光电探测器

光电探测器
光电探测器

光电探测器

作者:小白你可以的

摘要

本文研究了近期崛起的高科技新秀:光电探测器。本文从光电探测器的分类、原理、主要参数、典型产品与应用、前景市场等方面简单介绍了光电探测器,使大家对光电探测器有一个初步的理解。了解光电探测材料的原理不仅有利于选择正确适宜的光电探测材料,而且对研发新的光电探测器有所帮助

一、简单介绍引入

光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时,性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有:光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等,其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示,从而进行探测。

光电探测器的发展历史:

1826年,热电偶探测器→1880,金属薄膜测辐射计→1946,热敏电阻→20世纪50年代,热释电探测器→20世纪60年代,三元合金光探测器→20世纪70年代,光子牵引探测器→20世纪80年代,量子阱探测器→近年来,阵列光电探测器、电荷耦合器件(CCD)

这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面,都有着不可或缺的作用。

二、光电探测材料的分类。

由于器件对辐射响应的方式不一样,以此可将光电探测器分为两大类,分别是光子探测器和热探测器。

光子探测器

光电子发射探测器光电导探测

光伏探测器

热探测器

热敏电阻热电偶

热释电探测

○1光子探测器:光子,是光的最小能量量子。单光子探测技术,是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术,其原理是利用新式光电效应,可对入射的单个光子进行计数,以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数,是微弱光(低于10-14W)信号探测中的一种新技术。

○2利用光热效应制作的元件叫做热探测器,同时也叫热电探测器。(光热效应指的是当材料受光照射后,光子能量会同晶格相互作用,振动变得剧烈,温度逐渐升高,由于温度的变化,而逐渐造成物质的电学特性变化)。

若将光电探测器按其他种类分类,则

按应用分类:金属探测器,非成像探测器(多为四成像探测器),成像探测器(摄像管等)。

按波段分类:红外光探测器(硫化铅光电探测器),可见光探测器(硫化镉、硒化镉光敏电阻),紫外光探测器。

三、工作原理

光电探测器是如何工作的呢?

○1热探测器

热探测器的工作原理是基于光电材料吸收光辐射能量后温度升高,从而改变其电学性能,例如光能被固体晶格振动吸收引起固体的温度升高,因此对光能的测量可以转变为对温度变化的测量。这种探测器的主要特点是:具有较宽的光波长响应范围,但时间响应较慢,测量灵敏度相对也低一些,经常用于光功率或光能量的测量。

热探测器吸收红外辐射后,温度升高,可以使探测材料产生温差电动势、电阻率变化,自发极化强度变化,或者气体体积与压强变化等,测量这些物理性能的变化就可以测定被吸收的红外辐射能量或功率。

具体例子:

(1)热胀冷缩效应:液态的水银温度计及气动的高莱池。

(2)Seebeck效应(第一热电效应):热电偶和热电堆。

(3)石英共振器非制冷红外成像列阵:利用共振频率对温度敏感的原理来实现红外探测。

(4)测辐射热计:利用材料的电阻或介电常数的热敏效应—辐射引起温升改变材料电阻—用以探测热辐射。因半导体电阻有高的温度系数而应用最多,测温辐射热计常称“热敏电阻”。

另外,由于高温超导材料出现,利用转变温度附近电阻陡变的超导探测器引起重视。如果室温超导成为现实,将是21世纪最引人注目的一类探测器。★(5)自发极化强度随温度的变化而变化效应:Pyroelectric detector(热释电探测器)。

因为热释电探测器在热探测器中探测率最高,而且频率响应最宽,所以这类探测器很受重视,发展很快。下面重点探讨一下热释电探测器的工作原理。

在某些晶体(如碳酸钡、硫酸锂)的上、下面设置电极,在上表面覆以黑色膜,若有红外辐射间歇地照射时,其表面温度会上升△T,这时晶体内部的原子排列将产生变化,从而引起自发极化电荷,在上下电极之间产生电压。

目前认为比较有发展前途的晶体:

d d d =P P T J d t d T dt

?=?? 若热电系数为p ,p=

d P d T ?(用来描述热电效应的强弱),则J=d p T dt

?。

【菲涅尔透镜:主要作用是只允许波长在10μm 左右的红外辐射(人体发出的红外线波长)通过,而将灯光、太阳光及其他辐射拒在门外,从而抑制外界的干扰。】

当有人侵入探测区域内时,人体产生的红外辐射会通过部分镜面聚焦,并被热释电元件接收。由于角度不同,两片晶体接收到的热量不同,产生的热释电能量也不一样,不能完全抵消,经处理电路处理后将输出控制信号。利用此原理,可制成离走开关(用于灯,空调,电扇等电器),或者生物探测仪等。

2光子探测器

接电源正极 接信号源

极性相反,特性一致。

目的是为了消除环境

和自身变化引起的干

扰。

光子探测器与热探测器的最大区别是光子探测器对光辐射的波长有选择性。光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件,是一种电流放大器件。它的主要特点是:探测灵敏度高,时间响应快,可以对光辐射功率的瞬时变化进行测量,但它具有明显的光波长选择特性。尤其,光电倍增管具有很高的电流增益,特别适用于微弱光信号的探测;但它的缺点是结构复杂,体积较大,工作电压高。光电探测器又分内光电效应器件和外光电效应器件,内光电效应是通过光与探测器靶面固体材料的相互作用,引起材料内电子运动状态的变化,进而引起材料电学性质的变化。

根据光电子探测器的分类:

1光电子发射探测器Photoemissive detector : 原理:外光电效应,当光照射到某种物质时,若光子能量足够大,它和物质中的电子相互作用,致使电子溢出物质的表面(光电子)。

爱因斯坦方程:光子能量 = 移出一个电子所需的能量 + 被发射的电子的动能

212

hf mv W =

+;0W hf =; hf Em ?=+;0hf ?=;212m m E mv = 【其中h 是普朗克常数(346.6310h J s -=??),f 是入射光子的频率,φ是功

函数,从原子键结中移出一个电子所需的最小能量,E 是被射出的电子的最大动能,0f 是光电效应发生的阀值频率, m 是被发射电子的静止质量,m v 是被发

射电子的速度,注:如果光子的能量(hf )不大于功函数(φ),就不会有电子射出】

主要参数:光照灵敏度S (单位/A lm μ),当照射在光阴极的入射光频率或频谱成分不变时,饱和光电流与入射光的强度为正比关系。(光电发射第一定律,斯托列托夫定律)用公式表示为:

k e

I S =Φ 其中k I 为光电流,e Φ为光照强度。

光电发射材料:

1,纯金属。大多数金属的光谱响应都在紫外区或者远紫外区,所以可以作为对紫外辐射灵敏的探测器。

2,半导体或者掺杂金属。表面吸附一层其他原子的金属和半导体。

3,光电阴极。

(好的光电发射材料需要光吸收系数大、光电子在内部传输中能量损失最小、表面势垒低)

光电发射基本过程:

主要应用:

单光子探测技术。通过记录逐个单光子产生的脉冲数目来检测及其微弱的光信号。

正电子发射扫描仪。光电倍增管与闪烁体组合七射线,确定患者体内碎灭电子的位置,而得到CT 像。

○2光电导探测:利用了光电导效应,即由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象(是内光电效应的一种)。

3光伏探测器:利用半导体PN 结光伏效应制成的器件。 pn 结中电子向P 区,空穴向n 区扩散,使p 区带负电,n 区带正电,形成由不能移动离子组成的空间电荷区(耗尽区),同时出现由耗尽层引起的内建电场,使少子漂移,并阻止电子和空穴继续扩散,达到平衡。在热平衡下,由于pn 结中漂移电流等于扩散电流,净电流为零。

如果有外加电压时结内平衡被破坏,这时流过pn 结的电流方程为:

/0=(e 1)qV kT D I I ;

D I :流过pn 结的电流。0I :PN 结的反向饱和电流(暗电流)

。V :加在PN 结上的正向电压。

四、 工作参数

为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号,就要使相互连接的各器件都处于最佳的工作状态,所以光电探测器要与被测信号、光学系统以及后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配。

1、灵敏度(或称响应度)

灵敏度RV (或RI ) 的定义为:探测器输出电压VS(或输出电流IS)与输入光功率P之比。

由于灵敏度与入射光波长关系密切。入射波长不同,探测器的灵敏度也不同,所以一般还须给出灵敏度的光谱响应特性。在光谱响应特性曲线中,探测器的光谱响应范围是峰值灵敏度下降一半时的波长范围。但对具体器件的光谱响应范围的定义可能不同,例如对光电倍增管的定义为下降到峰值灵敏度的1% 或0.1%的波长范围。

量子效率是从光的量子特性出发来定义灵敏度,表示单位时间内流出探测器件的电子流与入射光子流之比。

2、噪声等效功率(NEP)

NEP定义为:探测信噪比S/N=1时(信噪比是指信号的峰峰值和噪声的有效值之比),入射到探测器上的信号光功率。它表示探测器的噪声电平和探测器对微弱光信号的探测能力。由于噪声电平与测量带宽的根号成正比,所以NEP规定在1Hz带宽条件下的测量结果。NEP越小,则探测器的探测灵敏度越高。3、探测率D

探测率D定义为NEP的倒数,这样D越大表明探测器的灵敏度越高。它表示单位入射辐射功率所产生的信噪比,当然,D值越大,表示器件的探测性能越好。任何探测器都有噪声,比噪声起伏平均值更小的信号实际上检测不出来。产生如噪声那样大的信号所需的辐射功率,称为探测器能探测的最小辐射功率,或称等效噪声功率。有时用探测率描述探测器的灵敏度。

除此之外,还有一些重要的指标,如反映探测器噪声电平的暗电流Id,探测器的接收截面Ad(会影响灵敏度和时间响应),探测器随温度的变化特性,半导体光电探测器的结电容(决定了时间响应),以及最大反偏电压、光照功率允许范围等,在使用时都必须注意的。

五、典型产品与应用。

1,军事方面:由于现代军事对精确作战情报的需要,光电探测器在此发挥了它极大的优势,期中有:

激光雷达:

是激光技术与现代光电探测技术相结合的一种探测方式。在军事方面广泛应用。由发射器、天线、接收器、跟踪架、信息处理等构成。其中发射器是激光器,如半导体激光器等。天线是望远镜。接收器则是光电探测器,如雪崩光电二极管等。

如美国的弹道导弹防御激光雷达,经研究表明,当被动红外系统、激光雷达相结合时,根据连续的红外方位和俯仰测量结果与激光雷达的精确距离测量数据,可使目标弹道估算迅速收敛,使弹道估算误差成数量级地下降。障碍回避激光雷达。

激光雷达的优点是可以精确目标的位置、运动状态、形状等特征,进而进行探测、识别、跟踪。此外,该项技术反应时间短,能部分穿过水体等特点,为它在各领域的应用,开阔了路径。

红外探测技术

红外探测系统一般分为热像仪以及红外夜视仪两类。现代军事作战中,大多

采用热像仪(前视红外装置)。一般的夜视器材都是利用目标的反射光线成像的,而热像仪不同,它是靠接收目标自身的红外辐射一切物体,既不依靠光源也不需要主动携带红外光源,而只要其温度比绝对零度高就会产生红外辐射,是新一代的夜视装备。战争中的目标如飞机、坦克等的温度一般都比周围环境温度高,所以热像仪可进行远距离侦察、监视、、化学战剂、跟踪和探测伪装、地雷等。目前已被各国广泛使用。

我国热像仪在军事上的应用:

图注:https://www.360docs.net/doc/dc9433104.html,/2014-11-10/170241259.html

2,生活方面:

随着经济的发展,社会财富的增长,人们越来越在意对火灾的预防。其中,火灾预警新秀光电感烟探测器开始大显身手。光电探测器的组成部分有:光源、光电元件、迷宫般的型腔密室和电子开关。利用光散射原理对火灾初期产生的烟雾进行探测,并及时发出报警信号。光电式感烟探测器根据其结构和原理可以分为遮光型和散射型两类。其中散射型的工作原理为:没有烟雾时,由于光不能射在光敏元件上,电路维持在正常状态。如果发生火灾产生烟雾时,光经过弥散的烟雾粒子的反射或散射可以到达光敏元件上,进而光信号转换成电信号,经放大电路放大后。驱动报警装置,发出火灾报警信号。

六、前景与市场

随着21世纪信息产业的高速发展,人类将全面步入信息爆炸时代,信息产业将成为世界的支柱产业。而光电子产业作为高科技信息产业必不可少的构成部分,无论对世界经济、社会的发展还是对人类的进步,都产生了巨大推动作用。同时作为未来高科技竞争的重点之一,光电子产业有力地改变了世界各国的高科技竞争力的格局。所以无论是眼前还是不远的未来,光电子信息产业都无疑会成为全球经济中最有发展前景、最富有活力、最有竞争力的产业之一。

以日本为例:日本在光电子产业无论在生产制造还是消费方面,均一直处于领先地位。根据日本光电产业技术振兴协会公布的光学产业市场产值的数据显示:在日本政府公布的15个产业领域需求增长率中,光电子产业居于第二位。由此可以看出光电子产业在今后仍会以很高的速度增长。

如下图:

而光电子产业也不是以单一形式存在,它是一个由相关的基础技术与基础设施支撑的多种产业的结合体,可将其地比做一棵大树。而滋养这棵大树的土壤分别为:制造设施,技术力量,研究机构,研发资源,政府基金,风险投资等。维持这棵大树的脊梁是光电子技术,包括LD/LED ,光探测器,图像传感器等等。 作为光电子产业的核心部分,光电探测器由于它对军事、生活的重要性,比其他产品发展更显速度。虽然它是一种高科技技术产品,但是它已有久远的发展历史。随着红外与激光技术的发展,材料性能的改进和制造工艺的不停完善,光电探测器开始朝着集成化的方向发展。这样很大程度的缩小了体积,同时改善了性能、降低成本。

如今,经过多年发展,我国的光电探测产业已形成了一定的基础,但同欧美、日本等国相比尚存在一定的差异。我国不仅有巨大的光电探测消费市场,同时也有相当的基础和技术。这无疑是我国光电技术发展的良机。要健康发展光电探测这一领域,须:

培养高科技技术人才,特别是对现在青年人的教育与培养。

引进国外高新技术设备,在研究国际成果的同时,开发我国自主创新的技术领域。 着重扶持自主开发和拥有自主产权的企业机构,大力培养具有竞争力的集团,同时建立产业研发产地。

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2003200420052010总产值(万日元)年增率(%)日本光电产业技术振兴协会(OITDA )

认清市场现状,不盲目生产发展。顺应市场发展脚步。做到健康快速的发展光电探测行业。

七、结语

光电探测器在各种生活、经济、军事等方面均有重要的用途,比传统探测器更加准确。更能符合现代生产的发展需要。虽然有很长的发展历史,但是仍有很强的生命力和活力,并具有广阔的发展前景。希望通过本文可以使大家都光电探测器有一个大致的了解。

参考文献

全部作者,标题,期刊、卷(期)、pp. 起止页码(刊出年).

1.雷肇棣, 光电探测器的原理及应用,610041 《物理》1994 第四期

2.卢春生,光电探测技术及应用,机械工业出版社 1992年3月

3.上海电气光电子发射器的工作原理、结构、性能及应用领域2014年10月

31日

4.激光与红外2005年第一期

5.黄继昌,徐巧鱼等. 传感器工作原理及应用实例[M] ,人民邮电出版

社.

光电探测器原理

光电探测器原理

光电探测器原理及应用 光电探测器种类繁多,原则上讲,只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的,是变光信号为电信号的元件。 光电效应分两类,内光电效应和外光电效应。他们的区别在于,内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料 内部轰击出来,而只是将光电材料内部的光 电子从低能态激发到高能态。于是在低能态 留下一个空位——空穴,而高能态产生一个 自由移动的电子,如图二所示。 硅光电探测器是利用内光电效应的。 由入射光子所激发产生的电子空穴对,称为光生电子空穴对,光生电子空穴对虽然仍在材料内部,但它改变了半导体光电材料的导电性能,如果设法检测出这种性能的改变,就可以探测出光信号的变化。 无论外光电效应或是内光电效应,它们的产生并不取决于入射光强,而取决于入射光波的波长λ或频率ν,这是因为光子能量E只和ν有关: E=hν(1) 式中h为普朗克常数,要产生光电效应,每个光子的能量必须足够大,光波波长越短,频率越高,每个光子所具有的能量hν也就越大。光强只反映了光子数量的多少,并不反映每个光子的能量大小。 目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管,是由半导体材料制作的。 半导体光电探测器是很好的固体元件,主要有光导型,热电型和P—N结型。但在许多应用中,特别是在近几年发展的光纤系统中,光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差;热电型探测器不能获得很高的灵敏度。而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件,是该波长区理想的光接收器件。 一、耗尽层光电二极管 在半导体中,电子并不处于单个的分裂 能级中,而是处于能带中,一个能带有许多

InGaAs PIN 光电探测器

SHINE-YOU TECHNOLOGY CO., LTD Addr: 3F,Bld.5,Shangsha Innovative Science & Tech Park,Futian,Shenzhen,China,518048 Tel: +86-755-29812573 Email: info@https://www.360docs.net/doc/dc9433104.html, https://www.360docs.net/doc/dc9433104.html, 微型封装(MINI CAN )InGaAs PIN 光电探测器 特点: 微型封装,封装尺寸≤2.41 mm 高响应 工作电压 5V 超低暗电流 单针脚密封 工作温度 -40~+85℃ 应用: 光纤通信 数据/图像传输 光纤传感 光测量仪器仪表 最大额定值: 工作温度(℃) -40~+125 存储温度(℃) -50~+125 正向电流(mA ) 4/8 反向电压(V ) ≥20 光电特性(T = 25℃,Vr = 5 V ) 参数 指标 测 试 条 件 光敏面直径(μm ) 75/300 带宽(GHz ) 1.5/0.5 RL = 50 Ω λ= 1310 nm 0.85/0.80 响应度(A/W ) λ= 1550 nm 0.90/0.85 暗电流(nA ) 0.3 / 1 总电容(pF ) 0.6/6.0 f = 1 MHz 响应度一致性(dB ) ±0.2 λ = 1530~1620 nm, T = -10~+85℃ 注意事项 (1)静电对器件有极大伤害,使用中要保证人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好。 (2)电源需有稳压装置,且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件。 (3)焊接时烙铁应接地良好,温度控制在260℃±5℃,时间不超过5 秒。 (4)测试正向电压时要监控正向电流,不超过100 μA ,否则会击穿器件而失效。

光电探测器调研报告

题目:光电探测器的原理及国内外研究现状 学生姓名:学号: 院(系):专业:

光电探测器的原理及国内外研究现状 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状,预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景。 关键词:光电探测器;硅基雪崩光电探测器;激光雷达 Principle and Research Statue at Home and Abroad of photoelectric detector Abstract Described the basic principle and assortment of the photoelectric detector. The domestic and abroad research statue from the aspects of material selection and device main applications is summarized. At last the application prospects of silicon-based avalanche photodetector are predicted, such as research on military and laser radar. Keywords: phoroelectric detector;silicon-based avalanche photodetector;laser radar

1 引言 光电探测器的发展历史比较悠久,已有上百年的研究历史。由于这种器件在军事和民用中的重要性,发展非常迅速。随着激光与红外技术的发展,材料性能的改进和制造工艺的不断完善,光电探测器朝这集成化的方向发展。这大大缩小体积、改善性能、降低成本。此外将光辐射探测器阵列与CCD 器件结合起来,可以实现信息的传输也可用于热成像领域。 因此,进一步研究光电探测器是一项重要课题,本文章就从原理及国内外最新的研究状况探索光电探测器领先应用。 2 光电探测器入门 2.1 光电探测器的发展历史 最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器。其中,热电偶早在1826年就已发明出来【1】。1880年又发明了金属薄膜测辐射计。1947年制成了金属氧化物热敏电阻测辐射热计。1947年又发明了气动探测器。经过多年的改进和发展,这些光辐射探测器日趋完善,性能也有了较大的改进和提高。但是,与光子探测器相比,这些光辐射探测器的探测率仍较低,时间常数也较大。从五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作,发现它具有许多独特的优点,因此近年来有关热释电探测器的研究工作特别活跃,发展异常迅速。热释电探测器的发展以使得热探测器这个领域大为改观,以致有人估计热释电技术将成为发展电子——光学工业的先导。 应用广泛的光子探测器,除了发展最早、技术上也最成熟、响应波长从紫光到近红外的光电倍增管以外,硅和锗材料制作的光电二极管、铅锡、Ⅲ~Ⅴ族化合物、锗掺杂等光辐射探测器,目前均已达到相当成熟的阶段,器主要性能已接近理论极限。 1970年以后又出现了一种利用光子牵引效应制成的光子牵引探测器。其主要用于CO 2 激光的探测。八十年代中期,出现了利用掺杂的GaAs/AlGaAs材料、基于导带跃迁的新型光探测器——量子阱探测器。这种器件工作于8~12μm波段,工作温度为77K。 2.2 光电探测的分类及原理 光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。 光电探测器的工作原理是基于光电效应【2】。热探测器是用探测元件吸收入射辐射而产生热、造成温升,并借助各种物理效应把温升转换成电量的原理而制成的器件。最常用的有温差电偶、测辐射热计、高莱管、热电探测器。一般来说,热探测器的接收元由于表面涂黑它的光谱响应是无选择性的,它只受透光窗口光谱透射特性的限制,因此主要应用于红外区和紫外区,但它的响应率较低、响应速度慢、机械强度低,近来由于热电探测器和薄膜器件的发展,上述缺点已有所改进。 光子型探测器,利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件,如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极,当光子投射到光电阴极上时,光子可能被光电阴极中的电子吸收,获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中,光电子在带正电的阳极的作用下运动,构成

光电探测技术发展概况

光电探测技术发展概况 学号:20121226465姓名:熊玉宝 摘要:本文扼要论述光电探测技术重要性,并简要地介绍了光电探测技术的几种主要方法及发展趋势。 关键词:光电;探测;技术 光电探测技术是根据被探测对象辐射或反射的光波的特征来探测和识别对象的一种技术,这种技术本身就赋予光电技术在军事应用中的四大优点,即看得更清、打得更准、反应更快和生存能力更强。 光电探测技术是现代战争中广泛使用的核心技术,它包括光电侦察、夜视、导航、制导、寻的、搜索、跟踪和识别多种功能。光电探测包括从紫外光(0.2~0.4μm)、可见光(0.4~0.7μm)、红外光(1~3μm,3~5μm,8~12μm)等多种波段的光信号的探测。 新一代光电探测技术及其智能化,将使相关武器获得更长的作用距离,更强的单目标/多目标探测和识别能力,从而实现更准确的打击和快速反应,在极小伤亡的情况下取得战争的主动权。同时使武器装备具有很强的自主决策能力,增强了对抗,反对抗和自身的生存能力。实际上,先进的光电探测技术已成为一个国家的军事实力的重要标志。 现代高技术战争的显著特点首先是信息战,而信息战中首要的任务是如何获取信息。谁获取更多信息,谁最早获取信息,谁就掌握信息战的主动权。光电探测正是获取信息的重要手段。微波雷达和光电子成像设备常常一起使用,互相取长补短,相辅相成,可以获取更多信息,可以更早获取信息。前者作用距离远,能全天候工作;后者分辨率高,识别能力和抗干扰能力强。无论侦察卫星、预警卫星、预警飞机还是无人侦察机往往同时装备合成孔径雷达和CCD相机、红外热像仪或多光谱相机。为改进对弹道导弹的预警能力,美国正在研制的天基红外系统(SBIRS)拟用双传感器方案,即一台宽视场扫描短波红外捕获传感器和一台窄视场凝视多色(中波/长波红外、长波红外/可见光)跟踪传感器,能捕获和跟踪弹道导弹从发射到再入大气的全过程。美国已经装备并正在不断改进的CR-135S眼镜蛇球预警机,采用可见光和中波红外像机,能精确测定420km外的导弹发射,确定发动机熄火点,计算出它的弹道和碰撞点。最近在上面加了一台远程激光测距机,其作用距离可达400km。美国海军也在为战区弹道导弹防御

光电探测器

一`光电探测器 第一节 光辐射探测器的主要指标 光信号的探测是光谱测量中的重要一环,在不同的场合和针对不同的目的所采用的探测器也不同,最重要的考虑是探测器的应用波长范围、探测灵敏度以及响应时间。光探测器是将光辐射能转变为另一种便于测量的物理量的器件,它的门类繁多,一般来说可以按照在探测器上所产生的物理效应,分成光热探测器、光电探测器和光压探测器,光压探测器使用得很少。本章将着重介绍光谱学测量中常用的探测器。 光热探测器是探测元件吸收光辐射后引起温度的变化,例如光能被固体晶格振动吸收引起固体的温度升高,因此对光能的测量可以转变为对温度变化的测量。这种探测器的主要特点是:具有较宽的光波长响应范围,但时间响应较慢,测量灵敏度相对也低一些,经常用于光功率或光能量的测量。 光电探测器是将光辐射能转变为电流或电压信号进行测量,是最常使用的光信号探测器。它的主要特点是:探测灵敏度高,时间响应快,可以对光辐射功率的瞬时变化进行测量,但它具有明显的光波长选择特性。光电探测器又分内光电效应器件和外光电效应器件,内光电效应是通过光与探测器靶面固体材料的相互作用,引起材料内电子运动状态的变化,进而引起材料电学性质的变化。例如半导体材料吸收光辐射产生光生载流子,引起半导体的电导率发生变化,这种现象称为光电导效应,所对应的器件称为光导器件;又如半导体PN 结在光辐照下,产生光生电动势,称为光生伏特效应,利用这种效应制成的器件称为光伏效应器件。 外光电效应器件是依据爱因斯坦的光电效应定律,探测器材料吸收辐射光能使材料内的束縛电子克服逸出功成为自由电子发射出来。 P k E h E -=ν ---------------------------------- (2.1-1) 上式中 νh 是入射光子的能量,E p 是探测器材料的功函数,即光电子的逸出功,E k 是光电子离开探测器表面的动能。这种探测器有一个截止频率和截止波长C ν和C λ: h p E c = ν , () ()nm eV E E hC p p C 1240= = λ --------(2.1-2)

红外光电探测器技术的发展(学术前沿专题)

量子点红外光电探测器技术的发展 (学术前沿专题) 专业:测试计量技术及仪器 班级:硕研22班 学生学号: S0908******* 学生姓名:李刚

量子点红外光电探测器 目前大多数红外焦平面阵列(FPA)都以量子阱红外光电探测器(QWIP)或碲镉汞(MCT)光电探测器为基础,而这两类探测器都存有重大的不足。 QWIP对垂直入射光的探测效率很低,因为垂直方向上光子的跃迁被禁止。尽管利用光栅可以弥补这一缺点,但光栅的制作无疑会增加系统的成本。另外,QWIP在高温工作时暗电流较高,所以通常采用冷却方式使其在低温下工作,这便大大增加了成像系统的成本、体积和功耗。 MCT光电探测器则因为MCT固有的不稳定性,很难实现高度均匀的探测器阵列,而且以MCT为基础的FPA还具有成本高和效率低的缺点。 近年来,量子点红外光电探测器(QDIP)在工作温度和量子效率方面取得的重大进步,将有望引领新一轮成像技术热潮,并将在医学与生物学成像、环境与化学监测、夜视与太空红外成像等领域开辟新的应用天地。目前,通过采用纳米技术形成量子点,研究人员已经在开发室温或接近室温工作的高性能成像器方面迈出了一大步。 量子点又称“人造原子”,目前量子点作为提高电子与光电子器件性能的一种手段,已经被广泛应用。量子点的尺寸很小,通常只有10nm,因此其具有独特的三维光学限制特性。将量子点应用在红外光电探测器上,可以使探测器在更高的温度下工作。 开发高温工作的红外光电探测器,可以降低红外成像系统的成本,减小重量,提高效率,这将极大地拓展红外光电探测器的应用范围。研究人员已经开发出了首个以QDIP为基础的焦平面阵列。

光电探测器 入门详细解析

光电探测器 摘要 本文研究了近期崛起的高科技新秀:光电探测器。本文从光电探测器的分类、原理、主要参数、典型产品与应用、前景市场等方面简单介绍了光电探测器,使大家对光电探测器有一个初步的理解。了解光电探测材料的原理不仅有利于选择正确适宜的光电探测材料,而且对研发新的光电探测器有所帮助 一、简单介绍引入 光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时,性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有:光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等,其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示,从而进行探测。 光电探测器的发展历史: 1826年,热电偶探测器→1880,金属薄膜测辐射计→1946,热敏电阻→20世纪50年代,热释电探测器→20世纪60年代,三元合金光探测器→20世纪70年代,光子牵引探测器→20世纪80年代,量子阱探测器→近年来,阵列光电探测器、电荷耦合器件(CCD) 这个被誉为“现代火眼金睛”的光电探测材料无论在经济、生活还是军事方面,都有着不可或缺的作用。 二、光电探测材料的分类。 由于器件对辐射响应的方式不一样,以此可将光电探测器分为两大类,分别是光 1

子探测器和热探测器。 ○1光子探测器:光子,是光的最小能量量子。单光子探测技术,是近些年刚刚起步的一种新式光电探测技术,其原理是利用新式光电效应,可对入射的单个光子进行计数,以实现对极微弱目标信号的探测。光子计数也就是光电子计数,是微弱光(低于10-14W)信号探测中的一种新技术。 ○2利用光热效应制作的元件叫做热探测器,同时也叫热电探测器。(光热效应指的是当材料受光照射后,光子能量会同晶格相互作用,振动变得剧烈,温度逐渐升高,由于温度的变化,而逐渐造成物质的电学特性变化)。 若将光电探测器按其他种类分类,则 按应用分类:金属探测器,非成像探测器(多为四成像探测器),成像探测器(摄像管等)。 按波段分类:红外光探测器(硫化铅光电探测器),可见光探测器(硫化镉、硒化镉光敏电阻),紫外光探测器。 2

中远红外探测器发展动态

中远红外探测器发展动态 1 红外光电探测器的的历史 红外探测成像具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、可全天候、全天时工作等优点在军用和民用领域都得到了极为广泛的应用按照探测过程的物理机理,红外探测器可分为两类即热探测器和光电探测器。光电探测器的工作原理是目标红外辐射的光子流与探测器材料相互作用,并在灵敏区域产生内光电效应。因具有灵敏度高、响应速度快的优点,光电探测器在预警、精确制导、火控和侦察等红外探测系统中得到广泛应用。 红外焦平面阵列可探测目标的红外辐射,通过光电转换、电信号处理等手段,可将目标物体的温度分布图像转换成视频图像,是集光、机、电等尖端技术于一体的红外光电探测器H。目前许多国家,尤其是美国等西方军事发达国家,都花费大量的人力、物力和财力进行此方面的研究与开发,并获得了成功。红外光电探测器研究从第一代开始至今已有40余年历史,按照其特点可分为三代。第一代(1970s~1980s)主要是以单元、多元器件进行光机串/并扫描成像,以及以4×288为代表的时间延迟积分(TDI,time delay integration)类扫描型(scanning)红外焦平面列阵。单元、多元探测器扫描成像需要复杂笨重的二维、一维扫描系统结构,且灵敏度低。第二代红外光电探测器是小、中规格的凝视型(staring)红外焦平面列阵。M×N凝视型红外焦平面探测元数从1元、N元变成M×N元,灵敏度也分别从l与N1/2增长M×N1/2倍和M1/2。而且,大规模凝视焦平面阵列,不再需要光机扫描,大大简化整机系统。 目前,正在发展第三代红外光电探测器。探测器具有大面阵、小型化、低成本、双色(two-color)与多色(multi-color)、智能型系统级灵巧芯片等特点,并集成有高性能数字信号处理功能,可实现单片多波段融合高分辨率探测与识别。因此,本文将重点综述三代红外光电探测器的材料体系及其研究现状,并分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。 2 三代探测器的材料体系与发展现状 红外光电探测器的材料很多,但真正适于发展三代红外光电探测器,即响应波段灵活可调的双色与多色红外焦平面列阵器件的材料则很少。目前,主要有传统的HgCdTe和QWIPs,以及新型的二类SLs和QDIPs,共四个材料体系。作为

光电探测器列表

紫外探测器:碳化硅(SiC)材质,响应波段200-400nm。应用:火焰探 测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光、医疗灯光的控制等。———————————————————————————————————————————— 可见光探测器:硅(Si)材质,响应波段200-1100nm。有室温、热电制 冷两种形式,可以带内置前放,有多种封装形式可选。主要用在测温、 激光测量、激光检测、光通信等领域。 ———————————————————————————————————————————— 红外探测器(1):锗(Ge)材质,响应波段0.8-1.8um,有室温、热电制 冷、液氮制冷三种形式,可以带内置前放,有多种封装形式可选。主要 应用在光学仪表、光纤测温、激光二极管、光学通信、温度传感器等 ———————————————————————————————————————————— 红外探测器(2):铟钾砷(InGaAs)材质,响应波段0.8-2.6um,波段内 可以进行优化。有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式,可以带内置前 放,可以配光纤输出,多种封装形式可选。主要应用在光通信、测温、 气体分析、光谱分析、水分分析、激光检测、激光测量、红外制导等领 域。 ———————————————————————————————————————————— 红外探测器(3):砷化铟(InAs)材质,响应波段1-3.8um,有室温和热 电制冷两种,可以配内置前放,多种封装形式可选。主要用于激光测量、 光谱分析、红外检测、激光检测等领域。

红外探测器(4):锑化铟(InSb)材质,响应波段2-6um,液氮制冷, 可以带内置前放,多种封装形式可选。主要应用在光谱测量、气体分析、 激光检测、激光测量、红外制导等领域。———————————————————————————————————————————— 红外探测器(5):硫化铅(PbS)材质,响应波段为1-3.5um,有室温和 热电制冷两种,可以带内置前放,多种封装形式可选。主要应用在NDIR 光谱学、光学测温、光谱学、湿气分析,火焰探测、火星探测等。———————————————————————————————————————————— 红外探测器(6):硒化铅(PbSe)材质,响应波段为1-4.5um,有室温 和热电制冷两种,可以带内置前放,多种封装形式可选。主要应用在 NDIR光谱学、光学测温、光谱学、湿气分析,火焰探测、火星探测等。———————————————————————————————————————————— 红外探测器(7):碲镉汞(HgCdTe)材质探测器:响应波段2-26um, 可以对不同的波段进行优化,分为光伏型和光导型,探测率高,响应时 间快,有室温、热电制冷、液氮制冷三种形式可选。———————————————————————————————————————————— 雪崩光电探测器(APD):主要有硅、锗、铟钾砷三种材质,多种封 装形式可选。主要应用于光通信、遥感技术、功率测量、红外线测量、 温度测量、光通信、光谱仪,激光测距等领域。

光谱用光电探测器介绍_百度文库解析

光谱用光电探测器介绍(卓立汉光 光探测器按照工作原理和结构,通常分为光电探测器和热电探测器,其中光电探测器包括真空光电器件(光电倍增管等和固体光电探测器(光电二极管、光导探测器、CCD 等。 ● 光电倍增管(PHOTOMULTIPLIER TUBES,PMT 光电倍增管(PMT是一种具有极高灵敏度的光探测器件,同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极(光敏面等特点。 典型的光电倍增管,在其真空管中,包括光电发射阴极(光阴极和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极的器件。当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大;放大后的电子被阳极收集作为信号输出(模拟信号输出。因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。 从接受入射光方式上来分,光电倍增管有侧窗型(Side-on和端窗型(Head-on两种结构。 侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极,使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从更大面积的光敏面(几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

光电探测器迷宫设计方案2015.5.15

光电感烟探测器设计计划2015.5.15 一:迷宫设计要求: 1. 满足点型光电探测器基本功能要求,一致性,重复性,方位试验,环光试验,气流试验, 火灾灵敏度试验等均要满足国标要求。(其中一致性,重复性,方位,气流试验要严于标准要求。比值<1.3) 2. 兼容性:1.可通过选择不同的发射管方案满足现行光电探测器国标要求或征求意见稿对响应 阈值和火灾灵敏度的要求。同时满足其他实验要求。 2.兼容复合式感温感烟探测器,该迷宫可应用于复合式感温感烟探测器。 3.兼容防爆型光电感烟探测器和复合式感温感烟探测器的生产工艺要求。 3. 满足贴片LED指示灯和导光柱的结构要求。 4. 满足接收管部分需要金属屏蔽罩罩住的结构要求。 5. 满足生产工艺简单,较容易保证生产一致性的要求。 6. 需考虑兼容线路板使用贴片铝电解电容的方案。 7. 灵敏度一致性标定的速度应满足生产线速度的要求。 8. 需考虑灰尘累积对采样值的影响。 二:外壳和底座的设计要求: 1.新探测器外壳与旧底座兼容。 2.兼容防爆光电探测器灌胶工艺 3.线路板与中扣连接片不采用螺钉连接方式,可考虑选择焊接的连接方式或者通过弹片弹 压接触的方式。 4.中扣与上盖的固定方式采用卡扣结构。增加防呆设计。考虑使用机械手安装时上盖和中 扣与传送带的固定方式。 5.需考虑兼容线路板使用贴片铝电解电容的方案。 6.兼容激光打标机打印标签。 7.线路板安装位置应有方向标识和防呆设计。 8.接收管屏蔽罩的安装与焊接应尽量操作简单。 9.探测器与底座安装时可实现360度旋转,安装后连接片部分与底座接触良好。 10.外壳和底座强度应满足国标中的碰撞,震动等试验要求。 11.外壳进烟口的设计应与迷宫进行配合,最大限度提高进烟性能,同时满足国标中气流试 验要求。 12.底座强度应满足工程使用要求,螺钉固定后底座不应变型导致探头无法安装。 13.探测器中扣和上盖应该增加导水孔的设计。实现防水功能。 14.底座与上盖配合时,旋入要有手感,旋出要有力度。 15.底座压板两个钉,其中自攻钉用不方便拆卸的螺钉。例如三角形等。 三:电路设计要求 1.工作电压范围DC8~28V,环境温度:-10℃~60℃ 2.静态电流:≤300μA 报警电流:≤2mA 3.采样值在正常环境下浮动范围不应超过±1。 4.电磁兼容试验满足标准要求。 1 / 5

光电探测器设计

中北大学 《光电探测理论与技术》 作业 学院:信息与通信工程学院 方向:动态测试与智能仪器 导师:靳鸿 姓名:李俊萍 学号: s2******* 班级: Y110503 成绩:

学习心得 通过本学期《光电探测理论与技术》课程的学习,使我了解了光电测试系统由光源、光学变换器件、光电转换器件、信号调理电路等模块构成,光电测试术具有精度高、测量范围广、非接触式测量等特点及优点。 本次作业的题目是红外线光电烟雾探测系统设计,我通过查阅相关文献资料,对光电探测电路进行了一定程度的总结。我参考了浦昭光(文献[1])、曾光宇,张志伟,张存林的《光电检测技术》(文献[2])、郝晓剑,李仰军的《光电探测技术与应用》(文献[3])、张国立(文献[4])、沈建华(文献[5])、张丽英(文献[6])等六篇文献资料,学习了光电探测电路的组成,光电转换器件的光电效应(包括外光电效应、内光电效应),了解了光电二极管的结构、特点、使用方法等。 通过本学期的课程学习,以及课程作业的完成,让我对光电探测理论与技术这门课程有了一定的了解,当然是比较浅显的。 谢谢尊敬的周老师! 学生:李俊萍(s2*******) 2011-8-28

红外线光电烟雾探测系统设计 中北大学信息与通信工程学院 S2*******李俊萍 摘要:光电技术目前已经全面渗透到人类社会生活的各个方面,部分改变着人们的行为模式和生活方式。光电系统在日常生活中有许多应用,在现代化的公共场所和管理部门如收费站、监控中心、隧道以及在其它军用和民用设施中,火灾自动报警系统己成为必不可少的设施。光电感烟探测器具有精度高,寿命长,成本低,生产、安装简单等优点,是火灾探测的主流产品。本文设计了一种红外线光电烟雾探测报警器,首先分析了目前市场上的情况,依据其工作原理对光电系统各个部分进行芯片选择及设计,选用MSP430超低功耗系列单片机作为探测器的微处理器,充分利用单片机的片上资源,设计了AD转换电路,缩小了体积,降低了功耗,提高了系统性能。通过采用功耗低、速度快、低成本的运算放大器LM358,硬件与软件的设计满足了系统的低功耗要求,实现了光电烟雾探测器的基本功能,且功耗低,性能稳定,实用性强。 关键词:光电烟雾探测器;MSP430;低功耗;运算放大器 0 引言 近年来,全球每年发生火灾600~700万起,为了早期发现和通报火灾,防止和减少火灾危害,保护人身和财产安全,在现代化的公路交通运营现场和管理部门以及许多场合比如收费站、宾馆、图书馆、机场、仓库等方面,火灾自动探测报警装置成为必不可少的设施。对保障人民生命财产安全,保障社会安定,保障交通事业和其它国民经济各部门的安全运营有着重要的意义。 设计火灾自动探测报警装置时的方案选择主要有:感温探测器、感光探测器和感烟探测器,感温探测器是感受到温度的变化,需要离火源较近的地方,感光探测器需要有明火出现才可以发现火情,感烟探测器是感应到烟雾的出现,相比较而言以及考虑火灾的特点,火灾总是先有烟雾的出现,感烟探测器能更快的检测到灾情,在实际应用中使用较多。感烟探测器又分为离子式和光电式两类。离子型感烟探测器对烟雾的探测响应性能较为均衡,但其主要利用放射源媚241进行工作,存在环保问题,并且不适合在潮湿环境中工作,目前处于逐步淘汰中。光电式对燃烧时的烟雾有较好的响应,全部由电子元器件组成,比较环保,基于以上原因本文设计一种低功耗的光电式烟雾探测器。

光电探测器及应用

要正确选择光电探测器,首先要对探测器的原理和参数有所了解。 1.光电探测器 光电二极管和普通二极管一样,也是由PN结构成的半导体,也具有单方向导电性,但是在电路中它不作为整流元件,而是把光信号转变为电信号的光电传感器件。 普通二极管在反向电压工作时处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相较大,以便接收入射光。光电二极管在反向电压工作下的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增加到几十微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换为电信号,称为光电传感器件。 2.红外探测器 光电探测器的应用大多集中在红外波段,关于选择红外波段的原因在这里就不再冗余了,需要特别指出的是60年代激光的出现极大地影响了红外技术的发展,很多重要的激光器件都在红外波段,其相干性便于移用电子技术中的外差接收技术,使雷达和通信都可以在红外波段实现,并可获得更高的分辨率和更大的信息容量。在此之前,红外技术仅仅能探测非相干红外辐射,外差接收技术用于红外探测,使探测性能比功率探测高好几个数量级。另外,由于这类应用的需要,促使出现新的探测器件和新的辐射传输方式,推动红外技术向更先进的方向发展。 红外线根据波长可以分为近红外,中红外和远红外。近红外指波长为0.75—3微米的光波,中红是指3—20微米的光波,远红外是指20—1000微米的波段。但是由于大气对红外线的吸收,只留下三个重要的窗口区,即1—3,3—5和8—14可以让红外辐射通过。因为有这三个窗口,所以可以被应用到很多方面,比如红外夜视,热红外成像等方面。 红外探测器的分类: 按照工作原理可以分为:红外红外探测器,微波红外探测器,玻璃破碎红外测器,振动红外探测器,激光红外探测器,超声波红外探测器,磁控开关红外探测器,开关红外探测器,视频运动检测报警器,声音探测器等。 按照工作方式可以分为:主动式红外探测器和被动式红外探测器。 被动红外探测器是感应人体自身或外界发出的红外线的。主动式红外探测器一般为对射,红外栅栏等,是探测器本身发射红外线。 按照探测范围可以分为:点控红外探测器,线控红外探测器,面控红外探测器,空间防范红外探测器。 点源是探测元是一个点。用于测试温度,气体分析和光谱分析等 线阵是几个点排成一条线。用于光谱分析等 面阵是把很多个点源放在仪器上形成一个面。主要用于成像。 四象限是把一个点源分成四个象限。用于定位和跟踪。

光电探测器综述(PD)分解

光电探测器综述 摘要:近年来,围绕着光电系统开展了各种关键技术研究,以实现具有高集成 度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器(Photodetector)及光电 集成电路(OEIC)已成为新的重大挑战。尤其是具有高响应速度,高量 子效率和低暗电流的高性能光电探测器,不仅是光通信技术发展的需 要,也是实现硅基光电集成的需要,具有很高的研究价值。本文综述了 近十年来光电探测器在不同特性方向的研究进展及未来几年的发展方 向,对其的结构、相关工艺和制造的研究具有很重要的现实意义。 关键词:光电探测器,Si ,CMOS Abstrac t: In recent years, around the photoelectric system to carry out the study of all kinds of key technologies, in order to realize high integration, high performance, low power consumption and low cost of photoelectric detector (Photodetector) and optoelectronic integrated circuit (OEIC) has become a major new challenge. Especially high response speed ,high quantum efficiency, and low dark current high-performance photodetector, is not only the needs for development of optical communication technology, but also realize the needs for silicon-based optoelectronic integrated,has the very high research value.This paper reviews the development of different characteristics and results of photodetector for the past decade, and discusses the photodetector development direction in the next few years,the study of high performance photoelectric detector, the structure, and related technology, manufacturing, has very important practical significance. Key Word: photodetector, Si ,CMOS 一、光电探测器 概念 光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏特效应,所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料,且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大

半导体光电探测器的新进展

半导体光电探测器的新进展 摘要 半导体光电探测是半导体光电子学的重要部分,半导体光电探测器在光纤通信,红外遥感等领域有广泛的应用。本文介绍了几种最新的半导体光电探测器结构,旨在探讨国内外当前半导体光电探测器的研究现状及发展趋势。 关键词:光电探测器,位敏探测器,红外探测器 Abstract Semiconductor photoelectric detection is an important part of the semiconductor optoelectronics, semiconductor photodetectorare widely used in the field of optical fiber communications, infrared remote sensing. This article describes several new semiconductor photodetector structure, aims to explore the current status and development trends of the semiconductor photodetector. Keywords: Photodetector , Position sensitive detector, Infrared detectors 一、引言 半导体光电探测器是利用半导体材料的光电效应来接收和探测光信号的器件,它通过吸收光子产生电子-空穴对,从而在外电路产生与入射光强度成正比的光电流以方便测量入射光。半导体光电探测器由于体积小,重量轻,响应速度快,灵敏度高,易于与其他半导体器件集成,是光源的最理想探测器,可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。随着现代科学技术的发展,特别是光电子技术的发展,现代武器装备的精度和性能有了很大的提高,使现代战争具备了新的特点。半导体光电探测器是军用光电子设备和系统的关键器件,已广泛用于军事领域。军用光电子设备是指利用半导体光电探测器探测、变换、传输、存储、处理光和辐射的各种军事装置,半导体光电探测器技术在军事上的应用,大大扩展了作战的时域、空域和频域,影响和改变了传统的作战方式和效率,并在许多方面提高了武器的威力、作战指挥、战场管理能力。半导体光电探测器器件在新型武器系统中起着不可替代的作用。 目前,半导体光电探测器已有很大进展,这将大大提高军用光电子装备的性能和竞争力。在军事领域中,最为广泛应用的半导体光电探测器是光电探测器(PD)、位敏探测器(PSD)和红外探测器。 二、光电探测器最新进展 近年来光电探测器的研究引起人们的重视,在标准CMOS工艺下的Si光电探测器的发展更是取得了瞩目的结果。2005是CMOS发表的量较大的时期,同时在这一阶段的光电探测器的发展也呈现逐年上升趋势,光电探测器的的应用范围也在逐步的扩大,为我们以后的研究开发奠定了一定的发展空间。在现在这个注重创新与节能的时代,光电探测器的有着不可替代的作用,在工业及军事等各个领域都有着广阔的发展前景。 2.1硅基光电探测器]1[

光电探测器简介、现状及分析

光电探测器的发展现状及分析 摘要 概述了光电探测器的分类和基本原理,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了光电探测器国内外研究现状,预测了硅基雪崩光电探测器在军事和激光雷达等方向的应用前景 关键词光电探测器分类原理发展现状 一光电探测器原理 光子型探测器( photondetector) 利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器,也称光电型探测器。探测器中的电子直接吸收光子的能量,使运动状态发生变化而产生电信号,常用于探测红外辐射和可见光。 用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件,如光电管、光电倍增管和红外变像管等。这些器件都包含一个对光子敏感的光电阴极,当光子投射到光电阴极上时,光子可能被光电阴极中的电子吸收,获得足够大能量的电子能逸出光电阴极而成为自由的光电子。在光电管中,光电子在带正电的阳极的作用下运动,构成光电流。光电倍增管与光电管的差别在于,在光电倍增管的光电阴极与阳极之间设置了多个电位逐级上升并能产生二次电子的电极(称为打拿极)。从光电阴极逸出的光电子在打拿极电压的加速下与打拿极碰撞,发生倍增效应,最后形成较大的光电流信号。因此,光电倍增管具有比光电管高得多的灵敏度。红外变像管是一种红外-可见图像转换器,它由光电阴极、阳极和一个简单的电子光学系统组成。光电子在受到阳极加速的同时又受到电子光学系统的聚焦,当它们撞击在与阳极相连的磷光屏上时,便发出绿色的光像信号 特点:入射光子和材料中的电子发生各种直接相互作用即光电子效应 所用的材料:大多数为半导体。 根据效应发生的部位和性质分为 1. 外光电效应:发生在物质表面上的光电转化现象,主要包括光阴极直接向外部发射电子的现象。典型的例子是物质表面的光电发射。这种效应多发生于金属和金属物。 2. 内光电效应:指发生在物质内部的光电转化现象,特别是半导体内部载流子发生效应,这种效应多发生于半导体内。

半导体光电探测器的原理及其应用(精)

半导体光电探测器 摘要:本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的工作原理及其特性,最后阐述了光电导探测器与光伏探测器的区别。 关键词:半导体光电探测器,光电系统,光电导探测器,光伏探测器 引言 光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能。光敏器件的种类繁多,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN结型、PIN结型及异质结型的等。由于光电探测器的响应速度快,体积小,暗电流小,使之在光纤通讯系统、光纤测试系统、光纤传感器、光隔离器、彩电光纤传输、电视图象传输、快速光源的光探测器、微弱光信号的探测、激光测距仪的接收器件、高压电路中的光电测量及光电互感器、计算机数据传输、光电自动控制及光测量等方面得到了广泛应用。 半导体光电探测器是用半导体材料制作的能接收和探测光辐射的器件。光照射到器件的光敏区时,它就能将光信号转变成电信号,是一种光电转换功能的测光元件。它在国防和工农业生产中有着重要和广泛的应用。 半导体光电探测器可分为光电导型和光伏型两种。光电导型是指各种半导体光电导管,即光敏电阻;光伏型包括光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。本文首先介绍了光电系统的组成,然后分别介绍其工作原理及其特性,最后将这两类探测器进行比较。 一、光电子系统的组成 现代光电子系统非常复杂,但它的基本组成可用图l来说明:待传送信号经过编码器编码后加到调制器上去调制光源发出的光,被调制后的光由发射光学系统发送出去.发射光学系统又称为发射天线,因为光波是一种电磁波,发射光学系统所起的作用和无线电发射天线所起的作用完全相同.发送出去的光信号经过传输介质,如大气等,到达接收端.由接收光学系统或接收天线将光聚焦到光电探测器上,光电过长距离传输后会衰减,使接收到的信号一般很弱,因此需要用前置放大器将其放大,然后进行解码,还原成发送端原始的待传送信号,最后由终端显示器显示出来. 图1-1光电子系统图 二、半导体探测器的原理 1、光电导探测器 光电导探测器主要是通过电阴值的变化来检测,以下我将以光敏电阻为例介绍其工作原理。光敏电阻又称光导管, 它没有极性, 纯粹是一个电阻器件, 使用时既可加直流电压, 也

光电探测器设计报告

光电探测器设计报告 设计人: 摘要:本报告主要叙述本小组设计的基于光电效应的、可用于探测入射光频率的光电探测器的设计原理、设计过程和所期望实现的功能, 以及对此设计产品性能的估计。 一、设计原理 比电效应是我们从中学就开始接触并且学习的知识,原理十分简单,但却有巨人的用处。因此,我们选择这个我们熟知的知识作为基本原理,在它的基础上完成我们所设想的功能。 1.光电效应及其规律 由于我们对光电效应己经有了较为深入的了解,所以对其发现历史不再赘述,这里只叙述一下基本的4条规律。 /I 1可變電源 (1) 每一种金属在产生光电效应时都存在一个极限频率(或称截ll:频率),即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称作极限波长(或称红限波长)。当入射光的频率低于极限频率时,无论多强的光都无法使电子逸出。 (2) 光电效应中产生的光电子的速度和动能与光的频率有关,而与光强无关。反应初动能的是截止电压即初动能为 1 , Ehn = =叫

(3)光电效应的瞬时性。实验发现.即儿乎在照到金属时立即产生光电流。响应时间不超过lnso (4)入射光的强度只影响光电流的强弱,即只影响在单位时间单位面枳内逸出的光电子数冃。在光颜色不变的情况2入射光越强,饱和电流越人,即一定颜色的光,入射光越强, 一定时间内发射的电子数目越多。 2.爱因斯坦光电效应方程 光子能量E = hv?逸出功为W,则由能量守恒町以得到 hv = - mVm + W 乙 实验中 eU a = = hv — W 乙 整理公式即可得到 W e v = T + h Ua 这就是我们想要探测的入射光频率。 二、设计思路 在我们做过许多次的实验电路图中,只要调节町变电源,使得电流表示数为零(即光电流为零),电压表所测得的电压就是我们需要的截止电压了。 但是,电源的调节是于?动的,我们希望自己的产品是自动测量的。因此,我们可以将町变的直流电源变成-个交变电源,总有一个瞬间的电压可以使光电流为零,这时的电压就是我们所需要的截止电压。只需要添加某种电路,使其能够识别光电流为零并且及时做出反应, 触发其他的某些电路或若元件,使其及时记录并且显示截止电压和利用公式计算出的入射光频率即可。 三、设计过程和产品结构 1.总体构想 依据我们的设计思路,我们还需要使用数字电路课程和模拟电路课程中学过的知识。 (1)基本光电效应电路。包含光电符和交变电压源。 (2)施密特触发器电路。由于施密特触发器町以对正弦波做出整形和转换,町以用來检测比电流并且做出反应触发其他电路。 (3)模数转换器。把截止电压的模拟信号转换成数字信号。 (4)模拟运算器。用來将截止电压转换成频率。 (5)译码、显示电路。用來显示截止电压和入射比频率给使用者。 (6)复位、清零按钮。发出清零脉冲使电路复位。 以F是我们此次设计产品的原理图:

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