物质名词表示一种

物质名词表示一种类物质是不可数名词。中学阶段常用的物质名词大致有 air 空气 , water 水 , light 光 , gold 金 , iron 铁 , steel 钢 , glass 玻璃 , wood 木头 , coal 煤 , gas 气 , oil 油 , paper 纸 , ink 墨 , money 金钱 , cotton 棉花 , cloth 布料 , silk 丝绸 , rice 稻米米饭 , wheat 小麦 , corn 玉米 , bread 面包 , meat 肉 , tea 茶、茶叶 , milk 奶 , butter 黄油等等。我们可用下面这首顺口溜去记住这些物质名词烧的煤和汽油用的玻璃木头吃的面包米饭还有猪肉鸡肉喝的茶水和酒抹的牛奶黄油吸的空气氧气种的玉米大豆戴的金银铜铁穿的棉花丝绸金钱物质竞风流看你可会享受抽象名词主要指一些抽象概念的名称它们一般是不可数的没有复数形式前面也不能加冠词a an。下面是一些常见的抽象名词 absence access age agriculture anger beauty behaviour cancer capacity childhood comfort concern confidence courage death democracy depression design duty economy education energy environment evil existence experience failure faith fashion fear finance freedom fun growth happiness health help history independence industry insurance intelligence joy justice labour loneliness love luck magic marriage mercy music nature patience peace philosophy pleasure policy poverty power pride protection purity reality relief religion respect safety security silence sleep strength status technology time trade training transport travel trust truth violence waste wealth weather welfare work worth youth 在多数情况下这种名词都用于单数形式并不加任何冠词 Knowledge is power.知识就是力量。(谚) 但有时也可加定冠词the(a)或不定冠词a或an(b) We have a great respect for the professor.我们很尊重教授

工程材料名词解释答案 2

习题集名词解释 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量a k表示。 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压痕表面积的比值即为布氏硬度值。 3.洛氏硬度：是压入法硬度试验之一，它是以压痕深度的大小来表示硬度值。 4.韧脆转变温度：材料的冲击韧性随温度下降而下降，在某一温度范围内a k值发生急剧下降的现象称为韧脆转变，发生韧脆转变的温度范围称为韧脆转变温度。 5.工艺性能：表示材料加工难易程度的性能。 6.金属键：金属离子通过正离子和自由电子之间引力而相互结合，这种结合键称为金属键。 7.晶格：为了研究方便，将构成晶体的原子抽象为平衡中心位置的纯粹几何点，称为结点或阵点。用一些假想的空间直线将这些点连接起来，构成一个三维的空间格架，称为空间点阵，简称为晶格或点阵。 8.晶胞：反映晶格特征的最小几何单元来分析晶体中原子排列的规律，这个最小的几何单元称为晶胞。 9.致密度：晶胞中原子本身所占有的体积与晶胞体积之比称为致密度。 10.晶体和非晶体：原子在三维空间作有规律的周期性重复排列的物质称为晶体，否则为非晶体。 11.空位：空位是指在正常晶格结点上出现了空位，空位的产生是由某些能量高的原子通过热振动离开平衡位置引起的。 12.间隙原子：间隙原子是指个别晶格间隙中存在的多余原子。间隙原子可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 13.位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体沿某一晶面发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称为位错。 14.各向异性：晶体中，由于各晶面和各晶向上的原子排列的密度不同，因而同一晶体的不同晶向和晶面上的各种性能不同，这种现象称为各向异性。 15.晶粒和晶界：多晶体中每个外形不规则的小晶体称为晶粒，晶粒之间的交界面就是晶界。 16.合金：合金是指由两种或两种以上金属元素、或金属元素与非金属元素组成的具有金属特性的物质。 17.相：金属或合金中，凡成分相同、结构相同，并与其他部分有界面分开的均匀组成部分称为相。 18.固溶体：合金的组元之间相互溶解，形成一种成分及性能均匀的、且结构与组成元素之一的晶体结构相同的固相称为固溶体。 19.固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度增加，塑性、韧性下降的现象称为固溶强化，这是金属强化的重要方法之一。 20.凝固和结晶：物质从液态到固态的转变过程称为凝固。材料的凝固分为两种类型:一种是形成晶体，我们称之为结晶；另一种是形成非晶体。 21.过冷和过冷度：实际结晶温度低于理论结晶温度的现象称为过冷。理论结晶温度T0与实际结晶温度T1之差称为过冷度。 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质或容器壁形核，则称

材料科学基础名词解释

第二章 1.定性描述晶体结构的参量有哪些？定量描述晶体结构的参量又有哪些？定性：对称轴、对称中心、晶系、点阵、晶胞定量：晶胞参数，晶向指数 1.依据结合力的本质不同，晶体的键合作用分为哪几类？其特点是什么？共价键、离子键、金属键、范德华键、氢键。离子键：没有方向性和饱和性，结合力很大。共价键：具有方向性和饱和性，结合力也很大，一般大于离子键。金属键：没有方向性和饱和性的共价键，结合力是原子实和电子云之间的库仑力。范德华键：是通过分子力而产生的键合，结合力很弱氢键：是指氢原子与半径较小，电负性很大的原子相结合所形成的键。 2.等径球最紧密堆积的空隙有哪两种？一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？六方最密堆积、面心立方紧密堆积，8个四面体空隙，6个八面体空隙 3.n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是如何进行堆积的？2n个四面体空隙，n个八面体空隙。不等径球堆积时，较大球体作等径球的紧密堆积，较小的球填充在大球紧密堆积形成的空隙中。其中稍小的球体填充在四面体空隙，稍大的则填充在八面体空隙，如果更大，则会使堆积方式稍加改变，以产生较大的空隙满足填充的要求。 4.解释下列概念晶体：是内部质点在三维空间有周期性和对称性排列的固体。晶系：晶体根据其在晶体理想外形或综合宏观物理性质中呈现的特征对称元素可划分为立方、六方、三方、四方、正交、单斜、三斜等7类，是为7个晶系。（六三四立方，单三斜正交）晶包：是从晶体取出反映其周期性和对称性的结构的最小重复单元。晶胞参数：晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示，此即晶胞参数，它们是三条棱边的长度a,b,c和三条棱边的夹角a,B,r. 空间点阵：空间点阵是一种表示晶体内部质点排列规律的几何图形。米勒指数：是晶体的常数之一，是晶面在3个结晶轴上的截距系数的倒数比，当化为最简单的整数比后，所得出的3个整数称为该晶面的米勒指数。离子晶体的晶格能：晶格能又叫点阵能。它是在OK时1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。配位数：配位数是中心离子的重要特征。直接同中心离子(或原子)配位的原子数目叫中心离子(或原子)的配位数。离子极化：离子极化指的是在离子化合物中，正、负离子的电子云分布在对方离子的电场作用下，发生变形的现象。离子极化能对金属化合物性质产生影响。主要表现为离子间距离缩短，离子配位数降低，同时变形电子云相互重合，使键性由离子键向共价键过渡，最终使晶体结构类型发生变化。同质多晶和类质同晶：同质多晶是一种物质在不同热力学条件下形成两种或两种以上不同结构的现象，由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，称为变体。类质同晶：化学组成相似的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种结构称为类质同晶现象。正尖晶石与反正尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。铁电效应：有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。

半导体物理学名词解释缩小版

半导体物理学名词解释 1、直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。 2、间接复合：指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。 3、俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量常以声子的形式放出，这种复合称为俄歇复合，显然这是一种非辐射复合。 4、施主杂质：V 族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或 n 型杂质。 5、受主杂质：Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负点中心，所以称它们为受主杂质或 p 型杂质。 6、多数载流子：半导体材料中有电子和空穴两种载流子。在 N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。在 P 型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 8、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。 9、准费米能级：半导体中的非平衡载流子，可以认为它们都处于准平衡状态（即导带所有的电子和价带所有的空穴分别处于准平衡状态）。对于处于准平衡状态的非平衡载流子，可以近似地引入与 Fermi 能级相类似的物理量——准 Fermi 能级来分析其统计分布；当然，采用准 Fermi 能级这个概念，是一种近似，但确是一种较好的近似。基于这种近似，对于导带中的非平衡电子，即可引入电子的准 Fermi 能级；对于价带中的非平衡空穴，即可引入空穴的准 Fermi 能级。 10、禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。 11、价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。 12、导带：导带是自由电子形成的能量空间即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 13、束缚激子：等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子，称为束缚激子。 14、浅能级杂质：在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子（电子或空穴）的施主、受主杂质，它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。 15、深能级杂质：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。 16、迁移率：μ，表示单位场强下电子的平均漂移速度，单位是 m^2/(V·s)或者 cm^2/(V·s) 17、空穴的牵引长度：表征空穴漂移运动的有效范围的参量就是空穴的牵引长度。 18、陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用就叫做陷阱效应。 19、替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。 20、间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置。 21、弗仑克耳缺陷：间隙原子和空穴成对出现导致的缺陷。 22、肖特基缺陷：只在晶体内形成空位而无间隙原子的缺陷 24、等电子杂质：当杂质的价电子数等于其所替代的主晶格原子的价电子数时，这种杂质称为等电子杂质。 26、扩散长度：扩散长度是表征载流子扩散有效范围的一个物理量，它等于扩散系数乘以寿命的平方根 27、杂质补偿作用：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们的共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。 28、耿氏效应：在半导体本体内产生高频电流的现象称为耿氏效应。半导体物理学基本概念能带（energy band ）相邻原子在组成固体时，其相应的电子能级由于原子间的相互作用而分裂，由于固体中包含的原子数很大，分离出来的能级十分密集，形成一个在能量上准连续的分布即能带。由不同的原子能级所形成的允许能带之间一般隔着禁止能带。导带与价带根据能带理论，固体中的电子态能级分裂为一系列的带，在带内能级分布是准连续的，带与带之间存在有能量间隙。在非导体中，电子恰好填满能量较低的一系列能带，再高的各带全部都是空的，在填满的能带中尽管存在很多电子，但并不导电。在导体中，则除了完全填满的一系列能带外，还有只是部分地被电子填充的能带，这种部分填充带中的电子可以起导电作用，称为导带。半导体属于上述非导体的类型，但满带与空带之间的能隙比较小。通常把半导体一系列满带中最高的能带称为价带，把半导体中一系列空带中最低的能带称为导带。直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在 k 空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。间接带隙半导体材料（如 Si 、Ge ）导带最小值（导带底）和满带最大值在 k 空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。杂质电离能使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。施主（donor ）在半导体带隙中间的能级，能够向晶体提供电子同时自身成为正离子的杂质称为施主杂质。受主（acceptor ）在半导体带隙中间的能级，能接受电子同时自身成为负离子的杂质称为受主杂质。杂质能级（impurity level ）由于杂质的存在，半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态，称为杂质能级。施主能级离化能很小，在常温下就能电离而向导带提供电子，自身成为带正电的电离施主，通常称这些杂质能级为施主能级。受主能级离化能很小，在常温下就能电离而向价带提供空穴，自身成为带负电的电离受主，通常称这些杂质能级为受主能级。浅能级杂质杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。深能级杂质杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。本征激发价带上的电子激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。有效质量（effective mass ）粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。其物理意义：（1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；（2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。空穴（hole ）在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。回旋共振半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。 N 型半导体是以电子为主要载流子的半导体；p 型半导体是以空穴为主要载流子的半导体电中性条件：电中性的条件是半导体在热平衡情况下，他的内部体系所必须满足的一个基本条件，即单位体积内正电荷数与负电荷数相等。杂质补偿：在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差多子：多数载流子是在半导体输运过程中起主要作用的载流子，如 n-型半导体中的电子。少子：少数载流子是在半导体输运过程中起次要作用的载流子，如 n-型半导体中的空穴。点缺陷：是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。包括：间隙原子和空位是成对出现的弗仓克耳缺陷和只在晶体内形成空位而无间隙原子的肖特基缺陷陷阱（trap ）半导体中能够俘获电子或空穴的晶体缺陷或化学中心。热平衡时由缺陷或杂质引入的能级，当半导体内引入非平衡载流子时，如果能级上电子数目增加则该能级具有俘获非平衡电子能力，该能级称为电子陷阱。反之若该能级上电子数目减少则该能级具有俘获空穴的能力称为空穴陷阱。当非平衡载流子落入陷阱后基本上不能直接发生复合，而必须首先激发到导带或价带，然后才能通过复合中心而复合。在整个过程中，载流子从陷阱激发到导带或价带所需的平均时间比它们从导带或价带发生复合所需的平均时间长得多，因此陷阱的存在大大增加了从非平衡恢复到平衡态的弛豫时间。非简并半导体半导体中掺入一定量的杂质时，使费米能级 Ef 位于导带和价带内，即 Ev + 3KT <= Ef <= Ec -3KT 时，半导体成为非简并的。简并半导体（degeneracy semiconductor ）半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。简并半导体有如下性质：（1）杂质不能充分电离；（2）杂质能级扩展为杂质能带。如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。本征半导体（intrinsic semiconductor ）即纯净半导体，其载流子浓度随温度增加呈指数规律增加。费米面：将自由电子的能量E 等于费米能级Ef 的等能面状态密度：在能带中方能量E 附近每单位能量间隔内的量子数。费米分布：大量电子在不同能量量子态上的统计分布。 1 e k0T 物理意义是绝对温度 T 下的物体内，电子达到热平衡状态时，一个能量为 E 的独立量子态，被一个电子占据的几率。（1）一般认为，温度不高时，能量大于 Ef 的电子态基本上没有被电子占据；能量小于 Ef 的电子态，基本上被电子所占据，而电子占据 E=Ef 能态的几率在各种温度下总是1/2；（2）Ef 标志了电子填充能级的水平，Ef 位置越高，则能填充在较高能级上的电子就越多。费米能级费米能级是绝对零度时电子的最高能级。即由费米子组成的微观体系中，每个费米子都处在各自的量子能态上。现在假想把所有的费米子从这些量子态上移开。之后再把这些费米子按照一定的规则（例如泡利原理等）填充在各个可供占据的量子能态上，并且这种填充过程中每个费米子都占据最低的可供占据的量子态。最后一个费米子占据着的量子态，即可粗略理解为费米能级。准费米能级（quasi-Fermi level ）当半导体材料中存在非平衡载流子时，导带电子和价带电子在各自能带中热跃迁概率大，而处于热平衡状态；导带电子与价带电子之间，热跃迁概率小，处于不平衡状态。因此用电子准费米能级(EF)n 和空穴准费米能级(EF)p 分别描述非平衡半导体材料中电子浓度 n 和空穴浓度 p ：其中 Nc 、Nv 为导带和价带的有效态密度，Ec 、Ev 为导带底和价带顶的能量(EF)n≠(EF)p。非平衡载流子比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。并满足电中性条件。可以产生过剩载流子的外界影响包括光照和外压。迁移率单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=q τ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程。载流子寿命（carrier lifetime ）在热平衡条件下，电子不断地由价带激发到导带，产生电子空穴对，与此同时，它们又不停地因复合而消失。平衡时，电子与空穴的产生率等于复合率，从而使半导体中载流子的密度维持恒定。载流子间的复合使载流子逐渐消失，这种载流子平均存在的时间，就称之为载流子寿命。非平衡载流子寿命（nonequilibrium carrier lifetime ）当半导体由于外界作用注入非平衡载

工程材料名词解释答案

习题集名词解释 1.30. 奥氏体：碳在γ-Fe中的间隙固溶体称为奥氏体。 2.52. 奥氏体化：将钢加热到临界温度以上使组织完全转变为奥氏体的过程。 3. B 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压痕表面积的比值即为布氏硬度值。 4. B 3 5.变质处理：变质处理又称孕育处理，是一种有意向液态金属中加入非自发形核物质从而细化晶粒的方法。 5. B 43.变形织构：由于塑性变形的结果而使晶粒具有择优取向的组织叫做“变形织构”。 6. B 53.本质晶粒度：在规定条件下（930±10℃，保温3～8h）奥氏体的晶粒度称为奥氏体本质晶粒度，用以评定刚的奥氏体晶粒长大倾向。 7. C 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量ak表示。 8. C 54.残余奥氏体：多数钢的Mf点在室温以下，因此冷却到室温时仍会保留相当数量未转变的奥氏体，称之为残余（留）奥氏体，常用′或A′来表示。 9. C 57.淬火：所谓淬火就是将钢件加热到Ac3（对亚共析钢）或Ac1（对共析和过共析钢）以上30～50℃，保温一定时间后快速冷却（一般为油 10.冷或水冷）以获得马氏体（或下贝氏体）组织的一种工艺操作。 11.C 59.淬透性：指钢在淬火时获得淬硬层（也称淬透层）深度的能力。 12.C 60.淬硬性：淬硬性是指钢淬火后所能达到的最高硬度，即硬化能力。它主要取决于马氏体的硬度和马氏体、碳化物和残余奥氏的相对量及其组织形态。马氏体的硬度取决于马氏体的含碳量。 13.D 58.等温淬火：将加热的工件放入温度稍高于Ms点的硝盐浴或碱浴中，保温足够长的时间使其完成贝氏体转变，获得下贝氏体组织。 14.E 70二次硬化：含W、Mo和V等元素的钢在回火加热时由于析出细小弥散分布的碳化物以及回火冷却时残余奥氏体转变为马氏体，使钢的硬度不仅不降低，反而升高的现象。 15.E 33.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体，称为二次渗碳体。二次渗碳体通常沿着奥氏体晶界呈网状分布。 16.F 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质或容器壁形核，则称为非自发形核，又称非均匀形核。17.G 26.杠杆定律：即合金在某温度下两平衡相的重量比等于该温度下与各自相区距离较远的成分线段之比。在杠杆定律中，杠杆的支点是合金的成分，杠杆的两个端点是所求的两平衡相（或两组织组成物）的成分。这种定量关系与力学中的杠杆定律完全相似，因此也称之为杠杆定律。 18.G 28.共晶转变：在恒温下一定成分的液体同时结晶出两种成分和结构都不相同的固相的转变过程。 19.G 82.固溶处理：经加热保温获得单一固溶体，再经快速冷

材料科学基础最全名词解释

1.固相烧结：固态粉末在适当的温度，压力，气氛和时间条件下，通过物质与气孔之间的传质，变为坚硬、致密烧结体的过程。液相烧结：有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键：金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子，使自己成为带正电的正离子，而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子，这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。共价键：由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键：由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子（O，F，N等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。弗兰克缺陷：间隙空位对缺陷肖脱基缺陷：正负离子空位对的奥氏体：γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。玻璃化转变温度：过冷液体随着温度的继续下降，过冷液体的黏度迅速增大，原子间的相互运动变得更加困难，所以当温度降至某一临界温度以下时，即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。半共格相界：若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大，则在相界面上不可能做到完全的一一对应，于是在界面上将产生一些位错，以降低界面的弹性应变能，这时界面上两相原子部分地保持匹配，这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。柏氏矢量物理意义： ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说：一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说：表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错包晶转变：在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。包析转变：两个一定成分的固相在恒温（T）下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似，只是包析转变中没有液相，只有固相。粗糙界面：界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着，这时界面称为微观粗糙界面。重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。成分过冷；界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。

半导体物理考试名词解释

1. 有效质量:粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。 2. 费米能级:费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。 3. 准费米能级:半导体处于非平衡态时，导带电子和价带空穴不再有统一的费米能级，但可以认为它们各自达到平衡，相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。 4. 金刚石型结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子周围都有4个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。 5. 闪锌矿型结构：闪锌矿型结构的晶胞，它是由两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 6. N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。7. P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。 8. 状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数 9. 费米分布函数:大量电子在不同能量量子态上的统计分布 10.非平衡载流子:半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。Δp=Δn 11.直接复合：电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复合。 12.间接复合:电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴相遇而复合。 13.施主能级:通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级，被子施主杂质束缚的电子能量状态称施主能级。 14 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 15.陷阱中心:半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，这些能级具有收容部分非平衡载流子的作用，杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 16.复合中心：半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级，对非平衡载流子的寿命有很大影响。杂质和缺陷越多，寿命越短，杂质和缺陷有促进复合的作用，把促进复合的杂质和缺陷称为复合中心。（2分） 17等电子复合中心：等电子复合中心：在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺入一定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子和主原子之间电负性的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心，带电中心会吸引和被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。 18.迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=qτ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。 19.漂移运动:载流子在电场作用下的运动。总漂移电流密度方程 E pq nq J J J p n p n ) (μ μ+ = + = 20.扩散运动：当半导体内部的载流子存在浓度梯度时，引起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散运动是载流子的有规则运动。电子扩散电流dx dn qD J n diff n = , 空穴扩散电流dx dp qD J p diff p - = , 21.简并半导体:对于重掺杂半导体，费米能级接近或进入导带或价带，导带/价带中的载流子浓度很高，泡利不相容原理起作用，电子和空穴分布不再满足玻耳兹曼分布，需要采用费米分布函数描述。称此类半导体为简并半导体。满足的条件为 22.非简并半导体:掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体;半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体 23迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=qτ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。 24硅中掺金的工艺主要用于制造＿＿器件。若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是＿＿。 25.Pn结外加反向偏压时，流过pn结的电流比由扩散理论得到的理论结果要大，而且随外加反向偏压的增大而缓慢增加。除扩散电流外，该电流还包括＿＿。 26若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿＿。 27室温下，，已知Si的电子迁移率为， Dn为。 28在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其。 28．有效陷阱中心的位置靠近。 29.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级Ef随温度上升而。 30.长声学波对载流子的散射几率Ps与温度T的关系是，由此所决定的迁移率与温度的关系为31.已知硅的禁带宽度为1.12eV，则本征吸收的长波限为（微米），锗的禁带宽度为0.67eV，则长波限为（微米）。 32.复合中心的作用是。起有效复合中心的杂质能级必须位于，而且对电子和空穴的俘获系数rn 和rp 须满足。 0.026 k T q V =

土木工程材料习题(第五版)名词解释及问答题答案汇编

名词解释 2表观密度：表观密度是指材料在自然状态下（长期在空气中存放的干燥状态），单位体积的干质量 4密实度：指材料体积内被固体物质所充实的程度。密实度与孔隙率之和为1 6填充率：指在某堆积体积中，被散粒或粉状材料的颗粒所填充的程度程度。 8材料的含水率：材料中所含水的质量与干燥下状态下材料的质量之比 10耐水性材料长期在饱水作用下不破坏，其强度也不显著降低的性质称为耐水性 12抗冻性：材料在吸水饱和的状态下，能经受多次冻融循环（冻结和融化）作用而不破坏，同时也不严重降低强度的性质称为抗冻性 14材料的憎水性：材料与水接触时不能被水润湿的性质成为憎水性 16材料的耐久性：是指材料在物理化学生物等因素作用下，能经久不变质不破坏，而尚能保持原有的性能。 18材料的塑性变形材料在外力作用下，当应力超过一定限值后产生显著变形，且不产生裂缝或发生断裂，外力取消后，仍保持变形后的形状和尺寸的性质称为塑性。这种不能恢复的变形称为塑性变形，属于不可逆变形。 20材料的脆性当外力达到一定限度后，材料突然破坏，且破坏时无明显的塑性变形，材料的这种性质称为脆性软化系数=材料在吸水饱和状态下的抗压强度/材料在干燥状态下的抗压强度11.胶凝材料：指土木工程材料中，经过一系列物理，化学作用，能够散粒状或块状材料粘结成整体材料。 12.水硬性胶凝材料：既能在空气中硬化，还能更好地在水中硬化，保持并发展其强度的无机胶凝材料。 13. β型半水石膏：β—CaSO4·1/2H2O 14.过火石灰：指石灰生产时局部煅烧温度过高，在表面有熔融物的石灰。 15.石灰陈伏：陈伏是指石灰膏在储灰坑中放置14天以上的过程。 16.普通水泥：凡由硅酸盐水泥熟料5%~20%的混合材料及适量石膏磨细制成的水硬性胶凝材料，称为普通水泥。 17.火山灰水泥：在硅酸盐水泥熟料中，按水泥成品质量均匀地加入20~50%火山灰质混合材料，再按需要加入适量石膏磨成细粉，所制成的水硬性胶凝材料称为火山灰水泥。 18.水泥活性混合材料：在生产水泥时，为改善水泥性能，调节水泥标号，而加到水泥中去的人工的和天然的矿物材料。 19.水泥初凝时间：为水泥加入水拌合起，至水泥浆开始失去塑性需要的时间。 20.水泥标准稠度用水量：水泥达到标准稠度时所需的加水量（试杆沉入净浆并距地板6±1mm或试锥下沉深度为28±2mm。） 21.水泥细度：表示水泥被磨细的程度或水泥分散度的指标。 22.水泥标准养护条件：温度20摄氏度±1摄氏度，相对湿度大于90%。 23.水泥的凝结： 24.水泥石的软水侵蚀：不含或仅含少量重碳酸盐的水称为软水，当水泥石长期与软水接触，水化产物将按其稳定存在所必须的平衡Ca(OH)2浓度的大小，一次逐渐溶解，从而造成水泥的破坏。 25.活性混合材料的激发剂：Ca(OH)2和石膏的存在使活性混合材料的潜在活性得

工程材料名词解释

光学显微部分 1.图像分析法主要用于研究材料结构特征分析。 2.衍射法主要用于研究材料的结晶相及晶格常数。 3.成分谱分析主要用于研究测定材料的化学成分。 4.光学显微镜按照成像原理可分为几何光学显微镜，物理光学显微镜，信息转换显微镜。 5.光的波粒二象性：按照量子理论，光能量是由一束具有极小能量的微粒即“光子”不连续的输送着，表明光具有微粒与波动的双重性，即波粒二象性。 6.自然光（普通光源发出的光波）振动方式：垂直于光的传播方向的平面内任意振动 7.偏振光振动方式：只在垂直于光的平面内的某一方向振动（自然光经过某些物质的反射、折射、吸收或其他方法，使它只保留某一固定方向的光振动） 8.光性均质体：光波在各向同性介质中传播时，其速度与振动方向均不会改变，因而只有一个折射率值 9.光性非均质体：传播速度随振动方向不同而改变，因而折射率值有多个，一般发生双折射现象，即自然光分解成两束偏振光。 10.等轴晶系矿物和非晶质物质属于光性均质体。 11.中级晶族和低级晶族矿物属于光性非均质体。 12.数值孔径为N.A. = n sin θ（n：镜头介质折射率θ：光圈半角孔径），数值孔径表征了物镜的聚光能力，放大倍数越高的物镜数值孔径越大；对于同一放大倍数的物镜，数值孔径越大则分辨率越高 13.正交偏光镜：下偏光镜和上偏光镜联合使用，并且两偏光镜的振动面处于相互垂直位置。 14.如果在正交偏光镜的物台上不放置任何晶体光片时，视域是黑暗的，为什么？因为：光通过下偏光镜，其振动方向被限制在下偏光镜的振动面PP内，当PP方向振动的光到达上偏光镜AA时，由于两振动方向互相垂直，光无法通过上偏光镜，所以视场暗。 15.消光现象：晶体在正交偏光镜下呈现黑暗的现象，称为消光现象。 16.全消光现象：均质体以及非均质体垂直光轴切片，不改变偏振方向 17.四次消光：非均质光率体切面均为椭圆，则椭圆长、短半径四次重合消光，其余则有部分光通过。 18.四次消光是非均质体的特征。 19.偏光显微镜属于透射显微镜，用于透明晶体的观察。 20.金相显微镜属于反射式显微镜，用于不透明物体的研究。 21.光学显微镜分辨率的极限 22.显微分析分辨率：仪器分辨两个物点的本领。仪器能分辨两个物点间的距离或角度越小，则分辨率越大。 23.分辨率极限：最临近两个物点间的距离以及角度 24.瑞利判据瑞利判据相邻物体的距离为r 25.提高分辨率的途径：更短的波长、更大的折射率、增大孔径角衍射部分 5、X射线的产生原理：凡是高速运动的电子流或其他高能辐射流（如γ射线、X射线、中子流）被突然减速时均能产生X射线。 6、X射线管原理：钨丝发热释放电子，电子在电场作用下加速，高速轰击阳极靶，电子突然减速，产生X射线及热能，X射线通过窗口射出为实验所用。 7、X射线谱由两部分叠加而成，即连续谱和特征谱。 8、连续谱的产生：由于阴极产生的电子数量巨大，这些能量巨大的电子撞向阳极靶的撞击条件和碰撞时间不一致，因而所产生的电磁辐射各不相同，所以产生了各种波长的连续谱。 9、连续谱的强度随波长连续变化。 10、特征谱的波长一定、强度很大。 11、特征谱的产生：当管电压超过一定值V k（激发电压）时才会产生，只取决于光管的阳极靶材料，不同的靶材具有其特有的特征谱线。特征谱线又称为标识谱，即可以来标识物质元素。 12、为什么特征X射线的波长为一定值？对于某一固定物质，各原子能级所具有的能量是固定的，跃迁时所转化成的光子能量为一定值，根据原子结构壳层理论，所产生的特征X射线的波长也为一定值。 15、吸收限：μm与λ关系曲线中出现的跃增，是原子所俘获的光子量恰好等于该原子某壳层(K，L，M…)电子的结合能，光子被物质大量吸收，吸收系数就发生突增。在曲线的突变点处的波长称为吸收限。 7、外标法原则上只适用于两相物质系统的含量测试；内标法适用于多相体系。电子显微部分 8、电磁透镜的分辨本领主要由衍射效应和球差决定。 9、电磁透镜的几何像差：由于透镜磁场几何形状上的缺陷而造成的像差。又可分为球差与像散。色差：由于电子波的波长或能量发生一定幅度的改变而造成的像差。 10、球差：是由于电磁透镜磁场的近轴区与远轴区对电子束的会聚能力的不同而造成的。一个物点散射的电子束经过具有球差的电磁透镜后并不聚在一点，所以像平面上得到一个弥散圆斑，在某一位置可获得最小的弥散圆斑，成为弥散圆。还原到物平面上，则半径为 rs=1/4 Cs α3 rs 为半径，Cs为透镜的球差系数，α为透镜的孔径半角。所以减小透镜的孔径半角可减少球差。像散：是由于透镜磁场不是理想的旋对称磁场而引起的。可减小孔径半角来减少像散。电磁透镜的聚焦原理：通电的短线圈就是一个简单的电磁透镜，它能造成一种轴对称不均匀分布的磁场。穿过线圈的电子在磁场作用下将作圆锥螺旋近轴运动。而一束平行于主轴的入射电子通过电磁透镜时将被聚焦在主轴的某一点。 1、透射电镜主要由电子光学系统、电源系统、真空系统、操作控制系统四部分组成。 2、透射电镜中电子枪的作用是产生电子束 3、透射电镜中聚光镜的作用是会聚电子束。透射电镜的分辨本领取决于物镜的分辨本领。 4、电子衍射基本公式的推导 5、选区电子衍射：是指在物镜像平面上放置一个光阑(选区光阑)限定产生衍射花样的样品区域，从而分析该微区范围内样品的晶体结构特性。 6、扫描电镜的特点 7、扫描电镜成像的六种物理信号概念 8、背散射电子随样品原子序数增大而增多 9、二次电子形貌像中图像显示亮的部分对应试样的凸起处。 10、二次电子形貌像中图像显示暗的部分对应试样的凹处。 11、吸收电子随样品原子序数增大而减少。 12、样品的质量厚度越大，透射系数越小，吸收系数越大。 13、扫描电镜的构造：六个系统组成：电子光学系统（镜筒）、扫描系统、信号收集系统、图像显示和记录系统、真空系统和电源系统。

材料科学基础考题1

材料科学基础考题 Ⅰ卷一、名词解释（任选5题，每题4分，共20分）单位位错；交滑移；滑移系；伪共晶；离异共晶；奥氏体；成分过冷二、选择题（每题2分，共20分） 1．在体心立方结构中，柏氏矢量为a[110]的位错( )分解为a/2[111]+a/2]111[. (A) 不能(B) 能(C) 可能 2．原子扩散的驱动力是：( ) (A) 组元的浓度梯度(B) 组元的化学势梯度(C) 温度梯度 3．凝固的热力学条件为：（）（A）形核率(B)系统自由能增加（C）能量守衡（D）过冷度 4．在TiO2中，当一部分Ti4+还原成Ti3+，为了平衡电荷就出现（） (A) 氧离子空位(B) 钛离子空位(C)阳离子空位 5．在三元系浓度三角形中，凡成分位于（）上的合金，它们含有另两个顶角所代表的两组元含量相等。（A）通过三角形顶角的中垂线（B）通过三角形顶角的任一直线（C）通过三角形顶角与对边成45°的直线 6．有效分配系数k e 表示液相的混合程度，其值范围是（）（A）1

半导体物理名词解释

1.单电子近似：假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 2.电子的共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。 3.允带、禁带： N个原子相互靠近组成晶体，每个电子都要受到周围原子势场作用，结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级，N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带。允带之间没有能级称为禁带。 4.准自由电子：内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂得很厉害，能带很宽。 6.导带、价带：对于被电子部分占满的能带，在外电场的作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。下面是已被价电子占满的满带，也称价带。 8.（本证激发）本征半导体导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。 9.回旋共振实验意义：这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时，就可以发生共振吸收，Wc=qB/有效质量 10.波粒二象性，动量，能量 P=m0v E=1 2P2 m0 P=hk 1.间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。

(完整版)材料科学基础期末考试

期末总复习一、名词解释空间点阵：表示晶体中原子规则排列的抽象质点。配位数：直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。对称：物体经过一系列操作后，空间性质复原；这种操作称为对称操作。超结构：长程有序固溶体的通称固溶体：一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶，其结构一般保持和母相一致。致密度：晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。正吸附：材料表面原子处于结合键不饱和状态，以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态，当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附；晶界能：晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来，引起晶界附近区域内晶格发生畸变，与晶内相比，界面的单位面积自由能升高，升高部分的能量为晶界能；小角度晶界：多晶体材料中，每个晶粒之间的位向不同，晶粒与晶粒之间存在界面，若相邻晶粒之间的位向差在10°～2°之间，称为小角度晶界；晶界偏聚：溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集，也称内吸附，有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。肖脱基空位：脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。弗兰克耳空位：晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。刃型位错：柏氏矢量与位错线垂直的位错。螺型位错：柏氏矢量与位错线平行的位错。柏氏矢量：用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错派—纳力：位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。过冷：凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。均匀形核：在过冷的液态金属中，依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。形核功：形成临界晶核时，由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。马氏体转变：是一种无扩散型相变，通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构，转变过程中，表面有浮凸，新旧相之间保持严格的位向关系。或者：由奥氏体向马氏体转变的