接近开关型号命名方法

接近开关型号命名方法
接近开关型号命名方法

◆接近开关型号命名方法,接近开关字母含义序号分类标记

无标记/Z

C/CZ

①开关种类N

X

F

V

J

B

Q

L

②外形代号P

E

U

G

T

无标记

③安装方式

M

A

D

④电源电压DB

W

X

⑤检测距离

⑥输出状态

注①注②:参见

接线图0.8-120mm

K

H

C

SK

SH

ST

NK

NH

NC

PK含义

电感式/电感式自诊断电容式/电容式自诊断NAMUR安全开关

霍尔式

舌簧式

螺纹圆柱形

圆柱形

角柱形

方形

扁平形

矮圆柱形

槽形

组合形

特殊形

非埋入式(非齐平安装式)埋入式(齐平安装式)

交流20-250V

直流10-30V(模拟量:15-30V) 直流10-65V

交直流20-250V

特殊电压

以开关的感应距离为准

二线常开

二线开闭可选

交流三线常开

交流三线常闭

交流三线开+闭

三线NPN常开

三线NPN常闭

三线NPN开闭可选三线PNP常开

PH

PC

Z

GT注①

HT注②

NT

PT

J

X

无标记

A2

B

C2

F

⑦连接方式G

Q

S2

L

R

E

无标记

Y

⑧感应面方向W

S

M三线PNP常闭

三线PNP开闭可选

三线NPN、PNP开闭全能转换交流四线开+闭

交流四线开+闭

四线NPN开+闭

四线PNP开+闭

五线继电器输出

特殊形式

1.5米引线

2米引线(A3为3米)以此类推内接线端子

CX16二芯航插(C5为五芯)类推塑料螺纹四芯插

金属螺纹四芯插

塑料四芯插

CS12二芯航插(C5为五芯)类推M8三芯插

S3多功能插

特殊接插件

对端

左端

右端

上端

分离式

常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一.电阻器、电容器、电感器和变压器

二.半导体管 三.其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 表5

例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点: (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大,如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼,硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm,变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如:温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时,电阻率只增加4%左右。

常用元器件的型号命名方法

一、常用元器件的型号命名方法 1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法 根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定?电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成: (1)第一部份用一字母表示产品的主称 (2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料?电容器的介质材料) (3)第三部份一般用数字表示分类?个别类型用字母表示 (4)第四部份用数字表示序号?以区分外形尺寸和性能指针 (5)举例 R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器 1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4) 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 2.敏感电阻器型号命名方法 根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定?热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器?这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。 产品型号由下列四部份组成: 第一部份: 主称(用字母表示) 第二部份: 类别(用字母表示) 第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示) 第四部份: 序号(用数字表示) 第五部份:应用举例 M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器 1) 2) 3) 4) 区别代号 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 3.电感器型号命名方法 这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法?仅供参考 ●电感线圈的型号命名方法 电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下: 第一部份: 主称?用字母表示(其中L表示线圈?ZL表示高频或低频阻流圈) 第二部份: 特征?用字母表示(其中G表示高频) 第三部份: 型式?用字母表示(其中X表示小型) 第四部份: 区别代号?用字母表示 ●变压器型号的命名方法 它由三部份组成: 第一部份: 主称?用字母表示 第二部份: 功率?用数字表示?计量单位用VA或W标志?但RB型变压器除外 第三部份: 序号?用数字表示 例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器

接近开关的选型

接近开关的选型 对于不同的材质的检测体和不同的检测距离,应选用不同类型的接近开关,以使其在系统中具有高的性能价格比,为此在选型中应遵循以下原则: 4.1.1.当检测体为金属材料时,应选用高频振荡型接近开关,该类型接近开关对铁镍、a3钢类检测体检测最灵敏。对铝、黄铜和不锈钢类检测体,其检测灵敏度就低。 4.1.2.当检测体为非金属材料时,如;木材、纸张、塑料、玻璃和水等,应选用电容型接近开关。 4.1.3.金属体和非金属要进行远距离检测和控制时,应选用光电型接近开关或超声波型接近开关。 4.1.4.对于检测体为金属时,若检测灵敏度要求不高时,可选用价格低廉的磁性接近开关或霍尔式接近开关。 在各类开关中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件——位移传感器。利用位移传感器对接近物体的敏感特性达到控制开关通或断的目的,这就是接近开关。 当有物体移向接近开关,并接近到一定距离时,位移传感器才有“感知”,开关才会动作。通常把这个距离叫“检出距离”。不同的接近开关检出距离也不同。 有时被检测验物体是按一定的时间间隔,一个接一个地移向接近开关,又一个一个地离开,这样不断地重复。不同的接近开关,对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。 种类 因为位移传感器可以根据不同的原理和不同的方法做成,而不同的位移传感器对物体的“感知”方法也不同,所以常见的接近开关有以下几种: 1.涡流式接近开关 这种开关有时也叫电感式接近开关。它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场 接近开关时,使物体内部产生涡流。这个涡流反作用到接近开关,使开关内部电路参数发生变化,由此识别出有无导电物体移近,进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。 2.电容式接近开关 这种开关的测量通常是构成电容器的一个极板,而另一个极板是开关的外壳。这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。当有物体移向接近开关时,不论它是否为导体,由于它的接近,总要使电容的介电常数发生变化,从而使电容量发生变化,使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化,由此便可控制开关的接通或断开。这种接近开关检测的对象,不限于导体,可以绝缘的液体或粉状物等。 3.霍尔接近开关 霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关,叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时,开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化,由此识别附近有磁性物体存在,进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。 4.光电式接近开关

AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范

基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA:Resistor Arrays/排阻。 MELF:Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT:Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD:Small outline diode/小外形二极管。 SOIC:Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP:Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP:Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP:Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC:Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC:Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP:Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA:Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸:指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸:指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位:英制单位为mil,公制单位为mm。 小数点的表示:在命名中用“p”代表小数点。例如:1.0表示为1p0。 注:当不同物料的封装图形名称相同时,且描述的内容不同时,可在名称后面加-1,-2等后缀加以区分。 作者:wugehao

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号,第7位是附加的备注或特 殊的识别标记(除电容的命名方式外) 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明: XX-XX-XXXXXX-XXX-X | | | | | 空位(环保区分时备 用) | | | | 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 | | | | | | 元件种类/电气参数/型号 | | 供应商名代码 | 物品代码 注:编码长度一至,编码中间的“—”不纳入ERP系统,例: RE0120000061280 2.1、电子元器件物品(电子元器件的命名字母缩写): 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL

接近开关选型

一、接近开关选型必须要确定的几个要素? 1.是电感式还是电容式的呢?(电感式的感应金属,电容式的感应金属、木材、纸张、油、塑胶等有形物体) 2.请问您需要的是圆型的还是方形的?(圆形的那直径多大呢?) 3.感应距离要多大的呢? 4.是前端感应还是上端感应呢? 5.线长有要求吗?我们一般是1米5?量大可以定做) 6.是直流型还是交流型呢?(交流2线,直流3线) 7.是常开还是常闭呢? 8.接近开关的导线长度是多少?标准导线长度是1.5米,也可以根据客户要求订做。 二、电感式接近开关 1.原理:由电感线圈和电容及晶体管组成振荡器,并产生一个交变磁场,当有金属物体接近这一磁场时就会在金属物体内产生涡流,从而导致振荡停止,这种变化被后极放大处理后转换成晶体管开关信号输出。 2.特点:A、抗干扰性能好,开关频率高,大于200HZ. B、只能感应金属 3.应用在各种机械设备上作位置检测、计数信号拾取等。 三、电容式接近开关 1.原理:当有物体接近感应极片时,极片和物体就构成了一个电容,从而导致振荡极的状态发生变化,后极将这种变化放大处理后输出一个晶体管开关信号。

2.特点: (1). 不但能检测金属,还能检测塑料,玻璃,水,油等物质。(2). 易受干扰,注意安装位置。 (3). 感应距离可调整。 (4). 频率约50HZ. (5)应用:依据其特点,特别适合于非金属物的检测,如食品、化工等行业 四、接近开关的主要技术参数含义 1.检测距离:检出物以规定方向移向接近开关检测面,使开关刚好动作时,检测物与接近开关检测面间的距离。 2.回差(差动距离):检测距离与复归距离之差。 3 .应答频率:开关每一秒内可反应之输出频率。 4.工作电压:正常工作所允许加的电压 5.负载能力:最大允许输出电流 6.输出形式:NPN常开、NPN常闭、PNP常开、PNP常闭

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则

电子元器件的命名

电子元器件命名- - (资料是刚工作时前辈们留给我的,仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/fd7086775.html,掌柜) 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

PDMS_元件命名规则

PDMS_元件命名规则 管道元件命名规则 Index 目录 1.Naming Components 元件命名 2. Deriving Bolt Names 螺栓命名 3. COCO Table Coding 联接兼容表命名 4. Component CATREF coding 元件CATREF命名 第 1 页共 62 页 1. Naming Components 元件命名 Size Facing Rating Component Type Standard number International Standard International Standard: 国际标准 A ANSI Standard (ANSI) B British Standard (BS) C China (中国) D Deutsche Institut für Normung (DIN) F FRAMATOME I ISO M Manufacturers Standardisation Society (MSS) P American Petroleum Institute (API) J Japanese Standards Standard 标准 BS1560, ANSI B16.9, DIN 2050,中国(如GB、JB等)etc.

Type 类型 PDMS 常用类型:ATTA, TEE, BEND, ELBO, REDU, FLAN, OLET, NOZZ CROSS, VALVE, INST etc. Rating 压力等级 ANSI, BS, API, MSS 125#, 150#, 300#, 600#, 900#, 1500#, 2500#, 3000#, 6000#, 9000# (#=lb/sq. in.) China(中国) 0.25MPa,0.6MPa,1.0MPa, 1.6MPa, 2.5MPa, 6.3MPa, 10.0MPa, 16.0MPa, 25.0MPa, 32.0MPa, DIN (ND=Nenndruck) 10, 16, 25, 63, 100, 160, 250, 320, 400 Facing 端面类型 ANSI,BS,API,MSS,DIN ANSI,BS,API,MSS DIN China RF Raised Face TO Tongue FE Tongue RF 凸面法兰 FF Flat Face GR Groove NU Groove FF 平面法 兰 RTJ Ring Type Joint MA Male VS Projection RTJ 环连接面法兰 SCF Screwed Female FE Female RS Recess SCF 内螺纹连接 SCM Screwed Male SCM 外螺纹连接 TUB Plain End TUB 管子 BLF Blinded BLF 盲板 BWD Buttweld End BWD 对焊连接 LIN Lined Facing Size: 公称直径 Nominal bore sizes in inches or mm 英制或公制的公称直径 Typical Catalogue Names: 典型的Catalogue命名 BARC200 = BS1640 BW CONC REDUCER AAEA200 = ANSI B16.9 BW ELBOW 90 DEG CAFWBD0= 中国国标GB12459-96 PN1.6Mpa带颈对焊法兰 DCZFBP0 = DIN 2633 FLANGED NOZZLE PN16RF DAVHBPR= DIN 3202 GLOBE VALVE PN16 RF 第 2 页共 62 页

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1,常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1,2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 (箔 ) 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2,电容器 第一部分(材 料) 第二 部分 分类 (第 三部 分) (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第四 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第五 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质

PCB元器件封装命名规则

PIC 是单片机的一种,比如51单片机,avr单片机;而每个厂家制作的单片机都要给其起名字,名字里会有许多信息,具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”,或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1.前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号,特别地:dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2.系列号:10、12、16、18、24、30、33、32,其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3.器件型号(类型): C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4.改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5.晶体标示: LP 小功率晶体, RC 电阻电容, XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6.频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ, -16 16MHZ -20 20MHZ, -25 25MHZ, -33 33MHZ 7.温度范围: 空白 0℃至70℃, I -45℃至85℃, E -40℃至125℃ 8.封装形式:

L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装

倍加福接近开关选型

倍加福接近开关选型 P+F接近开关选型德国倍加福接近开关选型接近开关选型电感式接近开关 "电感式传感器—可广泛用于对金属物体进行非接触式的高精度的位置测量的场合 基本品种:NBB、NBN、NEB、NCB、NJ、SJ、FJ、RJ、NMB系列。 外形:圆柱形、矩形、扁平形、槽形及环形、VaiKont(头部可转换)形。 感应范围:0.2-100mm 输入:AC、DC或AC/DC 输出:2、3或4线制、常开(NO)、常闭(NC)、常开常闭转换以及模拟量输出。输出电流:开关量输出(10-500mA)、模拟量输出(0-20mA)。 保护功能:具备极性保护、短路或过载保护、断路监视、过压保护 电容式接近开关 "电容式传感器—可用来检测包括金属和非金属物体在内的所有物体 基本品种:CJ系列 外形:圆柱形、矩形及扁平形。 感应范围:1-40mm 输入:AC、DC或AC/DC。 输出:开关量输出常开(NO)或常闭(NC),2,3或4线制。 保护功能:具有极性保护、短路保护。" 磁式传感器 "磁式传感器—能检测磁体(永磁体或电磁体)、铁磁体 基本品种:MJ系列、MB系列 外形:圆柱形及矩形 感应范围:25-60mm 输入:DC 输出:常开(NO)、常闭(NC)2线或3线制" 特殊传感器 说明:有耐高温型、防磁防焊型、金属检测无衰减型、材料选择型及增强型防护等级 IP68/IP69K、耐高压型350bar 等特殊传感器。欢迎来电来函索取更详细的资料。

选型对照如下: N B B 5 - 18 G M 50 - E2 (1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9) (1)用字母表示 N-电感式 C-电容式 M-磁式 R-环型(电感式) IA-模拟量(电感式) (2)用字母表示 B-基本系列 C-标准系列 J-原始系列 E-感应距离增大型(电感式) (3)用字母表示 B-齐平安装(电感式、电容式) N-非平安装(电感式、电容式) (4)用数字表示(mm) 0.2-100-开关距离(电感式) 10-43-环型传感器直径 2-30槽型传感器槽宽 (5)用数字(mm)或字母表示 圆柱型传感器直径采用数字表示 用字母F、F1、F2、F9、F10、F11、 F17、F29、F33、F41及V3,L1/L2 表等示各种形状的矩型传感器。 FP-方型(扁平型) U-感应头部可转换型(VariKont) (限位开关型) MIK-感应头部可转换型(小型限位开 关型)(VariKontM) (6)用字母表示 G-有螺纹 无字母-光杆 (7)用字母表示 M-金属外壳

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2,电容器

5,半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

电感式接近开关型号对照表

备注:本资料仅供福大内部工作参考,不作为选型唯一依据。具体选型需结合各品牌最新样本参数进行,或咨询霍尼韦尔技术支持热线 400 633 6089。 福大霍尼韦尔总经销 14235致上 Honeywell Schneider Omron 外形 外壳 尺寸 感应距 安装方式 输出类型 接线方式 材料 离(mm)JSM802UD1C2 XS208BLNAL2C E2E-X2ME1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JSM802UD2C2 XS208BLPAL2C E2E-X2MF1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JSM802UD3C2 XS208BLNBL2C E2E-X2ME2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JSM802UD4C2 XS208BLPBL2C E2E-X2MF2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JSM81E5D1C2 XS108BLNAL2C E2E-X1R5E1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JSM81E5D2C2 XS108BLPAL2C E2E-X1R5F1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JSM81E5D3C2 XS108BLNBL2C E2E-X1R5E2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JSM81E5D4C2 XS108BLPBL2C E2E-X1R5F2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JSM802UD1Y XS208BLNAM12C E2E-X2ME1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO M12连接器JSM802UD2Y XS208BLPAM12C E2E-X2MF1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO M12连接器JSM802UD3Y XS208BLNBM12C E2E-X2ME2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC M12连接器JSM802UD4Y XS208BLPBM12C E2E-X2MF2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC M12连接器JSM81E5D1Y XS108BLNAM12C E2E-X1R5E1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO M12连接器JSM81E5D2Y XS108BLPAM12C E2E-X1R5F1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO M12连接器JSM81E5D3Y XS108BLNBM12C E2E-X1R5E2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC M12连接器JSM81E5D4Y XS108BLPBM12C E2E-X1R5F2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1204UD1C2 XS212BLNAL2C E2E-X5ME1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM1204UD2C2 XS212BLPAL2C E2E-X5MF1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM1204UD3C2 XS212BLNBL2C E2E-X5ME2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JM1204UD4C2 XS212BLPBL2C E2E-X5MF2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM1202ED1C2 XS112BLNAL2C E2E-X2E1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM1202ED2C2 XS112BLPAL2C E2E-X2F1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM1202ED3C2 XS112BLNBL2C E2E-X2E2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m Jm1202ED4C2 XS112BLPBL2C E2E-X2F2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM1204UD1Y XS212BLNAM12C E2E-X5ME1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1204UD2Y XS212BLPAM12C E2E-X5MF1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1204UD3Y XS212BLNBM12C E2E-X5ME2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1204UD4Y XS212BLPBM12C E2E-X5MF2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1202ED1Y XS112BLNAM12C E2E-X2E1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1202ED2Y XS112BLPAM12C E2E-X2F1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1202ED3Y XS112BLNBM12C E2E-X2E2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1202ED4Y XS112BLPBM12C E2E-X2F2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1808UD1C2 XS218BLNAL2C E2E-X10ME1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM1808UD2C2 XS218BLPAL2C E2E-X10MF1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM1808UD3C2 XS218BLNBL2C E2E-X10ME2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JM1808UD4C2 XS218BLPBL2C E2E-X10MF2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM1805ED1C2 XS118BLNAL2C E2E-X5E1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM1805ED2C2 XS118BLPAL2C E2E-X5F1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM1805ED3C2 XS118BLNBL2C E2E-X5E2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JM1805ED4C2 XS118BLPBL2C E2E-X5F2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM1808UD1Y XS218BLNAM12C E2E-X10ME1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1808UD2Y XS218BLPAM12C E2E-X10MF1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1808UD3Y XS218BLNBM12C E2E-X10ME2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1808UD4Y XS218BLPBM12C E2E-X10MF2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1805ED1Y XS118BLNAM12C E2E-X5E1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1805ED2Y XS118BLPAM12C E2E-X5F1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1805ED3Y XS118BLNBM12C E2E-X5E2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1805ED4Y XS118BLPBM12C E2E-X5F2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM3015UD1C2 XS230BLNAL2C E2E-X18ME1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM3015UD2C2 XS230BLPAL2C E2E-X18MF1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM3015UD3C2 XS230BLNBL2C E2E-X18ME2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JM3015UD4C2 XS230BLPBL2C E2E-X18MF2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM3010ED1C2 XS130BLNAL2C E2E-X10E1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO 预接线缆,长度为2m JM3010ED2C2 XS130BLPAL2C E2E-X10F1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO 预接线缆,长度为2m JM3010ED3C2 XS130BLNBL2C E2E-X10E2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC 预接线缆,长度为2m JM3010ED4C2 XS130BLPBL2C E2E-X10F2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC 预接线缆,长度为2m JM3015UD1Y XS230BLNAM12C E2E-X18ME1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM3015UD2Y XS230BLPAM12C E2E-X18MF1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM3015UD3Y XS230BLNBM12C E2E-X18ME2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM3015UD4Y XS230BLPBM12C E2E-X18MF2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM3010ED1Y XS130BLNAM12C E2E-X10E1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO M12连接器JM3010ED2Y XS130BLPAM12C E2E-X10F1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO M12连接器JM3010ED3Y XS130BLNBM12C E2E-X10E2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC M12连接器JM3010ED4Y XS130BLPBM12C E2E-X10F2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC M12连接器 Honeywell J(S)M 系列拥有更多更长检测距离的型号产品,具体信息请参考电感式接近传感器样本。

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