场效应管参数-225页word资料
D 数 7.5V
实测参
数
1798V 4.8V 30 60A
封装 产
品
型号 Pto t
ID (A ) VD S(V)
RDS(o n)(Ω)
VGS(t
h)(V)
IDSS (μA ） IGS S(n A)
Td(of f)(nS ）
Cis s(p F)
规
格
书
Ptc
/Pt
a Mi n Mi
n Max
Mi n Ma x
Max Max Max Max
M O
S
管
电
参数
TO-92 1N
60A /1
0.3 60
11.5
2.0 4.0
50
±1
00
36 170
1N 60C
/1
0.8 60
14.0
2.0 4.
0 50
±1
00 36 170
TO-251 1N 60
C 25/1 0.8 60
0 14.0
2.0 4.
0 50
±1
00 36 170
1N 60 30/1.5 1.2 60
11.5
2.0 4.
10
±1
00 25 150
2N 44/2 60 4.7 2.4.
1 ±1
58 235
601.500000
TO-2201N
60
40/
1.5
1.
2
60
11.5
2.
4.
10
±1
00
25150 2N
60
54/
1.5
2
60
4.7
2.
4.
1
±1
00
58235 2N
80
60/
1.5
2.
4
80
6.3
2.
4.
10
±1
00
60550 3N
60
60/
1.5
3
60
3.4
2.
4.
1
±1
00
80565 4N
60
50/
1.5
3.
9
60
1.2
2.
4.
1
±1
00
85540
6N
60
125
/1.
5
5.
5
60
2
2.
4.
1
±1
00
100810
6N
90
167
/1.
5
6
90
2.3
3.
5.
10
±1
00
120
177
0 7N
60
83/
1.5
7
60
0.6
2.
4.
1
±1
00
160920 9N
50
135
/1.
9
50
0.8
2.
4.
1
±1
00
195
103
5
10 N6 0169
/1.
5
9
60
0.8
2.
4.
10
±1
00
300
204
63 072/
1.5
9
20
0.4
2.
4.
10
±1
00
130720
63 474/
1.5
8.
1
25
0.45
2.
4.
10
±1
00
210
100
64 0139
/1.
5
18
20
0.18
2.
4.
10
±1
00
300
170
73 073/
1.5
5.
5
40
1.0
2.
4.
10
±1
00
180
100
74 0134
/1.
5
10
40
0.54
2.
4.
10
±1
00
260
180
83 073/
1.5
4.
5
50
1.5
2.
4.
10
±1
00
180
105
84 0134
/1.
5
8
50
0.8
2.
4.
10
±1
00
260
180
75 N7 5300
/1.
5
80750.011
2.
4.
10
±1
00
150
470
TO-220 F 2N
60
F
23/
1.5
2
60
4.7
2.
4.
1
±1
00
58235
4N
60
F
36/
1.5
3.
9
60
1.2
2.
4.
1
±1
00
85540
6N
60
F
40/
1.5
5.
5
60
2
2.
4.
1
±1
00
100810
6N
90
F
56/
1.5
6
90
2.3
3.
5.
10
±1
00
120
177
0 7N
60
F
31/
1.5
7
60
0.6
2.
4.
1
±1
00
160920
7N
80
F
56/
1.5
6.
6
80
1.9
3.
5.
10
±1
00
110
168
9N
50 F 44/
1.5
9
50
0.8
2.
4.
1
±1
00
195
103
10
N6 0F 50/
1.5
9
60
0.8
2.
4.
10
±1
00
300
204
10
N8 0F 50/
1.5
10
80
1.1
3.
5.
10
±1
00
190
280
63 0F 38/
1.5
9
20
0.4
2.
4.
10
±1
00
130720
64 0F 43/
1.5
18
20
0.18
2.
4.
10
±1
00
300
170
73 0F 73/
1.5
5.
5
40
1
2.
4.
10
±1
00
180
100
74 0F 44/
1.5
10
40
0.54
2.
4.
10
±1
00
260
180
83 0F 38/
1.5
4.
5
50
1.5
2.
4.
10
±1
00
180
105
84 0F 44/
1.5
8
50
0.8
2.
4.
10
±1
00
260
180
0.5A 20W 0.4us
BUX87P SI-N 1000V 0.5A 20W 0.4us BUX88 SI-N 1500V 12A 160W 7MHz BUX98A SI-N 450V 30A 250W
BUX98C SI-N 1200V 30A 250W 5MHz BUY18S SI-N 80/40V 10A 20W
BUY47 SI-N 150/120V 7A 10W 90MHz BUY49P SI-N 250V 3A 10W
BUY49S SI-N 250V 3A 10W 50MHz BUY69A SI-N 1000V 10A 100W 1us BUY70A SI-N 1000/400V 10A 75W BUY71 SI-N 2200V 2A 40W HORDEFL BUY72 SI-N 280/200V 10A 60W
BUY89 SI-N 1500V 6A 80W
BUZ10 N-FET 50V 20A 80W 0.08R BUZ100 N-FET 50V 60A 250W 0.18E BUZ11 N-FET 50V 36A
BUZ11A N-FET 50V 27A 90W 0.055R
BUZ14 N-FET 50V 39A 125W
BUZ15 N-FET 50V 45A 125W
BUZ171 P-FET 50V 8A 40W 0.3R BUZ21 N-FET 100V 21A
BUZ215 N-FET 500V 5A 75W <1E5 BUZ22 N-FET 100V 34A 125W 0.055 BUZ30A N-FET 200V 7A 75W
BUZ310 N-FET 1000V 2.5A 75W <5E BUZ325 N-FET 400V 12.5A 125W BUZ380 N-FET 1000V 5.5A 125W 140 BUZ384 N-FET 500V 10.5A 125W BUZ50A N-FET 1000V 2.5A 75W 5E BUZ71 N-FET 50V 18A 80W 0.1R BUZ71AF N-FET 50V 11A 35W 0.12R BUZ72A N-FET 100V 11A BUZ72AF N-FET 100V 10A 40W ISOLAT BUZ73 N-FET 200V 7A 40W 0.4R BUZ73A N-FET 200V 5.8A 40W 0.6R BUZ90 N-FET 600V 4.5A 70W <1E6 BUZ900 N-FET 160V 8A 125W BUZ901 N-FET 200V 8A 125W BUZ905 P-FET 160V 8A 125W BUZ906 P-FET 200V 8A 125W BUZ90A N-FET 600V 4A 75W 2R BUZ90AF N-FET 600V 4.3A 75W BUZ91A N-FET 600V 8A 150W 0.9R BUZ93 N-FET 600V 3.6A 80W <2E5 CA3018 DARLINGTON BJT ARRAY D44H11 SI-N 80V 10A 50W 50MHz D44H8 SI-N 60V 10A 50W D45H11 SI-N 80V 10A 50W 0.5us DTA114EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 10K/10 DTA114ES SI-P 50V 0.1A 10K/10KOHM DTA114TL SI-P 50V 0.1A 10KOHM DTA114YL SI-P 50V 0.1A 10K/47KOHM DTA124ES SI-P 50V 0.1A 22K/22KOHM DTA124XS SI-P 50V 0.1A 22K/47KOHM DTA143EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47/47K DTA143ES SI-P 50V 0.1A 4K7/4K7OHM DTA144EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47K/47 DTA144ES SI-P 50V 0.1A 47K/47K DTA144TS SI-P 50V 0.1A 0.3W Rb=47K DTC114ES SI-N 50V 0.1A 10K/10KOHM DTC114TS SI-N 50V 0.1A 10K DTC114YS SI-N 50V 0.1A 10K/47K DTC124EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 22/22K DTC124ES SI-N 50V 0.1A 22K/22KOHM DTC143EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 4K7/4K DTC143ES SI-N 50V 0.1A 4K7/4K7OHM DTC143TS SI-N 50V 0.1A 4K7OHM DTC143XS SI-N 50V 0.1A 0.3W 4.7K/1 DTC144EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K DTC144ES SI-N 50V 0.1A 47K/47KOHM DTC144EU SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K DTC144TS SI-N 50V 0.1A 0.3W 47KOhm DTC144WS SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/22K ESM6045DV N-DARL+D 450V 84A 250W FT5754M DARLINGTON ARRAY FT5764M DARLINGTON ARRAY GD243 GE-P 65V 3A 10W GT20D101 N-IGBT 250V 20A 180W GT20D201 P-IGBT 250V 20A 250W H6N80 N-FET 800V 4.2A 170W 1E9 HPA100R SI-N+D 1500V 10A 150W 0.2 HPA150R SI-N+D 1500V 15A 180W 0.2 IR2403 DARL.ARRAY 7x45V 0.4A IR2422 7XDARLINGTON TRAN. ARRAY IRF120 N-FET 100V 9.2A 60W <58/5 IRF140 N-FET 100V 28A 150W 0E77 IRF230 N-FET 200V 9A 75W <0E4 IRF240 N-FET 200V 18A 125W IRF250 N-FET 200V 30A 150W IRF330 N-FET 400V 5.5A 75W <1E IRF340 N-FET 400V 10A 125W <62/1 IRF350 N-FET 400V 13A 150W 0.4E IRF440 N-FET 500V 8A 125W <0E85 IRF450 N-FET 500V 13A 150W IRF520 N-FET 100V 10A 70W 0.27R IRF530 N-FET 100V 16A 90W 0.16R IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077 IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R IRF644 N-FET 250V 14A 125W IRF830 N-FET 500V 4.5A 100W 1.5R IRF830F N-FET 500V 3A 35W 1.5R IRF840 N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF840F N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF9140 P-FET 100V 19A 125W IRF9240 P-FET 200V 11A 125W IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W IRFP340 N-FET 400V 11A 150W IRFPF50 N-FET 900V 6.7A 190W <1E6 IRFR9024 P-FET 60V 9.6A 50W 0.28W IRFZ20 N-FET 50V 15A 40W <120/70 IRFZ44 N-FET 60V 46A 250W 0E028 IRFZ48 N-FET 60V 50A 250W 0.018E ITT9013G SI-N 30V 0.5A 100MHz J111 N-FET 40V 50mA 0.4W 30E J300 N-FET 25V 6mA 0.35W J309 N-FET 25V 30mA Up<4V VHF J310 N-FET 25V 60mA Up<6.5V VH KSA708 SI-N 80V 0.7A 0.8W 50MHz KSA733 SI-P 60V 0.15A 0.25W 50MHz KSC2316 作者：佚名来源：本站整理发布时间：2007-11-14 15:07: 38 减小字体增大字体SI-N 18V 1.2A 4W 175MHz 1 BFQ65 SI-N 10V 50mA 0.3W 8GHz 8 BFQ68 SI-N 18V 0.3A 4.5W 4GHz BFR29 N-FET 30V 10mA Up<4V BFR35AP SI-N 12V 30mA 4.9GHz 14dB BFR36 SI-N 40V 200mA 0.8W 1.3GHz BFR37 SI-N 30V 50mA 0.25W 1.4GHz BFR38 SI-P 40V 20mA 0.2W 1GHz BFR39 SI-N 90V 1A 0.8W >100MHz BFR40 SI-N 70V 1A 0.8W >100MHz BFR79 SI-P 90V 1A 0.8W >100MHz BFR84 N-FET-DG 20V 50MA 0.3W BFR90 SI-N 15V 30mA 5GHz 19.5dB BFR90A SI-N 15V 30mA 5.5GHz 16dB BFR91 SI-N 12V 50mA 5GHz 18dB BFR91A SI-N 12V 50mA 6GHz 14dB BFR92 SI-N 15V 30mA 5GHz 19.5dB BFR92A SI-N 15V 30mA 5.5GHz 16dB BFR92R SI-N 15V 30mA 5GHz REVERS BFR93A SI-N 15V 50mA 6GHz 14dB BFR95 SI-N 25V 0.15A 1.5W 3.5GHz BFR96 SI-N 15V 75mA 5GHz 16dB BFR96S SI-N 15V 0.1A 5.5GHz 11dB BFS17 SI-N 15V 25mA 1GHz E1 BFS19 SI-N 30V 30mA 260MHz BFS20 SI-N 30V 25mA 450MHz G1 BFS22A SI-N 3V 0.75A 4W 175MHz BFS23A SI-N 36V 0.5A 4.5W 500MHz BFT25 SI-N 8V 6.5mA 50mW 500NHz BFT43 SI-N 125/100V 1A 0.8W BFT45 SI-P 250V 0.5A 0.75W 70MHz BFT66 SI-N 15V 30mA 4.5GHz 12dB BFT79 SI-P 90V 1A 0.8W >100MHz BFT95 SI-P UHF 15V 25mA 3.6-5GHz BFW10 N-FET 30V 20mA AMPL. BFW11 N-FET 30V 10mA AMPL. BFW12 N-FET 30V 5mA AMPL. BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz BFW44 SI-P 150V 0.1A 0.7W 50MHz BFW92 SI-N 15V 50mA 0.3W 1.6GHz BFW92A SI-N 15V 25mA 3.2GHz 13dB BFX34 SI-N 60V 5A 0.87W BFX37 SI-P 90V 0.1A 0.36W 70MHz BFX38 SI-P 55V 1A 0.8W B>85 BFX40 SI-P 75V 1A 0.8W B>85 BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36W BFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz BFX85 SI-N 100V 1A 0.8W BFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz BFY39 SI-N 45V 0.1A 0.3W 150MHz BFY50 SI-N 80V 1A 0.7W 55/175ns BFY51 SI-N 60V 1A 0.7W BFY52 SI-N 40V 1A 0.8W 100MHz BFY56 SI-N 60V 1A 0.8W BFY64 SI-P 40V 0.6A 0.7W BFY88 SI-N 25V 25mA 850MHz BFY90 SI-N 15V 25mA 2GHz 8dB BGX885N CATV AMPL. 860MHz 17dB BGY88 CATV AMP. 450MHz 35dB BGY89 CATV AMP. 450MHz 38dB BLW32 SI-N 50V 0.65A 10W 3.5GHz BLW60C SI-N 18V 9A 100W 650MHz BLX15 SI-N 110V 6.5A 195W 275MHz BLY87C SI-N 36V 1.53A 20W 175MHz BLY88C SI-N 18V 3A 36W 850MHz BLY89C SI-N 18V 6A 73W 800MHz BLY93C SI-N 65V 2A 25W 175MHz BLY94 SI-N 65V 6A 50W 175MHz BS107 N-FET 200V 0.13A 0.8W 26R BS108 N-FET 200V 0.23A 0.8W 8E BS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5R BS208 P-FET 200V 0.2A 0.8W BS250 P-FET 45V 0.18A 0.83W BSN254A N-FET 250V 0.3A 1W <7E BSN274 N-FET 270V 0.25A 1W <8E BSN304 N-FET 300V 0.25A 1W <8E BSR14 SI-N 75V 0.8A <35/285ns BSR31 SI-P 70V 1A B>100 BSR50 N-DARL 60V 2A 0.8W 350MHz BSR60 P-DARL 45V 1A 0.8W BSS123 N-FET 100V 0.17A 13/29ns BSS38 SI-N 120V 0.1A 0.2W BSS44 SI-P 65V 5A 5W BSS52 N-DARL 100V 1A 0.8W BSS68 SI-P 60/40V 0.8A <50/110ns BSS89 N-FET 240V 0.3A 1W 6R BSS91 N-FET 200V 0.35A 1.5W <6E BSS92 P-FET 200V 0.15A 1W 38/45 BSV52 SI-N 20V 0.1A 225mW 400MHz BSV80 N-FET 40V 10mA 0.35W BSV81 N-FET 30V 50mA 0.2W 100E BSW43 SI-N 60V 0.2A 0.3W B>180 BSW68A SI-N 150V 2A 5W 130MHz BSW85 SI-N 75V 0.5A 0.5W 250MHz BSX20 SI-N 40V 0.5A .36W 7/18ns BSX26 SI-N 40V 0.5A 0.36W BSX29 SI-P 12V 0.2A 0.36W 25/35 BSX32 SI-N 65V 1A 0.8W 35/40ns BSX47 SI-N 120V 1A 5W 场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应 K2843600V10A45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一 A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚 场效应管系列参数 上一页场效应管系列参数(1) 型号沟 道 类 型耐压（V） V 电流 ( I ) A 功率 (PD/P 沟)W 内阻 (Rds) 脚位 IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N 场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数） 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏 为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司 常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE 场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 用场效应管参数大全 宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15 . 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针 常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机 IRF系列场效应管参数明细 型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有 3个极性,栅极, 漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1. 概念 : 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写 (FET简称场效应管 . 由多数载流子参与导电 , 也称为单极型晶体管 . 它属于电压控制型半导体器件 . 特点 : 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 , 现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 . 作用 : 场效应管可应用于放大 . 由于场效应管放大器的输入阻抗很高 , 因此耦合电容可以容量较小 , 不必使用电解电容器 . 场效应管可以用作电子开关 . 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 . 常用于多级放大器的输入级作阻抗变换 . 场效应管可以用作可变电阻 . 场效应管可以方便地用作恒流源 . 2. 场效应管的分类 : 场效应管分结型、绝缘栅型 (MOS两大类 按沟道材料 :结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种 . 按导电方式 :耗尽型与增强型 , 结型场效应管均为耗尽型 , 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 , 也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管 , 而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型 ;P 沟耗尽型和增强型四大类 . 见下图 : 3. 场效应管的主要参数 : Idss —饱和漏源电流 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 栅极电压 UGS=0时的漏源电流 . Up —夹断电压 . 是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中 , 使漏源间刚截止时的栅极电压 . Ut —开启电压 . 是指增强型绝缘栅场效管中 , 使漏源间刚导通时的栅极电压 . gM —跨导 . 是表示栅源电压 UGS —对漏极电流 ID 的控制能力 , 即漏极电流ID 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值 .gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数 . BVDS —漏源击穿电压 . 是指栅源电压 UGS 一定时 , 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压 . 这是一项极限参数 , 加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. 型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5 K2843 600V 10A 45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管 10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插 13N60 13A 600V N 沟道 15N03L 30V 42A 83W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 2N7000 60V 0.2A 0.35W N 40N03H 30V 40A N 4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一, 50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V 5P25 250V 5A 6030LX 30V 52A 42W N 603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS 6A60 600V 6A N 6N70 700V 6A N 6P25 250V 6A 70L02 70N06 70A 60V 125W 7N60 600V 7A N,铁 7N70 7A 700V 85L02 8N25 250V ,8A ,同IRF634 95N03 25V 75A 125W 9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新 9N60 9A 600V 9N70 9A 700V AF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片 A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片 A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片 A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片 A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片 A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚 A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片 A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚 A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
全系列场效应管参数
场效应管系列参数
场效应管对照表
常用高清行管和大功率三极管主要参数表
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
用场效应管参数大全.pdf2
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管参数大全
IRF系列场效应管参数
常用场效应管参数大全 (2)
常用场效应管参数大全(1)
场效应管参数解释(精)
场效应管参数用途大全解析
全系列场效应管参数