EM640FT8AS-55L中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
文档标题
256K×8位低功耗和低电压全CMOS静态RA M 修订记录
版本号
0.0
0.1
0.2
0.3
历史
初稿草案
0.1版本
0.2版本
0.3版本
删除字节选项信息
删除UB,LB信息
修订VOH(2.2V至2.4V),TOH(15ns至为10ns),
TOE-55(为30ns至25ns),TWP-55(为45nS至40ns),
TWP-70(55ns至50ns),tWHZ-70(为25ns至20ns),
ICC(2mA至3毫安),ICC1(2mA至3毫安)
V IH从2.0V到2.2V电平变化
草案日期
年6月7,2007年
二零零七年六月十五日
2007年6月21日,
2007年7月2日,
备注
0.40.4版本8月16个,2007年
256K×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特征
-工艺技术:0.15μm全CMOS
-组织:256K X8
-电源电压
= EM620FV8B : 2.7~3.6V
-低数据防护持电压:1.5V
-三态输出和TTL兼容
-包装产品设计45/55/70ns
一般物理规格
-抛光裸硅背面模具表面
-典型模具厚度= 725um +/- 15微米
-典型顶层金属化:
=金属(钛/铝铜/锡/ ARCSiON /二氧化硅):5.2K埃
-顶边钝化:
=钝化(HDP / pNIT / PIQ):5.4K埃
-晶圆直径:8英寸
选项
-C1 / W1:DC探索Sun Yatsen模/硅片@热温度
-C2 / W2:DC / AC探索Sun Yatsen模具/硅片@热温度
1
5629
EM620FV8B(双C / S)
+(0.0)
EMLSI LOGO
28 y
x
Pre-charge Circuit
板说明
Name CS1,CS2 OE
WE
A0~A17 I/O0~I/O7性能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
Name
Vcc
Vss
NC
性能
电源
接地
无连接
Row Select
Memory Array
1024 x 2048
I/O Circuit
Column Select
Control Logic
粘结说明
2M全CMOS SRAM芯片拥有总56pads.参阅到结合焊盘位置和识别表X,Y坐标. EMLSI建议使用键合线对芯片背面上Vss焊盘,以提高抗噪声能力.
2
功能规格
有3个类别EMLSI模具及硅片产品,这是C1和C2模具和W1和W2晶圆,分别.
每个芯片和芯片支持专用特点,探讨其规格范围内电气参数.以下是简要信息模具和晶圆分类.请参阅包装规格为更多信息,但这些参数并不防护证在裸芯片和晶片.
C1级别死亡或W1水平WAFER
直流参数是通过规范C1级芯片或W1晶圆级测量.直流参数在70℃温测定
perature,即要求‘Hot DC排序"其他参数都不能防护证,防护证包括设备可靠性.详情请参阅
以鉴定报告设备可靠性和封装级数据表电气参数.
C2级死亡或W2水平WAFER
直流参数和选择AC参数测量与C2级芯片或W2级晶圆. C2DC特性
死亡和W2晶圆是基于C1级芯片和W1级硅片DC规格测试.直流和指定AC参数是
在70℃温度下,它被称为测试‘Hot DC与AC选择性排序".其他参数都不能防护证,担防护
包括设备可靠性.请参阅鉴定报告对设备可靠性和封装级数据表电气参数.
C2级芯片和W2级晶圆探针下AC参数.
tRC,TAA,控烟
tWC, tCW
包装
单个设备将被包装在防静电托盘.
芯片托盘:用于模具2英寸方形饼样式载体与各模具分格.通常所说松饼
包,每个托盘具有选择设备腔体尺寸,可轻松装卸,防止
旋转.本身是由导电材料制成盘,以减少破坏危险,从静电模具
放电.该芯片载体将被贴上以下信息:
EMLSI晶圆批号
EMLSI部件号
数量
罐包装:罐包装是由EMLSI制造和使用由我们提供所要求裸片晶圆众多客户.该包是
包括清洁纸来包装片和海绵几乎脆弱塑料盒之间晶片,高缓冲海绵.每包通常有24片,然后几个包放入大箱子视晶圆量.
债券焊盘#1顶部
芯片载体模具方向
储存和处理
EMLSI建议存储在与过滤氮气受控环境模具.该运营商必须开放在ESD安全环境时,检查和组装.
3
绝对最大额定值 *
参数任何引脚相对于VSS电压供应相对Vss电压Vcc
功耗
工作温度
符
V IN, V OUT
V CC
P D
T A
起码
-0.2 to 4.0V
-0.2 to 4.0V
1.0
-40到85
Unit
V
V
W
o C
*强调超过上述"绝对最大额定值"可能会对设备造成永久性损坏.功能一般
通货膨胀应限制在推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.功能说明
CS1 H X X L L L L CS2
X
L
X
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
X
WE
X
X
X
H
H
H
L
I/O0-7
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
数据输出
数据在
Mode
取消选择
取消选择
取消选择
输出禁用
输出禁用
Read
Write
Power
支持
支持
支持
主动
主动
主动
主动
注:X表示不关心. (必须是高或低状态)
4
推荐直流工作条件1)
参数电源电压
接地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.符
V CC
V SS
V IH
V IL
Min
2.7
2.2
-0.23)
Typ
3.3
-
-
Max
3.6
V CC+ 0.22)
0.6
Unit
V
V
V
V
TA = -40到85o C,另有说明
过冲:V CC在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V
冲:-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns
过高和过低采样,而不是100%测试.电容1)(f =1MHz, T A=25o C)
Item
输入电容
输入/输出继电器电容
1.电容进行采样,而不是100%测试.符
C IN
C IO
测试条件
V IN=0V
V IO=0V
Min
-
-
Max
8
10
Unit
pF
pF
DC及经营特色
参数输入漏电流输出漏电流工作电源符
I LI
I LO I CC I CC1
平均工作电流
I CC2
V OL
V OH
I SB V IN=V SS到V CC
CS1=V IH或CS2 = V IL或OE = V IH或WE = V IL
V IO=V SS到V CC
I IO=0mA, CS1=V IL, CS2=WE=V IH, V IN=V IH或V IL
周期时间=1μs,100%关税,I IO=0mA,
CS10.2V, CS2V CC-0.2V,
V IN IN V CC-0.2V
周期时间=最小,I IO=0毫安,100%关税,
CS1=V IL, CS2=V IH,
V IN=V IL或V IH
I OL= 2.1mA
I OH= -1.0mA
CS1=V IH, CS2=V IL,其他输入= V IH或V IL
CS1V CC-0.2V, CS2V CC-0.2V(CS控制)
或0V CS20.2V(CS2控制),
其他输入= 0?V CC
(典型值条件:V CC=3.3V @ 25 C)
(最大条件:V CC=3.6V @ 85o C)
o
测试条件Min
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
-
-
-
-
2.4
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
1
1
3
3
35
30
25
0.4
-
0.3
Unit
uA
uA
mA
mA
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流(TTL)
V V mA
待机电流(CMOS)I SB1LF-11)10uA NOTES
1.典型值是在Vcc = 3.3V,T测量A=25o C和不是100%测试.
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