半导体专业名词
tapeout 流片
fabout 产出
半导体英语词汇
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记
8. Aluminum：铝
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模拟的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去胶机
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
27. Baseline：标准流程
28. Benchmark：基准
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N 型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS 和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
87. functional area：功能区
88. gate oxide：栅氧
89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n AD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 设备产能
115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ：交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
137. images：去掉图形区域的版
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS 的一种工艺
143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
196. watt(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用
ACA Anisotropic Conductive Adhesive 各向异性导电胶
ACAF Anisotropic Conductive Adhesive Film各项异性导电胶膜
Al Aluminium 铝
ALIVH All Inner Via Hole 完全内部通孔
AOI Automatic Optial Inspection 自动光学检查
ASIC Application Specific Integrated Circuit 专用集成电路
ATE Automatic Test Equipment 自动监测设备
AU Gold 金
BCB Benzocyclohutene,Benzo Cyclo Butene 苯丙环丁烯
BEO Beryllium Oxide 氧化铍
BIST Built-In Self-Test(Function) 内建自测试(功能)
BIT Bipolar Transistor 双极晶体管
BTAB Bumped Tape Automated Bonding 凸点载带自动焊
BGA Ball Grid Array 焊球阵列
BQFP Quad Flat Package With Bumper 带缓冲垫的四边引脚扁平封装
C4 Controlled Collapsed Chip Connection 可控塌陷芯片连接
CAD Computer Aided Design 计算机辅助设计
CBGA Ceramic Ball Grid Array 陶瓷焊球阵列
CCGA Ceramic Column Grid Array 陶瓷焊柱阵列
CLCC Ceramic Leaded Chip Carrier 带引脚的陶瓷片式载体
CML Current Mode Logic 电流开关逻辑
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体COB Chip on Board 板上芯片
COC Chip on Chip 叠层芯片
COG Chip on Glass 玻璃板上芯片
CSP Chip Size Package 芯片尺寸封装
CTE Coefficient of Thermal Expansion 热膨胀系数
CVD Chemical Vapor Depositon 化学汽相淀积
DCA Direct Chip Attach 芯片直接安装
DFP Dual Flat Package 双侧引脚扁平封装
DIP Double In-Line Package 双列直插式封装
DMS Direct Metallization System 直接金属化系统
DRAM Dynamic Random Access Memory 动态随机存取存贮器
DSO Dual Small Outline 双侧引脚小外形封装
DTCP Dual Tape Carrier Package 双载带封装
3D Three-Dimensional 三维
2D Two-Dimensional 二维
EB Electron Beam 电子束
ECL Emitter-Coupled Logic 射极耦合逻辑
FC Flip Chip 倒装片法
FCB Flip Chip Bonding 倒装焊
FCOB Flip Chip on Board 板上倒装片
FEM Finite Element Method 有限元法
FP Flat Package 扁平封装
FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array 窄节距BGA
FPD Fine Pitch Device 窄节距器件
FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP 窄节距塑料QFP
GQFP Guard-Ring Quad Flat Package 带保护环的QFP
HDI High Density Interconnect 高密度互连
HDMI High Density Multilayer Interconnect 高密度多层互连HIC Hybird Integrated Circuit 混合集成电路
HTCC High Temperature Co-Fired Ceramic 高温共烧陶瓷
HTS High Temperature Storage 高温贮存
IC Integrated Circuit 集成电路
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极晶体管ILB Inner-Lead Bond 内引脚焊接
I/O Input/Output 输入/输出
IVH Inner Via Hole 内部通孔
JLCC J-Leaded Chip Carrier J形引脚片式载体
KGD Known Good Die 优质芯片
LCC Leadless Chip Carrier 无引脚片式载体
LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier 无引脚陶瓷片式载体
LCCP Lead Chip Carrier Package 有引脚片式载体封装
LCD Liquid Crystal Display 液晶显示器
LCVD Laser Chemical Vapor Deposition 激光化学汽相淀积
LDI Laser Direct Imaging 激光直接成像
LGA Land Grid Array 焊区阵列
LSI Large Scale Integrated Circuit 大规模集成电路
LOC Lead Over Chip 芯片上引线健合
LQFP Low Profile QFP 薄形QFP
LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic 低温共烧陶瓷
MBGA Metal BGA 金属基板BGA
MCA Multiple Channel Access 多通道存取
MCM Multichip Module 多芯片组件
MCM-C MCM with Ceramic Substrate 陶瓷基板多芯片组件
MCM-D MCM with Deposited Thin Film Inteconnect Substrate 淀积薄膜互连基板多芯片组件
MCM-L MCM with Laminated Substrate 叠层基板多芯片组件
MCP Multichip Package 多芯片封装
MELF Metal Electrode Face Bonding 金属电极表面健合
MEMS Microelectro Mechanical System 微电子机械系统
MFP Mini Flat Package 微型扁平封装
MLC Multi-Layer Ceramic Package 多层陶瓷封装
MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit 微波单片集成电路
MOSFET Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管
MPU Microprocessor Unit 微处理器
MQUAD Metal Quad 金属四列引脚
MSI Medium Scale Integration 中规模集成电路
OLB Outer Lead Bonding 外引脚焊接
PBGA Plastic BGA 塑封BGA
PC Personal Computer 个人计算机
PFP Plastic Flat Package 塑料扁平封装
PGA Pin Grid Array 针栅阵列
PI Polymide 聚酰亚胺
PIH Plug-In Hole 通孔插装
PTF Plastic Leaded Chip Carrier 塑料有引脚片式载体
PTF Polymer Thick Film 聚合物厚膜
PWB Printed Wiring Board 印刷电路板
PQFP Plastic QFP 塑料QFP
QFJ Quad Flat J-leaded Package 四边J形引脚扁平封装QFP Quad Flat Package 四边引脚扁平封装
QIP Quad In-Line Package 四列直插式封装
RAM Random Access Memory 随机存取存贮器
SBB Stud-Bump Bonding 钉头凸点焊接
SBC Solder-Ball Connection 焊球连接
SCIM Single Chip Integrated Module 单芯片集成模块
SCM Single Chip Module 单芯片组件
SLIM Single Level Integrated Module 单级集成模块
SDIP Shrinkage Dual Inline Package 窄节距双列直插式封装
SEM Sweep Electron Microscope 电子扫描显微镜
SIP Single In-Line Package 单列直插式封装
SIP System In a Package 系统级封装
SMC Surface Mount Component 表面安装元件
SMD Surface Mount Device 表面安装器件
SMP Surface Mount Package 表面安装封装
SMT Surface Mount Technology 表面安装技术
SOC System On Chip 系统级芯片
SOIC Small Outline Integrated Circuit 小外形封装集成电路SOJ Small Outline J-Lead Package 小外形J形引脚封装
SOP Small Outline Package 小外形封装
SOP System On a Package 系统级封装 a
TAB Tape Automated Bonding 载带自动焊
TBGA Tape BGA 载带BGA
TCM Thermal Conduction Module 热导组件
TCP Tape Carrier Package 带式载体封装
THT Through-Hole Technology 通孔安装技术
TO Transistor Outline 晶体管外壳
TPQFP Thin Plastic QFP 薄形塑料QFP
TQFP Tape QFP 载带QFP
TSOP Thin SOP 薄形SOP
TTL Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑
UBM Metalization Under Bump 凸点下金属化
UFPD Ultra Small Pitch Device 超窄节距器件
USOP Ultra SOP 超小SOP
USONF Ultra Small Outline Package Non Fin 无散热片的超小外形封装UV Ultraviolet 紫外光
VHSIC Very High Speed Integrated Circuit 超高速集成电路
VLSI Very Large Scale Integrated Circuit 超大规模集成电路
WB Wire Bonding 引线健合
WLP Wafer Level Package 圆片级封装
WSI Wafer Scale Integration 圆片级规模集
PO. 下单
quotation 报价
WIP report 进度跟踪报表
阿里系各个概念英文缩写名词解释大全
阿里系各个概念英文缩写名词解释大全！！！ GMV成交笔数：拍下的订单笔数，包括未付款的。 GMV成交金额：拍下的订单总金额，包括未付款的。支付宝成交笔数：通过支付宝付款的订单笔数。 支付宝成交金额：通过支付宝付款的订单总金额（不是指确认收货完成了交易，仅指买家完成了付款的动作，因此可能会因为退款，这个数值比商家实际收到的款项高）。支付宝使用率：支付宝成交金额/GMV成交金额（珠宝66%，饰品82%） 支付宝使用率的辅助参数：支付宝笔数/GMV笔数（当支付宝使用率很低时，可用此参数看是否正常(80%以上)。因为采用限时折扣相关促销工具时，支付宝收到的款项是折扣价，销售记录中显示的是原价，会导致二者比率过低。）IPV：itemPageView，商品详情页面打开数。 IPV_UV：商品详情页面访客数。在线商品数：在线的商品数量（SKU）。
购买UV：通过支付宝付款的访客数。 店铺UV：到达店铺任何页面的独立访客数。 店铺PV：PageView，店铺所有页面的总打开数。 佣金：根据扣点百分比，和当日商家支付宝实际收到的金额实时划扣的佣金金额（确认收货后，卖家支付宝账户实际收到的款项为准）转化率1： IPV_UV/ 店铺UV（到达店铺的访客，有多少进入了商品详情页面。） 体现店铺首页、自定义页、分类页是否具备足够的导购能力。转化率2： 购买UV/ IPV_UV（到达商品详情页面的独立访客，有多少付款购买。）体现店铺单品页面图片、描述等是否能刺激购买。 店铺转化率：购买UV/店铺UV（转化率1*转化率2：到达店铺任意页面的访客，有多少付款购买。目前珠宝平均1.39%；饰品平均3.18%。）客单价：
半导体名词解释
1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义 答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module) 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
机械行业专业名词缩写对照
缩写词拼写中文分类/关联度 AAR Audit Action Request审核措施要求质量 AD Advanced Development前期开发项目 ADD Average Daily Demand平均日需求物流 AE Automotive Experience汽车业务单元定义 AHTO Accelerated Humidity Test Operating加速适度测试Varitorinx APQP Advanced Product Quality Planning产品前期质量策划QS五大核心工具 AQE Advanced Quality Ensure前期质量保证质量 ASL Approved Supplier List合格供应商清单采购 AT Accumulation Time (delivery frequency)发货交付频率物流 BCU Body control units车身控制单元 BMG/产品工程性能检验认可大众汽车集团通用缩略语 BMP Bitmap位图文件的扩展名图片文件扩展名 BOM Bill of Material物料清单物流 BOS Business Operating System业务运作体系江森自控汽车系统集团综合管理体系BSf Buffer Stock for Forecast to Actual variation物料现况预测调节物流 BSp Buffer Stock for part level Usage Variation to ADD物料安全库存调节物流 BU Business Unit业务单位/业务单元定义 CA Change Authorization更改授权工程 CBS Continental Business System大陆业务系统大陆管理体系 CC Critical Characteristic关键特性工程 CI Commercial Invoice CEP Corporate Entry Program项目 CmK Machine capability index CN Change Notification更改通知工程 CP Control Plan控制计划工程 Cpk Process capability index过程能力指数质量 CR Change Request更改申请工程 CSC-team/大众采购审查团队-VW大众汽车集团通用缩略语 CW Clockwise顺时针方向 CCW Counter clockwise逆时针方向 CQR Continental Quality Requirements大陆质量需求质量 CV&AM Commercial vehicle & after market商务车售后部门 DCC Document Control Center文控中心质量 DCC Display Competence Centre部门 DFM Design for Manufacturing制造性设计工程 DMR发货错误索赔登记表采购 DOE Design of Experiment试验设计工程 DV Design Verification设计确认/设计验证工程
计算机所有专业术语和英文缩略语并解释完整
计算机所有专业术语和英文缩略语并解释完整 悬赏分：10 - 解决时间：2006-6-5 17:34 请大家指点详细一点啊！！！ 提问者：Newall - 童生一级 最佳答案 英文术语完全介绍 1、CPU 3DNow!（3D no waiting） ALU（Arithmetic Logic Unit，算术逻辑单元） AGU（Address Generation Units，地址产成单元） BGA（Ball Grid Array，球状矩阵排列） BHT（branch prediction table，分支预测表） BPU（Branch Processing Unit，分支处理单元） Brach Pediction（分支预测） CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）CISC（Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机） CLK（Clock Cycle，时钟周期） COB（Cache on board，板上集成缓存） COD（Cache on Die，芯片内集成缓存） CPGA（Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格阵列） CPU（Center Processing Unit，中央处理器） Data Forwarding（数据前送） Decode（指令解码） DIB（Dual Independent Bus，双独立总线） EC（Embedded Controller，嵌入式控制器） Embedded Chips（嵌入式处理器） EPIC（explicitly parallel instruction code，并行指令代码） FADD（Floationg Point Addition，浮点加） FCPGA（Flip Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格阵列） FDIV（Floationg Point Divide，浮点除） FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速进入/退出多媒体状态） FFT（fast Fourier transform，快速热欧姆转换） FID（FID：Frequency identify，频率鉴别号码） FIFO（First Input First Output，先入先出队列） flip-chip（芯片反转） FLOP（Floating Point Operations Per Second，浮点操作/秒） FMUL（Floationg Point Multiplication，浮点乘） FPU（Float Point Unit，浮点运算单元） FSUB（Floationg Point Subtraction，浮点减） HL-PBGA（表面黏著，高耐热、轻薄型塑胶球状矩阵封装） IA（Intel Architecture，英特尔架构） ICU（Instruction Control Unit，指令控制单元） ID（identify，鉴别号码） IDF（Intel Developer Forum，英特尔开发者论坛）
半导体行业的英文单词和术语
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
半导体物理名词解释
半导体物理名词解释
1.单电子近似：假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 2.电子的共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。 3.允带、禁带： N个原子相互靠近组成晶体，每个电子都要受到周围原子势场作用，结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级，N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带。允带之间没有能级称为禁带。 4.准自由电子：内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂得很厉害，能带很宽。 6.导带、价带：对于被电子部分占满的能带，在外电场的作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。下面是已被价电子占满的满带，也称价带。 8.（本证激发）本征半导体导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。 9.回旋共振实验意义：这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时，就可以发生共振吸收，Wc=qB/有效质量 10.波粒二象性，动量，能量 P=m0v E=1 2P2 m0 P=hk 1.间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
半导体名词解释
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->
0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
半导体工艺英语名词解释
半导体工艺英语名词解释 CMP CMP 是哪三个英文单词的缩写 答：Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨) CMP是哪家公司发明的 答：CMP是IBM在八十年代发明的。 简述CMP的工作原理 答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，用化学研磨液(slurry)来研磨的。为什幺要实现芯片的平坦化 答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。 CMP在什幺线宽下使用 答：CMP在微米以下的制程要用到。 什幺是研磨速率（removal rate） 答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。 研磨液(slurry)的组成是什幺 答：研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。 为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove) 答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。 为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning) 答：研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。 什幺是blanket wafer 什幺是pattern wafer 答：blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。
临床试验与实验室中常见的中英文名词与缩写
中国创新药咨询与服务先锋CRO 临床试验以及实验室中常见的英文缩写
药物临床试验英文缩写 缩略语英文全称中文全称 ADE Adverse Drug Event 药物不良事件 ADR Adverse Drug Reaction 药物不良反应 AE Adverse Event 不良事件 AI Assistant Investigator 助理研究者 BMI Body Mass Index 体质指数 CI Co-investigator 合作研究者 COI Coordinating Investigator 协调研究者 CRC Clinical Research Coordinator 临床研究协调者 CRF Case Report Form 病历报告表 CRO Contract Research Organization 合同研究组织 CSA Clinical Study Application 临床研究申请 CTA Clinical Trial Application 临床试验申请 CTX Clinical Trial Exemption 临床试验免责 CTP Clinical Trial Protocol 临床试验方案 CTR Clinical Trial Report 临床试验报告 DSMB Data Safety and monitoring Board 数据安全及监控委员会 EDC Electronic Data Capture 电子数据采集系统 EDP Electronic Data Processing 电子数据处理系统 FDA Food and Drug Administration 美国食品与药品管理局 FR Final Report 总结报告 GCP Good Clinical Practice 药物临床试验质量管理规范GCP Good Laboratory Practice 药物非临床试验质量管理规范GMP Good Manufacturing Practice 药品生产质量管理规范 IB Investigator’s Brochure 研究者手册 IC Informed Consent 知情同意 ICF Informed Consent Form 知情同意书 ICH International Conference on Harmonization 国际协调会议 IDM Independent Data Monitoring 独立数据监察 IDMC Independent Data Monitoring Committee 独立数据监察委员会 IEC Independent Ethics Committee 独立伦理委员会 IND Investigational New Drug 新药临床研究 IRB Institutional Review Board 机构审查委员会 IVD In Vitro Diagnostic 体外诊断 IVRS Interactive Voice Response System 互动语音应答系统 MA Marketing A pproval/Authorization 上市许可证 MCA Medicines Control Agency 英国药品监督局 MHW Ministry of Health and Welfare 日本卫生福利部 NDA New Drug Application 新药申请 NEC New Drug Entity 新化学实体 NIH National Institutes of Health 国家卫生研究所（美国）
宏观经济学所有的专业词汇英文缩写及其翻译
宏观经济学所有的专业词汇英文缩写及其翻译accounting 会计 accounting cost 会计成本 accounting profit 会计利润 adverse selection 逆向选择 allocation 配置 allocation of resources 资源配置 allocative efficiency 配置效率 antitrust legislation 反托拉斯法 arc elasticity 弧弹性 Arrow's impossibility theorem 阿罗不可能定理Assumption 假设 asymetric information 非对称性信息 average 平均 average cost 平均成本 average cost pricing 平均成本定价法 average fixed cost 平均固定成本 average product of capital 资本平均产量average product of labour 劳动平均产量average revenue 平均收益 average total cost 平均总成本 average variable cost 平均可变成本
B barriers to entry 进入壁垒 base year 基年 bilateral monopoly 双边垄断 benefit 收益 black market 黑市 bliss point 极乐点 boundary point 边界点 break even point 收支相抵点 budget 预算 budget constraint 预算约束 budget line 预算线 budget set 预算集 C capital 资本 capital stock 资本存量 capital output ratio 资本产出比率 capitalism 资本主义 cardinal utility theory 基数效用论 cartel 卡特尔 ceteris puribus assumption “其他条件不变”的假设
半导体名词解释
1)Acetone 丙酮 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3 性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体 用途：在FAB内的用途，主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭 毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意 识不明等。 允许浓度：1000ppm 2)Active Area 主动区域 MOS核心区域，即源，汲，闸极区域 3)AEI蚀刻后检查 （1）AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 （2）AEI的目的有四： 提高产品良率，避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大，节省成本 （3）通常AEI检查出来的不良品，非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低的缺点。4）Al-Cu-Si 铝硅铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为T arget，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加 0.5%铜降低金属电荷迁移 5）Alkaline Ions 碱金属雕子 如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引起移动电荷，影响器件稳定性。其主要来源是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。
6）Alloy 合金 半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须加强Al与SiO2间interface的紧密度，故进行Alloy步骤，以450℃作用30min，增加Al与Si的紧密程度，防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值，使R C的值尽量减少。 7）Aluminum 铝 一种金属元素，质地坚韧而轻，有延展性，容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引起spike及Electromigration，故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8）Anneal 回火 又称退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 a)激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载 流子，起到杂质的作用。 b)消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁 区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置，致使晶体的特性改变）。 而这种损毁区，经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、 时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能 c)氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷，降低SiO2的晶格结构 退火方式： ?炉退火 ?快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 9）Angstrom 埃(?) 是一个长度单位，1?=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之
半导体名词解释
ACTIVE AREA主动区(工作区) 主动晶体管(ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以Active AREA 会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM 之场区氧化而言大概会有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5UM Acetone丙酮 1.丙碗是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH3 2.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体 3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭 4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。 5﹒允许浓度:1000ppm ADI显影后检查 After Developing Inspection之缩写 目的：检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。 方法：利用目检、显微镜为之。 AEI蚀刻后检查 1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 2. AEI之目的有四： 2-1提高产品良率，避免不良品外流。 2-2达到品质的一致性和制程之重复性。 2-3显示制程能力之指针。 2-4防止异常扩大，节省成本 3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。Air Shower空气洗尘室 进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 Alignment对准 目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。
物流名词的缩写全称中英文对照
物流名词的缩写全称中英文对照 3G 3rd Generation Networks 第三代网络 3PL 3rd Party Logistics 第三方物流 4PL 4th Party Logistics 第四方物流 5-S Seiri, Seiton, Seiso, Seiketsu, Shitsuke 常组织、常整顿、常规范、常自律 A AMPS Administrative Monetary Penalty System 行政罚款制度 API Application Programming Interface 程序设定接口 ARENA Asia North America Eastbound Rate Agreement 亚洲北美东向运输协会 ASME American Society of Mechanical Engineers 机械工程师美洲协 ASP Active Sever Page 动态伺服端网页 AS/RS Automated Storage and Retrieval System 自动化存储和修复系统操作 AWB Air Waybill 空运提单 B B2B Business to Business 企业与企业之间的交易 B2C Business to Customer 企业与客户之间的交易 BAF Bunker Adjustment Factor 燃油附加费 B/B Break Bulk 散件杂货 BCC Blind Carbon Copy 密件抄送 BCO Beneficial Cargo Owner 货物拥有者权益 BIMCO The Baltic and International Maritime Council 波罗的海国际海运公会 B/L Bill of Lading 海运提单 BPO Business Process Outsourcing 企业外判程序 BSP British Standard Pipe Tread 英国标准的管子踩踏 C CAF Currency Adjustment Factor 币值附加费 CBM Cubic Metre 立方米 C&F Cost and Freight 成本和运费 CC Carbon Copy 抄送 CDMA Code Division Multiple Address 分发(部门)若干地址编码CEPA Closer Economic Partnership Arrangement 更紧密经贸关系的安排 CFM Cubic Feet per Minute 每分钟的立方尺 CFR Cost and Freight 成本和运费 CFS Container Freight Station 集装箱货物集散站 CGI Common Gateway Interface CGI 界面 CIF Cost, Insurance and Freight 成本和运费兼付保险费 CILT The Chartered Institute of Logistics and Transport 英国特许物流运输学会 CIM The Chartered Institute of Marketing 英国特许市务学会 CIS Commonwealth of Independent States 独立国家联合体 CLM The Council of Logistics Management 物流管理学会 CIP Carriage and Insurance Paid To 兼付指定运费及保险费 CLP Container Load Plan 集装箱/装载计划表 CNOOC China National Offshore Oil Corp. 中国海洋石油总公司 C/O Certificate of Origin 产地来源证 C.O.C. Carrier's Own Container 船东提供集装箱 C.D. Cash On Delivery 交货付现 COFC Container-on-flatcar 集装箱输送 COSCO China Ocean Shipping Company 中国远洋运输公司COSL China Oilfield Services Limited 中海油田服务股份有限公司CPFR Collaborative Planning Forecasting and Replenishment 预报和补充合作计划 CPT Carriage Paid To 兼付指定运费 CRM Customer Relationship Management 客户关系管理
计算机网络名词 英文缩写解释大全
计算机网络名词 英文缩写解释大全 计算机网络名词 英文缩写解释大全 AAL ATM适配层ATM Adaptation Layer ABR 可用比特率Available Bit Rate ACR 衰减串扰比 ADPCM 自适应差分PCM ADSL 非对称数字环路Asymmetric Digital Subscriber Line AMI ATM Management Interface AMPS 先进型移动电话系统Advanced Mobile Phone System ANS 高级网络与服务Advanced Networks and Services ANSI 美国国家标准协会American National Standard Institute APON 无源光纤网络 ARP 地址解析协议Address Resolution Protocol ARQ 自动重发请求Automatic Repeat Request AS 自制系统Autonomous System ASIC Application Specific Integrated Circuit(Chip)
ASN.1 Abstract Syntax Notation One ATD 异步时分复用Asynchronous Time Division ATM 异步传输模式Asynchronous Transfer Mode BBS 电子公告板Bulletin Board System BER 误比特率bit error rate BGP 边界网关协议Border Gateway Protocol BICMOS 双极型CMOS BIP-8 Bit Interleaved Parity-8 B-ISDN 宽带综合业务数字网Broadband Integrated Services Digital Network BMI Bus-Memory Interface BOOTP 引导协议BOOTstrapping Protocol BRI 单一ISDN基本速率 BUS 广播和未知服务器Broadcast/Unknown Server CAC 连接接纳控制Connection Admission Control CATV 公用天线电视 CBDS 无连接宽带数据服务 CBR 连续比特率Continuous Bit Rate CCITT 国际电话电报咨询委员会 CD Carrier Detect
专用名词英文缩写
全国人民代表大会 National People's Congress (NPC) 主席团 Presidium 常务委员会 Standing Committee 办公厅General Office 秘书处Secretariat 代表资格审查委员会Credentials Committee 提案审查委员会Motions Examination Committee 民族委员会Ethnic Affairs Committee 法律委员会Law Committee 财政经济委员会Finance and Economy Committee 外事委员会Foreign Affairs Committee 教育、科学、文化和卫生委员会Education, Science, Culture and Public Health Committee 内务司法委员会Committee for Internal and Judicial Affairs 华侨委员会Overseas Chinese Affairs Committee 法制工作委员会Commission of Legislative Affairs 特定问题调查委员会Commission of Inquiry into Specific Questions 宪法修改委员会Committee for Revision of the Constitution 2、中华人民共和国主席 President of the People's Republic of China 3、中央军事委员会 Central Military Commission 4、最高人民法院 Supreme People's Court 5、最高人民检察院 Supreme People's Procuratorate 6、国务院State Council
专业术语常用名词缩写中英文对照表
专业术语常用名词缩写中英文对照表 来源：河北电视台网站时间：2007年8月27日点击：13 专业术语常用名词缩写中英文对照(A-L) A:Actuator 执行器 A:Amplifier 放大器 A:Attendance员工考勤 A:Attenuation衰减 AA:Antenna amplifier 开线放大器 AA:Architectural Acoustics建筑声学 AC:Analogue Controller 模拟控制器 ACD:Automatic Call Distribution 自动分配话务 ACS:Access Control System出入控制系统 AD:Addressable Detector地址探测器 ADM:Add/Drop Multiplexer分插复用器 ADPCM:Adaptive Differential ulse Code Modulation 自适应差分脉冲编码调制AF:Acoustic Feedback 声反馈 AFR:Amplitude /Frequency Response 幅频响应 AGC:Automati Gain Control自动增益控制 AHU:Air Handling Unit 空气处理机组 A-I:Auto-iris自动光圈 AIS:Alarm Indication Signal 告警指示信号 AITS:Acknowledged Information Transfer Service确认操作 ALC:Automati Level Control 自动平衡控制 ALS:Alarm Seconds 告警秒 ALU:Analogue Lines Unit 模拟用户线单元 AM:Administration Module管理模块 AN:Access Network 接入网 ANSI:American National Standards Institute美国国家标准学会 APS:Automatic Protection Switching 自动保护倒换 ASC:Automati Slope Control 自动斜率控制 ATH:Analogue Trunk Unit 模拟中继单元 ATM：Asynchrous Transfer Mode 异步传送方式 AU- PPJE:AU Pointer Positive Justification 管理单元正指针调整 AU:Administration Unit 管理单元 AU-AIS:Administrative Unit Alarm Indication SignalAU告警指示信号AUG:Administration Unit Group 管理单元组 AU-LOP:Loss of Administrative Unit Pointer AU指针丢失 AU-NPJE:AU Pointer Negative Justification管理单元负指针调整 AUP:Administration Unit Pointer管理单元指针 AVCD:Auchio &Video Control Device 音像控制装置 AWG:American Wire Gauge美国线缆规格 BA:Bridge Amplifier桥接放大器