4、驻波中的“位相” 2cos x πλ?? ??? 为正， 位相为 t ω 2cos x πλ ?? ??? 为负， 位相为 t+ωπ 驻波是分段的振动。两相邻波节间为一段，同一段振动相位相同；相邻段振动相位相反。 5、驻波无能量传播 三、半波损失 波传播时，遇到界面会怎么样？界面处的振动？ 波会反射回来，反射波与入射波叠加！ 图中情况，B 是固定点 波节 入射波和反射波位相相反，位相差为 π 反射波的位相有 π 的突变，“损失π” 位相差为 2π 的两点，距离为一个波长 λ 反射波有半波损失！ 实验发现，在界面处有时形成波节，有时形成波腹。规律？ 取决于界面两边介质的相对波阻。 波阻u ρ= 波疏介质 → 波密介质：反射时有半波损失（界面形成波节） 波密介质 → 波疏介质：反射时无半波损失（界面形成波腹） 半波损失是一个很重要的概念，在研究声波、光波的反射问题时会经常涉及到！ B 大 波密介质 波疏介质

RF同轴电缆的结构与传输特性

1 RF同轴电缆的结构与传输特性 1.1 结构 RF同轴电缆由内导体、绝缘体、外导体和护套4部分组成，绝缘体使内、外导体绝缘且保持轴心重合，这就是同轴电缆。内外导体由电介质（绝缘材料）隔开，电介质在很大程度上决定着同轴电缆的传输速度和损耗特性，常使用的绝缘材料是干燥空气、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等材料的混合物。物理发泡电缆因损耗小、频率特性好、不易进水得到优选应用。 1.2 传输特性 （1）同轴电缆内的电磁场分布 电场强度按正弦分布，在同轴电缆中传输的电波不会泄漏到电缆之外，在应用中，外导体通常是接地的，故具有良好的屏蔽作用，传输的电视信号不受外界杂波的干扰，里面的信号也不会辐射出去。 （2）趋肤效应 高频信号的电流流过电缆时，电流集中于导体表面而使导体有效横截面积减少、电阻值加大的现象称之为趋肤效应。因为有趋肤效应，同轴电缆中的电流只沿内导体的外侧和外导体的内侧流动，因此，电缆的许多性质取决于内导体的外径和外导体的内径，电缆内、外部的电磁场也不相互干扰。趋肤深度与频率f（MHz）的平方根成反比，因此，同轴电缆的导体损耗与频率的平方根成正比。 1.3 同轴电缆性能 （1）特性阻抗 特性阻抗Z c定义为在同轴电缆终端匹配的情况下，电缆上任意点电压与电流的比值。同轴电缆的特性阻抗由导体的直径和导体间介质决定，与电缆长度无关。在CATV 系统中，同轴电缆的特性阻抗均为75 Ω。 （2）衰减常数β与温度系数 RF信号在同轴电缆中传输时的衰减量与电缆的尺寸、介电常数、工作频率有关。同轴电缆信号的衰减程度，以衰减常数（β）表示单位长度（如100 m）电缆对信号衰减的dB数。衰减常数与信号频率的平方根成正比，即在同一段电缆，信号频率越高，衰减常数越大；信号频率越低，衰减常数越小。温度系数表示温度变化对电缆损耗值的影响，温度上升，电缆的损耗值增大；温度下降，电缆的损耗值减小。温度系数定义为温度升高或降低1℃，电缆对信号衰减量增大或减小的百分数。表1是根据和平县有线电视台的频道配置选出8个频道，在33℃和13℃两个常温下，对汉胜RF同轴电缆-5型和-7型进行测量的结果。 表1两种常温下的汉胜电缆-7与-5型的衰减常数(β) 频道图像载频(MHz)