武汉大学射频电路第八次作业

武汉大学射频电路第八次作业
武汉大学射频电路第八次作业

电子与通信工程王世杰2014282120188 第八次作业1、一晶体管的S参量如下:

f=750MHz:s11=0.114-j*0.551,s12=0.044+j*0.029,s21=-4.608+j*7.312,s22=0.490-j*0.449;

f=1000M:s11=-0.058-j*0.452,s12=0.054+j*0.022,s21=-2.642+j*6.641,s22=0.379-j*0.424;

画出晶体管在两个频率下的输出及输入稳定圆并计算各自μ,K,D值。

解:

当f=750MHz,编程画出输出及输入稳定圆,并计算μ,K,D的值。

程序如下:

close all; % close all opened graphs

clear all; % clear all variables

s11=0.114-1j*0.551;

s12=0.044+1j*0.029;

s21=-4.608+1j*7.312;

s22=0.490-1j*0.449;

s_param=[s11,s12;s21,s22]; % convert the S-parameters into matrix notation

smith_chart; % create a Smith Chart

input_stability(s_param, 'r'); % plot input stability circle in red color

smith_chart; % create a Smith Chart

output_stability(s_param, 'b');% plot output stability circle in blue color

[d,k,u]=K_factor(s_param);

输入输出稳定圆如下:

|D|=|S 11S 22-S 12S 21|=0.5561;

2

2

2

11221221

10.60482S S D

K S S --+=

=

2

11

*22111221

10.7755S S S D S S μ-=

=-+

可知在该频率下晶体管不是绝对稳定的

当f=1000MHz 时,输入输出稳定圆如下图:

|D|=|S11S22-S12S21|=0.4535;

222

1122

1221

1

0.8093

2

S S D

K

S S

--+

==

2

11

*

22111221

1

0.9622

S

S S D S S

μ

-

==

-+

可知在该1000MHz频率下晶体管不是绝对稳定的

2、已知晶体管的S 参量在传输线特性阻抗为50Ω测得为S 11=0. 57∠170,S 12=0.066∠69,S 21=2.97∠71,S 22=0.46∠-26。其输入端与V S =3∠0,Z S =50Ω的电压源连接,输出端口接Zin =40Ω的天线。求放大器的入射功率P inc ,电源的资用功率P A ,负载的吸收功率P L ,转换功率增益G T ,资用功率增益G A 及功率增益G 。 解:

编程计算放大器的入射功率,电源的资用功率,负载的吸收功率,转换功率增益,资用功率增益及功率增益:

close all ; % close all opened graphs clear all ; % clear all variables Z0=50;

s11=0.57*exp(j*(170)/180*pi); s12=0.066*exp(j*(69)/180*pi); s21=2.97*exp(j*(71)/180*pi); s22=0.46*exp(j*(-26)/180*pi); Vs=3; Zs=50; Zl=40;

GamaS=(Zs-Z0)/(Zs+Z0); GamaL=(Zl-Z0)/(Zl+Z0); D=s11*s22-s12*s21;

GamaIn=s11-GamaL*D/(1-s22*GamaL); GamaOut=s22-GamaS*D/(1-s11*GamaS);

Pinc=1/2*(Z0/(Zs+Z0)*abs(Vs))^2/abs(1-GamaIn*GamaS)^2 Pa=1/2*(Z0/(Zs+Z0)*abs(Vs))^2/(1-abs(GamaS*GamaS)^2)

Gt=(1-abs(GamaL)^2)*abs(s21)^2*(1-abs(GamaS)^2)/(abs(1-Ga maL*GamaOut)^2*abs(1-s11*GamaS)^2)

Ga=abs(s21)^2*(1-abs(GamaS)^2)/((1-abs(GamaOut)^2)*abs(1-s11*GamaS)^2)

G=(1-abs(GamaL)^2)*abs(s21)^2/((1-abs(GamaIn)^2)*abs(1-s22*GamaL)^2) Pl=Pa*Gt 计算结果如下:

2

2

1

1.12521S inc in S b P =

=-ΓΓ

221 1.12521S

A S

b P =

=-Γ

*8.9549L A T P P G ==

()()()()

2

2

2

S

21

L

2

11S out L 117.959911T

S G S -Γ-Γ==-Γ-ΓΓ

(

)(

)

()

22

S

21

2

211S out 111.188411A S G S -Γ=

=-Γ-Γ ()()()

2221

L

2

2in

22

L

111.933411S G S -Γ=

=-Γ

3. 已知晶体管在2.0+0.xxxGHz 处的S 参量为S11=0.65∠-25, S12=0.11∠9, S21=5.0∠110, S22=0.65∠-36。用输入不匹配输出匹配方案设计放大器,在圆图上分别画出增益为最大可能增益的90%,80%,50%的等资用功率增益圆。若源阻抗及负载阻抗均为50欧,对于增益是50%的情况设计具体的匹配网络。 解:

计算K 和D 值为:K=1.0007,D=0.9725,由此可以看出该晶体管绝对稳定。计算可得该放大器的最大增益max T G =43.8,化为分贝表示为:

max T G = 16.4147 dB,画出资用功率分别为15.9572 dB(90%),15.4456 dB(80%),

13.4044 dB(50%)的等资用功率圆如图所示:

取0.5570.745s j Γ=-- ,则:122122110.838-j0.4851S

out S

S S S S ΓΓ=+=-Γ,得到

ГL =Гout *=0.838+j0.485。

根据s Γ和L Γ设计匹配电路,频率为2.137GHz : 输入端:并联2.3nH 的电感,然后串联8.0H 的电感

输出端:

并联586.4pF的电容,然后串联29.3nH的电感

function [k,delta] = K_factor(s_param)

% Usage: [k,delta] = K_factor(s_param)

%

% Purpose: returns k factor for a given s-parameter matrix % if k>1 and delta<1 then circuit is uncoditionally stable

% otherwise circuit might be unstable

s11=s_param(1,1);

s12=s_param(1,2);

s21=s_param(2,1);

s22=s_param(2,2);

D=det(s_param);

delta=abs(D);

k=(1-abs(s11)^2-abs(s22)^2+delta^2)/(2*abs(s12.*s21)); end

function [] = ZiYongGain(s_param,G_goal)

%UNTITLED11 Summary of this function goes here

% Detailed explanation goes here

hold on;

s11=s_param(1,1);

s12=s_param(1,2);

s21=s_param(2,1);

s22=s_param(2,2);

G_goal_dB=10*log10(G_goal);

% find constant operating power gain circles

delta=det(s_param);

K=(1-abs(s11)^2-abs(s22)^2+abs(delta)^2)./(2*abs(s12.*s21 ));

ga=G_goal/abs(s21)^2; % normalized the operating power gain % find the center of the constant operating power gain circle dga=ga*conj(s11-delta*conj(s22))/(1+ga*(abs(s11)^2-abs(de lta)^2));

% find the radius of the circle

rga1=sqrt(1-2*K*ga*abs(s12*s21)+ga^2*abs(s12*s21)^2);

rga=rga1/abs(1+ga*(abs(s11)^2-abs(delta)^2));

% plot a circle in the Smith Chart

a=(0:360)/180*pi;

hold on;

plot(real(dga)+rga*cos(a),imag(dga)+rga*sin(a),'r','linew idth',2);

text(real(dga)-0.1,imag(dga)+rga+0.05,strcat('\bf',sprint f('G=%g dB',G_goal_dB)));

end

close all;

clear all;

smith_chart;

s11=0.65*exp(1j*(-25)*pi/180);

s12=0.11*exp(1j*9*pi/180);

s21=5*exp(1j*110*pi/180);

s22=0.65*exp(1j*(-36)*pi/180);

s_param=[s11,s12;s21,s22];

[K,delta] = K_factor(s_param) % check stability

G_Tmax=abs(s21)*(K-sqrt(K^2-1))/abs(s12)

G_Tmax_dB=10*log10(G_Tmax)

G1=G_Tmax*0.9

G1_dB=10*log10(G1)

G2=G_Tmax*0.8

G2_dB=10*log10(G2)

G3=G_Tmax*0.5

G3_dB=10*log10(G3)

ZiYongGain(s_param,G1);

ZiYongGain(s_param,G2);

ZiYongGain(s_param,G3)

Gamma_s=0.93*exp(j*(-126.7943)*pi/180);

plot(real(Gamma_s),imag(Gamma_s),'bo');

text(real(Gamma_s)-0.05,imag(Gamma_s)-0.07,'\bf\Gamma_S') ;

西电射频大作业(精心整理)

射频大作业 基于PSpice仿真的振幅调制电路设计数字调制与解调的集成器件学习

目录 题目一:基于PSpice仿真的振幅调制电路设计与性能分析 一、实验设计要求 (3) 二、理论分析 1、问题的分析 (3) 2、差动放大器调幅的设计理论 (4) 2.1、单端输出差动放大器电路 2.2、双端输出差动放大器电路 2.3、单二极管振幅调制电路 2.4、平衡对消二极管调幅电路 三、PSpice仿真的振幅调制电路性能分析 (10) 1、单端输出差动放大器调幅电路设计图及仿真波形 2、双端输出差动放大器调幅电路设计图及仿真波形 3、单二极管振幅调制电路设计图及仿真波形 4、平衡对消二极管调幅电路设计图及仿真波形 四、实验总结 (16) 五、参考文献 题目二数字调制与解调的集成器件学习 一、实验设计要求 (17) 二、概述 (17) 三、引脚功能及组成原理 (18) 四、基本连接电路 (20) 五、参考文献 (21) 六、英文附录 (21)

题目一基于PSpice仿真的振幅调制电路设计 摘要 随着大规模集成电路的广泛发展,电子电路CAD及电子设计自动化(EDA)已成为电路分析和设计中不可缺少的工具。此次振幅调制电路仿真设计基于PSpice,利用其丰富的仿真元器件库和强大的行为建模工具,分别设计了差分对放大器和二极管振幅调制电路,由此对线性时变电路调幅有了更进一步的认识;同时,通过平衡对消技术分别衍生出双端输出的差分对放大器和双回路二极管振幅调制电路,消除了没用的频率分量,从而得到了更好的调幅效果。本文对比研究了单端输出和双端输出的差分对放大器调幅电路及单二极管和双回路二极管调幅电路,通过对比观察时域和频域波形图,可知平衡对消技术可以很好地减小失真。 关键词:PSpice 振幅调制差分对放大器二极管振幅调制电路平衡对消技术 一、实验设计要求 1.1 基本要求 参考教材《射频电路基础》第五章振幅调制与解调中有关差分对放大器调幅和二极管调幅的原理,选择元器件、调制信号和载波参数,完成PSpice电路设计、建模和仿真,实现振幅调制信号的输出和分析。 1.2 实践任务 (1) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择晶体管和其它元件;搭建单端输出的差分对放大器,实现载波作为差模输入电压,调制信号控制电流源情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。 (2) 参考例5.3.1,修改电路为双端输出,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 (3) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择二极管和其它元件;搭建单二极管振幅调制电路,实现载波作为大信号,调制信号为小信号情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。 (4) 参考例5.3.2,修改电路为双回路,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 1.3 写作报告 (1) 按论文形式撰写,包括摘要、正文和参考文献,等等。 (2) 正文包括振幅调制电路的设计原理、理论分析结果、实践任务中各阶段设计的电路、参数、波形和频谱,对观察记录的数据配以图像和表格,同时要有充分的文字做分析和对比,有规律性认识。 (3) 论文结构系统、完备、条理清晰、理论正确、数据翔实、分析完整。 1.4 相关提示 (1) 所有电路和信号参数需要各人自行决定,各人有不同的研究结果,锻炼学生的独立研究和实验分析能力。 (2) 为了提高仿真精度和减小调试难度,可以将调制信号和载波的频率设置得较低。 二、理论分析 1、问题的分析 根据题目的要求,差分对放大器和二极管振幅调制电路目的都是实现基本无

雷达射频集成电路的发展及应用

龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/1319212931.html, 雷达射频集成电路的发展及应用 作者:黄林锋 来源:《山东工业技术》2017年第24期 摘要:本文概述了雷达射频集成电路技术的特点,是一种以半导体和射频电路技术为基础,一种集信号放大、数据传输和转化功能为一体的技术,并从其发展与演变切入进行研究,探讨了目前常用的几种雷达射频集成电路的发展成果及其应用状况。 关键词:雷达射频集成电路;发展;应用 DOI:10.16640/https://www.360docs.net/doc/1319212931.html,ki.37-1222/t.2017.24.099 现代的雷达系统越来越注重高精度的距离探测与跟踪,还要求较强的抗干扰性、目标识别作用和气象探测功能。由此,要求完整一套的现代雷达系统包含近万个信号接收器和信号发射装置,这也极大提高了系统的复杂性和设备的成本造价。雷达系统的现代化除保留上述基本功能,还应减少设备的造价,这推进了射频集成电路在现代雷达领域的研发 [1]。由无线天线、电磁信号处理器、显示屏幕、控制面板、信号的发射和接收器所组成的现代雷达系统。目前,射频集成系统已经应用于信号的发射和接收器,下文从射频集成电路在雷达系统的研发入手,通过深入研究,介绍雷达系统目前的几种应用现状。 1 雷达射频集成电路的发展概述 随射频集成技术和信息化在雷达系统中的深入发展,射频集成电路已经演变了好几个架构形态[2]。以信号接收系统为例,在三十年内演化出三种不同的形态。在此过程,雷达系统的 数字化不断提高,实现某些频段的完全数字化,使射频集成电路向混合集成电路的方向不断发展。 2 雷达系统射频集成电路的发展及应用研究 2.1 射频集成SOC 以单片作为射频电路的集成基板,SiGe和CMOS作为集成射频与数字化特点的技术平台。技术的快速发展极大提高了射频电路的集成化程度,上部集混合频率、放大频率和合成信号功能为一体,下部集增频、分贝放大功能的器件。雷声公司(美国)研发的最新设备——X 波段应用了上述技术 [3],其在实际中具有高性能、减小雷达体积和节约造价的应用优势。 2.2 射频多通道集成电路 在一个集成芯片上集多通道于一体,这种集成电路没有射频集成电路那么多的器件,应用系统的封装工艺,以高度集成化的多通道芯片,实现射频混合电路的性能优化和结构简化。采

RF 设计与应用----射频集成电路封装

RF设计与应用----射频集成电路封装 关键词:射频,多层电路板,电路封装 摘要:针对无线通信产品业者所面临的课题,本文试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度,来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响,以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 在行动通讯质量要求的提高,通讯带宽的需求量大增,因应而生的各项新的通讯规范如GPRS、W-CDMA、CDMA-2000、Bluetooth、 802.11b纷纷出笼,其规格不外乎:更高的数据传输速率、更有效的调变方式、更严谨的噪声规格限定、通讯功能的增强及扩充,另外再加上消费者对终端产品“轻、薄、短、小、久(包括产品的使用寿命、维护保固,甚至是手机的待机时间)”的诉求成了必要条件;于是乎,为了达成这些目的,各家厂商无不使出混身解数,在产品射频(Radio Frequency)、中频(Intermediate Frequency)与基频(Base Band)电路的整合设计、主动组件的选择应用、被动组件数目的减少、多层电路板内线路善加运用等,投注相当的心血及努力,以求获得产品的小型化与轻量化。 针对这些无线通信产品业者所面临的课题,我们试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度,来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响,以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 射频集成电路封装技术的现况 就单芯片封装(Single Chip Package)的材质而言,使用塑料封装( P l a s t i c Pac kage)的方式,是一般市面上常见到的高频组件封装类型,低于3GHz工作频率的射频集成电路及组件,在不严格考虑封装金属导线架(Metal Lead Frame)和打线(Wire Bond)的寄生电感(Parasitic Inductance)效应下,是一种低成本且可薄型化的选择。由于陶瓷材料防水气的渗透性特佳及满足高可靠度的需求,故也有采用陶瓷封装技术;对于加强金属屏蔽作用及散热效果的金属封装,可常在大功率组件或子系统电路封装看到它的踪迹。

ADS2009射频电路仿真实验实验报告

低通滤波器的设计与仿真报告 一、实验目的 (1)熟悉ADS2009的使用及操作; (2)运用此软件设计一低通录波器,通过改变C2.L1的值,使低通录波器达到预定的要求(dB值以大于—3.0以上为宜); (3)画出输出仿真曲线并标明截止频率的位置与大小。 二、低通滤波器简介 (1)定义:让某一频率以下的信号分量通过,而对该频率以上的信号分量大大抑制的电容、电感与电阻等器件的组合装置。低通滤波器是容许低于截止频率的信号通过,但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波装置。 (2)特点与用途 特点:低损耗高抑制;分割点准确;双铜管保护;频蔽好,防水功能强。 用途:产品用途广泛,使用于很多通讯系统,如 CATV EOC 等系统。并能有效的除掉通频带以外的信号和多余的频段、频率的干扰。 低通滤波器在信号处理中的作用等同于其它领域如金融领域中移动平均数所起的作用;低通滤波器有很多种,其中,最通用的就是巴特沃斯滤波器和切比雪夫滤波器。 三、设计步骤 1,建立新项目 (1)在界面主窗口执行菜单命令【File】/【New Project...】,创建

新项目。在选择保存路径时,在“Name”栏中输入项目的名称“lab1”; (2)单击按钮“确认”,出现电路原理图设计及仿真向导对话框,按照要求进行选择选项。 2,建立一个低通录波器设计 (1)在主界面窗口,单击“New Schematic Window”图标,弹出原理图设计窗口; (2)单击“保存”图标,保存原理图,命名为“lpf1”; (3)在元件模型列表窗口中选择“Lumped-Components”集总参数元件类; (4)在左侧面板中选择电容图标,将其放置到电路图设计窗口中,并进行旋转; (5)用类似的方法将电感放置到电路图设计窗口中,并利用接地图标,把电容器的一端接地,将各个器件连接起来; (6)在元件库列表窗口选择“Simulation-S-Param”项,在该面板中选择S-parameter模拟控制器和端口Term,将其放到原理图中。双击电容“C2”并修改其参数。 低通滤波器原理图如下图1所示: 3,电路仿真 1)设置S参数控件参数 (1)双击S参数控件,打开参数设置窗口,将“Step-size”设置为0.5GHz; (2)选中【Display】选项卡,在此列出了所有可以显示在原理

射频电路基础期末试题

西安电子科技大学 教师教学工作一览 年下学期 课程名称: 课程性质(必、限、任): 课程学时数: 主讲教师姓名: 填表时间:

教学任务书 老师: 根据学年学期教学计划的安排,经研究,决定请您担任教学班课程的主讲,该课程学时为学时,请做好教学实施计划安排和备课等环节的工作。 西安电子科技大学 (教学单位盖章) 年月日

课程内容实施进度 注:1课次为2学时课次内容 1 第一章绪论§1.1非线性电子线路§1.2非线性电子线路的应用 2 第二章谐振功率放大器§2.1谐振功放的工作原理和能量关系 3 §2.2谐振功放的动特性曲线和工作状态§2.3谐振功放的工作特性 4 §2.4谐振功放的电路设计和输出匹配网络第二章习题课 5 第三章正弦波振荡器§3.1反馈式振荡器的工作原理(一) 6 §3.1反馈式振荡器的工作原理(二) 7 §3.2 LC正弦波振荡器—变压器耦合式振荡器、三端式振荡器(一) 8 §3.2 LC正弦波振荡器—三端式振荡器(二)、差分对振荡器 9 §3.2 LC正弦波振荡器—频率稳定度分析和改进措施 10 §3.3并联型石英晶体振荡器和串联型石英晶体振荡器 11 §3.4 RC正弦波振荡器第三章习题课 12 第五章振幅调制与解调§5.1 调幅信号分析(一) 13 §5.1调幅信号分析(二) 14 §5.2非线性器件调幅原理、失真和平衡对消技术 15 §5.3线性时变电路调幅原理和电路分析(一) 16 §5.3线性时变电路调幅原理和电路分析(二) 17 §5.4包络检波和同步检波原理和电路分析(一) 18 §5.4包络检波和同步检波原理和电路分析(二)第五章习题课 19 第六章混频§6.1晶体管混频器原理

RFID大作业参考格式

学 生 研 究 报 告 课 题 名 称 利用RFID 实现对图书的管理 院 部 名 称 龙蟠学院 专 业 M11电子信息工程 班 级 M11电子信息工程 学 生 姓 名 李梦茹 学 号 1121119031 任 课 教 师 姚 健 东

目录 摘要 (3) 第1章课题背景及研究意义 (4) 1.1 课题背景 (4) 1.2 课题内容 (4) 1.3 研究意义 (4) 第2章系统方案设计 (6) 2.1 RFID技术的定义及其组成 (6) 2.2 RFID技术的原理 (6) 2.2.1 射频识别的基本流程 (6) 2.2.2 RFID的工作原理 (6) 2.2.3 RFID工作的物理学原理 (7) 2.3 RFID技术的特点 (8) 第3章硬件设计 (9) 3.1 登记 (10) 3.2 入库 (10) 3.3 借阅 (11) 第4章软件设计 (13) 第5章总结 (15)

利用RFID技术实现对图书的管理 摘要 本系统实现对图书的管理。文章第一部分阐述了RFID技术的研究领域及其现状。第二部分详细介绍RFID技术及其原理,在此通过对它的定义和结构组成及其特点来介绍RFID技术,RFID技术的原理主要包括它的工作原理和工作的物理学原理。第三部分运用RFID技术依次来实现对图书的登记、入库、借阅等流程监控,构建基于RFID的图书管理系统,在这部分中详细介绍了如何利用RFID 技术来实现图书的登记、入库、借阅等,并且与传统系统比较得之RFID技术的优越性。第四部分进行总结,RFID技术对图书的管理具有很强的便利性,很多国家的图书馆都采用该技术进行图书的管理,随着技术的发达,RFID技术在图书馆领域的应用会更广阔,将会给图书馆带来一场新的技术革命。 关键字: RFID;自动识别技术;图书;登记;入库;借阅

射频电路基础复习题答案word精品

、选择 传输线输入阻抗是指传输线上该点的( B ) 入射电压与电流比 B ?电压与电流之比 入射电压波之比 D ?入射电流波之比 传输线的无色散是指( C )与频率无关。 波的速度 B ?波的能量流动的速度 波的相速 D ?波的群速 当传输线处于行波工作状态时,传输线的反射系数为( C ) 1 B . -1 C .0 D .无法判断 面哪一种不能构成纯驻波状态的传输条件是( D ) Z L =O B . Z L =X C . Z L =jX 驻波系数p 的取值范围是(D )。 p =1 B . 0< p < 1 C . 0< p< 1 在史密斯圆图中坐标原点表示( C )。 开路 点 B .短路点 C .匹配点 均匀无耗传输线终端开路时对应于史密斯圆图的( A ) 右端点 B .左端点 C .原点 D .上顶点 无耗均匀传输线的特性阻抗为 50?,终端负载阻抗为32 ?,距离终端入/4 处的输入阻抗为( D ) ?。 50 B .32 C .40 D . 78.125 当终端反射系数为 0.2时,传输线的驻波比为( B )。 2 B .1.5 C .0.67 D .无法判断 微带传输线传输的电磁波是( B )。 TEM 波 B .准 TEM 波 C . TE 波 D . TM 波 判断题 无耗均匀传输线上各点的电压反射系数幅值都相等。对 已知无耗均匀传输线的负载,求距负载一段距离的输入阻抗,在利用史密斯 圆图时,找到负载的归一化电抗,再顺时针旋转对应的电长度得到。错 当均匀无耗传输线终端接感性负载时,传输线工作在行驻波工作状态下。错 在史密斯圆图上左半实轴部分是电压的波节点。对 为了消除传输线上的反射,通常要在传输线的终端进行阻抗匹配。对 微带线可以作为传输线,用在大功率传输系统中。错 在无耗互易二端口网络中,S l2=S 21。对 二端口转移参量都是有单位的参量,都可以表示明确的物理意义。错 1. A . C . 2. A . C . 3. A . 4. A . 5. A . 6. A . 7. A . 8. A . 9. A . 10. A . 二、 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. Z L = Z 0 D . 1W p

射频集成电路综述

射频集成电路低噪声放大器研究前景

摘要 近年来,随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务,因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。 低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分,常用于接收系统的前端,在放大信号的同时降低噪声干扰,提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器,在低噪声放大器增益足够大的情况下,就能抑制后级电路的噪声,则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低,接收机系统的噪声系数也会变小,信噪比得到改善,灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能,对于整个接收系统技术水平的提高,也起了决定性的作用。 宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的,对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数,通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求,因此给设计增大了难度。 噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法,对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来,随着SiGe 技术的发展,SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而,基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此,本文基于SiGe工艺,开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。

2016年《射频电路设计》实验

实验三RFID标签的设计、制作及测试一、【实验目的】 在实际的生产过程中,RFID电子标签在设计并测试完成后,都是在流水线上批量制造生产的。为了让学生体会RFID标签天线设计的理念和工艺,本实验为学生提供了一个手工蚀刻制作RFID电子标签的平台,再配合微调及测试,让学生在亲自动手的过程中,不断地尝试、提炼总结,从而使学生对RFID标签天线的设计及生产工艺,有进一步深刻的理解。 二、【实验仪器及材料】 计算机一台、HFSS软件、覆铜板、Alien Higgs芯片、热转印工具、电烙铁、标签天线实物,UHF测试系统,皮尺 三、【实验内容】 第一步(设计):从UHF标签天线产品清单中,挑选出一款天线结构,或者自己设计一款标签天线结构,进行HFSS建模画图 第二步(制作):将第一步中设计好的标签模型用腐蚀法进行实物制作 第三步(测试):利用UHF读写器测试第二步中制作的标签实物性能 四、【实验要求的知识】 下图是Alien(意联)公司的两款标签天线,型号分别为ALN-9662和ALN-9640。这两款天线均采用弯折偶极子结构。弯折偶极子是从经典的半波偶极子结构发展而来,半波偶极子的总长度为波长的一半,对于工作在UHF频段的半波偶极子,其长度为160mm,为了使天线小型化,采用弯折结构将天线尺寸缩小,可以适用于更多的场合。ALN-9662的尺寸为70mm x 17mm,ALN-9640的尺寸为94.8mm x 8.1mm,之所以有不同的尺寸是考虑到标签的使用情况和应用环境,因为天线的形状和大小必须能够满足标签顺利嵌入或贴在所指定的目标上,也需要适合印制标签的使用。例如,硬纸板盒或纸板箱、航空公司行李条、身份识别卡、图书等。 ALN-9662天线版图 ALN-9640天线版图

射频大作业

“射频电路基础” 作业报告

目录 引言 (1) 第一章信号振幅调制原理介绍 (1) 第二章差分对放大器相关简介 (2) 1差分对放大器调幅原理 (2) 2差分对放大器平衡对消技术原理 (3) 第三章 Pspice实验仿真 (4) 1题目要求 (4) 2仿真过程 (5) 结论 (9) 参考文献 (9)

引言 调制(modulation)就是对信号源的信息进行处理加到载波上,使其变为适合于信道传输的形式的过程,就是使载波随信号而改变的技术。一般来说,信号源的信息(也称为信源)含有直流分量和频率较低的频率分量,称为基带信号。基带信号往往不能作为传输信号,因此必须把基带信号转变为一个相对基带频率而言频率非常高的信号以适合于信道传输。这个信号叫做已调信号,而基带信号叫做调制信号。调制是通过改变高频载波即消息的载体信号的幅度、相位或者频率,使其随着基带信号幅度的变化而变化来实现的。而解调则是将基带信号从载波中提取出来以便预定的接收者(也称为信宿)处理和理解的过程。调制的种类很多,分类方法也不一致。按调制信号的形式可分为模拟调制和数字调制。用模拟信号调制称为模拟调制;用数据或数字信号调制称为数字调制。按被调信号的种类可分为脉冲调制、正弦波调制和强度调制(如对非相干光调制)等。调制的载波分别是脉冲,正弦波和光波等。正弦波调制有幅度调制、频率调制和相位调制三种基本方式,后两者合称为角度调制。此外还有一些变异的调制,如单边带调幅、残留边带调幅等。脉冲调制也可以按类似的方法分类。此外还有复合调制和多重调制等。不同的调制方式有不同的特点和性能。 第一章 信号振幅调制原理介绍 调制,就是用调制信号(如声音、图像等低频或视频信号)去控制载波(其频率远高于 调制信号频率,通常又称“射频”)某个参数的过程。载波受调制后成为已调波。设载波u c (t )的表达式和调制信号u Ω(t )的表达式分别为 根据调幅的定义,当载波的振幅值随调制信号的大小作线性变化时,即为调幅信号,则已调波的波形如下图1。 图1 振幅调制即就是用调制信号去控制载波信号的振幅,使载波的振幅按调制信号的规律变化。 设调制信号为: 载波信号为: 则根据振幅 调制的定义,可以得到普通调幅波的表达式为: t U t u c cm c ω cos )(=t U t u m Ω=ΩΩcos )(t U t u m Ω=ΩΩcos )(t U t u c cm c ω cos )(=

射频电路基础大作业

射频电路基础大作业 从射频电路的软件仿真和硬件设计两方面分别考察学生的实践和写作能力。以下是两个题目的基本要求、实践任务、写作报告和相关提示的具体内容。 题目一:基于PSpice仿真的振幅调制电路设计 1.1 基本要求 参考教材《射频电路基础》第五章振幅调制与解调中有关差分对放大器调幅和二极管调幅的原理,选择元器件、调制信号和载波参数,完成PSpice电路设计、建模和仿真,实现振幅调制信号的输出和分析。 1.2 实践任务 (1) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择晶体管和其它元件;搭建单端输出的差分对放大器,实现载波作为差模输入电压,调制信号控制电流源情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。 (2) 参考例5.3.1,修改电路为双端输出,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 (3) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择二极管和其它元件;搭建单二极管振幅调制电路,实现载波作为大信号,调制信号为小信号情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。 (4) 参考例5.3.2,修改电路为双回路,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 1.3 写作报告 (1) 按论文形式撰写,包括摘要、正文和参考文献,等等。 (2) 正文包括振幅调制电路的设计原理、理论分析结果、实践任务中各阶段设计的电路、参数、波形和频谱,对观察记录的数据配以图像和表格,同时要有充分的文字做分析和对比,有规律性认识。 (3) 论文结构系统、完备、条理清晰、理论正确、数据翔实、分析完整。 1.4 相关提示 (1) 所有电路和信号参数需要各人自行决定,各人有不同的研究结果,锻炼学生的独立研究和实验分析能力。 (2) 为了提高仿真精度和减小调试难度,可以将调制信号和载波的频率设置得较低。 题目二:数字调制与解调的集成器件学习 2.1 基本要求

射频实验报告一

电子科技大学通信射频电路实验报告 学生姓名: 学号: 指导教师:

实验一选频回路 一、实验内容: 1.测试发放的滤波器实验板的通带。记录在不同频率的输入下输出信号的 幅度,并绘出幅频响应曲线。 2.设计带宽为5MHz,中心频率为39MHz,特征阻抗为50欧姆的5阶带 通滤波器。 3.在ADS软件上对设计出的带通滤波器进行仿真。 二、实验结果: (一)低通滤波器数据记录及幅频响应曲线 频率 1.0k 500k 1M 1.5M 2.0M 2.5M 3.0M 3.5M 4..0M 4.5M 5.0M /Hz Vpp/mv 1000 1010 1020 1020 1020 1050 952 890 832 776 736 频率/Hz 5.5M 6.0M 6.2M 6.4M 6.6M 6.8M 7.0M 7.2M 7.4M 7.6M 7.8M Vpp/mv 704 672 656 640 624 592 568 544 512 480 448 频率/Hz 8.0M 8.2M 8.4M 8.6M 8.8M 9.0M 9.2M 9.4M 9.6M 9.8M 10.0M Vpp/mv 416 400 368 376 320 288 272 256 224 208 192

(二)带通滤波器数据记录及幅频响应曲线 频率 /MHz 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 Vpp/mv 0.4 0.8 0.4 0.6 0.8 0.6 0.8 0.8 1.4 1.1 6.0 4.0 23. 8 频率 /MHz 7.0 7.2 7.4 7.6 7.8 8.0 8.2 8.4 8.6 8.8 9.0 9.2 9.4 Vpp/mv 79. 2 72. 8 66. 4 69. 6 77. 6 90. 4 108. 8 137. 6 183. 2 260 364 442 440 频率/MHz 9.6 9.8 10. 10. 2 10. 4 10. 6 10.8 11.0 11.2 11. 4 11. 6 11. 8 12. Vpp/mv 440 403 378 378 406 468 468 548 548 484 412 356 324 频率/MHz 12. 2 12. 4 12. 6 12. 8 13. 13. 2 13.4 13.6 13.8 14.

射频电路和射频集成电路线路设计

射频电路和射频集成电路线路设计(9天) 培训时间为9天 课程特色 1)本讲座总结了讲演者20多年的工作,报告包括 o设计技术和技巧的经验, o获得的美国专利, o实际工程设计的例子, o讲演者的理论演译。 o 【主办单位】中国电子标准协会 【协办单位】智通培训资讯网 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 o 2)本讲座分为三个部分: A. 第一部分讨论和強调在射频电路设计中的设计技术和技巧, 着重论述设计中关鍵性 的技术和技巧,譬如,阻抗匹配,射频接地, 单端线路和差分线路之間的主要差別,射频集成电路设计中的难题……可以把它归类为橫向论述. 到目前为止,这种着重于设计技巧的論述是前所未有的,也是很独特的。讲演者认为,作为一位合格的射频电路设计的设计者,不论是工程师,还是教授,应当掌握这一部分所论述的基本的设计技术和技巧,包括: ?阻抗匹配; ?接地; ?射频集成电路设计; ?测试 ?画制版图; ? 6 Sigma 设计。 B. 第二部分: 描述射频系统的基本参数和系统设计的基本原理。

C. 第三部分: 提供个别射频线路设计的基本知识。这一部份和现有的有关射频电路和 射频集成电路设计的书中的论述相似, 其內容是讨论一个个射频方块,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器,壓控振蕩器,頻率综合器……可以把它归类为纵向论述,其中的大多数内容来自本讲座的讲演者的设计 ?在十几年前就已经找到了最佳的低噪声放大器的设计方法但不曾经发表过。在低噪声放大器的设计中可以同时达到最大的增益和最小的噪 声; ?获得了可调谐濾波器的美国专利; ?本讲座的讲演者所建立的用单端线路的设计方法来进行差分对线路的设计大大简化了设计并缩短了线路仿真的时间; ?获得了双线巴伦的美国专利。 学习目标在本讲座结束之后,学员可以了解到 o比照数码电路,射頻电路设计的主要差別是什麼? o什么是射频设计中的基本概念? o在射频电路设计中如何做好窄带的阻抗匹配? o在射频电路设计中如何做好宽带的阻抗匹配? o在射频线路板上如何做好射频接地的工作? o为什么在射频和射频集成电路设计中有从单端至双差分的趋势? o为什么在射频电路设计中容许误差分析如此重要? o什么是射频和射频集成电路设计中的主要难题?射频和射频集成电路设计师如何克服这些障碍?

北京交通大学电子测量大作业

电子测量大作业二----7-14 姓名:王自胜 学号:12212162 班级:铁道信号1204 2014年12月

7-14查阅网络分析仪的技术资料,说明网络分析仪的功能和基本原理,比较网络分析仪和频谱分析仪的异同点 一、网络分析仪的功能 现代网络分析仪已广泛在研发,生产中大量使用,网络分析仪被广泛地应用于分析各种不同部件,材料,电路,设备和系统。无论是在研发阶段为了优化模拟电路的设计,还是为了调试检测电子元器件,矢量网络分析仪都成为一种不可缺少的测量仪器。网络分析仪是一种功能强大的仪器,正确使用时,可以达到极高的精度。它的应用也十分广泛,在很多行业都不可或缺,尤其在测量无线射频(RF)元件和设备的线性特性方面非常有用。现代网络分析仪还可以应用于更具体的场合,例如,信号完整性和材料的测量。随着业界第一款PXI 网络分析仪—NI PXIe - 5630的推出,你完全可以摆脱传统网络分析仪的高成本和大占地面积的束缚,轻松地将网络分析仪应用于设计验证和产线测试。 二、网络分析仪的基本原理 一个任意多端口网络的各端口终端均匹配时,由第n个端口输入的入射行波an将散射到其余一切端口并发射出去。若第m个端口的出射行波为bm,则n口与m口之间的散射参数Smn=bm/an。一个双口网络共有四个散射参数S11、S21、S12和S22。当两个终端均匹配时,S11和S22就分别是端口1和2的反射系网络分析仪数,S21是由1口至2口的传输系数,S12则是反方向的传输系数。当某一端口m终端失配时,由终端反射回来的行波又重新进入m口。这可以等效地看成是m口仍是匹配的,但有一个行波am入射到m口。这样,在任意情况下都可以列出各口等效入射、出射行波与散射参数之间关系的联立方程组。据此可以解出网络的一切特性参数,如终端失配时的输入端反射系数、电压驻波比、输入阻抗以及各种正向反向传输系数等。这就是网络分析仪的最基本的工作原理。单端口网络可视为双口网络的特例,在其中除S11之外,恒有S21=S12=S22。对于多端口网络,除了一个输入和一个输出端口之外,可在其余一切端口都接上匹配负载,从而等效为一个双端口网络。轮流选择各对端口作为等效双口网络的输入、输出端,进行一系列测量并列出相应的方程,即可解得n端口网络的全部n2个散射参数,从而求出n端口网络的一切特性参数。图左为四端口网络分析仪测量S11时测试单元的原理示意,箭头表示各行波的路径。信号源u输出信号经开关S1和定向耦合器D2输入到被测网络的端口1,这就是入射波a1。端口1的反射波(即1口的出射波b1)经定向耦合器D2和开关传到接收机的测量通道。信号源u的输出同时经定向耦合器D1传到接收机的参考通道,这个信号是正比于a1的。于是双通道幅度-相位接收机就测出b1/a1,即测出S11,包括其幅值和相位(或实部和虚部)。测量时,网络的端口2接上匹配负载R1,以满足散射参数所规定的条件。系统中的另一个定向耦合器D3也终接匹配负载R2,以免产生不良影响。其余三个S 参数的测量原理与此类同。图右为测量不同Smn参数时各开关应放置的位置。 在实际测量之前,先用三个阻抗已知的标准器(例如一个短路、一个开路和一个匹配负载)供仪器进行一系列测量,称为校准测量。由实测结果与理想(无仪器误差时)应有的结果比对,可通过计算求出误差模型中的各误差因子并存入计算机中,以便对被测件的测量结果进行误差修正。在每一频率点上都按此进行校准和修正。测量步骤和计算都十分复杂,非人工

最新射频电路基础大作业

射频电路基础大作业

射频电路基础大作业 学院电子工程学院 姓名

题目要求 题目一:基于Multisim仿真的振幅调制电路设计 1.1 基本要求 参考教材《射频电路基础》第五章振幅调制与解调中有关差分对放大器调幅和二极管调幅的原理,选择元器件、调制信号和载波参数,完成Multisim电路设计、建模和仿真,实现振幅调制信号的输出和分析。 1.2 实践任务 (1) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择晶体管和其它元件;搭建单端输出的差分对放大器,实现载波作为差模输入电压,调制信号控制电流源情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。 (2) 参考例5.3.1,修改电路为双端输出,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 (3) 选择合适的调制信号和载波的振幅、频率,通过理论计算分析,正确选择二极管和其它元件;搭建单二极管振幅调制电路,实现载波作为大信号,调制信号为小信号情况下的振幅调制;调整二者振幅,实现基本无失真的线性时变电路调幅;观察记录电路参数、调制信号、载波和已调波的波形和频谱。(4) 参考例5.3.2,修改电路为双回路,对比研究平衡对消技术在该电路中的应用效果。 题目二:数字调制与解调的集成器件学习 2.1 基本要求 《射频电路基础》第八章数字调制与解调是调制信号为数字基带信号时的调制与解调,是第五章和第七章的扩展,直接面向应用。学生可以通过自学了解基本理论,并认识数字调制与解调的集成器件。 2.2 实践任务 (1) 学习数字调制与解调的基本原理,重点是原理框图和波形。 (2) 上网查询英文资料,选择一种数字调制或解调的集成芯片,根据芯片资料学习其性能参数、结构设计和相关电路。

RF电路及设计的基础知识

微波电路及设计的基础知识 1. 微波电路的基本常识 2. 微波网络及网络参数 3. Smith圆图 4. 简单的匹配电路设计 5. 微波电路的计算机辅助设计技术及常用的CAD软件 6. 常用的微波部件及其主要技术指标 7. 微波信道分系统的设计、计算和指标分配 8. 测试及测试仪器

微波电路及其设计 1.概述 所谓微波电路,通常是指工作频段的波长在10m~1cm(即30MHz~30GHz)之间的电路。此外,还有毫米波(30~300GHz)及亚毫米波(150GHz~3000GHz)等。 实际上,对于工作频率较高的电路,人们也经常称为“高频电路”或“射频(RF)电路”等等。 由于微波电路的工作频率较高,因此在材料、结构、电路的形式、元器件以及设计方法等方面,与一般的低频电路和数字电路相比,有很多不同之处和许多独特的地方。 作为一个独立的专业领域,微波电路技术无论是在理论上,还是在材料、工艺、元器件、以及设计技术等方面,都已经发展得非常成熟,并且应用领域越来越广泛。 另外,随着大规模集成电路技术的飞速发展,目前芯片的工作速度已经超过了1GHz。在这些高速电路的芯片、封装以及应用电路的设计中,一些微波电路的设计技术也已得到了充分的应用。以往传统的低频电路和数字电路,与微波电路之间的界限将越来越模糊,相互间的借鉴和综合的技术应用也会越来越多。 2.微波电路的基本常识 2.1 电路分类 2.1.1 按照传输线分类 微波电路可以按照传输线的性质分类,如:

图1 微带线 图2 带状线 图3 同轴线

图4 波导 图5 共面波导 2.1.2 按照工艺分类 微波混合集成电路:采用分离元件及分布参数电路混合集成。 微波集成电路(MIC):采用管芯及陶瓷基片。 微波单片集成电路(MMIC):采用半导体工艺的微波集成电路。 图6微波混合集成电路示例

RF 基础知识

1. 什么是RF? 答:RF 即Radio frequency 射频,主要包括无线收发信机。 2. 当今世界的手机频率各是多少(CDMA,GSM、市话通、小灵通、模拟手机等)?答:EGSM RX: 925-960MHz, TX:880-915MHz; CDMA cellular(IS-95)RX: 869-894MHz, TX:824-849MHz。 3. 从事手机Rf工作没多久的新手,应怎样提高? 答:首先应该对RF系统(如功能性)有个系统的认识,然后可以选择一些芯片组,研究一个它们之间的连通性(connectivities among them)。 4. RF仿真软件在手机设计调试中的作用是什么? 答:其目的是在实施设计之前,让设计者对将要设计的产品有一些认识。 5. 在设计手机的PCB时的基本原则是什么? 答:基本原则是使EMC最小化。 6. 手机的硬件构成有RF/ABB/DBB/MCU/PMU,这里的ABB、DBB和PMU等各代表何意?答:ABB是Analog BaseBand, DBB是Ditital Baseband,MCU往往包括在DBB芯片中。 PMU是Power Management Unit,现在有的手机PMU和ABB在一个芯片上面。将来这些芯片(RF,ABB,DBB,MCU,PMU)都会集成到一个芯片上以节省成本和体积。

7. DSP和MCU各自主要完成什么样的功能?二者有何区别? 答:其实MCU和DSP都是处理器,理论上没有太大的不同。但是在实际系统中,基于效率的考虑,一般是DSP处理各种算法,如信道编解码,加密等,而MCU处理信令和与大部分硬件外设(如LCD等)通信。 8. 刚开始从事RF前段设计的新手要注意些什么? 答:首先,可以选择一个RF专题,比如PLL,并学习一些基本理论,然后开始设计一些简单电路,只有在调试中才能获得一些经验,有助加深理解。 9. 推荐RF仿真软件及其特点? 答:Agilent ADS仿真软件作RF仿真。这种软件支持分立RF设计和完整系统设计。详情可查看Agilent网站。 10. 哪里可以下载关于手机设计方案的相应知识,包括几大模快、各个模块的功能以及由此对硬件的性能要求等内容? 答:可以看看https://www.360docs.net/doc/1319212931.html,和https://www.360docs.net/doc/1319212931.html,,或许有所帮助。关于TI的wireless solution,可以看看https://www.360docs.net/doc/1319212931.html,中的wireless communications. 11. 为什么GSM使用GMSK调制,而W-CDMA采用HPSK调制? 答:主要是由于GSM和WCDMA标准所定。有兴趣的话,可以看一些有关数字调制的书,了解使用不同数字调制技术的利与弊。

射频电路基础复习题问题详解

一、选择 1.传输线输入阻抗是指传输线上该点的( B ) A.入射电压与电流比B.电压与电流之比 C.入射电压波之比D.入射电流波之比 2.传输线的无色散是指(C )与频率无关。 A.波的速度B.波的能量流动的速度 C.波的相速D.波的群速 3.当传输线处于行波工作状态时,传输线的反射系数为(C )。 A.1 B.-1 C.0 D.无法判断 4.下面哪一种不能构成纯驻波状态的传输条件是(D )。 A.Z L=0 B.Z L=∞C.Z L=jX .Z L= Z0 5.驻波系数ρ的取值围是(D )。 A.ρ=1 B.0≤ρ≤1 C.0≤ρ<1 D.1≤ρ<∞ 6.在史密斯圆图中坐标原点表示(C )。 A.开路点B.短路点C.匹配点D.无法判断 7.均匀无耗传输线终端开路时对应于史密斯圆图的(A )。 A.右端点B.左端点C.原点D.上顶点 8.无耗均匀传输线的特性阻抗为50?,终端负载阻抗为32 ?,距离终端λ/4 处的输入阻抗为( D )?。 A.50 B.32 C.40 D.78.125 9.当终端反射系数为0.2时,传输线的驻波比为(B )。 A.2 B.1.5 C.0.67 D.无法判断 10.微带传输线传输的电磁波是( B )。 A.TEM波B.准TEM波C.TE波D.TM波 二、判断题 11.无耗均匀传输线上各点的电压反射系数幅值都相等。对 12.已知无耗均匀传输线的负载,求距负载一段距离的输入阻抗,在利用史密斯 圆图时,找到负载的归一化电抗,再顺时针旋转对应的电长度得到。错 13.当均匀无耗传输线终端接感性负载时,传输线工作在行驻波工作状态下。错 14.在史密斯圆图上左半实轴部分是电压的波节点。对 15.为了消除传输线上的反射,通常要在传输线的终端进行阻抗匹配。对 16.微带线可以作为传输线,用在大功率传输系统中。错 17.在无耗互易二端口网络中,S12=S21。对 18.二端口转移参量都是有单位的参量,都可以表示明确的物理意义。错

射频集成电路应用及发展

射频集成电路应用及发展 简介 射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit,RFIC),严格来说,是指在0.8GHz以上频段工作的模拟电路,包括微博和毫米波电路。射频集成电路主要包括滤波器、低噪放放大器(LNA)、压控振荡器(VCO)、混频器、放大/驱动器、频率合成器、功率放大器(PA)和功率管理等电路。用这些射频集成电路可以构成RF收发器,其中,用LNA、VCO、混频器、驱动器等可以构成信号接收链的接受前端,即接收器系统;而频率合成器和功率放大器等则构成发射器。对于数字无线接收器,还必须使用A/D转换器和D/A转换器将信号进行转换。以便进行所需的计算、处理和实现所需要的发送功能。 主要技术性能 我国已经研制多款的RF收/发芯片, 应用范围 射频集成电路的应用十分的广泛,是最重要的一类军用核心器件。主要RFIC 应用与电子对抗、智能武器、军用航空装备、军用卫星、各类航天器、导弹、全球卫星定位系统、雷达系统、通信设备、诱骗术、无源毫米波成像、高度仪、远距离遥感和仪器仪表中。单片微博集成电路(MMIC)在军事航空领域的应用不断的增加。在一个雷达系统中,一个自适应相控天线可能有成千上万个T/R模块,MMIC非常好的重复生产性、小尺寸、轻重量等优点,对其实现就非常的重要和必要了。在通信领域中,MMIC可应用与光纤系统、卫星系统、陆地固定及移动无线系统。 技术和发展趋势 射频集成电路是20世纪90年代中期以来随着IC工艺的改进而出现的一种新型器件。射频移动通信技术的总趋势是走向高速化、大宽带。在军用领域,高频化是主要趋势之一,军事需求仍是RF技术发展的重要推动力。在高传输速率、大频带的要求条件下,接收机要有大的动态范围,然而对发射机而言,则要求具有高线性度的信号放大能力和更高的功率。MMIC高性能、小体积、低成本等特点使其在军事、航天、同性等领域大战迅速,单片化已成为RFIC发展的重要趋势。 RFIC的技术发展趋势主要有工作频率更高、尺寸更小的新器件研究;专用高频、高速电路设计技术研究;专用测试技术研究;高频封装技术研究。

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