2012年武汉纺织大学816电子技术基础(A卷参考答案)考研真题答案考研试题答案硕士研究生入学考试试题答案

武汉纺织大学2012年招收硕士学位研究生

试卷参考答案

科目代码816 科目名称电子技术基础

考试时间2012年1月8日下午报考专业

一、单项选择题（每小题2分，共40分。每小题的备选答案中只有一个最

符合题意）。

1.当晶体管的温度升高时, 晶体管的I CEO将（c）。

a.、基本不变b、减小c、增大d、随机不定

2.如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入A、B和输出Y的波形图,这个门电

路是（d）。

a.、与门b、或门c、异或门d、同或门

3.在晶体管放大电路中,测得一个晶体管的三个电极的电位分别为：5.3V，

2.2V，和6.0V；则该晶体管的类型为（ a ）。

a、PNP型硅管

b、PNP型锗管

c、NPN型锗管

d、NPN型硅管

4.场效应管是通过改变（b）来控制漏极电流的。

a、栅极电流

b、栅源电压

c、漏源电压

d、栅漏电压

5、单管共发射极放大电路的电压放大倍数（b）。

a、Au=1

b、Au＜0

c、Au＞1

d、0＜Au＜1

6、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（c）。

a、耦合电容和旁路电容的存在

b、放大电路的静态工作点不合适

c、半导体管极间电容和分布电容的存在

d、半导体管的非线性特性

7、在放大电路设计中，欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电压，应在放大电路中引入（b）。

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