模拟电子技术期末考试
课程《模拟电子技术》
一、填空题（1分×30=30分）
1、在掺杂半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。
2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。
3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和
4、晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生 失真；静态工作点设置太高，将产生 失真。
5、理想集成运放组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ，这称为 。运放的两个输入端电流为 ，这称为 。
6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值，共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ，u i2=18mV 时，
u id = mV ，u ic = mV 。
7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大电
路净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。
8、正弦波振荡器的振荡条件中，幅值平衡条件是指 ，相位平衡条件是
指 ，后者实质上要求电路满足 反馈。
9、电路如图所示，已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ，Ucc=15V ，RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。
10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。
二、选择题（2分×10=20分）
1、某晶体管的极限参数为：I CM =100mA ，U BR(CEO)=20V ，P CM =100mW ，则该器件正常工作状态为（ ）
A I C =10mA U CE =15V
B I
C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V
D I C =100mA U C
E =15V
2、测得晶体管在放大状态的参数时，当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为（ ）
A 80
B 60
C 75
D 90
3、射极输出器的输出电阻小，说明电路的（ ）
A 带负载能力差
B 带负载能力强
C 减轻前级或信号源的负荷
D 增加前级或信号源的负荷
4、放大电路产生零点漂移的主要原因是： （ ）
A 电压增益过大
B 环境温度变化
C 采用直接耦合
D 采用阻容耦合
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5、理想集成运放的两个重要的结论是：（ ）
A 虚短与虚断
B 虚短与虚地
C 虚断与虚地
D 短路与断路
6、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选用：（ ）
A 电压串联负反馈
B 电流串联负反馈
C 电压并联负反馈
D 电流并联负反馈
7、为了使运放工作在线性区，通常：（ ）
A 引入负反馈
B 提高输入电阻
C 减小器件的增益
D 引入正反馈
8、如图所示电路，要组成一个正弦波震荡器，将各引入端连接起来
电路的连接： ( )
A 、 ①⑦ ②⑧ ③⑤ ④⑥
B 、①⑦ ②⑤ ③⑧ ④⑥
C 、 ①⑦ ②⑥ ③⑧ ④⑤
D 、 ①⑤ ②⑥ ③⑦ ④⑥
9、实际应用中，根据需要可将两只晶体管构成一只复合晶体管，如图所示电路中能等效一只PNP 型复合晶体管的是 。（ ）
10、如图所示，电路中u2的有效值为20V ，如果RL 和C 增大，则输出电压 （ ）。
A 增大
B 减小
C 不变
D 无法确定
三、判断题（1分×10=10分）
1、晶体管的集电极和发射极互换时，仍有较大的电流放大作用。 （ ）
2、在N 型半导体中，参入高浓度的三价杂质，可以改型为P 型半导体。 （ ）
3、所有的电压放大电路的级间耦合都可以采用阻容耦合方式 （ ）
4、晶体管放大电路所带负载大小不一样，会使其电压放大倍数有所改变 （ ）
5、共模信号和差模信号都是要放大的信号 （ ）
6、差动放大电路能有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比 （ ）
7、对于负反馈电路，由于负反馈作用使输入量减小，而输入量减小，又使输出量减小，最后就使输出量为零。对于正反馈，则恰恰相反，信号越来越大，最后必然使输出无穷大。 （ ）
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8、放大电路的反馈形式可以用负反馈，也可以采用正反馈。（）
9、只要具有正反馈，电路就一定能产生振荡。（）
10、电源变压器二次侧电压有效值为U2，在桥式整流电路中输出直流电压有效值为Uo=0.45U2 （）
四、分析计算题（13分+9分+9分+9分=40分）
1、放大电路如图所示，已知：V CC=12V、R B1=30kΩ、 R B2=10kΩ、R C=2kΩ、R E=1kΩ、R L=3kΩ，电流放大系数β=40。
求：（1）求静态值I
BQ ，I
CQ
和U CEQ(设U BEQ=0.7V)；（画出直流通路）
（2）求电压放大倍数A u，
（3）输入电阻R i，输出电阻R o 。
2、RC正弦波振荡器电路如图所示，
（1）热敏电阻Rt应采用正的还是负的温度系数？并说明理由。
（2）估算Rt的阻值
（3）若双联可变电容从3000PF变到6000PF时，振荡频率的调节范围为多大？
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3.试标出图5-25所示电路中OCL 电路如图所示（图中VT1的偏置电路未画出）。已知输入电压ui 为正弦波，负载电阻RL=80欧，设推动级VT1的电压放大倍数为-1O 倍，输出级电压放大倍数近似为1。
（1）计算当输入电压有效值为1V 时电路的输出功率Po ； （2）指出二极管VD1、VD2的作用。
（3）如果电路仍然有交越失真，应该怎么办？
4、如图是利用W7800系列和W7900系列两块集成稳压器构成的二路直流稳压电路。 试问：
（1）图中Uo1=？Uo2=?
(2)电容C1和C2的大概是多少？ (3)电容C1和C2的作用是什么？
模拟电子技术期中考试题及答案
2013－2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术 教师签字 一、选择及填空题:（共52分，每空2分） 1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。 由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A．发射极，B．基极，C．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A．PNP型，B．NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A．40 ， B．100，C．400）。 2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0 =），= 1 O U 1.3V ，= 2 O U 0v 。 3.已知下面图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。影响f L大小的因素是 C ，影响f H大小 的因素是 A 。（A．晶体管极间电容，B．晶体管的非线性特性，C．耦合电容） H L O C R b R c +V CC u i ( a )( b ) . A u 20lg u o 题号一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3 （16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名
R b +V CC C 2 R L C 1 u i u o 12 23 6u C E V 60μA 40μA 50μA 30μA 514 4 8 =10μA I B 20μA 2 6 10 VT R c Q i C mA 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9） 倍。当f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 C （A. 45? B. -90? C. －135?）。 4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k 负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 。 5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 （1）．电压放大倍数u A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 （2）．电压放大倍数u A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 （3）．电压放大倍数u A ≈1，输入电阻i R >100k Ω的电路是 B 。 C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( a )C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( b )C 2 C 1 R b1 R b2 L R e R c ( c ) +12V +12V +12V C 3 u i u i u i u o u o u o 6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q 点也标在图上（设U BEQ ＝0.7V ）。 （1）电源电压V CC= 12 V ，c R = 2 Ωk ，b R = 377 Ωk ；最大不失真输出电压幅值=om U 4.5 V ；； 为获得更大的不失真输出电压，b R 应 减小（增大、减小） （2）若Ω=K R 6L ，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电子技术期末试题
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
模拟电子技术教案
授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。
2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F
《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
模拟电子技术期中试卷a2
2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题（每空1分，共20分） 1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 二、选择题（每小题2分，共20分） 11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄 C．变宽D．不定 12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度 ① ② ③ 第 1 页，共 4 页
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电子技术基础教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。
3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5
模拟电子技术期末考试
课程《模拟电子技术》 一、填空题（1分×30=30分） 1、在掺杂半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。 2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和 4、晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低，将产生 失真；静态工作点设置太高，将产生 失真。 5、理想集成运放组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ，这称为 。运放的两个输入端电流为 ，这称为 。 6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值，共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ，u i2=18mV 时， u id = mV ，u ic = mV 。 7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大电 路净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。 8、正弦波振荡器的振荡条件中，幅值平衡条件是指 ，相位平衡条件是 指 ，后者实质上要求电路满足 反馈。 9、电路如图所示，已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ，Ucc=15V ，RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。 10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。 二、选择题（2分×10=20分） 1、某晶体管的极限参数为：I CM =100mA ，U BR(CEO)=20V ，P CM =100mW ，则该器件正常工作状态为（ ） A I C =10mA U CE =15V B I C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V D I C =100mA U C E =15V 2、测得晶体管在放大状态的参数时，当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为（ ） A 80 B 60 C 75 D 90 3、射极输出器的输出电阻小，说明电路的（ ） A 带负载能力差 B 带负载能力强 C 减轻前级或信号源的负荷 D 增加前级或信号源的负荷 4、放大电路产生零点漂移的主要原因是： （ ） A 电压增益过大 B 环境温度变化 C 采用直接耦合 D 采用阻容耦合
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
模拟电子技术教案课程
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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型
第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器
第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点
西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时，半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大，u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小，I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时，由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。 (12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 （图2） _ _ －2V －8V －2.2V ① ② ③ 图1
模拟电子技术期末试卷5答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1 2010.05 班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___ 一．填空（25分） （1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 （2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 （3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 （4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。 （5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 （6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组 成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。 （7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频 特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。 （8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大 电路的放大倍数 u A ＝ un u u A A A (21) （9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。 （10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。 二．选择题（每题2分，共20分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。 （A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈
模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题 1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分） （1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。 （2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。 （3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。 （4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。 （5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。 （6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。 （7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。 （8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。 2.简答题：（每小题10分，也可任意选作） （1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？ 答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。如果需要显示的电信号频率为1kHz时，周期是频率的倒数，应为1ms，根据一个周期显示信号应占3~5格的原则，应选择0.2ms这一档位，信号波一个周期就会占用横向5格，满足要求。 （2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？ 答：函数信号发生器在电子线路中，可以产生一个一定波形、一定频率和一定幅度的电信号提供给实验电路作输入信号。测量该电信号的幅度时，应用电子毫伏表的读数为准。 （3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？ 答：电子线路中电信号的频率往往占用相当宽泛的频带，而普通交流电压表只适用于测量50 Hz的工频交流电，对不同频率的信号测量会产生较大的误差。电子毫伏表则是测量电子线路中的交流电压有效值时，不会受频率变化的影响而出现误差的电子仪器，因此测量电子线路中的电压需用电子毫伏表。电子毫伏表的读数是所测电压的有效值。 3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分） （1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C＝3kΩ，R B1＝80kΩ，Array R B2＝20kΩ，R E＝1kΩ，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设 U BE=0.7V）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。 解：静态分析是画出放大电路的直流通道后，求出直 流通道中的I BQ、I CQ和U CEQ。 画直流通道的原则：放大电路中所有电容开路处理，
模拟电子技术基础期末试题 答案
课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。
10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。
模拟电子技术期中试卷(二)
模拟电子技术期中试卷（二） 一、选择题。（每题3分，共36分） 1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不定 2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的 电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。 A.饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态 3.共模抑制比 K是______之比. GMR A．差模输入信号与共模输入信号 B．输出量中差模成分与共模成分 C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值) D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值) 4.差动放大电路的主要优点是。 A、稳定的放大性能 B、较高的输入电阻 C、能有效地抑制零点漂移 D、有稳定地静态工作点 5.稳压管的稳压区是工作在______。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到______电压以前，通过 的电流很小。 A．击穿 B．最大 C．短路 7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻 R _______。 i
A．R 1 B．（1+β）R 1 C．R 1 / 1+β D．R 1 / β 8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。 A．正向运用B．反向运用 9.当晶体管工作在放大区时，_______。 A．发射结和集电结均反偏； B．发射结正偏，集电结反偏； C．发射结和集电结均正偏。 10.在非线性失真中，饱和失真也称为（） A．顶部失真B．底部失真C．双向失真11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。 A．能够B．不能C．不一定 12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。 A．击穿B．饱和C．门槛 二、填空题。（每空2分，共12分） 1.写出下列正弦波电压信号的表达式： A.峰—峰值10V，频率10kHz ( ) B.均方根值220V，频率50Hz ( ) C.峰—峰值100mV，周期1ms（） D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s( ) 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻 断开时，输出电压上升到 1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为 （）。 3.共模信号是指大小相等，极性（）的信号。 三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、 -3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN 型管，是硅管还是锗管？（6分） 四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计， 试画出输出电压的波形。（5分）
《模拟电子技术基础》期中测试题
《模拟电子技术基础》期中测试题 一、填空题：（40分） １．在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体，加入五价 元素可形成 n 型半导体。 2.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层变 zai ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层变宽 。 3.二极管最主要的特性是 单向导电 。在常温下，硅二极管的开启电压约 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ；锗二极管的开启电压约 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。 4.为保证三极管处于放大状态，其发射结必须加正向 偏置电压，集电结必须加 反向 偏置电压。 5．场效应管是一种 亚 控器件，它利用 善缘电压 控制漏极电流i D 。 6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属于 饱和 失真，消除该失真要 增大 Rb 的阻值。 7.某三极管的极限参数P CM ＝150mW,I CM =100mA,U (BR)CEO =30V,若它的工作电 压U CE ＝10V,则工作电流I C 不得超过 mA ；若工作电压U CE =1V ，则工作 电流不得超过 mA ；若工作电流I C ＝1mA,则工作电压不得超过 V 。 8.图1.8(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为 型和 型，用半导体材料 和 制成，电流放大系数β分别为 和 。
图1.8 图1.9 9.根据图 1.9中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。 10.三极管处于放大状态时，是工作在其特性曲线的放大区；场效应管工作在放大状态时，是工作在其特性曲线的恒流区。 11．集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路，它的放大倍数非常高，但是各级静态工作点Q是相互的。12．互补对称输出电路容易产生交越失真，主要因为两个对称三极管特性有电压，在回路加偏置电压可消除该失真。 13．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，能够放大高频信号。 14.为提高输入电阻，减小零点漂移，通用集成运放的输入级大多采用电路；为了减小输出电阻，输出级大多采用电路。
模拟电子技术基础期末试题(西安交大)
模电试题 三、计算题(每题1０分，共60分) １.某放大电路输入电阻Ri＝１0kΩ，如果用１μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为1０ｍＡ，开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ａp。 2．二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AＯ。设二极管是理想的。
３.电路如图题所示，设BJT的β=8０，V BE＝０.6 V,I CＥO、V CES可忽略不计,试分析当开关Ｓ分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。 4.电路参数如图所示,FET工作点上的互导g m＝１ｍｓ,设r d>>R d。(1)画出电路的小信号模型;(2)求电压增益Av；(3)求放大器的输入电阻Ri。
5．电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Ｖｏ的值。
6.由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示,设BJT的V ＝0．7 V。(1）求出ＢJT的c、ｂ、ｅ各极的电位值；(2)若电压表ＢE 读数为2０0mV,试求BJＴ的β值。 一、选择题(每题2分,共２0分) （1）PＮ结加正向电压时,PＮ结将。 Ａ. 变窄B．基本不变C．变宽
（2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通B.反向截止C.反向击穿 (３）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 (４)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。 A.五价Ｂ. 四价C．三价 （5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。 A.增大B．不变Ｃ. 减小 (６）工作在放大区的某三极管,如果当I B从１2μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为。 A. 83 B. 91 C. 10０ （７）已知变压器副边电压有效值U２为１0V,采用桥式整流R L C≥3(T/2)（T为电网电压的周期)。测得输出电压平均值U O可能的数值为A.１4V B. 12V C.9V D．4．5V （８）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。 A.交流功率Ｂ.直流功率C.交直流功率 (9)功率放大电路的转换效率是指。 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比