平板显示技术基础—习题答案.

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第一章习题答案

一、填空题

1. 投影型空间成像型直视型阴极射线管显示器平板显示器

2. 主动发光型非主动发光型

3. CRT投影技术LCD投影技术数字光处理器表面数字微晶装置

4. 阴极射线管电子束电子枪阴罩荧光粉层

5. 等离子体气体放电发光

6. 半导体硅上的液晶玻璃半导体硅材料

7. 头盔显示器全息显示器

8. 真空荧光真空荧光管

9. 无数个小发光二极管拼接10. 300mm×400mm 2

二、名词解释

1. 主动发光型显示器是指利用电能使器件发光,显示文字和图像的显示技术。

2. 被动发光型显示器是指器件本身不发光,需要借助于太阳光或背光源的光,用电路控制外来光的反射率和透射率,才能实现显示。

3. 投影型显示器是用显示器显示图像后,再经光学系统放大后投影到屏幕上的一种显示。

4. 空间成像型显示器是空间虚拟图像,也是投影显示的一种,代表技术是头盔显示器

5. 电致发光显示器是利用某些材料在外界电场作用下发光实现显示的一种主动发光显示器。

6. 场致发射显示器是一种用冷阴极在高电场作用下发射电子,轰击涂覆在屏幕上的荧光粉发光实现显示的。

7. 发光二极管显示器是采用无数个小发光二极管拼接组成的显示器。

8. 响应时间是指显示器对输入信号的反应时间,如像素由暗转到亮,再由亮转到暗的图像完全显示所用的时间。

9. 亮度是指在单位面积上显示器画面明亮程度。

10. 开口率是像素的有效透光区面积与像素总面积的比值。

11. 对比度是指显示器的最大亮度与最小亮度的比值。

12. 灰度是指在白和黑之间的亮度层次分成几个等级,表示显示亮度不同的反差。

13. 拖尾是显示器在显示动态图像时出现的边缘模糊、看不清细节的现象。

14. 像素是平板显示图像的很多纵横排列的点中最小单位的点。

15. PPI,Pixels per inch,是每英寸所拥有的像素数目。

16. 画面尺寸是指显示区域对角线的长度。

17. 长宽比是显示画面横方向尺寸和纵方向尺寸的比。

18. 像素间距是像素到像素的重复距离,就是单元像素的大小。

19. 发光效率是主动发光显示器主要的参数,所发出的光通量与显示器所消耗的功率之比。

20. 工作电压是驱动显示器所加的电压。

21. 产线世代是平板显示器发展的历程,用基板尺寸的大小决定生产线使用的设备型号,也决定着产线世代。

三、简单题

1. 简述CRT显示的原理。

电子枪发射出电子束,用视频信号调制电子束流,用电子透镜的聚集系统来汇聚电子束,在荧光屏上将电子束聚焦。几经聚焦、调控的电子光束打在荧光粉上时,会产生亮点。通过控制电子束的方向和强度,可产生不同的颜色与亮度。当显示器接收到由计算机显示卡或由电视信号发射器所传出来的图像信号时,电子枪会从屏幕的左上角开始向右方扫描,然后由上至下依次扫射下来,如此反复的扫描即可构成人们所看到的影像。

2. 简述PDP显示的面板结构。

PDP的显示面板由排列成矩阵型的像素点阵构成,每一个像素由红绿蓝三基色的子像素构成。子像素是独立的,由单个放电单元独立进行放电发光。面板结构:1)在下玻璃基板上垂直配置扫描电极,上面用介质层覆盖。2)光刻制作壁障,用来隔开各个像素,防止放电之间的干扰。3)壁障外形成彩色荧光粉(红、绿、蓝)。4)在上基板上水平配置信号电极,是用来为维持放电控制显示亮度的。电极外面覆盖介质层。再涂覆一层MgO保护层,用于得到稳定的放电和较低的保持电压,并延长显示器寿命。

3. 简述场致发射的结构及原理。

FED显示结构:由阳极基板与阴极基板构成。阳极基板上为红、绿、蓝三基色荧光粉条,为了保证色纯,三基色之间由黑矩阵隔开,阳极采用通明的氧化物导电层;阴极基板由行列寻址的尖锥阵列和栅极构成,栅极制作成孔状。两基板之间充有隔垫物,用来抵抗大气压力。在基板之间用低熔点玻璃胶封住。为了维持器件中的真空度,器件中应放置合适的消气剂。

FED显示原理:1)在尖锥阴极与栅极之间加低电压,小于100V,实现对阴极发射电子的调制;2)由于电极的间距很小,在尖锥阴极的尖端会产生很强的电场。电子在强电场下由于隧道效应从金属内部穿出进入真空中;3)在上基板的阳极上加10000V的高电压,电子加速获得能量轰击阳极基板上的荧光粉,得到高亮度的发光。

4. 简述FED和CRT的区别。

1)FED是阵列型发生源,是一个面矩阵,有数十万个主动发光的尖锥阴极阵列。CRT 只有一个电子束,或者彩色显示有3个电子束。

2)FED采用微尖型阵列平面电场作用下的冷阴极发射。CRT是利用电子枪的热电子发射。

3)FED的荧光点到阴极的距离小于3mm,是平板显示。CRT由于使用热电子抢,为了是电子束获得足够的偏离和扫描,必须有一定距离才能打到荧光屏上,体积又大又厚又重。

5. 简述热电子发射和冷发射的区别。

热电子发射是利用加热物体提供能量使电子从物体表面逸出的过程。当物体温度升高,电子的无序热运动能量随之增大。升高到一定程度,电子克服体内的束缚力从物体表面逸出,发射出来进入真空。

冷阴极发射是一种场致电子发射的过程,又称自发射。当物体表面电场加强,不需要加热,阴极体内的电子在电场下获得足够的能量后,克服体内的束缚力,利用隧道效应从表面发射出来进入真空。

6. 简述真空荧光显示的结构和原理。

由玻璃基板、阴极、栅极、阳极和在阳极表面涂布的荧光体组成,属于一种三电极结构。阴极采用丝状直热式氧化物,用于发射电子。栅极采用网状或者丝状结构,通过调整栅极相对于阴极的电位,电子可以通过栅极向阳极运动。阳极表面涂有荧光粉层。当栅极的电

位为正,电子向栅极运动,一部分电子穿过栅极,另一部分电子会被栅极拦截而变成栅流,一般要求这部分电流越小越好。当阳极电压也同时为正时,穿过栅极的电子可以到达阳极,激发荧光体发光。因此,VFD需要栅极和阳极同时加正压时才可以发光。

7. 简述液晶显示器亮度决定因素有哪些?并计算分析实际亮度能达到多少?

液晶显示器亮度决定因素有背光源的亮度、液晶屏的透过率。其中液晶屏的透过率由偏振片1的透过率、液晶屏的开口率、彩膜的透过率、电极的透过率、偏振片2的透过率决定。

根据背光源的亮度计算显示器的亮度,如一个亮度为3000cd/m2的背光源,液晶屏的透过率大约为5~10%左右,可以得到的显示屏亮度为150~300cd/m2左右。

8. 简述灰度级和颜色数的关系?并举例说明。

灰度级数为2的数据比特数次方。彩色显示的颜色数为灰度级数的3次方。

例如:数据信号为3比特,可显示的灰度级数为23=8级。彩色显示时可显示的颜色数是83=512色。

9. 简述柔性显示面临的技术瓶颈。

面临的技术瓶颈主要有:1)性能差;2)寿命低;3)生产设备不成熟;4)相关高科技技术还未匹配。

四、思考题

1. 思考一下PDP显示面临的问题?适合应用在哪些领域?

面临的问题:1)PDP显示器中,存在等离子体对荧光粉的烧伤问题;2)PDP显示器中为防止像素间的放电干扰,必须采用障壁结构;3)PDP的等离子体是在高压下产生的,某些像素要获得高亮度还需要更高的瞬时功率,成本高;4)PDP显示器的单元像素变小时,发光效率会降低,亮度也会下降。PDP的发光效率较CRT明显低很多。

应用:只适用于比较大、清晰度较低的显示器。

2. 以三片式液晶面板投影机说明透射式投影原理。

首先,利用光学系统把强光通过分光镜形成RGB三束光,分别透射过RGB三色液晶屏上;接着,信号源调制液晶屏,通过控制液晶单元的透光或阻断,来控制光路;然后,经过三片液晶屏的光线在棱镜中汇聚,由投影镜头投射到屏幕上实现彩色显示

3. 分析VFD的局限性及发展。

VFD由于工作电压低限制了某些性能。1)彩色化的限制。由于驱动电压低,大部分材料在20V左右不能发光,材料局限导致彩色化困难;2)阴极功耗大。阳极的电流是由阴极提供的,阳极电流越大,所需要的阴极功耗也越大。而且阴极必须一直加电压,功耗很大;3)分辨率受限。VFD的栅极在器件中是架空的,不可能制作太高的分辨率。

由于以上缺陷的限制,VFD主要应用在对功耗要求不大的小屏幕设备,如音视设备、微波炉等家用电器和电子称、仪器仪表中。

4. 分析在一个演出的场合需要使用200英寸以上的显示器,你选择哪种显示器?为什么?

选择发光二极管显示器。因为发光二极管显示器是采用无数个小发光二极管拼接组成的显示器。不受组装数量的限制,适合于大型、户外显。

5. 思考一下如何提高开口率,并举例说明。

通过改变设计方案和工艺能力,缩小栅线、信号线宽度和TFT等大小可以提高开口率,

但是提高程度有限。另外,通过改变线间距提高开口率的措施也是非常有效的,常用的有两种,一种是BM on Array 设计,另一种是有机膜绝缘层设计。

以BM on Array 设计为例。BM on Array 设计中,阵列基板在制作薄膜晶体管阵列之前,先制作一层黑矩阵,光刻出黑矩阵图形正好可以遮挡住线间距,接着沉积一层隔离层。再按照正常工艺制作薄膜晶体管阵列。因为线间距被阵列基板上的黑矩阵遮挡住了,阵列基板和彩膜基板对盒时在像素电极上不用再交叠,开口率明显提高。

6. 设计一款4.5英寸,分辨率为960×640的显示屏,能达到多少ppi ?长宽比为4:3的话,像素间距能达到多少?

2565

.46409602

2=+=ppi m cm μ9596034454.25.422≈÷+?

?=横向的像素间距 m cm μ10764034354.25.422≈÷+?

?=纵向的像素间距

第二章 习题答案

一、填空题

1. 向列相 近晶相 胆甾相

2. 平行

3. 扭曲向列相

4. 热致液晶 溶致液晶

5. 黄色 黑色 黄模式

6. 热致液晶

7. 超扭曲向列相液晶显示器

8. 1888

9. 晶体的各向异性所特有 10. 动态散射效应 电控双折射效应 宾主效应 扭曲向列效应

二、判断题

1. ×

2. ×

3. √

4. ×

5. √

6. √

7. ×

8. ×

9. √ 10. √

三、名词解释

1. 液晶是指在某个温度范围内,具有晶体的各向异性和液体的流动性,不同于通常的固态、液态和气态的一种新的物质状态,又称为物质的第四态。

2. 热致液晶是把某些有机物加热溶解,由于加热破坏晶体的点阵结构而形成的液晶,在某一温度范围表现出液晶的性质。

3. 残像是指液晶屏施加信号电压后,显示屏上有影像残留的现象。

4. 闪烁是指屏幕上某些点的亮度产生瞬时变化的现象。

5. 液晶介电各向异性是指液晶在不同方向上的介电常数不同。

6. p 型液晶,又称为正性液晶,在外电场作用下,液晶分子的长轴方向与外电场平行时体系的能量最小。

7. n 型液晶,又称为负性液晶,在外电场作用下,液晶分子长轴方向与外电场垂直时体系的能量最小。

8. 液晶的电光效应是指液晶在外电场下分子的排列状态发生变化,引起液晶屏的光学性质发生变化的一种电光调制效应。

9. 宾主效应是指将二色染料作为客体(宾体)溶于特定排列的向列相液晶材料(主体)

中,利用染料分子不同的吸收实现彩色显示的效应。

10. 无源矩阵液晶显示器是单纯在两块玻璃之间注入液晶材料的液晶显示器。

11. 有源矩阵液晶显示器是在内部引入薄膜晶体管或二极管等有源器件作开关器件,再注入液晶材料的液晶显示器。

12. 常白型液晶显示器是不加电压时,液晶显示器为透光状态;加上电压后,随电压的增加透过的光强逐渐减小的液晶显示器。

13. 常黑型液晶显示器是不加电压下无光输出为暗态;加上加电压后,随电压的增加透过的光强逐渐增加的液晶显示器。

四、简答题

1. 液晶的种类

从组成和产生液晶态的物理条件看,液晶可以分为热致液晶和溶致液晶两大类。按照刚性中心部分的形状可以把液晶分成两种类型:细长棒状和扁平盘状。

2. TN型液晶显示器的显示原理

在不加驱动电压时(off态),来自光源的自然光经过上偏振片后只剩下平行于透光轴的线偏振光。线偏振光射入液晶层。液晶层内的液晶分子,由于上下基板表面取向层的作用,从上到下刚好扭曲90°。光在传播中,偏振方向随液晶分子扭曲结构同步旋转。光到达下偏振片时,偏振面刚好旋转了90°,正好与另一片偏振片的光轴平行,光可以透过,呈现亮态。

在施加足够电压时(on态),由于正性液晶的介电各向异性和电场的相互作用,液晶分子扭曲结构解体,液晶分子长轴平行于电场方向,线偏振光的偏振方向在盒中传播时不再旋转,保持原来偏振方向到达下偏振片。正好与下偏振片的光轴正交,无光输出,呈现暗态。

当一些像素透光,而另一些像素不透光,就会显示出明暗不同的图像。

3. 液晶相的分类

细长棒状液晶根据液晶相分为:向列相、近晶相、胆甾相。

4. 向列相液晶的特点

向列相液晶由长径比很大的棒状分子组成。每一分子的位置虽无规则,但分子长轴基本保持平行,不能排列成层状,可以上下、左右、前后滑动。各个分子容易顺着长轴方向自由移动,粘度小,富于流动性。

5. 简述液晶显示器残像产生的原因

液晶中快态离子在电场作用下引起离子的传输,导致在相对低的频率下光传输中图像的闪烁,获得错误的灰度级。

6. 简述液晶显示器闪烁形成的原因

液晶中慢态离子在长时间高于50mV以上的直流驱动下,引起离子的产生和移动。离子可以聚在取向层中,引起一个补偿电压,在施加的直流驱动去除后,离子导致的补偿电压还会持续很久,引起残像。

7. 简述液晶材料的物理性质对显示性能的影响

弹性常数和旋转的粘度决定着液晶的响应时间和阈值电压的主要因数;介电各向异性决定着液晶在电场下是p型还是n型的特性,大的介电常数可以降低阈值电压;光学各向异性决定着液晶的光学性质;阈值电压决定着在低功耗下的工作范围。

8. 描述第一个液晶显示器采用的显示原理(动态散射效应)

动态散射效应显示原理:在液晶材料上施加电场,外加电场直接对液晶分子作用,使液晶分子长轴按照电场相应地排列,如n型液晶垂直电场方向有序排列;液晶中微量杂质的带电粒子受电场作用后分别向两极移动,使离子所过之处液晶分子受到离子冲击而转动,破坏液晶分子的有序排列;电场继续增加,液晶分子处于不断摇摆状态,发生紊乱,造成液晶屏各部分折射率分布的不均匀。有光通过液晶屏,入射光会被散射掉。

9. 简述偏振片的作用

偏光片是只允许在某一个方向振动的光波通过,而其他方向振动的光将被全部或部分地被阻挡。

10. 简述液晶显示器的分类及英文缩写

液晶显示器主要分为无源矩阵和有源矩阵液晶显示器。无源矩阵液晶显示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、铁电液晶、Ch-N相转变模式等液晶显示器。有源矩阵液晶显示器又包括二端子和三端子器件两类。二端子器件有MIM、MSI(SiNx 硅氧化膜)、DR、BTB二极管、Pin二极管/(a-Si)等。三端子器件主要有MOSFET和TFT,TFT有非晶硅a-Si TFT、多晶硅p-Si TFT、氧化物ZnO TFT、化合物CdSe TFT,CdS TFT、有机TFT (OTFT)等。

MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管

TFT:Thin Film Transistor 薄膜晶体管

MIM:Metal Insulator Metal 金属-绝缘体-金属

MSI:Metal Semi-Insulator Metal 金属-半绝缘体-金属

D R:Diode Ring 二极管环

BTB:Back To Back Diode 背靠背二极管

ECB:Eletrically Coutrolled Birefringence 电控双折射

11. 简述STN型液晶显示器的显示原理

STN型液晶显示器基板表面的液晶分子与偏振片光轴方向不同。入射光侧液晶分子长轴方向与上偏振片的光轴旋转30°(β),而出射光侧的液晶分子长轴方向与下偏振片的光轴旋转60°(γ)。在液晶中传播速度的不同,光通过下偏振片时相互发生干涉。不加电压时,在液晶分子旋光和光的双折射共同作用下透光,呈现黄色;加上一定的电压,液晶分子沿电场方向排列,从上偏振片透过的光,穿过液晶分子后到下偏振片,由于与下偏振片光轴垂直,不透光,呈现黑色。因此,STN型显示本身能显示颜色。

12. 简述铁电液晶的工作原理

当对铁电液晶的液晶屏加上直流电压时,自发极化的偶极矩与电场相互作用,使液晶分子自极化方向指向电场方向,螺距变长。当电场超过一定值时,螺旋结构消失。当电场方向反向时,分子的极化方向也反向,液晶分子相对于层面法线的倾斜角也从θ变成-θ,即在基板面内变化了角度2θ。在E<-Ec时,通过下偏振片的光,通过铁电液晶层,到上偏振片,与上偏振片光轴垂直,不能透光为暗态;当E>+Ec时,通过下偏振片的光,通过铁电液晶层,刚好扭曲了2θ,与上偏振片光轴几乎平常,光透过为亮态,

五、计算题与分析题

1.请画出TN-LCD的结构图,简述TN型液晶显示器的组成并在图中标出各部分的名称。

TN型液晶显示器是由偏振片、玻璃基板、彩膜、透明电极(ITO)、取向层和液晶组

成。

2.请画出常白型TN 液晶显示器的显示原理图,并简述显示原理。

常白模式液晶显示器的上下两个偏振片透光的光轴垂直,内部液晶分子从上到下刚好扭曲90°。不外加电压时,液晶显示器为透光状态,为亮态;加上外界电场后,随电场的增加透过的光强逐渐减小,最后透光率趋近于零,为暗态,可以实现在白色背景上显示黑色图案。

3.

以互换?请举一个例子分析为什么?

各种类型的液晶材料基本都用于开发液晶显示器。如向列相液晶显示器、聚合物分散液晶显示器、双(多) 稳态液晶显示器、铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器等。在多种液晶显示器中,开发最成功、市场占有量最大、发展最快的是向列相液晶显示器。

不可以互换。因为显示原理不一样,结构和参数设计都不一样,所以不可以互换。

第三章 习题答案

ITO 电极 玻璃基板

偏振片

偏振片 玻璃基板 彩膜 ITO 电极 取向层 偏振片 取向层

液晶

偏振片

取向层

(a )未电压透光 (b )加电压不透光 电

一、填空题

1. 对比度色差灰阶逆转

2. 多畴垂直排列技术图案化垂直排列技术共面转换技术边缘场开关技术

3. MV A技术PV A技术

4. 5+1

5. 交错排列V字阵列基板彩膜基板

6. 聚合物稳定取向材料

7. 先进的超视角技术

8. 楔形

9. 透明的ITO 透明的ITO 10. 双畴像素

二、判断题

1. ×

2. √

3. √

4. ×

5. ×

6. ×

7. √

8. √

9. × 10. ×

三、名词解释

1. 视角是指液晶显示器可以清楚看到不失真影像的视线与屏幕法线的角度,数值越大越

好。

2. 灰阶逆转是指随着观看角度的增加,液晶显示器上出现低灰阶比高灰阶还要亮的现象,产生逆转的临界点时的观看角度为最大可视角度。

3. 色差是指随着观看角度的增加,液晶显示器上出现颜色锐变的现象,当这种变化超过一个无法接受的值的时候为最大可视角度。

4. 漏光现象是指黑色显示时有不同程度的光透过的现象。

5. 水平视角是指以液晶显示屏的屏幕法线方向为中心,向左和向右移动可以清楚看到影像的角度范围,又称为左右视角。

6. 垂直视角是指以液晶显示屏的屏幕法线方向为中心,向上和向下移动可以清楚看到影像的角度范围,又称为上下视角。

7. 补偿膜技术是在原有TN模式的基础上,在液晶屏外部粘贴一些各向异性的光学膜,用来补偿由于液晶分子的状态不同而产生的光学性质差异来改善视角的。

四、简答题

1. 简述视角产生的原因。

1)液晶显示器本身不能发光,是一种被动发光显示器。2)长条棒状的向列相液晶,具有和晶体类似的双折射现象;3)当显示不同灰阶施加不同的电压时,液晶分子的长轴方向与玻璃基板有不同的角度,不同方向看到的灰阶不同;4)入射的线偏振光,在扭曲的液晶分子作用下产生双折射,导致通过液晶层的偏振光的光程差不同,引起不同程度的漏光;5)存在不同程度的灰阶逆转现象。

2. 简述V A技术如何实现光学补偿的。

VA技术凸起物附近的液晶分子略有倾斜,分子状态正好对称。左右相邻的液晶分子长轴方向分别指向不同的方向,分子状态对称。利用这种不同指向的液晶分子长轴方向来实现光学补偿。

3. 简述MV A技术的显示原理。

不加电压下,液晶分子在液晶屏内并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下,一部分垂直基板排列,一部分垂直于凸起物排列,在交界处液晶分子会偏向某一个角度;上下偏振片光轴垂直,从一个偏振片通过的偏振光,穿过液晶层,到另一个偏振片后与光轴垂直,不透光呈黑态。

当加电压后,n型液晶分子在电场下要垂直电场排列,但由于垂直取向的作用,使得液晶分子在液晶屏内倾斜排列,并趋向于水平。光可以通过各层,由于双折射产生干涉,透光呈白态。在视觉观察下,MV A技术上下基板交错的三角棱状的凸起物,共同作用下两个畴的

液晶分子排列更加整齐有序,利用这种不同指向的液晶分子长轴方向来实现光学补偿。

4. 描述MV A技术的工艺方案。

MV A型TFT-LCD的阵列工艺:玻璃基板投入→Gate电极→TFT硅岛→源、漏电极→钝化及过孔→像素电极→MV A凸起物,共5+1次光刻。

MV A型TFT-LCD的彩膜工艺:玻璃基板投入→黑矩阵(BM)膜→彩色膜(RGB)→保护膜(OC)→透明导电膜(ITO)→衬垫(PS)→MV A凸起物.

5. 简述PV A技术和MV A技术的主要不同。

1)凸起物不同,MV A技术的上、下基板上间隔分布着三角棱状的凸起物,经垂直取向后,液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PV A技术直接改变了液晶显示器单元像素结构,采用透明的ITO层代替MV A中的凸起物,具有更好的开口率、高的显示亮度,最大限度减少背光源的浪费。2)电极结构不同,MV A技术的下基板上形成像素电极,光刻出像素电极的形状,而上基板的ITO电极是一个整面的结构,不需要光刻出图形。PV A型液晶显示器上基板的ITO电极,不再是一个完整的ITO薄膜,而是光刻出一道道平行的缝隙。

6. 简述IPS技术的器件结构。

IPS技术中,像素电极和共用电极都制作在同一块基板上,在另一块基板上没有电极。利用梳妆数字电极构成单元像素,电极间距为L,电极宽度为W,在共用电极和像素电极之间加上横向电场来控制液晶分子的排列。

7. 描述IPS技术的显示原理。

以p型液晶的IPS技术为例。在未加电压下,入射光通过上偏振片的线性偏振光在液晶屏内从上到下旋转90°后,到下偏振片时,正好与偏振片的光轴方向垂直,不透光,呈现黑态(或关态)。在电极之间施加一个足够的电压,会相应的产生一个电场E,使液晶分子重新排列后,沿电场方向排列,透过上偏振片的线偏振光经过液晶分子到下偏振片后,与下偏振片的光轴平行,透光,呈现亮态(或开态)。

8. 简述FFS技术与IPS技术的差别。

1)电场不同,IPS技术中一个电极是金属电极,另一个电极是ITO像素电极,电极间距大。在FFS技术中两个电极都是透明的ITO电极,电极间距小;2)存储电容面积不同,IPS技术用ITO的像素电极和金属材料为条形结构,存储电容面积小。FFS技术第一层ITO 的共用电极制作成矩形,第二层像素电极ITO制作成长条形,存储电容面积大,

9. 简述单像素双畴FFS模式的实现的原理。

双畴的FFS结构中,共用电极线在中间,把像素电极分成上下两部分。条形电极的方向不同,分别与信号线成一定的角度。表面取向层的摩擦方向,平行信号线方向。不加电压下,液晶分子沿摩擦方向排列。加电压后,正性液晶分子平行电场方向排列。像素电极上部分的液晶分子顺时针旋转,像素电极下部分的液晶分子逆时针旋转。两个方向旋转的液晶分子形成了两个不同的畴。

10. 简述FFS技术中电极和电场的特点。

在FFS技术中两个电极都是透明的ITO电极,电极间距小。电极间的距离L小于液晶屏的盒厚d和电极宽度w。加电压时整个液晶屏内的电场线呈抛物线形状。电极上方有电场的水平分量,又有电场的垂直分量,液晶分子也可以旋转,从而增大了开口率,提高了液晶屏的透光率。

五、计算题与分析题

1. 描述FFS技术的工艺流程,并绘制平面图形。

用5次光刻的工艺技术制作薄膜晶体管的阵列。5次光刻分别为栅极、有源岛、源漏电极、TFT的保护膜、像素电极。

2. 描述MV A技术如何实现的广视角?

V字形直条三角棱状的凸起物把每个子像素分成了四个畴,上下基板交错排列。在方位Ⅱ处观察,开态和关态,看到的都是接近液晶分子长轴的投影,显示中灰阶;在方位Ⅰ和Ⅲ处观察,关态在屏幕的投影是短轴方向,显示黑色;开态在屏幕投影是液晶分子长轴方向,显示白色。因此,方位Ⅱ和Ⅲ处能同时看到高灰阶和低灰阶,混色后正好是中灰阶。

3. 举例说明多畴模式的作用?

多畴垂直排列技术通常采用取向层掩膜摩擦、光控取向或利用凸起物衬底等方法,在每个像素上形成多个液晶分子取向方向不同的畴,进而改善液晶由于单畴造成的各向异性过强,显示视角特性差的缺点。

4. 举例说明色差问题产生的原因。

色差产生的原因是随着视角的变化,液晶分子双折射导致的光程差发生了变化。光程差不同,相位延迟不同,观看到的光波长不同。因此,透射光的波长与光程差△nd一起波动。

平行液晶分子长轴时,△n最小;垂直液晶分子长轴时,△n最大。平行于液晶分子长轴观看到的波长偏小,色彩偏蓝色;垂直液晶分子长轴观看到的波长偏大,色彩偏黄色。

5. 分析漏光产生的原因。

漏光是黑色显示时有不同程度的光透过的现象。常黑模式TN型液晶显示器不加电压下为黑态。入射的线偏振光,在扭曲的液晶分子作用下产生双折射,导致通过液晶层的偏振光的光程差△n?d不同,引起不同程度的漏光,无法得到全黑色。

六、思考题

1. IPS技术为什么有硬屏之称?通过与其他广视角技术对比举例说明。

IPS技术的液晶屏内液晶分子排列呈水平状。当遇到外界压力时,分子结构向下稍微下陷,但整体分子还是呈现水平状排列。比较硬,没有闪光现象,用手轻轻按或划不容易出现水纹样变形,又有硬屏之称。但VA型液晶屏内液晶分子垂直排列,轻按后出现大面积明显的闪光区域,就是俗称的水纹现象。IPS硬屏的分子复原速度更快,消除了敲击软屏时难以避免的残影,显示效果清晰。IPS技术的液晶屏稳定性、抗压性高,动态画面表现好。

2. 通过举例说明广视角技术的设计原则及实现原理。

广视角技术的设计原则:1)形成多畴垂直排列技术,如MV A技术和PV A技术;2)改变液晶分子的旋转方式,如IPS技术和FFS技术,液晶分子在始终平行于基板的平面内旋转。

实现原理:略。

3. 你认为最有前景的广视角技术是哪一种?为什么?

略。

4. 为什么说PV A技术有降低亮点的可能性?还有那些技术可以降低亮点呢?

PV A技术属于常黑模式的液晶显示器,不加电场下,屏幕为黑色。在生产制作中,如果有一个TFT坏点,也同样不会产生“亮点”,大大降低了液晶显示器面板出现“亮点”的可能性。

MV A技术、V A技术等。

第四章习题答案

一、填空题

1. 液晶分子取向形成预倾角

2. 平行取向垂直取向倾斜取向

3. 印刷

4. 库仑力交指结构

5. 切割倒棱短路环玻璃毛边的细小裂纹棱角光滑

6. 柔性线路板印刷电路板

7. 各向异性导电胶连接工艺非导电胶连接工艺各向异性导电胶连接工艺

8. 驱动IC

9. 各向异性导电胶膜10. 预倾角

二、判断题

1. √

2. √

3. ×

4. ×

5. ×

6. ×

7. ×

8. √

9. √ 10. √

三、名词解释

1. 制屏工艺是把阵列基板和彩膜基板经过表面处理后,贴合组装、注入液晶材料,并进行封装的工艺。

2. 模块工艺是将液晶屏、驱动电路、柔性线路板(FPC)、印刷电路板(PCB)、背光源等组件邦定组装在一起的工艺。

3. COB工艺是一种将驱动IC的裸芯片用粘片胶直接贴在PCB板指定位置上的模块工艺。

4. TAB工艺是将封装有驱动IC的柔性电路TCP的两端,用各向异性导电胶ACF分别固定在印刷电路板PCB和液晶屏上的模块工艺。

5. COG工艺是采用各向异性导电薄膜ACF和热压焊工艺,将精细间距的驱动IC直接邦定到液晶屏上的模块工艺。

6. COF工艺是将驱动IC邦定到一个柔性电路板上,再用ACF将柔性电路板连接到液晶显示屏的外引线上的模块工艺。

7. 再取向是对注入到液晶屏内的液晶进行再排列取向的过程。

8. 倒棱是将待加工的屏吸附在工作载台上,随着载台的移动与高速旋转的滑轮进行接触研磨。

四、简答题

1. 简述ODF的工艺流程。

2. 简述隔垫物的种类及优缺点。

隔垫物有球形隔垫物和柱形隔垫物。球形隔垫物是液晶显示器中较早采用的隔垫物类型,具有材料成本低、稳定性高等优点,且液晶量不受隔垫物密度的影响,但是工艺产率低,抗震动能力差。柱形隔垫物具有设备成本低、工艺流程少、图像质量优良,但是材料成本高,且易产生比重姆拉。

3. 传统的液晶注入方式的工艺流程。

4. 简述银点胶和边框胶的作用。

边框胶是为了使TFT基板和CF基板紧密粘合。银点胶用于连接TFT基板和CF基板的共用电极(COM电极),使CF基板上的ITO电极导通。

5. 简述ACF的作用。

ACF是各向异性导电胶膜,将ACF粘贴在要导通的电极和电极之间,在适当的压力、温度、时间下聚合物树脂开始流动,导电粒子则夹在组件电极与电极之间起导通的作用,相邻的电极之间无法接触绝缘不导通。

6. 简述COF的结构。

COF的结构类似于单层板的柔性电路板FPC是驱动IC的一种封装技术。在基层的聚合

计算机信息技术基础练习题及答案(许骏)

第一篇计算机与网络基础 思考题 1.什么是信息?信息具有哪些特征? 答:从产生信息的客体出发,信息是客观事物属性及其运动变化特征的表述;从接收信息的主体而言,信息是能够消除不确定性的一种东西;从信息处理的角度出发,信息可以理解为一组编码数据经过加工处理后对某一目的有用的知识。 特征:(1)可共享性;(2)可转移性(时间上转移“存储”,空间上转移“通信”);(3)相对性与时效性;(4)可变换性;(5)信息与载体的不可分割性。 2.什么是信息技术?它包括哪些内容,这些内容分别代表信息的哪些过程? 答:信息技术是指研究信息的产生、获取、度量、传输、变换、处理、识别和应用的科学技术。 其内容包括:(1)感测技术(信息的获取);(2)通信技术(信息的传递);(3)计算机技术(信息的处理);(4)控制技术(信息的应用)。 3.冯诺依曼体系结构的主要特点是什么? 答:(1)计算机应包括运算器、控制器、存储器、输入设备和输出设备五大基本部件; (2)计算机内部采取二进制形式表示和存储指令或数据; (3)把解决问题的程序和需要加工处理的原始数据事先存入存储器中,计算机的工作过程实际上是周而复始地取指令、执行指令的过程。 4.画出计算机硬件系统的基本结构,并简述各部分的基本功能。 答:硬件系统结构图见P8页。各部分基本功能如下: (1)中央处理单元CPU:主要包括运算器和控制器。运算器是对数据信息进行处理和运算的部件;控制器统一指挥和有效控制计算机各部件协调工作。

(2)存储器:包括内存和外存。内存可由CPU直接访问,存取速度快、容量小,一般用来存放当前运行的程序和处理的数据;外存存取熟读较慢,容量大,价格 较低,一般用来存放当前不参与运行的程序和数据,是内存(或称主存)的补 充和后援。 (3)输入/输出设备:输入设备的作用是把原始数据以及处理这些数据的程序转换为计算机能识别和接受的信息表示方式,然后放入存储器;输出设备用于把各种 计算机结果数据或信息以数字、字符、图像、声音等形式表示出来。 (4)输入/输出接口:作用是协调外部设备和计算机的工作。功能大致包括:数据隔离;数据缓冲;数据变换;记录外设与接口的工作状态,据此调整对外设与数 据接口的指令;实现主机与外设之间的通信联络控制。 (5)总线:是一组公共信号线,能分时地发送和接收各部件的信息。其优点是,可减少计算机系统中信息传输线的数量,有利于提高系统可靠性;使计算机系统 便于实现模块化,从而提高计算机扩充内存容量及外部设备数量的灵活性。5.存储器为什么要分为外存储器和内存储器?两者各有何特点? 答:在计算机系统中,对存储器的容量、速度和价格这三个基本性能指标都有一定的要求,如存储容量应满足各种应用需求,存储速度应尽量与CPU匹配,并支持输入/输出操作,价格要相对合理等。然而按目前的技术水平,仅采用一种存储技术组成单一的存储器不可能同时满足这些要求。解决方案是采用多级存储器系统,即把几种存储技术结合起来,缓解容量、速度和价格之间的矛盾。 内存可由CPU直接访问,存取速度快、容量小,一般用来存放当前运行的程序和处理的数据;外存存取熟读较慢,容量大,价格较低,一般用来存放当前不参与运行的程序和数据,是内存(或称主存)的补充和后援。

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。 1-2 、在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值U O(AV)=15V,负载电流平均值 I L(AV)=100mA。 (1)变压器副边电压有效值U2≈ (2)设电网电压波动范围为±10%。在选择二极管的参数时,其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示,变压器副边电压有效值为 2U2。 (1)画出u2、u D 1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)和输出电流平均值I L((3)二极管的平均电流I D(AV)和所承受的最大反向电压AV)的表达式;U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示,变压器副边电压有效值U21=50V,U22=20V。试问: (1)输出电压平均值U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (2)各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中,标出各电容两端电压的极性和数值,并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U=6V,稳定电流的最小值I Zmin = 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin=5mA,最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z=6V,最小稳定电流 I Zmax=25mA。 (1)分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值; (2)若U I= 35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 (1)分别标出u O1和u O2对地的极性; (2)u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 (3)当U21=U22= 20V 时,U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (4 )当U2 1= 18V ,U2 2= 22V 时,画出u O1、u O2的波形;并求出U O1(AV)和U O2(AV)各为多少

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电路与逻辑设计》作业 教材:《数字电子技术基础》 (高等教育出版社,第2版,2012年第7次印刷) 第一章: 自测题: 一、 1、小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路 5、各位权系数之和,179 9、01100101,01100101,01100110; 11100101,10011010,10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题: 1.3、解: (1) 十六进制转二进制: 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制:010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制:(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以:(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制: 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制:011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制:(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以:(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制:8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101

二进制转八进制:100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制: (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以:(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制:7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制:011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制: (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以:(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解: (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 (1)(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 (2)(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 (3)(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 (4)(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

2020年智慧树知道网课《万物互联之通信技术基础》课后章节测试满分答案

第一章测试 1 【单选题】(10分) 物联网技术的定义是:通过射频识别(RFID)、红外感应器、全球定位系统、激光扫描器等信息传感设备,按约定的协议,将任何物品与()相连接,进行信息交换和通讯,以实现智能化识别、定位、追踪、监控和管理的一种网络技术叫做物联网技术。 A. 大脑 B. 电网 C. 互联网 D. 平台 2 【多选题】(10分) 物联网技术主要包括:() A. 信号的传输 B. 数据处理 C. 数据采集 D. 数据安全

3 【判断题】(10分) 蓝牙技术是物联网数据处理技术中的一种。 A. 错 B. 对 4 【多选题】(10分) 物联网数据传输技术中包括:() A. 光纤 B. 4G C. WIFI D. GPRS 5 【单选题】(10分) RFID属于:()

A. 数据传输 B. 数据安全 C. 数据处理 D. 数据采集 6 【单选题】(10分) 智能家居中,下面哪个环节属于数据采集: A. 采用移动传感器,检测人是否进入区域 B. 当人进入传感器感应区域后渐升光,当人走出感应区域后灯光渐渐减低或熄灭 C. 使一些走廊、楼道的"长明灯"得到控制,达到节能的目的 D. 自动调节灯光强弱,达到节能效果 7 【单选题】(10分) 工业生产中,下面哪个环节属于数据处理与决策:() A.

实现生产工人、生产过程、生产设备、生产数量之间的完整融合,计算每台设备的单位时间生产能力,根据这些数据来为每台生产设备设置生产参数,合理配置生产任务 B. 设置生产参数,如个数、长度、重量等自动抄录各种生产数据 C. 以上均不对 D. 按时段自动统计生产量; 8 【单选题】(10分) 道路监控系统中,下面哪个环节属于数据传输() A. 使交通指挥管理人员对交通违章、交通堵塞、交通事故及其它突发事件做出及时、准确的判断,并相应调整各项系统控制参数与指挥调度策略。 B. 重点场所和监测点的前端设备采集视频图像 C. 以各种方式(光纤、专线等)传送至交通指挥中心。 D. 进行信息的存储、处理和发布 9 【单选题】(10分) 在防伪溯源系统中,属于数据采集技术的是:() A.

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

电子技术基础习题答案

三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2、1V,V B=2、8V,V C=4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

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第一章习题 1、试举出若干个模拟信号与数字信号的例子。 答:模拟信号:语音信号等 数字信号:计算机处理数据等。 2、请说明有线电视、市内电话、调频广播、移动电话、校园网等通信系统各使用哪些信道。答:有线电视:同轴电缆 市内电话:双绞线 调频广播:无线信道 移动电话:无线信道 校园网:双绞线、同轴电缆或光纤 3、试述通信系统的组成。 答:通信系统包括五个组成部分:1)信源;2)发送设备;3)接收设备;4)信宿;5)信道。 4、一个有10个终端的通信网络,如果采用网型网需要用到多少条通信链路?如果采用星型网需要有多少条通信链路? 答:网状网:45条;星状网:10条 5、试述传码率,传信率,误码率,误信率的定义,单位。并说明二进制和多进制时码元速率和信息速率的相互关系。 答:1)传码率是指单位时间内通信系统传送的码元数目,单位为“波特”或“B”。 2)传信率也称为比特率(bit rate),是指单位时间内通信系统所传送的信息量,单位为“bit/s”或“bps”。 3)误码率就是码元在传输系统中被传错的概率,Pe=传输中的误码/所传输的总码数。 4)误信率是指发生差错的信息量在信息传输总量中所占的比例,Peb=系统传输中出错的比特数/系统传输的总比特数。 r=Rmlog2m(bit/s) 式中,r为传信率,Rm为m进制的传码率。 6、描述点对点通信的几种方式。 答:对于点对点之间的通信,按消息传送的方向与时间,通信方式可分为单工通信、半双工通信及全双工通信三种。 7、线路交换与分组交换的区别在哪里?各有哪些优点?

答:线路交换:网上的交换设备根据用户的拨号建立一条确定的路径,并且在通信期间保持这条路径,从被呼用户摘机建立通话开始到一方挂机为止,这条线路一直为该用户所占用。线路交换的很大一个优点是实时性好。 分组交换:分组交换是一种存储与转发的交换方式,很适合于数据通信。它将信息分成一系列有限长的数据包,并且每个数据包都有地址,而且序号相连。这些数据包各自独立地经过可能不同的路径到达它们的目的地,然后按照序号重新排列,恢复信息。它的优点是线路利用率高。 8、已知二进制数字信号每个码元占用的时间为1ms,1、0等概率出现,求(1)码元速率,(2)每秒钟的信息量,(3)信息速率。 答:1)码元速率=1/0.001=1000(B) 2)每秒钟信息量=Rmlog2m=1000*1=1000(bit) 3)r=Rmlog2m=1000*1=1000(bit/s) 9、同上题,如果码元速率不变,改用8进制传输,且各码元等概率出现,求码元速率,信息速率。 答:1)码元速率=1/0.001=1000(B) 2)r=Rmlog2m=1000*3=3000(bit/s)

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术基础_习题集(含答案)

《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是()。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中()。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在()。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是()。 A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结反偏,集电结正偏 C.发射结正偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是()。 A.P型半导体带正电,N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。 ,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

电子技术基础复习题及答案最新版本

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

7月全国自考通信技术基础试题及答案解析

全国2018年7月高等教育自学考试 通信技术基础试题 课程代码:02361 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在STM-N帧结构中,为了保证信息正常灵活传送所附加的字节称为() A.信息净负荷 B.管理单元指针 C.段开销 D.通道开销 2.在移动通信中,产生慢衰落的主要原因是() A.噪声 B.阴影效应 C.互调干扰 D.邻道干扰 3.在CDMA反向信道中,接入信道至少有一个,最多为() A.12个 B.22个 C.32个 D.42个 4.工作于SPADE方式的卫星转发器带宽为() A.26MHz B.36MHz C.46MHz D.56MHz 5.OMS是GSM系统中的() A.移动台 B.网络交换子系统 C.基站子系统 D.操作维护子系统 6.单模光纤纤芯的直径一般为() A.100μm以上 B.(70~80)μm C.(40~60)μm D.(5~10)μm 7.在同步数字体系中,STM-16的速率为() A.9953.280Mbit/s B.2488.320Mbit/s C.622.080Mbit/s D.155.520Mbit/s 8.由于通信设备均处于绝对零度以上的环境中,元器件中的电子均进行随机热运动,这种热运动所形成的噪声称为() 1

A.散粒噪声 B.热噪声 C.冲击性噪声 D.交调噪声 9.ADPCM称为() A.脉冲编码调制 B.增量调制 C.差分脉冲编码调制 D.自适应差分脉冲编码调制 10.按信令通路与电话通路的关系进行划分,信令分为随路信令和() A.共路信令 B.局间信令 C.地址信令 D.用户线信令 11.用来完成不同复用线之间的交换功能,而不改变其时隙位置的接线器是() A.频率接线器 B.数字接线器 C.空间接线器 D.时间接线器 12.目前我国长途电话网是按照事先编制的、固定的路由表进行路由选择的,其首选路径是() A.扩展式路由算法 B.高效直达路由 C.无级动态路由 D.最终路由 13.用户线与用户直接相连的交换中心是() A.关口局 B.长途局 C.汇接局 D.端局 14.分组方式是一种() A.基于统计复用的交换方式 B.电路的交换方式 C.存储转发的交换方式 D.数字传输的交换方式 15.物理层规定的重要特性有() A.2个方面 B.3个方面 C.4个方面 D.5个方面 二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16.目前常用的多址分配制度有预分配方式和___________两种。 17.对数字通信系统而言,其主要性能指标仍然是信息传输的有效性和___________。 18.按不同的媒介,我们将信道分为两大类,有线信道及___________。 19.光纤色散的大小除了用输出脉冲的展宽来表征以外,还可用___________来表征。 20.卫星通信系统由空间分系统、通信地球站、跟踪遥测及指令分系统和___________等四大部分组成。 21.接收端使用本地载波的解调方式称为___________。 2

模拟电子技术基本练习题(解)

电子技术基础(模拟部分)综合练习题 2010-12-12 一.填空题:(将正确答案填入空白中) 1.N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素,其多数载流子是电子,少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是电子。 2.为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度最高;基区宽度最薄;集电结结面积最大。 3.三极管工作在放大区时,发射结要正向偏置,集电结反向偏置,工作在饱和区时,发射结要正向偏置,集电结正向偏置,工作在截止区时,发射结要反向偏置,集电结反向偏置。 4.工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是扩散电流,流过集电结的电流主要是漂移电流。 5.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为0.04mA,该管的β值为49。 6.某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为0.05mA,该管的α值为0.99。 7.某三极管工作在放大区时,当I B从20μA增大到40μA,I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区,截止区,饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区,饱和区,截止区。 10.场效应管又称单极型管,是因为只有一种载流子参与导电;半导体三极管又称双极型管,是因为有两种载流子参与导电。 11.串联式直流稳压电源是由组成取样电路;比较放大器;基准电压和调整管。 12.集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和 输出级四部分组成。 13.在一个三级放大电路中,已知A v1=20;A v2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是共基极组态;A2是共射极组态;A3是共集电极组态。14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器;反馈网络;稳幅电路和选频网络。 15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16.PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17.对于放大电路,所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入电压串联负反馈。19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。

习题答案电子技术基础与技能资源

习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 (1)单向导电 导通 截止 (2)硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 (3)最大整流电流 最高反向工作电压 (4)将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 (5)将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 (6)桥式整流 (7)将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 (1)( √ ) (2)( × ) (3)( √ ) (4)( √ ) (5)( √ ) (6)( √ ) 3.选择题 (1)C (2)B (3)B (4)C (5)A (6)D (7)C 4.分析与运算 解:a)VT 导通。Uao=-9V b)VT1导通,VT2截止。Uao=0V c)VT2导通,VT1截止。Uao=-4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 (1)导体 绝缘体 (2)本征半导体 (3)P 型 (4)负极 正极 (5)反向击穿 (6)反向 (7)反偏 (8)半波整流 2.判定题 (1)( × ) (2)( × ) (3)( × ) (4)( √ ) (5)( × ) (6)( × ) 3.选择题 (1)C (2)C (3)D (4)A 4.分析与运算 (1)解:依照二极管的正向伏安特性曲线可知,若按此接法,由于电源本身内阻专门小,1.6V 电压几乎全加在二极管两端,通过二极管的电流会专门大,容易烧坏二极管,电源也会因过热而损坏,因此不承诺把二极管按此方法连接。 (2)解:8种接法;5个不同值,16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 (3)解:VD1、VD4接反,电容C 极性接反。 (4)解:V V U U O 1081209.09.02=?==; 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=; 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 (1)空穴 (2)0.5 0.2

北邮通信网基础课后习题答案

第一章通信网概述 1.1 简述通信系统模型中各个组成部分的含义,并举例说明。答:通信系统的基 本组成包括:信源,变换器,信道,噪声源,反变换器和信宿六部分。 信源:产生各种信息的信息源。变换器:将信源发出的信息变换成适合在信道中传输的信号。信道:按传输媒质分有线信道和无线信道,有线信道中,电磁信号或光电信 号约束在某种传输线上传输;无线信道中,电磁信号沿空间传输。 反变换器:将信道上接收的信号变换成信息接收者可以接收的信息。信宿:信息的接收者。 噪声源:系统内各种干扰。 1.2 现代通信网是如何定义的?答:由一定数量的节点和连接这些节点的传输系 统有机地组织在一起的,按约定信令或协议完成任意用户间信息交换的通信体系。适应用户呼叫的需要,以用户满意的效果传输网内任意两个或多个用户的信息。1.3 试述通信网的构成要素及其功能。答:通信网是由软件和硬件按特定方式构 成的一个通信系统。硬件由:终端设备,交换设备和传输系统构成,完成通信网 的基本功能:接入、交换和传输;软件由:信令、协议、控制、管理、计费等,它 们完成通信网的控制、管理、运营和维护, 实现通信网的智能化。 1.4 分析通信网络各种拓扑结构的特点。(各种网络的拓扑结构图要掌握) 答:基本组网结构: 》网状网:优点:①各节点之间都有直达线路,可靠性高;②各节点间不需要汇接交换功能,交换费用低;缺点:①各节点间都有线路相连,致使线路多,建设和维护费用大;②通信业务量不大时,线路利用率低。如网中有N 个节 点,则传输链路数H=1/2*N(N-1)。 》星形网:优点:①线路少,建设和维护费用低;②线路利用率高;缺点:① 可靠性低,②中心节点负荷过重会影响传递速度。如网中有N 个节点,则传 输链路数H=N-1。 》环形网:同样节点数情况下所需线路比网状网少,可靠性比星形网高。如网中有N 个节点,则传输链路数H=N。

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