半导体思考题答案.doc

直拉法生长硅单晶过程包括哪些工序？每个工序的作用是什么？

1.拉晶前的准备工作

（1）清洁处理：多晶原料、掺杂用的中间合金，石英圳，籽晶等。目的是除去表面附着物和氧化物，得到淸洁表而。（2）装料：在高纯环境下装炉。a.多晶原料b.籽晶: 通常在拉制硅单品时，所用的籽品大都采用柑同材料、完:整性好的硅单品制成。作用：在熔体中引入一个晶核。c.±ft璃（3）原料熔化：多晶硅熔化通常是在真空或制气中进行。真空熔化经常出现的问题是“塔桥”和'‘硅跳”。

2.硅单晶的拉制工艺过程

直拉硅单晶过程中有如下几个工序：熔接籽晶、引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾（1）熔接籽晶：包括烤晶和熔接。烤晶可以除去衣面挥发性杂质，同时可减少热冲击。熔接使籽晶与熔体完全接好，为晶体的生长做准备。（2）引晶和缩颈。引晶为结晶的开始, 收颈的主要作用在于排除接触不良引起的多品和尽量消除籽品内原有位错的延伸。（3）放肩目的是让晶体逐淅长大到所需直径。（4）等径生长等径生长的晶体就是生产上的成晶。

（5）收尾使晶体直径逐渐变小，单晶生长结束。

二、悬浮区熔法生长硅单晶过程包括哪些工序？每个工序的作用是什么？

a.准备工作①硅棒②籽晶③ 加热线圈④装炉操作⑤真空操作

b.开炉① 预热多晶硅在开始预热时的电阻率很高，高频线圈功率耦合不上，所以需进行预热。② 产生起始熔区形成半圆球形熔区，为熔接做准备。③熔接熔区与籽品接触，为品体的生长做准备。④缩颈主要作用在于排除接触不良引起的多品和尽量消除籽品内原有位错的延伸。⑤放肩使硅棒长到所需要的尺寸。⑥等径生长。等径生长的晶体就是生产上的成殆。

三、试比较直拉法和悬浮区熔法生长硅单晶这两种方法各自的优缺点。

直拉法设备和工艺比较简单，容易实现自动控制；生产效率高，易于制备大直径单晶;

容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶。但用此法制单晶时，原料易被堆圳污染，硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率大于50欧姆?厘米，质量很难控制。

区熔法不使用堆堰，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高，含氧量和含碳最低。

高阻硅单晶一般用此法生长。目前区熔单晶应用范围较窄，不及ff?拉工艺成熟，单晶中吐结构缺陷没有解决。

四、根据导电类型和电阻率的要求选择掺杂元素时，应依据哪五条原则?

以掺杂过程方便为准，乂能获得良好的电学性能和$好的晶体完一整性为前提。制备N 型硅虹晶，必须选择V族元素（如P、As、Sb、Bi）；制备P型硅单晶，必须选择111族元素

（如B、Al、Ga、ln）o杂质元索在硅晶体中含量的多少决定了硅单晶的电阻率。电阻率不仅与杂质浓度有关，而且与载流子的迁移率有关。当杂质浓度较大时，杂质对载流子的散射作用，可使载流子的迁移率大大降低，从而影响材料的导电能力。

五、直拉法生长硅单晶的掺杂方式有哪几种？

按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。（1）元素掺杂:即直接将纯杂质元素加入硅中。这种方式适于制备电阻率10-2?10-3 （Qcm）的重掺杂硅单晶。（2）母合金掺杂：是将掺杂元素与硅先作成母合金（例如，硅纟弟合金，硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应加入母合金量。这种方法适于制备电阻率为10 —10-2 （Qcm）的硅虹晶。（3）中子辐照掺杂（NTD）:按上述两种掺杂方式掺杂，山于杂质分凝、蒸发、温度分布等因素的影响使得杂质均匀性很难作好，尤其是高阻材料更困难。近年来发展了一种中子姻变掺朵技术。可大大提高硅单晶电阻率的均匀性。

六、平衡分凝系数、界面分凝系数、有效分凝系数，三者有何不同？

平衡分凝系数K0：平衡状态下，晶体与熔体中杂质浓度Z比。

?

0.0102（加g）

界而分凝系数K*：晶体生长过程中，固液界而两侧的溶质浓度之比.

有效分凝系数Ke：在固液界而移动的情况下，固液两相中溶质的分配情况，固体与液休非界面处的溶质浓度之比。

七、有效分凝系数与那些工艺条件有关？

K E C

L（B）K _ “ill 「JT+d — Kjexp（一学）死=160〃仏2

熔体的休积。溶质边界层厚度。晶体转动角速度。熔休的流动愈猛烈，6c愈薄

八、影响直拉法生长硅单晶纵向电阻率均匀性的主要因素是什么？为什么可以通过改变拉速来改善纵向电阻率的均匀性？

止常凝固使品体电阻率分布山大到小，其原因主要是山于拉品过程中览圳里的熔体不断减少，同时山于

杂质分凝作用，也会造成熔体内杂质浓度CL的不断增加，从而造成品体中

杂质分布不均匀。

二心只要设法使塩堪中熔体的杂质浓度CL和有效分凝系数

K°+（l-K。）严D

Ke的乘积不变Cs =Ke C L（B） 6C= 1.6 山上述三个表示式看出，有效分凝系数Ke 与晶体生长速率（拉速）f有关。当拉速逐渐变慢时（满足f§c/D?l时，Ke接近KO）, Ke 也逐渐变小；同时CL （B）"CL又逐渐变大，所以总能通过改变拉速使Ke和CL⑻的乘积不变, 从而保证了纵向电阻率的均匀性。

九、用区熔原料硅（即纯硅）每拉出硅单晶锭100 g ,且要求g = l/2处（晶锭中

部）的p = gQn，问要掺杂质硼多少毫克？q"?6xl02（醴）,d=2.33 （g/cm3）W 10.811 K=0.85 （已知：=5OOC/n2/V5,/V o=6.02X I023（/H^/）_,）

如果我们需要拉制M克的硅单晶，则需要加入的杂质量m （克）为

M_A___________ 1 ______

m~ ° 兀_ qppKQ-gfi）万兀式中d为硅的密度。N0为阿弗加徳罗常数，A为杂质元素的原子量，A/N0为每个杂质原子的质量。

1 M A

m ----------------------------

qppKQ-小“I〃No

1.6xIO-19 x|x500x0.85xO.5_OJ5

100 10.811

233 X 6.03 xlO23

十、硅单晶中位错的存在对材料有什么影响？简单举例说明。

（1）位错对载流子迁移率的影响：对于金刚石结构类型的硅单晶，如果存在棱位鉛,

在位铅线附近剩下有一个“悬挂键”，往往成为受主能级。有人曾经将N型错单晶弯曲, 发现N型诸变为P型错°因此，棱位错对N型半导体的影响，较P型严重。N型半导体中，位错线将俘获电子而带负电。这样对载流子的散射加强，使迁移率降低。在通常的情况下，螺位错不带有不成对的键，因此在晶体的电学特性方面它们影响是不重要的。

（2）位错对非平衡少子寿命T的影响①在位错密度低于103 cm-2时，T随。s增加而升高，②当os在103 - 104 cm-2时，T有最长的寿命值；③当o s >104 cm-2时，T随os 的增加而降低。

十一、在实际工艺中如何来控制和减少位错及重金属杂质沾污？

⑴位错的控制：

a.籽晶的选择籽晶的质量选择：要求尽可能地选择位错特别少的单晶作籽晶。籽晶

形状的选择：为了减少晶休内位错总数，常曲使籽晶端点截面小一些。籽晶的衣面处理：表面的损伤或沾污也是常见的产生位错的原因，因此在使用籽品前必须进行很好的腐蚀和严格地清洁处理。籽晶晶轴方向的选择：在选取籽晶晶轴方向吋，应使生长轴与｛111｝簇面中最小夹角尽可能的大，以使位钮线

尽可能地延伸到表面。b.拉晶工艺过程的控制c.位错均匀性的控制

（2）垂金属杂质沾污的控制

%1降低硅单?晶的重金属杂质含量②建立超净条件，使用超纯试剂和气休③杂质“吸除” 技术a.氧化物玻璃吸除b.位错“吸除” c.背面淀积Si3N4的吸除d.背面离子注入损伤的

吸除作用

十二、何为漩涡缺陷？分别用空位团模型和硅自间隙原子模型解释其成因。

山于这些坑集合在硅片上形成旋涡状图形,故称英为“旋涡缺陷”。

空位团模型：在晶体生长过程屮，形成碳的花纹分布，碳在硅中处于代替位置。山于它的原子半径小，引起晶格收缩畸变，促使氧向此晶格畸变区域聚集，而空位又极易与冬种杂质元索结合。硅门间隙原子模型：液滴的周围存在着斥缩应力，液滴的存在，使硅晶体在接近熔点温度下的平衡硅自间隙原子经扩散进入液滴中，使其中硅原子数比同休积硅晶休中的硅原子数高出9% -10%。随着晶休片的再凝固，液滴多出一部分硅原子。这些硅原子就以自间隙的形式凝聚成非本征的小平面而插入在晶休之间，其周围便形成止的Frank位错坏, 此即为“微缺陷”。

十三、微缺陷的存在对硅材料性能有哪些影响？在实际工艺中如何控制和消除微缺陷？

微缺陷对材料和器件性能的影响可归纳成两方面：一方面它在外延、氧化等工艺过程中会转化为层错。另一方面是微缺陷（或已转化成氧化层错）有吸引其他杂质的作用，尤其是吸引重金属杂质而成为电活性中心，使少子寿命降低，同时使载流子迁移率降低。

微缺陷的控制及清除措施：（1）使原生硅单品中没有微缺陷，包括减少氧和碳的含量, 以减少凝集成团的核化中心，可以减少微缺陷。（2）控制晶体生长时的冷却速率（或控制拉速）（3）采用吸除技术消除微缺陷：外吸除法和内吸除法。

十四、试述氧、碳对Cz-Si都有哪些影响?

山于氧対Si材料电阻率、寿命等电学性质的稳定性有很大影响，而II它有助于微缺陷、氧化层错、外延层错筹的形成，所以氧含量被列为Si虹晶的重要质量指标之一。氧在硅中处于晶格间隙位置，热处理时形成的Si-0键合态及相应的电阻率的变化，在晶体冷却到室温时都会保留下來，于是热施主的出现引起材料电阻率发生变化，使得按原來电阻率设计要求的器件电参数不能达到预定值。氧的存在还会严重影响少子寿命，氧极易与重金属杂质结合，造成Si中少子寿命虚假地增大，测出的是假寿命，较高温度下的热处理吋氧与重金属杂质的结合解体，寿命会很快降低。但硅中适当的SiO2沉淀物，如果处在体内远离有源区的地方，则与所诱生的缺陷一起将起到本征吸除（内吸除）的作用，对提高器件性能是有利的，并能提高器件抗辐射的能力。并且溶解［Oi］与位错间的“钉扎效应“，使得对位错的滑移有抑制作用。

碳在硅中的影响可归纳为，SiC沉淀物的析出将影响器件漏电流和耐压，尤其是大功率器件。碳对

旋涡缺陷起着成核稳定的作用，而旋涡缺陷对于Si器件的影响十分明显。

十五、何为生长层条纹？硅单晶生长过程中杂质条纹是如何形成的？

晶体性能沿生长方向出现周期性的或间歇性的（即非周期性的）变化，晶体的性能起伏可归因于固溶体（晶体）中杂质浓度的起伏造成的，故又称为“杂质条纹”。

生长条纹的形成：如单晶炉机械传动装置的机械蠕动和振动，使提拉式熔区移动速率产生无规则起伏；山于晶休转轴和温度场对称轴不同轴，使生长速率发生起伏；山于加热器功率或热量损耗的瞬间变化引起生长速率的变化；山于熔体液流状态非稳流动，如熔体中存在着涡流，却可归结为对品体生长速

率产生影响，从而造成了品体中杂质浓度的起伏。

一、试比较皿一V族化合物半导体与Si半导体在晶体结构和物理性能方面

有什么异同点。

晶体结构：III-v族化合物的晶体结构在许多方面与IV族半导休所具有的相似，除少数几种III-V族化合物（如BN, AIN, GaN, InN）的晶格为“纤维锌矿”结构外，大多数III-V

族化合物（包括AIP, AlAs, GaP, GaAs、GaSb, InP, InAs, InSb）的晶格都是“闪锌矿型” 结构。闪锌矿结构与金刚石结构不同的地方是：金刚石结构中全部山一种原子组成，而闪锌矿结构则山二种原子组

成，每一个原子的近邻是四个异类原子。

物理性能：差别的來源在于构成原子的负电性。它使亲和力具有离子成分。特别是离子成分的引

入，使得II1?V族的总能量高于相対应的IV族元索的总能量。它们的结合是较强的。

因而熔点较高。同样相对应的禁带宽度也较大，I何且比起熔点来增大的更快。某些III-V族化合物具有IV族元素半导休Ge、Si所没有的或不及的优良性质。衣现在：①迁移率高。② ③能带结构是直接跃迁型。

二、何谓ni-v族化合物半导体的“极性” ？它对晶体解理性和对晶体生长的影响是怎样的？

已知两种原子的负电性之差愈大，离子键占比例愈大，极化亦愈大。山于极化现象，电子云有向B 处移动的趋向。这又导致在B处出现负有效电荷，A处出现止有效电荷。混合键的两种效应迭加的结果，一般在A和B处将出现止负有效电荷。上述这种除共价键以外, 还有附加的离子键的特点，被称为III-V族化合物的“极性”。

极性对解理性的影响：闪锌矿结构与金刚石结构中晶体解理而是不同的。Ge、Si元素半导体｛111｝面是最密排面而口有垠大而间距，面与面间结合力较弱，因而比较容易沿这些晶面裂开。然

而，对闪锌矿结构的III-V族化合物晶体，虽然｛111?间距大于｛110｝ffi间距，但晶体沿着（110）而最容易发生解理，这是因为闪锌矿结构除共价键外还有离子键成分。

极性対晶体生长方而的影响：III族原子在其止三价态时不是四而体价键分布的，所以第二步会引起价键分布的变化，亦即会产生原子排列的畸变。格托斯等人认为价键的重新排列郴应于品体有向其它方向生长的趋向（即晶体完:整性不好）。这就是为什么沿A方向生长时常常得到挛晶或多晶的原因。

三、ni—v族化合物半导体与si半导体比较有哪些优良性质?

①迁移率高。可作高频，高速器件。

%1禁带宽度大。可用作高温，大功率器件。

%1能带结构是直接跃迁型。因此转换成光的效率高，可作半导体激光器和发光二极管等。

四、皿一v族化合物相图在液相时有什么共同特点？

III族和V族元素在液相时可以在任何纽分下无限溶成为均匀的液态溶液，它们在【II族

与V族原子比为1:1处生成一?个固液同纽成的化合物，口该化合物在冷却过程中纽份不变。

因此，要制备这些化合物的品体时，可先制备纽.分为1:1的液态溶液，然后再结品（即所谓直接按化学计量比的合成法制取III-V族化台物晶体材料）。

五、何谓化合物的离解压？简述合成GaAs的基本原理？

对于纯元素来说，每一温度下都对?应着一个饱和蒸汽压值，对于化合物来说，每一-温度下也同样

对应看一个饱和蒸气压值。我们把溶点处对应的固-液平衡时化合物的饱和蒸气压称为化合物的离解压。

原理:GaAs英熔点是1238°C,砂很易挥发，而且在高温下有很高的蒸气压，在不到800V 时即己超过10个大气压了，如把Ga和As放在一-起加热，那么在未充分化合Z前就可能使反应器（如石英管）炸掉。如果用高压合成的GaAs材术斗，在熔化拉晶吋，山GaAs的P-T图6-22可知,在熔点

（1238°C）处GaAs固液相平衡时的碑气压为0.936大气压（即GaAs的离解压）。因此，只有始终维持或大于这个碑压的条件下，才能长出GaAs晶体。也就是说, 在熔点1238°C处，存在着和固-液二相平衡的大小为0.936个大气压的碑蒸气。

这种平衡情况可以认为是在GaAs熔点处有不少的GaAs分子分解为砂原子和铢原子，同时又有和等数量的砌原子和铢原子和化合而成GaAs分子，即达到动态平衡。其化学反应式可表示为：As + Ga = GaAs （可逆）如果设法将上述的As减少，警如把容器中的仙蒸气抽走（即砂蒸气压小于0.936个大气压），则GaAs将不断分解产生砂蒸气，于是反应式自右向左进行，反之，若设法在GaAs熔点附近继续不断地维持足够的神蒸气，并让神蒸气压保持在0.936大气压，则反应式就不断地从左向右进行，直到全部稼和砂蒸气合成碑化稼为止。

六、两段式加热炉合成GaAs时的温度各是多少？为什么？（列出反应式详细说明）

高温区的温度为T1,保持在GaAs熔点1238°C恒温，或高于熔点20°C左右，低温区的温度T2,选择在使神压为1个大气压（即GaAs的离解压0.936个大气压）的615°C。铢的熔点很低，只有29.8°C，早己熔化为液态，它在GaAs熔点的高温区T1处与山T2提供的约1个大气压的砂蒸气发生反应，即气态砂不断溶入液态稼中同吋发生化学反应，其反应式可写成：（1 —液）+ <5As（汽）oGa-.ASp（液）英中r=x + ^（l-x）

只有当PAs二Px时，体系达到平衡。所以在合成'过疥中应严格控制T2，使PAs= 0.936大气压（约1大气压），才能使系统达平衡状态，此时产生离解压约为1大气压的GaAs熔体—定是1:1的GaAs化合物。从液相化合物Gal-xAsx中纽分碑占的13■分比來看，当xv50%时，山图6-25看出Px

七、解释“化学比”和“偏离化学比”的含义。

化学比：所谓“化学比”是指二元化合物中两纽?元有一定的简单整数比例n

偏离化学比：对于固休，I丄I于存在缺陷，在纽成化合物固体时，可能发生偏离化学比的现象。即称之谓偏离化学比

八、叙述HB法生长GaAs单晶的基本原理。

在前节讲到的GaAs合成Z后，不把温度降低而让高温炉（T1）以一定速度沿水平方向移动，使石英舟中熔融GaAs从--头开始慢慢地凝固。如果在凝固过程屮只有一个晶核不断长大，当凝固全部结束后，就可以得到一个完整的单晶锭。这就是HB法生长GaAs单晶的基本原理。

九、液态密封法生长GaAs单晶中所用的惰性液体应具备哪些条件？

①密度比化合物材料小、熔化后能浮在化合物熔体上面。②透明，便于观察晶体生长情况。③不与化合物及石英划堰反应，而口在化合物及英组分中溶解度小。④易提纯，蒸气压低，易去除。

十、叙述液态密封法合成和拉制GaAs单晶的工艺过程。

在单晶炉内有一石英杯内盛Ga,另一石英瓶（泡）盛As、B2O3预先在900-1000°C下脱水，装入石英堆埸后在1240°C. 10-4 下脱水二小时，同时将Ga、As瓶调到炉上或炉边适当距离烘烤，同时去除氧化膜。除氧后，将温度降到600-700°C将Ga倒入石英堆

圳内，充以1.5个大气压的Ar。合成时将砂泡下端毛细管尖端通过B2O3层插入Ga液中，再逐渐升温至合成温度,使碑瓶内的神压大于单晶炉内的惰性气体的压力,这样碑瓶中的碑蒸气便会通过毛细管进入Ga熔体中与Ga合成为GaAs,合成完毕后，迅速将砂管拔出B2O3 表面。此后，即按硅直拉法顺序（引晶放肩等）拉制成GaAs单晶锭。

十一、GaAs液相外延与汽相外延相比都有哪些优点？

液相外延与汽相外延相比，它的优点是：①生长装置比较简单，②生长速率较快，③晶体纯度较

高，④晶体结构完整性较好；⑤掺杂剂的选择范围大。

十二、试讨论MBE生长GaAs时掺杂剂的选用情况。

作为N型掺杂剂有Si、Ge、Sno它们的粘附系数都接近于1。常使用Sn,它的缺点是在表面有一定程度的分凝。不过Sn比Ge容易获得高的迁移率，Sn也比Si容易处理。但Si 和Ge具有较强的两性特性，既可做施主又可以做受主，这取决于GaAs是在As稳定述是在Ga稳定条件生长的。除Sn之外，Si 也常用来做施主掺杂剂。

作为P型掺杂剂的有Zn和Cd,但它们的粘附系数A小，在MBE生长GaAs时不易掺入。

所以一般采用Ge和Mg, Ge只能在Ga稳定条件下，被强制掺入，因此很难保证表面平滑, Mg掺杂效率很低。为了寻找更好的P型掺杂剂，人们试用离化的Zn,可把粘附系数提高到10-2o Be的粘附系数接近于1,而且掺Be可获得光滑生长农而，因此，目前用Be做P型掺

杂剂的较多。

十三、试比较生长GaAs单晶的三温区HB法比双温区HB法有什么优点?

为什么？（列出反应式详细说明）

该法比二温区多了一个温区，以改变炉温分布，可以抑制Si的沾污。

4Ga（液）+ SiO2固）+ 2Ga2O（气）（3. 23）

3Ga2O（气）+ A?（气）Ga2O s（固）+ 4GaAs （固）（3.26 ）

反应式（3.23 ）引起的沾污受反应式（3.26）消耗Ga2O后而加强，但反应式（3.26 ）与温度有关，温度升高会防止Ga2O的反应，从而可抑制反应式（3.23 ）中Si的产生和溶解。基于以上道理，设计了三温区炉，其温度分布曲线如图6-40所示。控制炉温使TW1250?

1270°C, T2=1050?1220°C, T3=605?620°C。三温区与二温区比较，增加了T2温区，它起

着重要作用，借助T2的中间高温部分（1050—12201）的作用，可防止Ga2O气体通过反应式（3.26 ）发生凝结。这是因为反应式（3.26 ）在低温下向右进行，在高温下不发生反应的缘

故。从而抑制了反应式（3.23）向右的进行，从而减少了Si的产生和沾污。

十四、形成HLV族多元半导体化合物连续固溶体的决定因素是什么？

（1）品体结构方面：两种纽元必须有相同的晶格结构（只不过品格帘数因组元不同有

些变化）。才能形成无限互溶的连续固溶体；形成连续固溶体吋，组元间是代位的。（2）原子半径大小：两种组元的原子半径差别愈小愈能形成连续固溶体，反Z，则较难其至不可能形成。

十五、N型氧化物薄膜半导体的导电机理是什么？

N型氧化物半导体

金屈氧化物（M0）中的金屈掺杂替代原子和氧空位都将提供电子，使材料变成N烈半导体。例如掺Sn的ln2O3薄膜（IT0膜），其掺杂反应可表示为：

InQ、------ In +2-x（Sn4^Sn 4+与In 3+的半径相近，于是Sn 4+很容易置换部

分In 3+o易变价的Sn4+俘获一个电子|伯变成Sn 4+?e ,即Sn 3+ jfu保持电中性。这个电子与Sn4+的联系是弱束缚的，是载流子來源之一。

十六、试阐述阳极氧化法生长纳米管阵列的三个阶段。

整个氧化过程大致可分为3个阶段：在氧化的最初阶段，金属钛在F-溶液中快速溶解, 并产生大最Ti 4+离子，接着Ti 4+离子与介质中的含氧离子快速作用形成致密的TiO2薄膜，即形成了阻挡层。在氧化的笫二阶段，即多孔层的初始形成阶段，TiO2阻挡层受电场作用和F-溶液腐蚀，发生击穿，形成孔核，在孔核逐渐转变为孔的过程中，孔屮的Ti 4+不断露出，乂不断与含氧离子结合生成新的阻挡层。在氧化的第三阶段，即多孔膜层的稳定生长阶段，阻挡层两侧的离子迁移趋于稳定，多孔膜层逐渐生长成纳米管。

十七、说明移动加热法制备Hgl?xCdxTe体单晶材料的平衡生长过程及其原理。

THM方法可以看成是一种连续的液相外延过程。具体操作是将反应器缓慢通过加热器, 在均匀的固态物料上形成一个熔区。在上面的固液界面,温度高，固相（浓度CO）溶入溶剂区，在温度较低的固液

下界面即生长界面，材料以同一浓度CO结品。这是一?种近平衡的生长过程，结晶生长是在恒温下进行的。

用移动加热法（THM）制备MCT体单晶，较好地解决了其在“冶金学”中的困难。比如晶体的均匀性、纯度、生长晶向等。THM法能形成稳态生长，山于生长温度低，避免了高温、高蒸气压带来的弊

端，还可以対物料进行纯化，并可以利用籽晶定向生长。

THM生长MCT单晶的生长温度一般为600-700°C,生长速度较慢，一般为每天1.5-5 mm。为了加快生长速率，可以旋转反应器，起到搅拌作用，促进溶质向生长界面的输运,

可使生长速率达到8.5 mm/do用水平THM法生长HgCdTe单晶时，旋转反应器，対单晶

组分均匀性的改善也有促进作用。

十八、简单描述化合物半导体单晶材料点缺陷的六种类型?

（1）空位：是指山于原子热振动，离开了原晶格位置留下的空格点。

在化合物MX中，其晶格可看成是山M （金属原子或阳离子，或表示止电性强的元素）和X （非金屈原子或阴离子，或表示负电性强的元素）两套晶格套构而成的。在T>OK时，山于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，血失原子的晶格位置则出现空缺即生成空位。

（2）肖特基（Schttky）缺陷:如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体,在产生VM的同吋，也产生相同数日的VX,此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作（VM+VX）。

（3）间隙原子：指原子插在晶格间隙位置，如果此原子不是外來原子，而是来自晶格本身，则称自间隙原子，记作（Mi + Xi）。

（4）州仑克尔（Frenkel）缺陷：在化合物半导体中，ill于M和X原子半径一般相差较大,所以产生自间隙原子是较困难的。如果此自间隙原子是來自原來品格位置，此时产生的缺陷称弗仑克尔缺陷，记作（VM + Mi）。

（5）代为原子：代位原子是品体格点原來的原子、被另一原子所代替，若不考虑外来原子作

用，则在化合物中可产生MX或XM代为原子的形式。

（6）反结构缺陷：如果在生成MX的同时，也生成相同数目的XM,此种缺陷称为反结构缺陷（substitional）,记为（MX + XM ）。