钽电容应用手册

钽电容应用手册
钽电容应用手册

百富计算机钽电容应用手册

目录

一.前言 (3)

二.钽电容简介和基本结构 (3)

2.1.基本结构 (3)

2.2.工艺流程 (4)

三.钽电容的主要特性参数 (5)

3.1.容值 (5)

3.2.额定工作电压&浪涌电压 (6)

3.2.1.浪涌电压 (6)

3.2.2.反向电压 (7)

3.3.电流 (7)

3.3.1.纹波电流&浪涌电流 (7)

3.3.2.漏电流 (7)

3.4耗散因子(DF值) (8)

3.5阻抗,等效串联阻抗(ESR)&感抗 (10)

四.电容失效模式,机理和失效特点 (11)

五.设计,保存,焊接注意事项 (12)

5.1.设计注意点 (12)

5.1.1.电压 (12)

5.1.2.电流 (12)

5.1.3.热设计&功耗考虑 .............................................................................................. .13

5.2.组装,焊接&清洗......................................................................................................... . (13)

5.3.保存 (13)

一.前言

钽电容性能比较稳定,应用得当则故障率低,但应用不当钽电容则可以说有点危险了,部分钽电容失效会出现起火或爆炸的现象,导致烧毁PCB,或其他周围元器件,导致灾难性的危害,鉴于此,特撰写了此应用手册,供同仁们参考。

二.钽电容简介和基本结构

钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。

2.1.基本结构

2.2.工艺流程

三.钽电容的主要特性参数

3.1.容值

容值一般的测试条件:环境温度:25度室温下,频率:120HZ,电压:交流有效值最大1V或最大直流2.5V。一般来讲,容值随频率增加而降低,随温度增加容量也会略有增加,因为固体钽电容采用固体MNO2电解质,容量变化相对稳定,在滤波应用时,容量变化基本可忽略。

容值VS频率变化曲线:

容值VS温度变化曲线:

3.2.额定工作电压&浪涌电压

一般规格书上标示的工作电压为在一定温度范围内最大直流电压(低于85度),当温度高于85度,额定电压会降低,一般在125度,额定电压降为原额定电压的2/3。

工作电压VS温度变化曲线:

3.2.1.浪涌电压

一般钽电容能承受的浪涌电压大约为额定电压或类别电压的1.3倍,超过浪涌电压很容易导致TA2O5介质的击穿,下表出示了一般固体钽电容在25℃&85度℃,125℃浪涌电压值。

额定电压(V) @25℃&85℃浪涌电压(V)

@25℃&85℃

减额电压(V)@125℃浪涌电压(V)@125℃

3

4 2 2.4

4 5.2 2.7 3.2

6 8 4 5

10 13 7 8

16 20 10 12

20 26 13 16

25 33 17 20

35 46 23 28

50 65 33 40

3.2.2.反向电压

一般不允许对钽电容施加反向电压,并且不可在纯交流的环境中应用,若在不得以情况下允许时间小量的反向电压。25℃环境下:小于或等于10%Ur或1V(取较小者)85℃环境下:小于或等于5%Ur或0.5V(取较小者),125℃环境下:小于或等于1%Ur或0.1V(取较小者),IEC60384-3对反向电压测试条件为:125℃环境下,3Vdc或10%UR(取较小者)测试125小时。

3.3.电流

3.3.1.纹波电流&浪涌电流

浪涌电流和纹波电流破坏机理主要是通过引起器件的过热,导致器件烧毁,功率损耗(P有)与纹波电流(Irms)的关系由下式表示:P 有=V-·I漏+Irms·R≈Irms·Rs,

其中:V-:直流偏压(V);

I漏:漏电流(A);

Rs:等效串联电阻(Ω);

Irms:纹波电流。

由上式可以看出:当Rs 增大或当Irms增大时,功率损耗增大,因此,在高频线路中要求通过钽电解电容器的纹波电流小和选用等效串联电阻小的钽电解电容器。在所有应用中都应注意电路中纹波电流和浪涌电流不应太大,一般来讲,浪涌电流和纹波电流在钽电容规格书中没有写出,需要咨询供应商,或者应用I=U2/R粗略估算,其中U为额定电压和浪涌电压。R 为等效串联阻抗,国军标和供应商一般建议在低阻抗电路中串接一电阻降低其浪涌电流的冲击(一般建议串接1V/ohm或3V/ohm)

3.3.2.漏电流

钽电容漏电流取决施加的电压,施加电压的时间,元件本身的温度,漏电流主要影响器件的温升,导致器件发热,漏电流的测试一般是在20℃时施加额定电压进行测试,在测量电路中与电容串接一1000 OHM保护电阻,充电一到五分钟,然后测出漏电流。

漏电流VS温度:

漏电流VS电压:

3.4耗散因子(DF值)

耗散因子是决定电容内部功率耗散的一个物理量,越小越好,一般DF值随频率增加而增加。

3.5阻抗,等效串联阻抗(ESR)&感抗

ESR是决定电容滤波性能的一个重要指标,钽电容的ESR主要是由引脚和内部电极阻抗引起,是电容在高频上表现的一个很重要的参数,一般来讲,同容量,同电压值的钽电容的ESR要低于电解电容,但要高于多层陶瓷电容,ESR随着频率和温度的增加而减少,

ESR=DF/WC。在谐振频率以下,电容的阻抗是电容的容抗和ESR的矢量和,在电容产生谐振以后,电容的阻抗是电容的感抗和ESR矢量和。

下图出示了电容的等效组成图:

其中:ESL:描叙的是引脚和内部结构的电感

RL:电容的漏电阻,一般的钽电容能

Rd:由电介质吸收和内部分子极化引起的介电损耗ESR与频率特性曲线:

电容阻抗Z与频率特性曲线:

四.电容失效模式,机理和失效特点

电容失效大部分是由于电路降额不足,反向电压,过功耗导致,主要的失效模式是短路,也有极少量是发生参数偏移。失效机理主要是由于氧化膜缺陷,钽块与阳极引出线接触产生相对位移,阳极引出钽丝与氧化膜颗粒接触等,大部分钽电容失效是灾难性的,可能发生烧毁,爆炸,在应用过程中需特别注意。

在实际使用中的经验发现,钽电容失效呈现如下特点:

1.容值较大的钽电容比容值较小的钽电容更易失效

2.片状钽电容多发生在固定的部位或固定的电路中。

3.电源滤波的第一个钽电容更容易失效。

4.在ICT,FCT上电瞬间易发生失效。

5.老化过程中钽电容最容易失效。

6散热较差区域易发生失效。

7.浪涌下易发生失效。

分析钽电容如上特点,无外乎就是容值,温度,浪涌等几个方面引起,所以我们在应用过程中需综合考量各种因素。

五.设计,保存,焊接注意事项

由于钽电容失效易起火,爆炸,所以在设计,保存,焊接过程中应注意如下关注点:

5.1.设计注意点

5.1.1.电压

1.电压主要通过电场的形式施加给钽电容使电容局部击穿而失效,用在开关电源中电压至

少降额为1/3额定电压值(美军标规定不允许在电源滤波器中中使用固体钽电容),其他使用应降2/3电压,对我司应用建议电压至少降额至50%以下甚至1/3。

2.直流偏压和交流分压峰值之和不能超过额定电压值。

3.交流负峰值和直流偏压不能超过电容器允许的反向电压。

4.15V以上直流电压滤波不建议采用钽电容,特别在上下电较快的输入口处;低压但上下电较快的场合需要采取缓启动电路或尽量不采用固体钽电容。

5.边缘规格的钽电容((22uF/50V(插件)或(33μF/35V)22uF/35V(表贴))等基本属于边缘规格)由于工艺还不是很成熟,失效率相对来说比较高,尽量不采用。

6.在应用中尽量不用万用表进行不分极性的电阻量测。

7.当几个钽电容并联使用时候,建议Layout时把小容量电容放在前一级,容量大的放在后一级。

5.1.2.电流

1.纹波电流通过钽电容通过ESR产生有功功耗,进而导致电容器自身温度升高,导致热击穿失效,因此需要对通过电容器的纹波电流引起的功率损耗进行限制(钽电容器不应长期使用于交流分量大或纯交流电路中)。

2.钽电容器在电路中,应控制瞬间大电流对电容器的冲击(国军标和供应商一般建议串联R>3Ω/V的电阻以缓解这种冲击,以限制电流在300mA以下;当串联电阻小于3Ω/V时,则应考虑进一步的降额设计,否则产品可靠性将相应降低,如果将电路电阻从3Ω/V 降到≤0.1Ω/V,则失效率提高约10倍),当电容器用于滤波电路时,降额系数至少应为

0.5),低阻抗电路应为1/3。

3.固体钽电容一般不耐大的电流冲击,,容易在氧化膜的薄弱区域发热促使氧化膜晶化提早发生,并降低耐压能力,所以为提高使用寿命,电容器应避免发生频繁的充、放电。

5.1.3.热设计&功耗考虑

1.钽电容应尽量远离热源,比如变压器盘,电池下面等。

2.应了解各种壳号的钽电容的功率损耗和降额系数,尽量减少热失效的几率。

5.2.组装,焊接&清洗

1.施加在电容工作端的压力不超过4.9N(工作端直径为1.5mm),时间不超过5S。

2.任何型号的电容器重复焊接不能超过2次。

3.在第一次焊接完成2H后才能进行第二次焊接,且第二次焊接完成后立即进行清洗

4.无论是手工焊还是再流焊,都应避免使用活性高、酸性强的助焊剂,以免清洗不干净后渗透、腐蚀和扩散,进而影响其可靠性。

5.不得使用高活性溶剂,建议使用异丙醇溶剂进行清洗,但时间应不超过5分钟。

6.不建议用超声波清洗,如确需要,则建议条件为48KHZ/40度/5分钟,振动输出

0.02W/cm3已安装电容器不得与任何清洗器具相接触,也不得用刷子之类的的工具戳洗电容器。

5.3.保存

1.请在常温常湿环境(温度要求在35度以下)下保存。

2.避免日光照射,避免受过大的振动和冲击。

3.电容保存期限不超过一年,超过一年需重新进行老化并测试电性参数。

钽电容参数介绍及其使用技巧窍门

钽电容(Tantalum Capacitors) 钽电容全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,由于钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工作。 钽电容由于采用颗粒很细的钽粉,且钽的介电常数很高,所以在单位体积内钽电容的容量可以做到比较大。 钽电容的特点是温度范围宽、耐高温、寿命长、误差小、高稳定性,最高的容量体积比。当然,还有高成本和过于复杂的生产技术。在优点突出的前提下,钽电容器也具有要命的弱点,耐纹波性能与其它电容器相比较差,不能承受过高的反向电压。 钽电容器仍然具有最高的可靠性.这是它一至在军用及仪器行业里使用成为首选的根本原因。 从成本及性价比的角度看,在实际使用中,钽电容主要应用于1UF-220UF情况下的中小电源滤波作用。 目前全球钽电容的生产厂家主要有AVX、KEMET、NEC、VISHAY、NICHICON、三星、三洋等等。美国品牌的钽电容如AVX/KEMET外观都是黄色,其它一些品牌外观都是黑色。 钽电容内部结构图:

钽电容内部等效电路: 钽电容MARK标识:

钽电容主要参数: 1、容值范围: 钽电容的容值参数范围一般在0.47UF-680UF,不同厂家根据工艺能力,稍微有区别。 一般情况下钽电容使用参数范围在1UF-220UF左右。 从下面图表可以看出,钽电容在超过100K以上频率时,电容参数急剧减小。所以,钽电容一般情况下只适合低频情况下中大电流滤波。

2、额定电压: 一般钽电容的额定电压范围在4V-50V,考虑到125度环境需要做降额使用,参考下表。 在常规-55°C to + 125°C环境下,额定电压需要降额到2/3左右使用。具体降额可以用下列公式计算: Vmax=( 1-(T-85)/125)×VR Vmax是最大工作电压 T 是要求的工作温度 VR是额定电压 值得注意的是上述公式只适用于高阻抗的放电电路。同时,上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响,因此当使用温度较高时,必须使用更大的降额电压才能稳定可靠地工作。 下图列出了高温情况下额定电压的降额比例,以及实际使用情况下额定电压的降额比例。为了电路的可靠性,从图中可以看出,在实际应用环境,-55-85度情况下,实际应用

钽电容基本结构和生产工艺

钽电容基本结构和生产工艺 固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。 2.1.基本结构 二、固体钽电解电容生产工艺 固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由钽丝引出,传统的负极是固态MnO2,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性能优于MnO2。 钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺为例介绍如下。 1、生产工艺流程图成型→烧结→试容检验→组架→赋能→涂四氟→被膜→石墨银浆→上片点胶固化→点焊→模压固化→切筋→喷砂→电镀→打标志→切边→漏电预测→老化→测试→检验→编带→入库 2、主要生产工序说明 2.1成型工序:该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。 2.1.1什么要加粘接剂? 为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。

2.1.2加了太多或太少有什么影响? 如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。 2.1.3成型后不进行脱樟,可否直接放入烧结炉内进行烧结? 不行,因为樟脑是低温挥发物,如果直接放入烧结炉内进行烧结,挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。 2.1.4丝埋入深度太浅会有什么影响? 钽丝易拔出,或者钽丝易松动,后道工序在钽丝受到引力后,易导致钽丝跟部漏电流大。所以强调钽丝起码要埋入三分之二的钽坯高度以上,在成型时经常要检查。 2.1.5粉重误差太大分有什么影响? 粉重误码差太大,导致容量严重分散,K(±10%)档的命中率会很低。成型时经常要称取粉重,误差要合格范围内(±3%)。如果有轻有重都是偏重或都是偏轻,可调整赋能电压或烧结温度。如果有轻有重,超过误差范围,要调整成型机,并将已压钽坯隔离,作好标识,单独放一个坩埚烧结。 2.1.6密要均匀不能有上松下紧,或下紧上松的现象。否则会导致松的地方耐压降低。钽坯高度要在允许差范围内。 2.1.7成型注意事项: (1)粉重 (2)压密 (3)高度 (4)钽丝埋入深度 (5)换粉时一定要将原来的粉彻底从机器内清理干净。 (6)不能徒手接触钽粉、钽坯,谨防钽粉、钽坯受到污染。杜绝在可能有钽粉的部位加油。 (7)成型后的钽坯要放在干燥器皿内密封保存,并要尽快烧结,一般不超过24小时。 (8)每个坩埚要有伴同小卡,写明操作者、日期、规格、粉重等情况,此卡跟随工单一起流转,要在赋能后把数据记在工单上才能扔掉,以防在烧结、赋能、被膜出了质量问题可以倒追溯。 2.2烧结工序 1.烧结:在高温高真空条件下将钽坯烧成具有一定机械强度的高纯钽块。 2.目的:一是提纯,二是增加机械强度。 3.烧结温度对钽粉比容有什么影响?

钽电容选型和外形介绍

钽电容选型介绍及外形尺寸 | | 2010年08月23日 | [字体:小大] | 点击推荐给好友 关键词:钽电容 一、钽电容介绍 钽电容是由稀有金属钽加工而成,先把钽磨成微细粉,再与其它的介质一起经烧结而成。目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。钽电容由于金属钽的固有本性,具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点,在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性,因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:AVX、KEMET、VISHAY、NEC,其中AVX 和VISHAY的产量最大,而且质量最好。 二、钽电容技术规格和选型(以VISHAY和AVX为例说明) (一)VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ① 表示系列,VISHAY有293D和593D两个系列,293D表示普通钽电容,593D 表示的是低阻抗钽电容,直流电阻小于1欧,一般在100毫欧到500毫欧之间。 ② 表示电容的容量,范围从0.1UF----680UF ③ 表示容量误差,钽电容的容量误差有两种:一是±10%(K)和±20%(M) ④ 表示电容的耐压,指在85℃时额定直流电压,钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤ 表示钽电容的尺寸大小,有A、B、C、D、E、P五种尺寸 ⑥ 表示电容的焊点材料,一般是镍银,和钯银 ⑦ 表示包装方式,有两种包装方式,7寸盘和13寸盘

2、外形尺寸 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D普通系列 593D低阻系列(通用低阻钽电容为100UF----470UF)

钽电容简述

贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品,特别是一些高密度组装,内部空间体积小产品,如手机、便携式打印机 。 钽电容是一种用金属钽(Ta)作为阳极材料而制成的,按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中,又因工作电解质不同,分为固体电解质钽电容(S o l i d T a n t a l u m)和非固体电解质钽电容。 其中,固体钽电解电容器用量最大。钽电容由于使用金属钽做介质,不需要像普通电解电容那样使用电解液。另外,钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制,所以本身几乎没有电感,但同时也限制了它的容量。 T a j系列贴片钽电容是A V X公司生产的一种贴片封装的钽电解电容,是电子市场上最常见的一种型号。 贴片钽电容优点与缺点 优点: ?体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉,而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧 化膜的介电常数高,因此钽电容的单位体 积内的电容量大。 ?使用温度范围宽,耐高温由于钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工 作。一般钽电解电容器都能在- 50℃~100℃的温度下正常工作,虽然铝电 解也能在这个范围内工作,但电性能远远 不如钽电容。 ?寿命长、绝缘电阻高、漏电流小钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀, 而且长时间工作能保持良好的性能 ?容量误差小 ?等效串联电阻小(E S R),高频性能好缺点: ?耐电压不够高 ?电流小 ?价格高 贴片钽电容规格 A V X常规系列(T A J)贴片钽电容:容量和额定电压(字母表示封装大小) 电容量 85°C时D C额定电压(V R) μF C o d e2.5V(e)4V(G)6.3V(J)10V(A)16V(C)20V(D)25V(E)35V(V)50V(T) 0.10104A A

钽电容知识总结(结构、工艺、参数、选型)

一、钽电容简介和基本结构 固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。 钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。 2.1.基本结构 下图为MnO2为负极的钽电容

下图为聚合物(Polymer)为负极的钽电容

二、生产工艺 按照电解液的形态,钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分,液体钽电解用量已经很少,本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。 固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由 ,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性钽丝引出,传统的负极是固态MnO 2 。 能优于MnO 2 钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺 为例介绍如下。 一、生产工艺流程图 成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆 上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边 漏电预测老化测试检验编带入库二、主要生产工序说明 (一)成型工序: 该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。 1、什么要加粘接剂? 为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。 低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。 2、加了太多或太少有什么影响? 如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。 3、成型后不进行脱樟,可否直接放入烧结炉内进行烧结? 不行,因为樟脑是低温挥发物,如果直接放入烧结炉内进行烧结,挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。 4、丝埋入深度太浅会有什么影响? 钽丝易拔出,或者钽丝易松动,后道工序在钽丝受到引力后,易导致钽丝跟部漏

电容分类及钽电容详解

电容分类及钽电容详解 消费者可能不会知道,好的显卡采用的电容价格不菲,如钽聚合物电容每颗价格都在1美元左右,一片低端显卡平均要用6到8颗以上,GeForce9600GT、Radeon HD3850搞不好要15颗以上,光这些主电容费用就要100元人民币以上,而现在NVIDIA和ATI的公版上才几颗高分子聚合物电容,普通厂商的很多所谓非公版都用普通铝电解电容替代,一块显卡上所有主电容加起来还不到1元钱。众所周知现在显卡只剩下价格战,现在一块普通RV630显卡从出厂到最终销售的全部利润可能才50元,而在电容上就花费100元又意味着什么?是让这种显卡价格大涨,或是让制造厂商无利可图而不得已降低元件质量。 让电容分类不再模糊 说到电容,大家估计见过不少,任何电子设备上都有它的身影。目前家用板卡领域最常用的是铝电容,因为它便宜,容量大,性能也不错。说到这里,大家可能就有点犯晕了,平时我们谈的板卡上的电容不是直接就说是普通的电解电容和固态电容吗?这里怎么又冒出来个铝电容?

电容分类图 这里就涉及一个如何给电容分类的问题,电容和其他的部件有所不同,因为采用的材质不同名称也比较多,而按照阴极、阳极材料来划分又让它们之间又着一种“交错”的关系,这种相互交错就是人们认识电容的难点。 “直立”的电容几乎全是铝电容 电容的分类看似非常复杂,其实只要把握住其中的脉络,还是很简单的。比如我们在显卡、主板上看到的那种“直直挺立”的电容几乎都是铝电容,而平时俗称的固态电容和电解电容都属于铝电容。固态电容则是按照阴极材料来称呼的,有机半导体和高分子聚合物两种(按阳极材料来划分的话,还是属于铝电容)。又比如,从阳极来看,我们可以称某一类电容为钽电容,当然,我们也可以把阳极和阴极组合在一起称呼,将钽电容再细分为钽二氧化锰电容、钽聚合物电容等。 钽电容:高性能的代名词 简单了解了电容的分类后,我们就请出今天的主角——钽电容。钽是一种略带蓝色的金属,英文名叫Tantalum,具有2900℃以上的熔点(仅次于钨和铼)和6.5的莫氏硬度(钻石是10)以及令人难以置信的耐酸碱性(王水对它都没化学作用,而黄金碰到王水都会溶化),以上特性给钽带来了难以加工的坏名声,不过它极高的介电常数(27,是铝的4倍以上)和烧结后的海绵状态以及超稳定状态却让电子元件生产厂商忍受千难万苦也要把它应用在电容上。 最终,钽被制造成了电容装备到军用电子设备中。美国的军事工业异常发达,是世界最大的军火出口商,只要你有兴趣打开那些军用电子设备,就可以看到上面布满了大大小小黄色的钽电容(有趣的是美国的钽电容外壳都用黄色,而日本

电容知识介绍

电容知识介绍 一、电容的基础知识: 电容是一种最基本的电子元器件,基本上所有的电子设备都要用到。小小一颗电容却是一个国家工业技术能力的完全体现,世界上最先进的电容设计和生产国是美国和日本,我国自主力量还很薄弱,并且生产的产品也都以低档为主。 电容的基本单位为法拉(F),常用微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)(皮法又称微微法)等,它们的关系是: 1法拉(F)= 106微法(μF) 1微法(μF)= 103纳法(nF)= 106皮法(pF) 1pF = 10-12F 1nF = 10-9F= 103 ×10-12F= 102pF 1uF = 10-6F= 106 ×10-12F= 105pF 104表示0.1uF,105表示1 uF, 106表示10uF,226表示22 uF。 电容的误差等级一般分为3级:I级±5%(J),II级±10%(K),III级±20%(M)0402封装:1.0mm长×0.5mm宽 0603封装:1.6mm长×0.8mm宽(60mil×0.0254=1.524mm,30mil=0.762mm)0805封装:2.0mm长×1.25mm宽(80mil×0.0254=2.032mm,50mil=1.27mm)1206封装:3.2mm长×1.6mm宽 1210封装:3.2mm长×2.5mm 宽 1812封装:4.5mm长×3.2mm宽 2010封装:5.0mm长×2.5mm 宽 2225封装:5.6mm长×6.5mm宽 2512封装:6.5mm长×3.2mm宽 A型钽电容:3.2mm长×1.6mm宽×1.6mm高 B型钽电容:3.5mm长×2.8mm宽×1.9mm高 C型钽电容:6.0mm长×3.2mm宽×2.5mm高 D型钽电容:7.3mm长×4.3mm宽×2.8mm高 E型钽电容:7.3mm长×4.3mm宽×4.0mm高

AVX钽电容及常用元器件封装介绍

bushi钽电容封装大全及技术参数 长的话是+-0.2 ,宽是+-0.1 高(MM) A 型的尺寸3.2 X1.6 X1.6 俗称: A(3216) B 型的尺寸3.5 X2.8 X1.9 俗称: B(3528) C 型的尺寸6.0X 3.2X 2.6 俗称: C(6032) D 型的尺寸7.3 X4.3 X2.9 俗称: D(7343) 厚度2.9英寸 E 型的尺寸7.3 X4.3 X4.1 俗称: E(7343) 厚度4.1英寸 V 型的尺寸7.3X 6.1 X3.45 俗称: V(7361) J (1608) P (2012)也就是0805的 封装尺寸:毫米(英寸) 容值、耐压与尺寸对照表:

电感封装一般包括贴片与插件。 1.功率电感封装以骨架的尺寸做封装表示。 贴片用椭柱型表示方法如5.8(5.2)×4就表示长径为5.8mm短径为5.2mm高为4mm的电感(贴片电感封装)。 插件用圆柱型表示方法如φ6×8就表示直径为6mm高为8mm的电感。只是它们的骨架一般要通用,要不就要定造。 2.普通线性电感、色环电感与电阻电容的封装都有一样的表示, 贴片用尺寸表示如0603、0805、0402、1206等(贴片电感封装)。 插件用功率表示如1/8W、1/4W、1/2W、1W等。 3.至于二极管插件一般是DO-41;贴片封装就多SOD-214、LL-34。 4.三极管插件一般是To92;贴片封装就多SOT-23、SOT-223等 不能尽说,由于自动化封装变得多种多样。

发光二极管:颜色有红、黄、绿、蓝之分,亮度分普亮、高亮、超亮三个等级,常用的封装形式有三类:0805、1206、1210 二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206,大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5 电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列,具体分类如下: 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 拨码开关、晶振:等在市场都可以找到不同规格的贴片封装,其性能价格会根据他们的引脚镀层、标称频率以及段位相关联。 电阻:和无极性电容相仿,最为常见的有0805、0603两类,不同的是,她可以以排阻的身份出现,四位、八位都有,具体封装样式可参照MD16仿真版,也可以到设计所内部PCB库查询。 注: A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸:2.0 X 1.25 X 0.5 1206具体尺寸:3.0 X 1.5 0X 0.5

钽电容工艺流程

钽电容 固体钽电容器是1956年由美国贝乐试验室首先研制成功的,它的性能优异,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样,并制成适于表面贴装的小型和片型元件。适应了目前电子技术自动化和小型化发展的。虽然钽原料稀缺,钽电容器价格较昂贵,但大量采用高比容钽粉(30KuF.g-100KuF.V/g),加上对电容器制造工艺的改进和完善,钽电容器还是得到了迅速的发展,钽电容的应用范围日益。钽电容器不仅在军事通讯,航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制,影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。 钽电容的优点和缺点 钽电容全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,不像普通电解电容那样使用电解液,,钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制,本身几乎没有电感,但也限制了它的容量。此外,钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工作。钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力较弱。它被应用于大容量滤波的地方,像CPU插槽附近就看到钽电容的身影,多同陶瓷电容,电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。 在钽电解电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。钽电解电容器具有非常高的工作电场强度,并较类型电容器都大,以此保证它的小型化。 钽电容滤波好的原因: 1、钽电容的性能优异,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品,钽电容器非常方便地较大的电容量,在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。 2、钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能,主要应用于滤波、能量贮存与转换,记号旁路,耦合与退耦以及作时间常数元件等。在应用中要注意其性能特点,正确使用会有助于充分发挥其功能,其中诸如考虑产品工作环境及其发热温度,以及采取降额使用等措施,如果使用不当会影响产品的工作寿命。 3、固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积效率优异,具有其独特的特征:钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。此层氧化膜介质与组成电容器的一端极结合成一个整体,不能单独存在。因此单位体积内所具有的电容量特别大。即比容量非常高,因此特别适宜于小型化。在钽电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。 钽电容生产工艺及控制 钽电容加工工艺 一、工艺制造流程

钽电解电容器的型号介绍

钽电解电容器的型号介绍表示。 本文主要介绍的是关于钽电容的型号介绍,以及关于钽电容的耐压值观测方法,希望本文能让你对钽电容有更全面的认识。 钽电容是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品,是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,它的性能优异。钽电容器外形多种多样,并制成适于表面贴装的小型和片型元件。钽电容器不仅在军事通讯,航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制,影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。 钽电解电容器的型号介绍 固体钽电容器是由Bayor实验室1956首次开发的。它具有优良的性能。这是一个小和大电容产品在所有电容器。 钽电容器具有多种形状,易于制成适合于表面安装的小型和片式元件。它满足了电子技术自动化和小型化发展的需要。钽原材料稀少,钽电容器成本昂贵,但钽电解电容器由于其高比电容钽粉(30KuF,G-100Kuf.V/g)和电容量的提高,得到了迅速的发展和广泛的应用。R制造技术。钽电容器不仅广泛应用于军事通信、航空航天等领域,而且广泛应用于工业控制、影视设备、通信仪器等产品中。这样 钽电解电容器有三种主要类型:烧结固体、箔缠绕固体和烧结液体。其中,烧结固体占总产量的95%以上,而非金属密封树。 固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积效率优异,具有其独特的特征: 钽电解电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。此层氧化膜介质完全与组成电容器的一端极结合成一个整体,不能单独存在。因此单位体积内所具有的电容量特别大。即比容量非常高,因此特别适宜于小型化。 在钽电解电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。 钽电解电容器具有非常高的工作电场强度,并较任何类型电容器都大,以此保证它的小型化。 钽电解电容器可以非常方便地获得较大的电容量,在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。 具有单向导电性,即所谓有极性,应用时应按电源的正、负方向接入电流,电容器的阳极(正极)接电源+ 极,阴极(负极)接电源的- 极;如果接错不仅电容器发挥不了作用,而且漏电流很大,短时间内芯子就会发热,破坏氧化膜随即失效。 工作电压有一定的上限平值,但这方面的缺点对配合晶体管或集成电路电源,是不重要的。 电解电容器一般认为是一种性能优良,使用寿命长的电子元件,它的失效率正常时可达七级。但它总还是符合电子元器件的失效普遍规律,即澡盆形失效曲线,前期失效可在老炼过程中剔除。因此只有随机失效的可能性。而这种无效即有制造工艺控制问题,还常常伴随产品在使用过程的不当或超载所致,综合说来大约有三种模式即电流型、电压型和发热型。 钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能,主要应用于滤波、能量贮存与转换,记号旁路,耦合与退耦以及作时间常数元件等。在应用中要注意其性能特点,正确使用

钽电容规格标准

一、钽电容介绍 钽电容是由稀有金属钽加工而成,先把钽磨成微细粉,再与其它的介质一起经烧结而成。目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。钽电容由于金属钽的固有本性,具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点,在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性,因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:A VX、KEMET、VISHAY、NEC,其中A VX 和VISHAY的产量最大,而且质量最好。 二、钽电容技术规格和选型(以VISHAY和A VX 为例说明) (一)VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ①表示系列,VISHAY有293D和593D两个系列,293D表示普通钽电容,593D 表示的是低阻抗钽电容,直流电阻小于1欧,一般在100毫欧到500毫欧之间。 ② 表示电容的容量,范围从0.1UF----680UF ③ 表示容量误差,钽电容的容量误差有两种:一是±10%(K)和±20%(M) ④ 表示电容的耐压,指在85℃时额定直流电压,钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤ 表示钽电容的尺寸大小,有A、B、C、D、E、P五种尺寸 ⑥ 表示电容的焊点材料,一般是镍银,和钯银 ⑦ 表示包装方式,有两种包装方式,7寸盘和13寸盘 2、外形尺寸 电子元件技术网是中国第一个针对电子元器件应用、选型和实用设计方案的技术网络媒体。

电子元件技术网是中国第一个针对电子元器件应用、选型和实用设计方案的技术网络媒体。 具体尺寸mm 字母代码 尺寸代码 长度L 宽度W 厚度H A 3216 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.2 B 3528 3.5±0.2 2.8±0.2 1.9±0.2 C 6032 6.0±0.3 3.2±0.3 2.5±0.3 D 7343 7.3±0.3 4.3±0.3 2.8±0.3 E 7343H 7.3±0.3 4.3±0.3 4.0±0.3 P (不常用) 2012 2.0±0.008 1.25±0.2 1.2±0.1 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D 普通系列

LM358芯片简介

LM358 内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。 特性: 内部频率补偿 直流电压增益高(约100dB) 单位增益频带宽(约1MHz) 电源电压范围宽:单电源(3—30V); 双电源(±1.5 一±15V) 低功耗电流,适合于电池供电 · 低输入偏流 低输入失调电压和失调电流 共模输入电压范围宽,包括接地 差模输入电压范围宽,等于电源电压范围 输出电压摆幅大(0 至Vcc-1.5V) LM358运用: 红外线探测报警器 该报警器能探测人体发出的红外线,当人进入报警器的监视区域内,即可发出报警声,适用于家庭、办公室、仓库、实验室等比较重要场合防盗报警。 工作原理

该装置电路原理见图1。 由红外线传感器、信号放大电路、电压比较器、延时电路和音响报警电路等组成。红外线探测传感器IC1探测到前方人体辐射出的红外线信号时,由IC1 的②脚输出微弱的电信号,经三极管VT1 等组成第一级放大电路放大,再通过C2输入到运算放大器IC2中进行高增益、低噪声放大,此时由IC2①脚输出的信号已足够强。IC3作电压比较器,它的第⑤脚由R10、VD1提供基准电压,当IC2①脚输出的信号电压到达IC3的⑥脚时,两个输入端的电压进行比较,此时IC3的⑦脚由原来的高电平变为低电平。IC4 为报警延时电路,R14 和C6 组成延时电路,其时间约为1 分钟。当IC3的⑦脚变为低电平时,C6通过VD2放电,此时IC4 的②脚变为低电平,它与IC4的③脚基准电压进行比较,当它低于其基准电压时,IC4 的①脚变为高电平,VT2 导通,讯响器BL通电发出报警声。人体的红外线信号消失后,IC3的⑦脚又恢复高电平输出,此时VD2 截止。由于C6两端的电压不能突变,故通过R14向C6 缓慢充电,当C6两端的电压高于其基准电压时,IC4的①脚才变为低电平,时间约为1 分钟,即持续1分钟报警。 由VT3、R20、C8 组成开机延时电路,时间也约为1 分钟,它的设置主要是防止使用者开机后立即报警,好让使用者有足够的时间离开监视现场,同时可防止停电后又来电时产生误报。 该装置采用9-12V直流电源供电,由T 降压,全桥U整流,C10 滤波,检测电路采用IC5 78L06供电。本装置交直流两用,自动无间断转换。 元器件清单见下表 编号名称型号数量编号名称型号数量 R1 电阻 47K 1 C10 电解电容 470u/25V 1 R2 电阻 1M 1 C11 涤纶电容 0.1u 1 R3 电阻 1K 1 VD1-VD5 整流二极管 IN4001 5 R4 电阻 4.7K 1 U 全桥 2A/50V 1 R5、R6、R9、R12、R13、R15、电阻 100K (R12 为线性微调电阻) 6 VT1 晶体三极管 9014 1 R7、R10、R11、R17 电阻 10K 4 VT2 晶体三极管 MPSA13 0.5A 30V 1 R8、R16 电阻 300K 2 VT3 晶体三极管 8050 1

钽电容的作用

大家知道钽电容的作用吗?(2010-11-25 10:22:34)转载原文标签:转载分类:电子 原文地址:大家知道钽电容的作用吗?作者:浪飘云 全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,它的原理是:用钽粉压制成型,经过烧结后作为电容器的阳极,后经过化学方法在其表面生成氧化膜作为介质,而在表面生成二氧化锰作为阴极。由于使用金属钽做介质,不需要像普通电解电容那样使用电解液,另外,钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制,所以本身几乎没有电感,但同时也限制了它的容量。此外,钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工作。钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于大容量滤波的地方,像CPU插槽附近就可以看到钽电容的身影,多同陶瓷电容,电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。 Re: Kingpoo 简单一点说是这样的。 1)钽电容的失效模式是短路形式。故而在可靠性要求高的场合,如军品,宇航,汽车级电路中一般限制使用。如星上就不用。NASA好像也是规定不能用。 2)铝电解质电容其ESR可以做的很小的,如果我没有记错的话,可以到毫欧级。 我手头刚好有两个文摘,都是从21ic里看到的,在这里借花献佛。 文摘1:ESR(等效串联电阻),应该注意的问题 前两天我负责的一个LDO测试工程师上电后发现输出振荡了。 我做的时候没有振荡,对照下来,输出电容不一样,我用的是10u的铝电解, 他用的是钽电容。 因为我以前对这两种电容有过测试,所以,把他用的电容拿过来在Fluke RCL测量仪上测试,ESR高达13欧姆(10kHz),而我以前的测试的10u钽电容 一般只有0.5欧姆左右。所以换成esr=0.5欧姆的电容就没有振荡了。 在很多的电容介绍中,只是偶尔提到ESR这个概念,而没有具体说明数值, 也许是种类繁多不好概括吧。 ESR与制作材料,频率,温度和电容值都有关。 一般来说,对同一种工艺、同一厂家生产的同一种电容, 电容值与ESR的乘积接近常数。 上面说的13欧姆的电容显然是有问题的(但没标准,只能按照经验判断了). 由于没做过系统,对各种电容的ESR不了解,最好请哪位大侠能公布各种电容的 ESR作参考。 不过最好的办法是使用前量一下。 文摘2:关于使用固钽和液体钽电容的浅释

电容介绍及英文缩写

电容介绍及英文缩写 MKP = Metallised polypropylene金属化聚丙烯电容特点是损耗极小、无感结构、击穿能自愈、耐高温100度,缺点是容量小体积大、容量随温度上升而减小(负温度特性)。适合用于高电压、大电流以及高脉冲强度的电路,如开关电源震荡电路、扫描脉冲电路、马达启动电路、汽车点火器电路、A/D取样保持电路等。 MKS = MKY Polystyrene 金属化聚对苯二甲酸乙二酯电容(简称聚酯),特点容量大体积小、耐高温100度、无感结构、击穿能自愈,缺点是介质损耗稍大一些、容量随温度上升而增加(正温度特性)。一般用于信号耦合、退耦等通用用途。其他公司多称为MKT电容,WIMA的叫MKS,其实东西是一样的 PEL 小型化聚乙酯膜电容器-带电感性 PEI 聚乙酯膜电容器-带电感性 PEN 聚乙酯膜电容器 PET 聚乙酯膜电容器-轴向型稳定性好,可靠性高广泛用于通讯器材、收录机、电视机、VCD及各种电子设备的直流和脉动电路中 MPE 金属化聚乙酯膜电容器 MEM 超小型金属化聚乙酯膜盒装电容器特点 .小型化应用厂自动插件,脚间距大小为5mm .高耐湿性 .自愈性强 MET/MeA 金属化聚乙酯膜电容器-轴向型特点 .无电感结构 .自愈性强 .高容量值 MEB 金属化聚乙酯膜盒装电容器自愈性强 .高耐湿热性 .在一般应用中可靠性高 MKT 金属化聚乙酯膜X2级抗干扰电容器高频损耗小,能承载较大电流

.绝缘电阻高,自愈性好,寿命长 .能承受2.5KV的脉冲电压,属X2类 .适用于电源跨线降噪抑制干扰电路,及其他交流场合 PPL 聚丙烯膜电容器-带电感性 PPN 聚丙烯膜电容器 PPT 聚丙烯膜电容器-带电感性 MPP 金属化聚丙烯膜电容器金属化聚丙烯膜,环氧树脂包封高频损耗小内部温升小绝缘性能好.自愈效果佳各种直流,脉冲,高频较大电流场合 .彩电S校正电路 MPT/MPA 金属化聚丙烯膜电容器-轴向型特点 .低损耗角正切 .自愈性强 .负温度系数 .应用于高频,脉冲电路 MPB 金属化聚丙烯膜盒装电容器特点 .自愈性强 .低损耗角正切 .应用于高频、脉冲电路

钽电容的原材料钽矿石简介

钽电容的原材料钽矿石简介 Tantalite 分子式:(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6 性质:一种含钽铌矿物。钽铁矿是铁、锰、钽的氧化物矿物,是钽的主要矿石矿物,是铌的次要矿石矿物。铁黑色或褐黑色。柱状或板系晶,斜方晶系。密度6.2~8.2g/cm3,莫氏硬度~6.5。性脆,有弱磁性。不溶于盐酸、硝酸和硫酸,可溶于氟氢酸和磷酸中。产于花岗岩中,常与绿柱石、铌钇矿、钠花石、锂辉石、磷铝石等共生。矿物含五氧化二钽%~84%,五氧化二铌%~40%。为提取钽铌的重要矿物。纯的钽铁矿是少见的,常常有些铌,与铌铁矿是一个系列,铌铁矿是矿物系列另一端成员。当纯的时候,钽铁矿的比重是7.9,随铌含量增加而减少。钽铁矿可以根据很高的比重、黑色和一组完全的解理辨认出来,钽铁矿和铌铁矿产在花岗岩及有关的伟晶岩中,与黑钨矿、锡石、细晶石共生。钽是抗酸腐蚀的金属,用于化学装置上,外科手术的胪骨固定片和缝针,钽电容用在电子管中和工具钢中。6 铌(Nb)、钽(Ta)属难熔稀有金属,钢灰色,具有比重大(铌8.6、钽16.6)、熔点高(铌2467℃、钽2980℃)、沸点高(铌4740℃、钽5370℃)、强度高、抗疲劳、抗变形、抗腐蚀、导热、超导、单极导电及吸收气体等优良特性。铌和钽在元素周期表中同属一族,性质很相似,它们在自然界中共生在一起,赋存在铌、钽酸盐类矿物中。化学家们在19世纪初也正是从铌铁矿(钶铁矿)-钽铁矿系列矿物中发现了铌、钽这两个元素。 1801年英国化学家哈奇特(C.Hatchett)在分析矿石时发现了一种新元素,命名为Columbium(钶),这个矿石也就称为Columbite(钶矿,现称为钶铁矿,即铌铁矿)。1844年德国化学家罗瑟(H.Rose)宣称他发现了一种“新”元素,因其性质和钽(tantalum)相似,在自然界和钽共生,钽是按希腊神话人物Tantalus(坦塔罗斯)命名的,于是就按Tantalus女儿Niobe的名字命名为Niobium(铌)。1866年确定钶和铌是同一个元素,这样在很长的一段时间里,同一元素出现了两种不同的名称,在美国采用钶,元素符号定为Cb;而在欧洲则用铌,元素符号定为Nb,直到1951年国际纯粉化学与应用化学联合会(IUPAC)决定将其名称统一为niobium(铌),但有些国家仍沿用Columbium(钶),如在一些美国的有关化学书籍中还看到Cb(钶)。 钽是由瑞典化学家爱克柏格(A.G.Ekeberg)于1802年发现的。他是从芬基米托(Kimito)地方出产的一种矿石里分析出一种新金属,按希腊神话中的英雄人物Tantalus(坦塔罗斯)的名字命名为tantalum(钽),因为这种新金属具有英雄的特征,能够抵抗多种酸的侵蚀。 铌、钽具有耐腐蚀、冷加工性能好和氧化膜电性能好等优点,有许多重要用途。铌具有细化钢中晶粒的能力,广泛用于钢铁工业、电子工业、航天航空、原子能、海洋开发等领域,主要用作合金钢的添加剂、超导材料、高温合金、氧化物单晶、陶瓷电容器等。钽在酸性电解液中形成稳定的阳极氧化膜,用钽制成的电解电容器,具有容量大、体积小和可靠性好

贴片钽电容封装培训手册

S.贴片钽电容封装MT培训手册(1) https://www.360docs.net/doc/ee12883294.html, https://www.360docs.net/doc/ee12883294.html, S.贴片钽电容封装MT培训手册(1) SMT培训手册 上册 SMT根底知识 目录 一、SMT简介 二、SMT工艺先容 三、元器件知识 四、SMT补助质料 五、SMT质量圭臬 六、安静及防静电学问 下册SMT操作知识 目录 六、松下贴片机系列 七、西门子贴片机系列 八、天龙贴片机系列 第一章SMT简介 SMT是Surfacemounttechnology的简写,意为外表贴装技术。 亦即是无需对PCB钻插装孔而间接将元器件贴焊到PCB表面划定场所上的装联技术。

SMT的特征 从下面的定义上,我们知道SMT是从保守的穿孔插装技术(THT)成长起来的,但又区别于传统的THT。那么,SMT与THT对比它有什么甜头呢?下面就是其最为突出的优点: 1.安装密度高、电子产品体积小、分量轻,贴片元件的体积和重量惟有传统插装元件的1/10左右,平常采用SMT之后,电子产品体积收缩40%~60%,重量加重60%~80%。 2.信得过性高、抗振能力强。焊点缺陷率低。 3.高频特性好。裁减了电磁和射频滋扰。 4.易于杀青主动化,进步临盆效率。 5.低沉本钱达30%~50%。省俭材料、动力、设备、人力、时间等。avx钽电容规格。 采用表面贴装技术(SMT)是电子产品业的趋向 我们知道了SMT的优点,就要哄骗这些优点来为我们办事,而且随着电子产品的微型化使得THT无法适应产品的工艺恳求。因而,SMT是电子装联技术的发展趋势。其发挥阐发在: 1.电子产品追求小型化,使得以前使用的穿孔插件元件已无法适应其要求。 2.电子产品功效更完好,所采用的集成电路(IC)因功能重大使引脚众多,已无法做成传统的穿孔元件,独特是大规模、高集成IC,不得不采用表面贴片元件的封装。听听贴片钽电容封装MT培训手册(1)。 3.产品批量化,生产自动化,厂方要以低成本高产量,出产优良产品以逢迎顾客需求及增强市场角逐力。 4.电子元件的发展,集成电路(IC)的作战,半导体材料的多元应用。 5.电子产品的高本能机能及更高装联精度要求。 6.电子科技反动势在必行,追逐国际潮流。 SMT相关的技术组成 SMT从70年代发展起来,到90年代渊博应用的电子装联技术。由于其触及多学科领域,使其在发展初其较为迟钝,随着各学科领域的融合发展,SMT在90年代取得讯速发展和普及,估计在21世纪

钽电容封装及参数

钽电容封装及参数 一、钽电容介绍 钽电容是由稀有金属钽加工而成,先把钽磨成微细粉,再与其它的介质一起经烧结而成。目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。钽电容由于金属钽的固有本性,具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点,在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性,因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:AVX、KEMET、VISHAY、NEC,其中AVX和VISHAY的产量最大,而且质量最好。 二、钽电容技术规格和选型(以VISHAY和AVX为例说明) (一)VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ①②③④⑤⑥⑦ ①表示系列,VISHAY有293D和593D两个系列,293D表示普通钽电容,593D表示的是低阻抗钽电容,直流电阻小于1欧,一般在100毫欧到500毫欧之间。 ②表示电容的容量,范围从0.1UF----680UF

③表示容量误差,钽电容的容量误差有两种:一是±10%(K)和±20%(M) ④表示电容的耐压,指在85℃时额定直流电压,钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤表示钽电容的尺寸大小,有A、B、C、D、E、P五种尺寸 ⑥表示电容的焊点材料,一般是镍银,和钯银 ⑦表示包装方式,有两种包装方式,7寸盘和13寸盘 2、外形尺寸 字母代码尺寸代码具体尺寸mm 长度L 宽度W 厚度H A 3216 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.2 B 3528 3.5±0.2 2.8±0.2 1.9±0.2 C 6032 6.0±0.3 3.2±0.3 2.5±0.3 D 7343 7.3±0.3 4.3±0.3 2.8±0.3 E 7343H 7.3±0.3 4.3±0.3 4.0±0.3 P(不常用)2012 2.0±0.008 1.25±0.2 1.2±0.1 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D普通系列 电压 UF 容值4V 6.3V 10V 16V 20V 25V 35V 50V 常用特殊常用特殊常用特殊常用特殊常

钽电容简介(Introduction of Tantalum Capacitor)

钽电容简介 一、钽电容长的啥样? 二、钽电容简介 钽电容全称是钽电解电容(也有人叫钽质电容器),属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,不像普通电解电容那样使用电解液,因此适合在高温下工作,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品,在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。 从封装形式来分,钽电容分为插件和贴片两类,插件的现在已经逐浙淘汰除了国内某些小厂在生产外,其它知名品牌的厂商都已经停产了,贴片的目前被国际上几家知名品牌垄断了,国内还没有一家真正掌握了贴片钽电容的生产工艺。 三、钽电容的优点和缺点:

性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。钽电解电容器具有非常高的工作电场强度,并较同类型电容器都大,以此保证它的小型化。 2.缺点 容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力较弱。它被应用于大容量滤波的地方,像CPU插槽附近就看到钽电容的身影,多同陶瓷电容、电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。 钽电容滤波好的原因 竞争对手。 钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能,主要应用于滤波、能量贮存与转换,记号旁路,耦合与退耦以及作时间常数元件等。在应用中要注意其性能特点,正确使用会有助于充分发挥其功能,其中诸如考虑产品工作环境及其发热温度,以及采取降额使用等措施,如果使用不当会影响产品的工作寿命。 固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积效率优异,具有其独特的特征:钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。此层氧化膜介质与组成电容器的一端极结合成一个整体,不能单独存在。因此单位体积内所具有的电容量特别大。即比容量非常高,因此特别适宜于小型化。在钽电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。 四、钽电容命名 国际上知名的钽电容和产厂商都有自己的物料编号(料号),他们的编码方式也成为了事实上的行业标准。以下是AVX、KEMET、NEC的料号与规格对应表,供大家查阅。 1.AVX钽电容料号与规格对应表

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