09级半导体器件物理A卷答案
一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分）
1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ）
A 金刚石
B 闪锌矿
C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ）
Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ）
Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。
A 空穴
B 电子
5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）
A 直接复合
B 间接复合
C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）
Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级
7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。
A 在电场作用下的运动快慢
B 在浓度梯度作用下的运动快慢
8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm －
3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度
约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm －
3，570K
时，ni ≈2×1017cm －
3）
A 1014cm －3
B 1015cm －3
C 1.1×1015cm －
3
D 2.25×105cm －3
E 1.2×1015cm －3
F 2×1017cm －
3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei
9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。
A 漂移
B 隧道
C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B
D ）
Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管
11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np Ａ 大于 Ｂ 等于 Ｃ 小于 12．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是 （ C ） A BV CEO B BV CBO C BV EBO 14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（V S 为半导体表面电势；qV B =E i -E F ） A V S =V B B V S =2V B C V S =0 15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 （ C ） A ．较厚 B ．较薄 C ．很薄 16．pn 结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。 A ．展宽 B ．变窄 C ．不变 17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ B ）。 A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压 19．真空能级和费米能级的能值差称为（ A ） A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 20．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ A ） A 发射区 B 基区 C 集电区 21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P 沟道，该MOSFET 为（ A ） A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型 二、判断题（共20分，每题１分） １．（ √ ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 ２．（ √ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 ３．（ × ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。 ４．（ × ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。 ５．（ √ ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。 ６．（ √ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n 0p 0=n i 2。 ７．（ √ ）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 ８．（ √ ）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 ９．（ × ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 １０． （ √ ）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。 １１． （ √ ）平衡PN 结中费米能级处处相等。 １２． （ √ ）能够产生隧道效应的PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。 １３． （ √ ）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。 １４． （ √ ）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。 １５． （ √ ）高频下，pn 结失去整流特性的因素是pn 结电容 １６． （ × ）pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。 １７． （ √ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。 １８． （ √ ）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。 １９． （ × ）制造MOS 器件常常选用[111]晶向的硅单晶。 ２０． （ √ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。 三、 名词解释 (共15分，每题5分，给出关键词得3分) 1．雪崩击穿 随着PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电 常州信息职业技术学院 2010 －2011 学年第 一 学期 半导体器件物理 课程期末试卷 班级 姓名 学号 成绩 装 订 线 场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 2．非平衡载流子 由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以比平衡状态时多出了一部分，比平衡时多出了的这部分载流子称为非平衡载流子。 3．共有化运动 当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。 四、问答题（22分） 1．简述肖特基二极管的优缺点。（6分，每小点1分） 优点：（1）正向压降低（2）温度系数小 （3）工作频率高。（4）噪声系数小 缺点：（1）反向漏电流较大（2）耐压低 2．MIS结构中，以金属—绝缘体—P型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？（6分，每小点2分） 积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。 （2分） 耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2分） 反型状态：当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级 E i，这意味着表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。（2分） 3．如何加电压才能使NPN晶体管起放大作用。请画出平衡时和放大工作时的能带图。（10分，回答4分，其中每一点各2分；图6分，其中无偏压能带2分，加偏压能带2分，标注势垒高度2分） 答：要使NPN晶体管起放大作用，发射结要加正向偏压（2分），集电结反向偏压。（2分） 放大工作时的能带图如下： 五、计算题（共13分，其中第一小题5分，第二小题5分，第三小题 3分） 1. 计算（1）掺入N D为1×1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0，其中本征载流子浓度n i=2×1010个/cm3。（2）如果在（1）中掺入N A=5×1014个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少？（3）若在（1）中掺入N A=1×1015个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0又为多少？ 解：（1）300K时可认为施主杂质全部电离。（1分） 则（2分） （2分） （2）掺入了NA=5×1014个/cm3的受主，那么同等数量的施主得到了补偿。（1分） 则 （2分） （2分） （3）因为施主和受主相互完全补偿，杂质的掺杂不起作用。因此该半导体可看作是本征半导体（实际上不是）。（1分） 则（2分） ()3 5 15 2 10 2 3 15 / 10 4 10 1 10 2 / 10 1 cm n n P cm N n o i O D o 个 ? = ? ? = = ? = =个 ()3 5 14 2 10 2 3 14 14 15 /cm 10 8 10 5 10 2 /cm 10 5 10 5 10 1 个 ? = ? ? = = ? = ? - ? = - = o i O A D o n n P N N n个 3 10cm 10 2个/ ? = = = i O o n p n 半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。 9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化 《互换性原理与技术测量》 一、填空题 (共20分，每空1分) 1．一个孔或轴允许尺寸的两个极端称为。 2. 一零件表面切削加工要求轮廓的算术平均偏差Ra为6.3μm，在零件图上标注为____________。 3.配合基准制分__________和__________两种。一般情况下优先选用______________。 4．滚动轴承内圈与轴的配合采用基制，而外圈与箱体孔的配合采用基_________制。 5. 现代工业对齿轮传动的使用要求归纳起来有四项，分别为____________、 _______________ 、________________、________________ 。 6. 普通螺纹结合的基本要求为__________、__________。 7. 零件的尺寸合格,其________ 应在上偏差和下偏差之间。 8．公差原则分__________和相关要求，相关要求包括____________、 _______________ 、________________、________ 四种。 9. 在同一尺寸段内，从IT01~IT18,公差等级逐渐降低，公差数值逐渐。 二、选择题（共10分，每题1分） 1．当孔与轴的公差带相互交叠时，其配合性质为（）。 A. 间隙配合 B. 过渡配合 C. 过盈配合 2．公差带的大小由（）确定。 A．实际偏差 B. 基本偏差 C. 标准公差 3．下列孔与基准轴配合，组成间隙配合的孔是（）。 A．孔两个极限尺寸都大于基本尺寸 B．孔两个极限尺寸都小于基本尺寸 C．孔最大极限尺寸大于基本尺寸，最小极限尺寸小于基本尺寸 4．基本偏差是（）。 A．上偏差 B .下偏差 C. 上偏差和下偏差 D. 上偏差或下偏差 1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线 第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + = I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。设n 型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。 解：P ＋ >>n ，正向注入：0)(2 202=---p n n n n L p p dx p p d ，得： ) sinh() sinh() 1(/00p n n p n kT qV n n n L x W L x W e p p p ---=- ??=-=n n W x n n A dx p p qA Q 20010289.5)( 4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm，计算此时击穿电压。 解：m V N E B g c /1025.3)1 .1E )q ( 101.148 14 32 1S 7 ?=?=（ ε V qN E V B C S B 35022 == ε m qN V x B B S mB με5.212== n 区减少到5μm 时，V V x W x V B mB mB B 9.143])(1[2 2 /=--＝ 第三章 1 一个p +-n-p 晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm －3，基区宽度W B 为1.0μm，器件截面积为3mm 2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V ，集电区－基区结上反向偏压为5V 时，计算 《互换性原理与技术测量》 一、填空题(共20分，每空1分) 1．一个孔或轴允许尺寸的两个极端称为。 2. 一零件表面切削加工要求轮廓的算术平均偏差Ra为6.3μm，在零件图上标注为____________。 3.配合基准制分__________和__________两种。一般情况下优先选用______________。 4．滚动轴承内圈与轴的配合采用基制，而外圈与箱体孔的配合采用基_________制。 5. 现代工业对齿轮传动的使用要求归纳起来有四项，分别为____________、 _______________ 、________________、________________ 。 6. 普通螺纹结合的基本要求为__________、__________。 7. 零件的尺寸合格,其________ 应在上偏差和下偏差之间。 8．公差原则分__________和相关要求，相关要求包括____________、 _______________ 、________________、________ 四种。 9. 在同一尺寸段内，从IT01~IT18,公差等级逐渐降低，公差数值逐渐。 二、选择题（共10分，每题1分） 1．当孔与轴的公差带相互交叠时，其配合性质为（）。 A. 间隙配合 B. 过渡配合 C. 过盈配合 2．公差带的大小由（）确定。 A．实际偏差 B. 基本偏差 C. 标准公差 3．下列孔与基准轴配合，组成间隙配合的孔是（）。 A．孔两个极限尺寸都大于基本尺寸 B．孔两个极限尺寸都小于基本尺寸 C．孔最大极限尺寸大于基本尺寸，最小极限尺寸小于基本尺寸 4．基本偏差是（）。 A．上偏差 B .下偏差 C. 上偏差和下偏差 D. 上偏差或下偏差 《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则 一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种； 答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的； 答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义； β时答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1 =所对应的频率 f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号； 答案：0 V。 > T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因； 答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。 6、BV CEO含义； 答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类； 答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。 8、扩散电容与过渡区电容区别。 答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 二、简述（共20分，每小题5分） 1、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 2、发射极电流集边效应； 答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区 金华职业技术学院社会培训考试答案 课程： 互换性与测量技术基础 （答卷时间 120 分钟） 姓名： 一、是非题（每小题1分，共10分） 1． 优先选用基孔制是因为孔难加工，但加工时不一定先加工孔后加工轴。（ √ ） 2．圆柱形轴的基本尺寸为80mm ，公差等级为6级，基本偏差代号为k ，则在图样上标 注为mm k 002.0021.0680+ +φ。( × ) 3． 若系统误差和随机误差都小，称为准确度高。（ √ ） 4．孔轴配合在精度较高的情况下，孔的公差等级数值往往大于轴的公差等级。（ √ ） 5．实际要素就是被测要素。 ( × ) 6．同轴度公差带是距离为公差值ｔ的两平行直线之间的区域。( × ) 7.设计光滑极限量规时，应遵守极限尺寸判断原则的规定。 （ √ ） 8．滚动轴承的内圈与轴颈的配合采用基孔制，轴承内径的公差带位置与一般的基准孔H 的位置不同。 （ √ ） 9．国家标准对内、外螺纹的大径和中径都有具体的公差等级要求。( × ) 10．某一孔或轴的直径正好加工到基本尺寸，则此孔或轴必然是合格件。( × ) 二、单项选择题（每小题1分，共25分） 1. 从加工过程看，零件尺寸进入公差范围的“起始尺寸”是 B 。 A . 最大极限尺寸 B . 最大实体尺寸 C . 最小极限尺寸 D . 最小实体尺寸 2．零件加工后通过测量获得的尺寸，称为 C 。 A ．公称尺寸 B ．极限尺寸 C ．实际尺寸 D ．实体尺寸 3. 设置基本偏差的目的是将__ A___加以标准化，以满足各种配合性质的需要。 A. 公差带相对于零线的位置 B.公差带的大小 C. 各种配合 4．属于形状公差的有 B 。 A ．平行度 B ．平面度 C ．同轴度 D ．圆跳动 5．游标卡尺主尺的刻线间距为 A 。 A. 1mm B. 0.5mm C. 2mm 6．平面度公差带形状为 A 。 A ．两平行平面间的区域 B ．两平行直线的区域 C ．一个四棱柱 D ．一个小圆柱 施敏 半导体器件物理英文版 第一章习题 1. （a ）求用完全相同的硬球填满金刚石晶格常规单位元胞的最大体积分数。 （b ）求硅中（111）平面内在300K 温度下的每平方厘米的原子数。 2. 计算四面体的键角，即，四个键的任意一对键对之间的夹角。（提示：绘出四 个等长度的向量作为键。四个向量和必须等于多少？沿这些向量之一的方向 取这些向量的合成。） 3. 对于面心立方，常规的晶胞体积是a 3，求具有三个基矢：（0,0,0→a/2,0,a/2）， (0,0,0→a/2,a/2,0),和(0,0,0→0,a/2,a/2)的fcc 元胞的体积。 4. （a ）推导金刚石晶格的键长d 以晶格常数a 的表达式。 （b ）在硅晶体中，如果与某平面沿三个笛卡尔坐标的截距是10.86A ，16.29A ， 和21.72A ，求该平面的密勒指数。 5. 指出（a ）倒晶格的每一个矢量与正晶格的一组平面正交，以及 （b ）倒晶格的单位晶胞的体积反比于正晶格单位晶胞的体积。 6. 指出具有晶格常数a 的体心立方（bcc ）的倒晶格是具有立方晶格边为4π/a 的面心立方（fcc ）晶格。[提示：用bcc 矢量组的对称性： )(2x z y a a -+=，)(2y x z a b -+=，)(2 z y x a c -+= 这里a 是常规元胞的晶格常数，而x ，y ，z 是fcc 笛卡尔坐标的单位矢量： )(2z y a a +=，)(2x z a b +=，)(2 y x a c +=。] 7. 靠近导带最小值处的能量可表达为 .2*2*2*22 ???? ??++=z z y y x x m k m k m k E 在Si 中沿[100]有6个雪茄形状的极小值。如果能量椭球轴的比例为5:1是常数，求纵向有效质量m*l 与横向有效质量m*t 的比值。 8. 在半导体的导带中，有一个较低的能谷在布里渊区的中心，和6个较高的能 谷在沿[100] 布里渊区的边界，如果对于较低能谷的有效质量是0.1m0而对 于较高能谷的有效质量是1.0m0，求较高能谷对较低能谷态密度的比值。 9. 推导由式（14）给出的导带中的态密度表达式。（提示：驻波波长λ与半导体 一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm － 3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm － 3，570K 时，ni ≈2×1017cm － 3） A 1014cm －3 B 1015cm －3 C 1.1×1015cm － 3 D 2.25×105cm －3 E 1.2×1015cm －3 F 2×1017cm － 3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np 一、填空题(30 分 1. 尺寸公差带的大小由标准公差决定; 位置由基本偏差决定。孔轴公差等级皆分为20 个等级。 2. 齿轮副的侧隙的作用在于储存润滑油和补偿热变形等。 3. 表面粗糙度幅度特性评定参数有轮廓的算术平均偏差(Ra 、轮廓的最大高度(Rz 两个, 其中通常选用Ra 。 4. .齿距累积总偏差是被测齿轮的 运动偏心的综合结果 5. 孔在图样上的标注为①50JS8,已知IT8=39 m,则该孔的上偏差为+0.019 mm, 最大实体尺寸为49.981mm最大极限尺寸为50.019mm。 6. 端面全跳动可以用端面垂直度来代替,它们体现的设计要求相同。 7. 直线度公差中,给定平面内的公差带形状为两平行直线;给定一个方向的公差带形状为两平行平面;任意方向的公差带形状为圆柱面。 8. 用来评定齿轮传动平稳性的必检指单个齿距偏差(△ f p、齿廓总偏差(4F 9. 零件的实际尺寸处处都做成了最大实体尺寸,形位误差又正好等于图样上的公差的给定值,该零件处于实效状态。零件处 于该状态时的作用尺寸是实效尺寸。 10. 用普通计量器具测量①60(072. 0053. 0++mm的轴，要求安全裕度为2 m时, 该轴的上验收极限为60.070 mm，下验收极限为60.055 mm0 3页 11. 在图样上要素的尺寸公差与形位公差之间的 关系绝大多数遵守 独立原 则。此时 尺寸 公差只控制 不控制形位误差。 12. 测量表面粗糙度时，选择和规定取样长度的 目的是为了限制和减弱 表 对表面粗糙度 测量结果的影 响。 13. 在装配图上，滚动轴承内圈与轴颈的配合需 标注轴颈的公差带代号。若内 圈 相对于 符合方向旋转，则内圈与轴颈的配合应紧。当轴颈选用h5公差 带时,内圈与轴颈的配合性质为过度配合。 二、简答题(10分 1. ? 60M7/h 应说明基准制，配合类别基轴制过度配合 2. 用去除材料方法获得的表面；Ra 的上限制为 3.2um ;取样长度为0.8mm 。 3. ? 80k7O 采用包容原则；轴的基本尺寸为 ①80mm 轴公差带为k7 4. 说明图A 形状公差代号含义及所遵守的公差原则 (1①2圆柱体轴线必须位于直径为公差值 0.01mm 的圆柱面内。 (2 遵守独立原则 Chapter 4 4.1 ??? ? ? ?-=kT E N N n g c i exp 2υ ??? ? ??-??? ??=kT E T N N g O cO exp 3003 υ where cO N and O N υ are the values at 300 K. (b) Germanium _______________________________________ 4.2 Plot _______________________________________ 4.3 (a) ??? ? ??-=kT E N N n g c i exp 2υ ( )( )( ) 3 19 19 2 113001004.1108.2105?? ? ????=?T ()()?? ????-?3000259.012.1exp T () 3 382330010912.2105.2?? ? ???=?T ()()()()?? ????-?T 0259.030012.1exp By trial and error, 5.367?T K (b) () 252 12 2105.2105?=?=i n ( ) ()()()()?? ????-??? ???=T T 0259.030012.1exp 30010912.23 38 By trial and error, 5.417?T K _______________________________________ 4.4 At 200=T K, ()?? ? ??=3002000259.0kT 017267.0=eV At 400=T K, ()?? ? ??=3004000259.0kT 034533.0=eV ()()()() 172 22102 210025.31040.11070.7200400?=??= i i n n ? ? ????-??????-???? ??? ?? ??=017267.0exp 034533.0exp 3002003004003 3 g g E E ?? ? ???-=034533.0017267.0exp 8g g E E ()[] 9578.289139.57exp 810025.317-=?g E or ()1714.38810025.3ln 9561.2817=??? ? ???=g E or 318.1=g E eV Now ( ) 3 2 1030040010 70.7?? ? ??=?o co N N υ 赣 南 师 范 学 院 2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷） 开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。 一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，而金属中只有 电子 一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。 1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ， ()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 在热平衡状态下，电子在允许 的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为 ()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在 0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范 围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的 结果变成一样了。 4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 电子 为多数载流子， 空穴 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 大于 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 电子空穴对 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ， 这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略，原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数 载流子浓度小得多 ，而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用，原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多 。 5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合， 直接复合是指 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 ，间接复合是指 电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合 。载流子在复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方法有三种，分别为 、 、 3、 发射光子 发射声子 将能量给予其它载流子，增加它们的动能 。 6、在外加电场和光照作用下，使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子，由于 半导体表面非平衡载流子浓度比内部高 ，从而非平衡载流子在半导体中作 运动，从而形成 电流，另外，由于外加电场的作用，半导体中的所有载流子会作 运动，从而形成 电流。 二、选择题（共10分，每题2分） 1、本征半导体是指 的半导体。 A 、不含杂质和缺陷 B 、电子密度与空穴密度相等 C 、电阻率最高 D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P ，则引入的杂质能级 A 、在禁带中线处 B 、靠近导带底 C 、靠近价带顶 D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是 A 、价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 B 、本征激发后，形成了导带电子和价带空穴，在外电场作用下，它们都将参与导电。 C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格释放能量。 D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。 4、以下说法不正确的是 一、填空题 1．一个孔或轴允许尺寸的两个极端称为_极限偏差_______。。 2零件表面切削加工要求轮廓的算术平均偏差Ra为6.3μm，在零件图上标注为___。 3.配合基准制分___基孔制___和_基轴制______两种。一般情况下优先选用_____基孔制_________。 4．滚动轴承内圈与轴的配合采用基孔制，而外圈与箱体孔的配合采用基_轴__制。 5. 现代工业对齿轮传动的使用要求归纳起来有四项，分别为_____ 、______、______、_____。 6. 普通螺纹结合的基本要求为__________、__________。 7. 零件的尺寸合格,其___实际尺寸_____ 应在上偏差和下偏差之间。 8．公差原则分______和相关要求，相关要求包括____、____ 、____、___ 四种。 9. 在同一尺寸段内，从IT01~IT18,公差等级逐渐降低，公差数值逐渐增大。 二、选择题 1．当孔与轴的公差带相互交叠时，其配合性质为（）。 A. 间隙配合 B.过渡配合 C. 过盈配合 2．公差带的大小由（）确定。A．实际偏差 B. 基本偏差 C. 标准公差 3．下列孔与基准轴配合，组成间隙配合的孔是（）。 A．孔两个极限尺寸都大于基本尺寸B．孔两个极限尺寸都小于基本尺寸 C．孔最大极限尺寸大于基本尺寸，最小极限尺寸小于基本尺寸 4．基本偏差是（）。A．上偏差B.下偏差C. 上偏差和下偏差D.上偏差或下偏差 5．标准规定形状和位置公差共有（）个项目。A．8 B. 12 C. 14 D. 16 6．垂直度公差属于（）。A．形状公差B. 定位公差C. 定向公差 D. 跳动公差 7．如被测要素为轴线，标注形位公差时，指引线箭头应（）。 A. 与确定中心要素的轮廓线对齐 B.与确定中心要素的尺寸线对齐 C.与确定中心要素的尺寸线错开 8.最大实体尺寸是指（）。 A.孔和轴的最大极限尺寸 B.孔和轴的最小极限尺寸 C.孔的最大极限尺寸和轴的最小极限尺寸 D.孔的最小极限尺寸和轴的最大极限尺寸 9、径向全跳动公差带的形状与-的公差带形状相同A圆柱度B圆度c同轴度D线的位置度 10、孔、轴公差带的相对位置反映（）程度。A.加工难易B.配合松紧C.尺寸精度 三、判断题 半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。 7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ ~c E ∞ ）内，对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围（ ~v E -∞） 内，对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度： 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10. 11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征： 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级 半导体期末复习补充材料 一、名词解释 １、准费米能级 费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。 ２、直接复合、间接复合 直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。 间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。 ３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿 随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于 扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放 电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发 生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因 有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 二、简答题 1、发射区重掺杂效应及其原因。 答：发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。 原因：发射区禁带宽度变窄和俄歇复合效应增强 《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则 一、填空（共32 分，每空 2 分） 1、PN 结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩 散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET 器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN 型BJT 中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI 器件可用标准的MOS 工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN 结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发 生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET 进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因 有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 二、简述（共18 分，每小题6 分） 1、Early 电压V A； 答案： 2、截止频率f T； 答案：截止频率即电流增益下降到 1 时所对应的频率值。 3、耗尽层宽度W。 答案：P 型材料和N 型材料接触后形成PN 结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。 三、分析（共20 分，每小题10 分） 1、对于PNP 型BJT 工作在正向有源区时载流子的输运情况； 答案：对于PNP 型晶体管,其发射区多数载流子空穴向集电区扩散,形成电流 I EP，其中一部分空穴与基区的电子复合，形成基极电流的I B的主要部分，集 电极接收大部分空穴形成电流I CP，它是I C的主要部分。 2、热平衡时突变PN 结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相 应的I-V 特性曲线。（每个图2 分） 答案：热平衡时突变PN 结的能带图、电场分布如下所示， 反向偏置后的能带图和相应的I-V 特性曲线如下所示。 ●在300K 下，Si 在价带中的有效态密度为2,66X 19 103 cm -,而GaAs 为7X 18 10 3 cm -，求 出空穴的有效质量，并与自由电子质量比较。 ●画出在77K ，300K,及600K 时掺杂 1610个/3cm 的As 原子的Si 简化能带图，标示出费米能 级且使用本征F E 作参考量。 ●求出i S 在300K 时掺入下列掺杂情形下电子空穴浓度及费米能级。 ●对一半导体而言，其具有一固定的迁移率比 b=n u /p u >1,且与杂质浓度无关，求其最大的电 阻率m ρ并以本征电阻率i ρ及迁移率比表示。 ●给定一个未知掺杂的i S 晶样品，霍耳测量提供了以下信息： ω=0.05cm,A=1.6x 3-103cm -,I=2.5mA,磁场为30nT(1T=4-10wb/2 cm ),若测出的霍耳电压为 10mV ,求半导体样品的霍耳系数，导体型态，多子浓度，电阻率及迁移率。 ●线性缓变Si 结，其掺杂梯度为420 cm 10 -，计算内建电势及4V 反向偏压的结电容（T=300K ）。 对一理想突变p-n 结，其 D N =316cm 10-，当外加正偏压1V 时，求出中性区（n 区）没单位 面积储存的少子、中性区的长度为1μm,p L 5μm. ●对一理想突变p-n 结，其 D N =316cm 10-，当外加正偏压1V 时，求出中性区（n 区）没单 位面积储存的少子、中性区的长度为1μm, p L =5μm. ●设计一+ p -n Si 突变结二极管，其反向击穿电压为130V ，正偏电流在V V 7.0h =时为2.2mA,设. 1070p s -=τ半导体器件物理 试题库
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