2015年中科院长春光学精密机械与物理研究所考研院校介绍、专业目录、参考书目、历年真题、复试安排
半导体物理考研总结
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 中科院物理研究所凝聚态物理专业考研主要研究方向 1、非常规超导电性机理，混合态特性和磁通动力学。 （1）高温超导体输运性质，超导对称性和基态特性研究。 （2）超导体单电子隧道谱和Andreev反射研究。 （3）新型Mott绝缘体金属－绝缘基态相变和可能超导电性探索。 （4）超导体磁通动力学和涡旋态相图研究。 （5）新型超导体的合成方法、晶体结构和超导电性研究。 2、高温超导体电子态和异质结物理性质研究 （1）高温超导体和相关氧化物功能材料薄膜和异质结的生长的研究。 （2）铁电体极化场对高温超导体输运性质和超导电性的影响的研究。 （3）高温超导体和超大磁电阻材料异质结界面自旋极化电子隧道效应的研究。 （4）强关联电子体系远红外物性的研究。 3、新型超导材料和机制探索 （1）铜氧化合物超导机理的实验研究 （2）探索电子—激子相互作用超导体的可能性 （3）高温超导单晶的红外浮区法制备与物理性质研究 4、氧化物超导和新型功能薄膜的物理及应用研究 （1）超导/介电异质薄膜的制备及物性应用研究 （2）超导及氧化物薄膜生长和实时RHEED观察 （3）超导量子器件的研究和应用 （4）用于超导微波器件的大面积超导薄膜的研制 5、超导体微波电动力学性质，超导微波器件及应用。 6、原子尺度上表面纳米结构的形成机理及其输运性质 （1）表面生长的动力学理论； （2）表面吸附小系统（生物分子，水和金属团簇）原子和电子结构的第一性原理计算； （3）低维体系的电子结构和量子输运特性（如自旋调控、新型量子尺寸效应等）。. 7、III-V族化合物半导体材料及其低维量子结构制备和新型器件探索 （1）宽禁带化合物（In/Ga/AlN，ZnMgO）半导体及其低维量子结构生长、物性、微结构以及相互关系的研究，宽禁带化合物半导体新型微电子、光电子器件探索； （2）砷化镓基、磷化铟基新型低维异质结材料的设计、生长、物性研究及其新型微电子/光电子器件探索； （3）SiGe/Si应变层异质结材料的制备及物性研究。 8、新颖能源和电子材料薄膜生长、物性和器件物理 （1）纳米太阳能转换材料制备和器件研制； （2）纳米金刚石薄膜、碳氮纳米管/硼碳氮纳米管的CVD、PVD制备和场发射及发光性质研究； （3）负电亲和势材料的探索与应用研究； （4）纳米硅基发光材料的制备与物性研究； （5）有序氧化物薄膜制备和催化性质。 9、低维纳米结构的控制生长与量子效应 （1）极低温强磁场双探针扫描隧道显微学和自旋极化扫描隧道显微学； （2）半导体/金属量子点/线的外延生长和原子尺度控制； （3）低维纳米结构的输运和量子效应； 半导体物理刘恩科考研 复习总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差） 自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取 向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 杂质电离：电子脱离杂质原子的的束缚成为导电电子的过程。脱离束缚所需要的能力成为杂质电离能。 杂质能级：1）替位式杂质（3、5族元素，5族元素释放电子，正电中心，称施 主杂质；3族元素接收电子，负电中心，受主杂 质。） 2）间隙式杂质（杂质原子小） 杂质能带是虚线，分离的。 浅能级杂质电离能： 施主杂质电离能 2014——考研复试经历和心得 首先，调剂的话要趁早联系调剂院校。前阶段各个学校调剂工作尚未开始，招生办老师或导师不会给你肯定答复，实属正常，不过提前联系的好处在于当调剂正式开始老师会先发邮件给你。 对于调剂生，就要敢于争取，说不定就有希望。从备考到拟录取短短十个月，我真的学习到太多的东西，这大半年的时光教会了我很多，从书本到为人，从学习到实践，收获颇多。在此与君共勉。 来说一下中科院合肥物质研究所复试面试的具体情况。每个学校的面试细节不一，但大同小异，物质所的面试相比之下还是比较正规的。 ①英语口试：介绍你的学校，介绍你的专业，介绍你的家乡、家庭，说说你怎么知道这里（物质所）的？对这里有什么认识？比较你的学校和这里的异同点等等。这类问题太过广泛，最好先准备一份个人介绍，背熟后可灵活应变。（附件1：英文自我介绍） ②专业口试：我主要被问了物相分析方法、透射电子显微镜（TEM）和使用。 相关的专业问题还有： （i）太阳能电池材料、分类及原理； （ii）P-N结； （iii）薄膜材料和制备； （iv）纳米材料和效应； （v）成分分析、物相分析和形貌分析方法，具体操作； （vi）毕业设计。 （附件2;） 注意：我面试的是等离子所（材料物理与化学专业），每个方向的面试问题侧重不同，可以参考导师的研究方向重点来看。总之，面试前把每位导师的研究领域粗略的了解一下，英语相关口语问题尽量准备充分，一定要自信大胆，礼貌得体。导师喜欢机敏大方的学生，大家都是来参加面试的，水品差不了多少，导师其实也不在乎几分之差，高分被刷的不乏其人。要是能提前见见导师效果更佳，一方面对导师要不要你心中有个大概，不行的话还可以联系其他老师，另一方面，你的面试就占很大优势，导师会或多或少提供帮助的。 差不多就这些，初试成绩是敲门砖，只有过线才有机会啊。考研是人生的一个选择，不管结果如何，只要你能坚持下来，都是值得赞扬的，因为这个过程让你学会了独立学习、收集资料、与人交流、获取信息以及自我推荐，不管如何，你都是赢家。希望努力的人都能收获自己成功！ 附件1：英文自我介绍 Dear professors,it’s a great honor for me to have the opportunity for the interview . I would like to answer whatever you may raise and I hope I can make a good performance today , eventually enroll in your prestigious institute . First,let me give you a brief introduction about myself . My name is XXX , I come from X city , a very beautify city in AnHui province , and I currently a senior student in AnHui Normal University , not very famous but research-intensive . My major is Material Chemistry , which requires students to finish not only the basic courses for Chemistry but 中国科学院大气物理研究所 中国科学院大气物理研究所简介 大气物理研究所前身是1928年成立的原中央研究院气象研究所。现有职工325人，其中科技人员251人，有中国科学院院士7人，研究员46人，副研究员和高级工程师86人，中级科技人员108人。大气所是博士、硕士学位授予单位和博士后流动站建站单位。是中国科学院博士生重点培养基地，国家毕业生就业重点保证单位。现有在学博士生211人，硕士生105人，博士后18人。 大气物理研究所主要研究大气中各种运动和物理化学过程的基本规律及其与周围环境的相互作用，特别是研究在青藏高原、热带太平洋和我国复杂陆面作用下的东亚天气气候和环境的变化机理、预测理论及其探测方法，以建立东亚气候系统和季风环境系统的理论体系及遥感观测体系，发展新的探测和试验手段，为天气、气候和环境的监测、预测和控制提供理论和方法。四个优势创新研究领域是：气候系统动力学和预测理论研究、大气环境和人类生存环境变化动力学和预测理论研究、中层大气与遥感理论和技术研究、中小尺度天气系统与灾害研究。 大气物理研究所拥有的科研部门包括：大气科学和地球流体力学数值模拟国家重点实验室、大气边界层物理与大气化学国家重点实验室、中国科学院东亚区域气候-环境重点实验室、中层大气遥感与探测开放实验室、云降水物理与强风暴实验室、国际气候与环境科学中心、竺可桢--南森国际研究中心、灾害性气候研究与预测中心、中国生态系统研究络大气分中心、季风系统研究中心。另外还设有信息科学中心。 2005年，大气物理所知识创新工程全面推进阶段工作进展顺利，科研工作取得若干重要进展，气候数值模式、模拟及气候可预报性研究项目荣获2005年度国家自然科学二等奖；获得湖北省科技进步一等奖1项，中国人民解放军科学技术进步二等奖1项，中国气象局气象科技奖成果应用奖一等奖 1项，国家教育部科学技术进步二等奖1项。共发表科技论文469篇，其中ScI收录论文126篇，申报专利5项。队伍建设和人才培养工作成效显著，叶笃正荣获国家科学技术最高奖，并作为第一主持人荣获国家科学技术进步二等奖；吕达仁当选为中国科学院院士。一批科研和管理人员以及研究生获得了各类奖项，取得佳绩。制度化、民主化、科学化三化建设继续向前推进。 2005年，申请获得973项目北方干旱化与人类适应1项、973课题2项、863专题3项；获得国家自然科学基金各类项目29项，包括4个重点基金、面上基金23项，杰出A和杰出B各1项；获院方向性项目3项，课题1项。还获 西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理 论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构 我的中科院理化所考研经历 回想起考研那段经历，感受最深的就是考研是一场生命的历练，是一次重要的洗礼，是人生中的一次蜕变。只有真正体验过，才能真正感悟其中的奥妙，才能获得身心的提升，才能变得更加成熟！ 国学大师王国维在他的《人间词话》中这样描述了人生的三种境界：第一种是"昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路"；第二种是"衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴"；第三种是"众里寻他千百度，蓦然回首，那人却在灯火阑珊处"。这里姑且借用它来描述我的考研历程。 昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路 我考研的想法在大二时就已萌发，但当时并没有去准备，对于包括要考哪里、考什么方向等在内的问题都没有认真地去考虑，只是感觉自己对研究一直抱有很高的热情，比较适合从事研究工作。真正开始认真地考虑这个问题是在大三下学期。那时，2004级的师兄师姐刚面试完，所以很多同学到他们那里取经、搜集资料，学院里也组织了几次考研经验交流会。经过多方面的比较之后，我决定报考中国科学院有机化学方向的研究生。刚开始选定的是上海有机所，但后来却历经波折，直到网上确认完才算真正定下来。9月下旬我们学校通知保研名额，但是学院里说不能外保，这样前十个中九个放弃保研，其中有四个选择报考上海有机所，而且他们的实力都非常强。选择保研还是继续考试？当时家人、同学都劝我慎重考虑，理由是竞争压力太大，我们学校不是非常好的名校，所以即使过线也不可能全要，相对而言，选择保送就稳妥得多；还有女生从事有机化学研究危害性太大但是我们学院没有外保，如果想保研只能留在本校。难道就要这样放弃自己曾经的梦想，从此与中国科学院无缘？不，这不是我想要的！经过慎重考虑，我决定和命运赌一次，就算结果不如想象得理想，但至少自己已尽力了，不会留下太多的遗憾 衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴 大三下学期我们的课程还是比较多，看了一段时间的有机化学之后，我感觉这东西太繁杂，没有比较完整的时间对知识进行梳理是很难系统掌握的。当时我们的专业课正在学习结构化学和物理化学（下册），所以我就决定先把开设的课程学好，暑假再开始有机化学的复习。可那年暑假因为奥运会，学校限电，教室晚上也不开，整个暑假也就没有认真地复习。不过，每天晚上和同学一块儿听奥运广播成了那个暑假最深刻而美好的记忆。9月开学后算是真正进入备考阶段：先是系统地复习专业课的主要内容和基本知识点，然后就是做习题、做真题、研究真题。这期间我对重要知识点、易错知识点和难点作了比较详细的整理。最后冲刺阶段我基本上是按照考试安排在作适应性训练：上午、下午分别做相应科目的试题，晚上就开始分析、总结，不断地查漏补缺。 对于英语，我一向不大喜欢单纯地记单词，而且也记不住，而是比较喜欢阅读。所以，在其他同学拿着词汇书记单词时，我选择了多看多读，以此来扩充词汇量。就这样我每周坚持一定的阅读量，如《英语文摘》、《英语沙龙》、《21世纪报》等，有时间我就会去读。 历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读： part 1 学院专业考试概况： ①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况； ②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况； ③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。 part 2 历年题型分析及对应解题技巧： 根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。 part 3 2018真题分析： 最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。 part 4 2019考试展望： 根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。 part 5 华东师范大学考试大纲： ①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。 ②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。 ③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。 part 6 专业课高分备考策略： ①考研前期的准备； ②复习备考期间的准备与注意事项； ③考场注意事项。 part 7 章节考点分布表： 罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。 二、华东师范大学历年考研真题与答案： 汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。本部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。 2018年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2016年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2015年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2014年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 大工《半导体物理》考研重点 第一章、半导体中的电子状态 ●了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及 两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。 ●了解电子的共有化运动； ●理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带 与导电性能的差异； ●掌握本征激发的概念。 ●理解半导体中电子的平均速度和加速度； ●掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。 ●理解本征半导体的导电机构； ●掌握半导体空穴的概念及其特点。 ●理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 重要术语： 1.允带 2.电子的有效质量 3.禁带 4.本征半导体 5.本征激发 6.空穴 7.空穴的有效质量 知识点： 学完本章后，学生应具备以下能力： 1.对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。 2.讨论硅中能带的分裂。 3.根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的 意义。 4.本征半导体与本征激发的概念。 5.讨论空穴的概念。 6.定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。 第二章、半导体中的杂质和缺陷能级 ●掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念； ●了解浅能级杂质电离能的计算； ●了解杂质补偿作用及其产生的原因；。 ●了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用； ●理解错误!未找到引用源。-错误!未找到引用源。族化合物中的杂质能级 的形成及特点； ●了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念； ●了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种 线缺陷）施主或受主能级的形成。 重要术语 1.受主原子 2.载流子电荷 3.补偿半导体 4.完全电离 5.施主原子 6.非本征半导体 7.束缚态 知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力： 1.描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。 2.理解完全电离的概念。 考研面试前找面试资料，气愤找到的全是通信的面试经验，为了维护微电子的尊严，给报微电子的孩子们一点经验，楼主决定来一篇。 楼主是2016年考研，目标是中科院微系统与信息技术研究所，我考得是数一，英一，政治和固体物理，总分319，今年微系统所的分数线很诡异，在3月1号的时候说是要求大科78小科50，到了3月18号，突然发出通知说过了国家线也就是265分的一志愿的骚年都可以参加面试，最后面试的时候微电子来了48个，通信来了14个，我数了一下保研去掉之后微系统所微电子方向总共要招所内学硕36个,上科大联培22个，所内专硕17个，通信方向招学硕7个，联培4个，专硕5个，复试出来之后微电子刷掉了两个，通信刷掉4个，这样一来，研究生招生的缺口就很大,统考的孩子们挑好导师的第二天，调剂的孩子们就来了。 然后说一下大家最关心的面试吧，我们62个人总共分三组，通信一组，超导和二室的材料一组，剩下传感器和太赫兹的一组，通信感觉面试比较严格，进去就直接让你用英文介绍你做过的项目实验毕设之类的，吓呆宝宝了，然后会问一些专业课，楼主是微电子的，抱歉不知道通信问些什么专业课科了，微电子这边感觉碰运气，我面试的这边直接进去先来一个英文自我介绍，你在那边说英文，老师就在那里狂翻你的简历，介绍完之后，他就开始根据你的简历问问题，楼主有一个三作受理专利，感觉被炮轰了，要你把这个专利介绍一下，我就等他问这个呢，然后就巴拉巴拉说一大通，拖时间，然后有一个老师揪着量子点这个概念问我，我回答了，然而老师并不同意我的观点，索性后来说我不了解，另外我是负责人的一个项目没有一个人问，然后中间一个老师问了我对传感器感不感兴趣，我怕他问的深，就说不是很了解，但是知道它是信息采集，信息处理和信息输出，他点点头，然后那老师就开始和我讲传感器，我就静静地听着，也问了毕业设计，我说只是开了个题，大致说了下要做的三个方面，然后就绕过了，中间还问了一个竞赛的事，剩下问了什么我给忘了，一个专业课都没问。但是我同一个组的有些人就被问了专业课，还是有科研经历比较好办事，每个人大概面10分钟吧。另外一个组面试的速度比较快，进去也不用用英文介绍，有些让中文的有些干脆不用介绍，直接问些专业课的问题，听说问题也比较基础，但是没有自我介绍拖时间感觉问的会稍微多一点。 总结这次面试，感觉微电子这边只要是个正常的人，能正常回答问题，不瞎编乱说基本就能过，毕竟缺的人太多，通信那边就算有缺口感觉都是宁缺毋滥的，他们面试的人说，老师说这届通信质量差，宁可要调剂高分的，可不要面试差的。 对了，还有面试听力吧，先是一篇文章，里面有20个空，前几个是一个单词，后面就会要填短语，然后是20个选择题，感觉听力真的不重要，问了解佳老师，说是基本没有人及格，主要就是看面试。 最后就是选导师了，上午面试，下午马上就出成绩选导师，我们2点半出结果，拍照片的5点下班，解佳老师说必须要在这个时间之前选好导师，4点前没有找到老师签字就要赶紧回报告厅让她推荐老师，不然到了5点就赶不上拍照了，和导师见面你一定要了解老师的方向，前一天有实验室的介绍，一定要好好听，会有意想不到的收获，第一个找的老师就没有要我，然后我就顺口让他帮我推荐一个老师，然后就真的被接受了，前一个老师问了专利，科研项目，还有对他的方向是否了解，了解些什么，后一个问了自我介绍，爱好，专业课成绩和英语成绩，这个老师问的比较刁钻，感觉在给我下套，有点hold不住啊，大家在挑导师的时候也要注意提前有目标性的准备一点。 半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强 2016年中科院物理化学考研经验分享 新祥旭考研分享： 自去年准备考研开始已经过去了将近一年，现在将自己考研的一些体会写下来，供有需要的学弟学妹参考。初试成绩：英语：75政治：73数学（二）：132物理化学（乙）：135；报考的是中科院北京的研究所。 一、考研准备 （一）考研从何时开始准备 我准备的比较早，到现在已经有将近一年了，中间有过停顿，大三下学期还有课，主要是自习的时间好好利用，考研的关键时间还是在暑假及暑假之后。每个人开始的时间都不一样，淡定的人晚一点，有个学长九月份正式开始复习也考了390+上了清华（考数学的人暑假前建议要看），每个人按照自己的计划以及个人情况准备即可。我觉的考研应该是一个系统，有些事、有些参考书你可以不做，但是有些东西是必须要做的。 （二）院校选择及联系导师 院校选择因人而异，研究生毕业考公务员的选择稍差的学校也可以，有个学历即可；想在专业领域内发展的建议考个好点的学校。关于联系导师我只说一下中科院，中科院要联系的早一些，中科院（学硕）初试报名的时候是对应老师的，不像高校对应的专业或实验室，化学所目前仍是这样，理化所进行了改革，拟录取之后进行双选，但是还是建议早点联系。根据学长的建议和自己的体会，应该在接近暑假联系的时候比较好，这时候老师一般也不确定他今年会有名额，我去年暑假找好的老师就是被推免生占去了名额，导致我在10月份又临时换所，重新找老师，也是因为原来的所里没有合适的老师，很是仓促。但还是要试试，最好联系老师组里的学长去做几天实验，没有条件暑假去的话，去老师那里做毕设也是可以的。 （三）考研班的问题 是否报考研班也是因人而异的，不过我建议政治报个强化班或冲刺班比较好，其他科目看自己的个人情况。我去年没有报考研基础班，但报一个新祥旭考研的政治冲刺押题班，由于之前时间紧张，就没有去报基础而报的冲刺班。 二、复习参考书及复习体会 （一）英语复习参考书及复习体会 1．单词书 新东方乱序便携版及张剑说文解词：刚开始只买了一本XDF的便携版，但是个人感觉太薄了，只有释义，后来为追求心理安慰买了本张剑说文解词，但是太厚了，看一遍太麻烦，词根、例句都有，根本没时间细看，免得浪费money，还是看了一遍，之后就束之高阁了。 单词书选取建议：只要是正规考研机构出版的和自己看着顺眼即可，现在乱序版比较受青睐，一般有选新东方，英语红宝书，星火等。 记忆单词：背诵单词每个人都有自己的方法，我是没什么技巧和方法的，背的太痛苦的可以去论坛找技巧，个人感觉背单词要重复多次，别指望一遍背会就成，人都是会忘的。 时间安排：暑假之前要多花点时间在词汇上，每天至少一个小时吧，暑假之后由于专业课和政治要开始重点复习，所以时间会压缩，但是单词最好每天都看，中间不要有停顿。暑假之前记忆单词要全，暑假之后要有侧重点(真题和高频)，毕竟考研真题中不可能大纲词汇 06-09年中科院物理所保研面试题库不完全总结 Made by 李岳乔 注：此文中提及的部分题目会年年涉及，请参加保研面试的学弟学妹务必重视！！！ ※※※频率较高的题目： 1. 能带论→导体、绝缘体、半导体能带图、区分方式、电导率的区别 2. 麦克斯韦方程组、其物理意义以及推导方式 3. 晶体概念、晶格结构、对称性、配位数、硬度问题、布拉格劳厄公式 4. 晶体中声子、布洛赫波函数、布里渊区、电子气、费米能级、磁性、比热等 5. XRD、AFM、SEM、STM、TEM等探测手段 6. 薛定谔波函数及其变化、光电效应、量子力学建立背景、测不准原理以及应用、全同粒子、霍尔效应 7. 热力学定律、相变、统计规律、波色爱因斯坦凝聚 8. 最后一批面试会问及关于诺贝尔物理学奖方面的内容 9. 做过的业余科研、实习、获过的奖项 报考方向：超导（凝聚态） 1. Si是直接带隙还是间接带隙→与电子浓度有什么关系 2. 禁带宽的还是禁带窄的浓度大 3. 超导特征 4. 对哪一个普通物理实验印象比较深刻 5. 热力学三定律以及物理意义→三态水分子（固、液、气）之间的相互作用力 6. B、M、H之间的关系 7. 原子中电子能谱展宽是什么？ 8. 谐振子在量子力学里，为什么基态能级不为零？ 9. He的液态温度是多少→如果液氦达到4.2K时，怎么样使得温度降得更低？ 07年中科院物理所面试问题汇总 本人刚参加中科院物理所的保研面试，跟同行的几个同学将面试问题汇集起来，希望对报考的同学有帮助。总体感觉面试的问题非常随机，老师根据你回答的情况来问；而且很多问题都是那种回答可深可浅类型的。不过对凝聚态方向，hall效应是经常被问的问题。 面试开始每个人都被要求英语自我介绍4到5分钟左右，然后是专业问题的面试，今年总的面试时间大概20分钟。 一、所报专业：光学（激光低维氧化物方向），本科专业为电子方向 1. 画出基本放大电路、双极型晶体管； 2. 200伏电压如何转换成2万伏的高压，有哪些方法？ 3. 写出薛定谔方程（该同学没有学过量子力学）； 4. 谈谈对能带论的认识，并解释导体、绝缘体、半导体； 5. 谈谈对半导体激光器的了解，原理及组成等； 6. 什么是负电阻效应？高压可将电器烧坏，如何解决？ 中国科学院大气物理研究所 2006年博士生入学试题 《大气化学》(满分100) 一、解释下列各对名词（每组２分，共计４０分） １）干沉降和湿沉降２）光学等效直径和空气动力学等效直径３）气溶胶及 PM 10、PM 2.5 ４）热化学平衡和光化学平衡５）原生粒子和次生粒子６）元素 和同位素７）细粒子和硫酸盐８）反应物和前体物９）自由基和链式反应１０）化学反应速率常数和平衡常数１１）雾和光化学烟雾１２）粒子数浓度和质量浓度13）pH 值和酸雨14）光化学反应和量子效率１５）温室气体和温室效应１６）人工降雨和凝结核１７）爱根核和云１８）酸雨和酸沉降１９）大气寿命和半衰期２０）均相化学反应和非均相化学反应 二、简答题（每题10分，共计20分） 1.写出《京都议定书》明确要求发达国家减少排放的6种（类）人造物质名称和 分子式，并从它们大气化学降解速率和过成的角度说明必须减少向大气排放这些物质的原因。（10分） 2.N 2 O是一种重要的温室气体，主要从土壤排放到大气，消耗于平流层。当前国 际上测量土壤N 2 O排放普遍使用的方法是用一定体积的箱子罩在一定面积的土壤 上，通过测量箱内N 2 O浓度随时间的变化率，从而计算其界面交换通量（单位时 间单位面积的质量）。设在两地分别测量土壤N 2 O的排放，采样箱参数和测定值如下表，请问A、B哪个排放通量大？(提示：使用理想气体状态方程，0 ℃＝273.5 K ) （10分） （t0浓度是指开始罩箱时的N2O浓度；t1是指开始罩箱后的t1时刻N2O浓度） 三、述题（40分，每题２０分） 1.目前城市大气中两种最重要的O 3前体物是VOC和NOx（NO+NO 2 ），下图显示的是 第1页共2页 第一章半导体中电子的状态 名词解释： 直接带隙半导体 间接带隙半导体 格波 有效质量 空穴 布里渊区 重空穴、轻空穴 k空间等能面 解答题： 用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 名词解释： 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 杂质电离能 解答题： 简述杂质在半导体中的作用。 分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 名词解释： 非简并半导体 简并半导体 本征半导体 状态密度 解答题： 有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性 名词解释： 载流子散射 解答题： 简述半导体中载流子的主要散射机构。 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。 耿氏振荡的机理。 第五章非平衡载流子 名词解释： 准费米能级 少子寿命 小注入条件 高度补偿半导体 直接复合与间接复合 复合中心 陷阱中心 解答题： 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。 连续性方程。 第六章p-n结 名词解释： p-n结 解答题： 画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。 画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。 第七章金属和半导体的接触 名词解释： 半导体功函数 欧姆接触 表面势 解答题： 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基 硕士研究生复试规程 物理科学学院 2011年硕士研究生复试规程 一、复试时间：2011年3月30 -4月1日 3 月 30 日下午1:30-5:00 报到 报到地点：研究生院中关村教学园区东小楼208物理科学学院。 3月31日下午2:00-2:50 笔试 3:00-3:30 心理测试 地点：研究生院中关村园区教学楼N-108。 4月1日上午8:30 面试 地点：研究生院中关村园区教学楼N-509。（先在N-108等候）。 二、参加复试考生需提交的材料: 1、准考证、个人有效证件（学生证、身份证、军官证等）； 2、毕业证书和学位证书复印件，交验原件（应届生入学时提交）； 3、大学本科成绩单原件（应届生加盖学校教务部门公章，非应届生加盖档案所在单位人事部门公章）； 4、研究生入学考试成绩单。 5、英语水平证书、专业技能等级证书、获奖证书等复印件； 6、考生个人简历（在中科院研究生院招生网的“硕士招生”栏目“网上下载”区下载填写）； 7、近期正面免冠1寸照片1张； 三、体检: 1、体检地点：北京市海淀区中关村南路12号，中关村医院体检中心； 2、时间：2011年 3月 31 日上午7：40； 3、务必空腹参加体检； 参加体检的考生携带一张照片准时到中关村医院体检中心集合。 四、复试基本条件： 1、初试外语成绩、政治成绩不低于40分； 2、初试专业课单科成绩不低于70分； 3、初试总成绩不低于280分； 4、以上分数线如有低于国家分数线的，以国家分数线为最低复试分数线。 五、复试名单确定： 实行差额复试。对统考生，以物理科学学院分数线线上考生的120％为复试人数；对调剂生综合考虑，主要是专业对口、成绩优秀的予以考虑，最后通知学生参加复试。 六、复试考核形式和内容： 采用笔试和面试相结合的方式主要考察考生的专业知识、综合能力及培养潜能等。 复试内容： 1、专业知识笔试：满分为100分，时间50分钟。科目为：电动力学、量 子力学、热工与流体力学基础。复试小组根据考生初试科目和本科专业 分别指定以上的一门科目； 2、业务能力考查：复试小组成员就考生所报考的专业学科方向提问，考查 学生的专业知识背景及考生专业知识的综合能力； 3、外语能力测试：主要考核考生专业英语的听说能力。考生用英文自我介绍，复试小组成员提问； 4、综合素质考核：通过查阅考生的基本材料，随机提问，综合考查考生的语言表达、应变、思维能力； 5、心理测试：:通过心理测试问卷提问的形式，了解考生潜在的心理健康问题倾向。 七、复试成绩计算： 1、以复试小组成员独立评分的平均值为复试成绩； 2、复试成绩采用百分制60分及格。其中复试笔试成绩占30％，复试面试成绩占70％； 3、复试成绩占总成绩的40％，初试成绩占60％。 八、拟录取名单确定： 1、复试小组对参加复试的考生，按初试成绩和复试成绩加权总成绩，确定拟录取名单； 2、物理学院复试领导小组审核拟录取名单，并在物理学院网站公示7天，报研究生院招生办公室； 3、拟录取名单，由招生工作人员以电话或e-mail形式通知参加复试同学； 第七章 一、基本概念 1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。 金属功函数：金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差 2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。 3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws 4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V s m D -= 5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层：金属功函数大于N 型半导体功函数（Wm>Ws ）的MS 接触中，电子从半导体表面逸出到金属，分布在金属表层，金属表面带负电。半导体表面出现电离施主，分布在一定厚度表面层内，半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考，从半导体内到表面，能带向上弯曲，即形成表面势垒，在势垒区，空间电荷主要有带正电的施主离子组成，电子浓度比体内小得多，因此是是一个高阻区域，称为阻挡层。 【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】 7.电子反阻挡层：金属功函数小于N 型半导体功函数（Wm 中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（原中国科学院石家庄农业资源研究所） 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所 中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位（京外） 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所（筹） 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心（原中国科学院黑龙江农业现代化研究所） 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所（原子核研究所） 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所（筹） 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院中科院物理研究所凝聚态物理专业考研
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