2020年中山大学电力电子考研经验小总结

2020年中山大学电力电子考研经验小总结
2020年中山大学电力电子考研经验小总结

XX年中山大学电力电子考研经验小总结关于考研,这个过程算 __结束了。回顾过往,一把辛酸一把泪。给13年考研的同学提些个建议吧。

1.别人的所谓成功没有太大参考价值,每当到这个时候,总是会看到很多人发帖,什么什么好,什么什么不好之类的。是的,这是个网络自由的时代,写的人没有错,可是,看的人需要有鉴别的心去看。“什么什么三跨,什么什么三本学校考什么,什么什么几个月解决问题,什么什么清华北大不是难事”说的跟传销一样激情,请问就你一个个例你说什么啊,有这个证明法吗?过度推断,证据不足能导出这样的结论么?“什么没有内幕,什么公平的很,什么又有内幕”请问你是领导么?你这个结论是怎么来的?你考上了就没有内幕,你考不上了就有内幕了么?都是发泄。不过,从整体上来看,内幕是无法避免的,大家知道即可。各种鼓励三本学校的同学考985的同学你们居心何在,你们自己去看看结果,是不是大多都当了炮灰,当炮灰有些人心甘情愿,不过我觉得应该炮灰自己不好受。我的建议是,正确评估学校难度,正确评估自己实力,良好的复习策略,加勤奋的劳动。

2.我今年考的电力电子,是中大唯一一个电气专业下属方向。专业的话一般,不过我人品好,碰到了各种学姐学长,很感谢他们在我的初试复试中给我的帮助。所以,有条件的同学你们就果断搜集各种资料联系学姐学长,没条件也要创造条件联系……可能你联系本校的

人家可能不会太搭理你,你也要理解他们,毕竟差距是有的,人家高调点也算正常,但是,别因此放弃,尽量联系外校考过来的同学吧。学姐学长有几个方面可以帮助你,初试准备,复试安排,复试面试,老师偏好等等。文科的话我不懂!

3.有些同学说自己准备时间怎么怎么少之类的,人都喜欢不劳而获,你说你不劳而获往往得到的是羡慕与赞赏,说什么自己效率高,或许你说的是真实的,或许这些同学智商很高,但是,我想说,现实就是现实,不是如同大家理想般。我大概暑假8月开始的(收集,联系学姐学长,确定学校。那会暑假,没什么状态,玩玩学习学习),在整个复习状态下我也有时候状态不好就约同学爬爬山什么的。最后我背政治我是感觉我没什么时间的。我本科算所二流34所,大家看着办吧!!!不要都把当自己是天才,该学习就学习,看别人复习什么几天就考的很好的,你只是羡慕就可以了,不用参考(我上铺,考研准备两个月,期间还经常去网吧通宵游戏,结果人家数学接近满分,真题都没做完的人,他就是考好了,专业也好高,两门加起来接近280)

4.关于复习各科个人小提几点意见,仅供参考,可以尝试,但不一定就对你合适:

数学,课本,题量,把二李的几本书搞定80%就差不多了;

外语,真题,真题,真题+每天词汇,坚持;

政治,时间不用太早,可以不用报班,拿高分者一般用红宝书,及格分的话,基础题一本书做上几遍,最后提前点背大题。dajia论坛(x,刚才被和谐了)是个好地方,最后期间别人的什么时政,什么模拟卷都有自己打印即可;

专业,我觉得一份真题答案很珍贵,当然如果有那种专用论坛买答案最好了,如果没有的话,找学姐学长,再没有,自己早点把真题来回多做几遍,把真题多打印几份。

5.关于复试,今年复试面试我有点吃亏了,自己没有主见的结果,有听学长说按照老师思路来,其实,自己准备的东西都拿进去了,最后完全没有发挥,如果同学你复试时候有空,你可以去面试几家公司,你就知道个大概了,总之,根据需要表现自己即可,让老师牵着你走往往是不太明智的。我的推荐,有主见,有目的的把老师引导向你熟悉的地方。多面试几家公司你就知道了,因为那里可以看别人表演,可以交流,可以学习。仁者见仁,多经历多体验人就有感觉了。

7.关于中大,物理院的话,好像设备还蛮先进的,但中山果然只有理科没有工科,东校臭水沟,南校人暴多,珠海没去过。我报考中

大之后(还没考试)就开始后悔了,发现这个可能不是我最想要的,当然,我还是有来广州的理由。似乎现在很多在广州的,一段时间的,学长,或者老师或者什么的,似乎些许厉害的去了上海,北京。后悔当时没报上海。所以同学,你开始准备时间选择学校,不要轻易的选择学校,选自己最想去的是王道。别留遗憾。如果奖学金是你考虑的范畴,一定要搞清楚,因为,比如说我这个专业,今年普招只招两个,以前招5个,以前第一第二都有全额,现在一个都没有。

8.关于专业课题目,今年我花了很多时间去做我们专业题目,最后得出了好多份答案,我考的电力电子,专业课是微机原理,过几天我会把它好发到百度上去,可能网站我不会来了,如果有需要的同学去那里看吧!提早跟学长学姐联系吧,不然别人把做好的专业题目丢了,你就没有题目了,机会只给有准备的人。这里提到的是没有专业历年真题答案买的那种。

9.给13界的同学祝福的话,希望大家能按劳分配(没有到社会主义社会的按需分配),取得对应的收获。

内容仅供参考

2021年中山大学药剂学学硕专业考研必看成功上岸前辈复习经验分享

中南大学药学院药剂学考研成功经验分享 距离2020考研拟录取已经有一会儿了,一直想静下心来用文字记录一下自己这一年来的历程。最近终于把毕业相关的事情以及杂七杂八的琐事儿都弄完了就想着写一下自己在考研过程中的心得。本人考研中山大学药学院药剂学学硕初试:英语一77分、思想政治理论78分、专业课666药学综合A 213分,总成绩368分。 一、关于择校和定专业 我是在大四那个寒假才开始着手收集考研的目标院校资料,自己先敲定了考研的专业大方向,那就是药学专硕或者是学硕中的药剂学或者药理学,再结合自己喜欢的城市最终筛选出了: (1)北京协和医学院的药理学(学硕)专业课考试科目是652药学综合(在微生物学、分析化学、有机化学、生理学、生物化学中任选两门) (2)中山大学的药学专硕专业课考试科目是349药学综合以及药学学硕中的药剂学和药理学专业课考试科目是666药学综合A或667生物综合或668医学综合或669化学综合 (3)中南大学湘雅药学院的药学专硕考349药学综合(包括药事管理、药理学、药剂学)湘雅医院的临床药学学硕考781医学综合(包括生理、生化、病理、内科、外科)或741药基综合(包括基础、有机以及分析化学) (4)华中科技大学的药剂学或临床药学 (5)电子科技大学的药学专硕考349药学综合(包括药理、药剂、药分、药化) 综合考量下来,因为自己本科时四大药学得较好,其它科目学得一般,而且有自己相熟的本科直系学姐去年成功上岸中大药学专硕,想着找专业课的资料以及进行后期各种咨询会方便。再有就是沿海地区的药学发展相对较好,中大的药理毒理学,药剂与制药工程在全国都是顶尖学科。药学院有广州校区和深圳校区,深圳校区往年分数线相对要低一点,两个校区专业课考试参考书目一样就想着自己先复习着走。看十月份的状态再具体选择校区。中山大学的药学学硕每年竞争都比较激烈,除掉推免名额,一般药剂统招只有2-4个名额,药理有6-8个左右,专硕除掉推免名额一般招50-60个,今年因为国家政策招了80个左右。所以除非是本科特别优秀且有拿得出手的科研奖项不然就报专硕稳妥一点。 关于在择校和定专业中,自己一开始也是很小白,在搜集了大量的资料之后慢慢有了清晰的方向。在后期医院实习中了解到了临床药学在医院主要做治疗药物监测、不良反应的申报以及患者的用药教育,但是在国内该专业发展起步不久,

大功率电力电子器件的新进展

大功率电力电子器件前沿技术分析 贾海叶山西吕梁供电 摘要:本文对大功率电力电子器件技术进行了简述,阐述了大功率电力电子器件发展热点,并对其前沿技术和未来的发展方向进行了分析。 关键词:大功率、电子电力器件,前沿技术 1 引言 随着半导体制造工艺的进步和对电力电子设备容量增大的需求,对电力电子器件的性能和功率要求也越来越高,由此产生了耐高压、大功率的电力电子器件。近来,伴随着器件的大功率化,新的HVIGBT(HighVoltage Insulated Gate BipolarTran-sistor Module)高压绝缘栅双极型半导体模块、HVIPM(High Voltage Intelligent Power Module)高压智能电力模块的MOS型电力电子器件的开发、GCT(Gate Commutated Turn-off Thyristor)闸门换相关断可控硅器件的开发,都有了较大的进展。以新一代器件问世为标志,必然在电力电子设备的开发方面,向着小型化、高效率化、高速控制化的目标飞跃前进。 1.1 大功率电力电子器件的分类 大功率电力电子器件主要分为:二极管、可控硅、光触发可控硅、GTO(Gate Turn-off Thyristor)闸门关断可控硅、GCT、HVIGBT及HVIPM器件。 从1960年开发初期的1英寸硅片开始至今,发展到直径为6英

寸硅片的耐高压、大功率电力电子器件系列化产品,其容量和当初相比,提高了100多倍。而且在使用上减少了串联或并联元件的数量,提高了可靠性,减小了设备的体积。 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类,大功率电力电子器件分为: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 3.不可控器件,例如电力二极管; 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类: 1.电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SITH(静电感应晶闸管); 2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR; 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类: 1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO; 2.电子控制型,例如GTR、MOSFET、IGBT; 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类: 1.单极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR; 2.双极型器件,例如MOSFET、IGBT;

电力电子技术期末总结

#绪论: 1. 电子技术的两大分支是什么? 信息电子技术与电力电子技术 *2. 简单解释电力电子技术。 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,即应用于电力领域的电子技术。 3. 要学习的4种电力电子器件是什么? 器件:电力二极管、晶闸管、IGBT、POWER MOSFET 四种。 *4. 电力变换器有哪几种? 交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流 *5. 电力电子技术的应用? 一般工业:电化学工业;交通运输:电动汽车、航海;电力系统:柔性交流输电、谐波治理、智能电网;电子装置电源;家用电器:变频空调;其他:航天飞行器、发电装置。 #第一章: 1.*电力电子器件的分类: 半控型:晶闸管;全控型:电力MOSFET、IGBT;不可控型:电力二极管; 电流驱动型:晶闸管;电压驱动型:电力MOSFET、IGBT; 2.*应用电力电子器件的系统组成: 由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。 3.电导控制效应: 电导控制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低,维持在1v左右,所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 4.电力二极管的基本特征:

5. 电力二极管的主要参数:正向平均电流IF(AV)反向恢复时间trr 、浪涌电流IFSM 6. 电力二极管的类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 7. 晶闸管的静态特性和动态特性: A A G G K K b) c) a) A G K K G A P 1N 1 P 2N 2J 1J 2J 3 A P 1 A G K N 1P 2 P 2 N 1 N 2a) b)

u 8. 晶闸管的主要参数:电压定额、电流定额、动态参数 9.电力MOSFET 的基本特征: G D P 沟道b) a) G D N 沟道

师姐分享的中山大学化学院考研经验

师姐分享的中山大学化学院考研经验 这是一位师姐分享的考中大化学经验,在这里太感谢她了,能这么无私的分享,现在把这篇帖子发到这里来,希望能继续帮助到更多的考研学子。 先说说专业课。高分子这个专业中山考的是化学A 和化学B,化学A包括有机,无机,高分子科学基础(即高分子物理加高分子化学),化学B包括结构,分析,仪器,物化。 有机 化学A有机占的比重比较大,我以前有机学得不怎么好,所以我有机看的是最认真的,中山那本有机书比较注重机理,我是所有的题都做,那本书的课后习题我做了四遍,然后感觉就差不多了。有机的话那本书上的题目比历年真题里那些单独的有机试卷里面的题目要有价值得多,现在考的有机题目跟那本教科书上的题比较类似,而且有一字不改的现题,要重视。那本书是没有答案的,只有中山的老师和学生有电子档的答案,我有一份在电脑里还没删,一起发给你,里面好像还有些高化和有机的课件,我没有看过,你要是有时间就看看,没时间的话就算了。有机现题是比较少的,考功力,要扎扎实实好好复习好好做题,没什么捷径,主要是找对方向,注重机理部分。第三章和第四章,我不太记得具体哪一章,就是讲结构以及酸碱理论的那两章,很重要,问答题出的多。其实你借了图书馆的那个书的话是非常好的,说不定就是我借的那本哈,上面的笔记就是以前考过的学长学姐的总结的重点,你会看得出哪些地方时重点的,就根据笔记去复习就对了。 无机 我感觉无机现题也比较少,跟有机差不多,也是需要充足准备的。无机上册比较重要,下册的话我就扫了几眼就放弃了,太恶心了,也基本没什么题,大概两个选择题的样子,我宁愿用高中的知识蒙一蒙。下册真不推荐你花太多时间,极端摧残身心,而且属于摧残了还没回报的那种,然后确实也没几分。上册要好好复习,很简单但也很重要,无机会出计算题的,任何形式的计算题都有可能,比如说我考的那个不给表格算电子能量的的计算题,我认认真真做完了一本好厚的无机资料书,多么复杂的络合的计算题都做过,以为无机计算无敌了,然后还是给算计了,及其无语,越简单越要注意。无机我做过一本资料书,名字忘记了,是在化学院的图书馆借的,练基础的话那些书都差不多,那里有很多考研的资料书都是全新的,特别好。(考研的教科书要字迹越多用过的人越多的越好,资料书要越新的越好) 高分子科学基础 这本书很薄,开始我还花了大量的时间做笔记什么的,但后面发现其实没必要,这本书,你先要自己用个两三天翻一遍,留个印象,然后根据书上的笔记去复习。这本书要去图书馆借,才会有很多笔记。前面做系统的复习的时候看一遍,然后每个月看一遍,一天的时间就够了,然后越到后面看花的时间要越少,基本只需要看书上画出来的部分,就算只画了几个字的话看那几个字就可以了,频率高一点。最后一个月,我基本上是没隔三四天就抽出最多两个小时把过一遍。这一门考的很简单,也基本是现题,不会丢什么分,也不用花什么时间。 分析 分析我是当无机上对待的,我复习的比较认真,也做了一本资料书,感觉还是很有用的,在化学院的图书馆借的。分析现题比较多,但是以免碰到不是现题的时候跟白痴样的,还是要好好复习,多做题,计算太复杂的不用去看,简单的一定要会,因为分析只有选择题,没有大计算题,只会有那么难。分析书上举的那些例子要注意,然后就是历年真题,这个我就不再强调了,真题的价值是最大的,特别是对于分析跟仪器。 仪器 仪器我感觉属于死记硬背的那种,一开始就看的话,后面肯定也忘了,所以我一开始完全没

碳化硅电子器件发展分析报告

碳化硅电力电子器件的发展现状分析 目录 1.SiC器件的材料与制造工艺 (2) 1.1 SiC单晶 (2) 1.2 SiC外延 (3) 1.3 SiC器件工艺 (4) 2. SiC二极管实现产业化 (5) 3. SiC JFET器件的产业化发展 (7) 4. SiC MOSFET器件实用化取得突破 (7) 5. SiC IGBT器件 (8) 6. SiC功率双极器件 (9) 7. SiC 功率模块 (10) 8. 国内的发展现状 (11) 9. SiC电力电子器件面对的挑战 (11) 9.1 芯片制造成本过高 (11) 9.2 材料缺陷多,单个芯片电流小 (12) 9.3 器件封装材料与技术有待提高 (12) 10. 小结 (12)

在过去的十五到二十年中,碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件,并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着SiC单晶和外延材料技术的进步,各种类型的SiC器件被开发出来。SiC器件主要包括二极管和开关管。SiC二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PiN 型二极管。SiC开关管的种类较多,具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、绝缘栅双极开关管(IGBT)三种。 1.SiC器件的材料与制造工艺 1.1 SiC单晶 碳化硅早在1842年就被发现了,但直到1955年,飞利浦(荷兰)实验室的Lely 才开发出生长高品质碳化硅晶体材料的方法。到了1987年,商业化生产的SiC衬底进入市场,进入21世纪后,SiC衬底的商业应用才算全面铺开。碳化硅分为立方相(闪锌矿结构)、六方相(纤锌矿结构)和菱方相3大类共260多种结构,目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商业价值,美国科锐(Cree)等公司已经批量生产这类衬底。立方相(3C-SiC)还不能获得有商业价值的成品。 SiC单晶生长经历了3个阶段, 即Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC 高温升华分解这一特性,可采用升华法即Lely法来生长SiC晶体。升华法是目前商业生产SiC单晶最常用的方法,它是把SiC粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间,在惰性气体(氩气)环境温度为2 500℃的条件下进行升华生长,可以生成片状SiC晶体。由于Lely法为自发成核生长方法,不容易控制所生长SiC晶体的晶型,且得到的晶体尺寸很小,后来又出现了改良的Lely法。改良的Lely法也被称为采用籽晶的升华法或物理气相输运法 (简称PVT法)。PVT法的优点在于:采用 SiC籽晶控制所生长晶体的晶型,克服了Lely法自发成核生长的缺点,可得到单一晶型的SiC单晶,且可生长较大尺寸的SiC单晶。国际上基本上采用PVT法制备碳化硅单晶。目前能提供4H-SiC晶片的企业主要集中在欧美和日本。其中Cree产量占全球市场的85%以上,占领着SiC晶体生长及相关器件制作研究的前沿。目前,Cree的6英寸SiC晶片已经商品化,可以小批量供货。此外,国内外还有一些初具规模的SiC晶片供应商,年销售量在1万片上下。Cree生产的SiC晶片有80%以上是自己消化的,用于LED衬底材料,所以Cree是全球

电力电子技术课程重点知识点总结

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化(P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算) 13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图(P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。

考研经验分享:二战逆袭中山大学企业管理专业

考研经验分享:二战逆袭中山大学企业 管理专业 我今年第二次参加了企管的研究生考试,初试有幸拿到了422分,位列专业第一,复试表现则中规中矩(415,第一名有440),最后总分837,还是幸运地列第一,拿到了一个奖助生的名额。回想起六个半月(200天左右)的2战生活,感触良多。一直想用笔(噢,不,用键盘)记录下些什么,话是很多,可偏偏感觉无从下手。今天刚从南校回到家,下了几天的雨,心情有点郁闷。于是坐在这里敲下这份经验贴,算是为这200天做个总结和祭奠。 本人毕业于中山大学物理科学与工程技术学院,第一年折戟沉沙,二战终于得偿所愿。 失败者的失败总是那么相同,成功者却各有各的成功。简单说一下我两年的备战情况。 第一年备战3月份开始,前半年,中规中矩,每天平均4-6小时,国庆之后,各种琐事加上自身薄弱意志,浑浑噩噩,每天复习3-5小时,临考前专业课还有三章没看完第一遍,属于典型的虎头蛇尾、自我放逐型考研! 本来没打算2战,随便找了份工作,准备先踩踩西瓜皮滑哪是哪,但是家里意见挺大,毕业前夕也受了若干刺激,故决意2战。在学校附近租了房,家里人非常支持,妈妈还过来照顾起居,这点真的很感激家人 第二年备战从7月7号开始,一直到2013.01.03结束。以中山大学图书馆为据点,每天平均学习9-12小时,除去中间大约半月时间广州连续阴雨,基本每天早上八点半到馆,三餐按时回家吃饭稍加休息,然后继续,晚上基本九点半以后才回家。 【个人属性】 爆发力(理解为短时间内掌握某些完全陌生的内容的能力):9.5(满分10分,下同) 持久力(理解为重复坚持同一枯燥事情的能力):3 记忆力:8.5 自制力(抵御各种诱惑(网游,篮球,恋爱等等)的能力:-0.5 效率(理解为做题速度,理解和记忆所复习内容的能力):9 附加属性:不鸣则已,鸣则语不惊人死不休。具体表现为不想和你打篮球就算了,要想认真和你打,就往死里虐,就算被反虐也勇敢亮剑。还有不想看政治就算了,要决心看政治,就带点自虐倾向的去背诵和记忆。 本文其实比较适合和我属性相近的同学适用,起码是短期高效、略带投机型的理科经济适用男(女)生,乖乖型,努力型的同学慎用。 考研整体复习建议 【关于目标、院校、备战】 有目标才有动力,我们高中之所以那么苦、痛并快乐着,就是因为还有个目标支撑着。所以一定要尽快设立自己的目标,一个人到了大四,怎么说都是成年人了,对自己应当有充足的了解,院校、专业这些是自己的事情、也是时候承担起自己的责任了。为了读研究生而读研究生的同学,我建议三思。不过胆敢有报考中大管院的念头的孩子,我相信肯定是足够成熟的同学,这些人生大道理我就略去了。 说下,怎么估量自己是否有一博管院的实力。第一条:不偏科,可以以高中成绩为基准,最低要求语文数英均不能低于100,或者你做一遍历年真题,感觉每一科都能及格以上。 第二条:经过长时间的备战能培养出1-2课的优势科目,比如数学140+,比如政英总

电力电子器件的最新发展趋势

电力电子器件的最新发展趋势 现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信、机器人等)至关重要,从而已迅速发展成为一门独立学科领域。它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为本世纪乃至下世纪重要关键技术之一。近几年西方发达的国家,尽管总体经济的增长速度较慢,电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。 从历史上看,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。以功率器件为核心的现代电力电子装置,在整台装置中通常不超过总价值的20%~30%,但是,它对提高装置的各项技术指标和技术性能,却起着十分重要的作用。 众所周知,一个理想的功率器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时能承受高电压;在导通状态时,具有大电流和很低的压降;在开关转换时,具有短的开、关时间,能承受高的di/dt和dv/dt,以及具有全控功能。 自从50年代,硅晶闸管问世以后,20多年来,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力,并已取得了使世人瞩目的成就。60年代后期,可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能,并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期,高功率晶体管和功率MOSFET问世,功率器件实现了场控功能,打开了高频应用的大门。80年代,绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT) 问世,它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展,又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件- MOSFET门控晶闸管的研究。因此,当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。下面就近几年来上述功率器件的最新发展加以综述。 一、功率晶闸管的最新发展 1.超大功率晶闸管 晶闸管(SCR)自问世以来,其功率容量提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。近十几年来,由于自关断器件的飞速发展,晶闸管的应用领域有所缩小,但是,由于它的高电压、大电流特性,它在HVDC、静止无功补偿(SVC)、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。预计在今后若干年内,晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 现在,许多生产商可提供额定开关功率36MVA ( 6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。传统GTO的典型的关断增量仅为3~5。GTO关断期间的不均匀性引起的“挤流效应”使其在关断期间dv/dt必须限制在500~1kV/μs。为此,人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是,高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管,这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。到目前为止,在高压(VBR > 3.3kV )、大功率(0.5~20 MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功

电力电子技术总结

1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对 晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。4、70年代后期,以门极可关断晶闸管( GTO )、电力双极型晶体管( BJT )和电力场效应晶 体管(Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路( PIC )。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 (1)按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:?主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。 ?器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。◆全控型器件:?目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通态损耗断态损耗开关损耗 开通损耗关断损耗

?通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件:?电力二极管(Power Diode)?不能用控制信号来控制其通断。(2)按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型:?通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 ?仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控 制。 (3)按照驱动信号的波形(电力二极管除外) ◆脉冲触发型 ?通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控 制。 ◆电平控制型 ?必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件 开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 4、几种常用的电力二极管:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 肖特基二极管优点在于:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此, 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。 弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此 多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。 5、晶闸管除门极触发外其他几种可能导通的情况 ◆阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应◆阳极电压上升率du/dt过高 ◆结温较高◆光触发

中山大学社会工作硕士考研跨考经验分享

中山大学社会工作硕士考研跨考经验分享 学姐跨考中大MSW 回想当年看别人的经验贴时,就幻想着自己如果也考上了,一定也要写下经验贴来帮助更多的人。不过最终结果出来,又不知该从何写起。我的初试成绩偏低,排名靠后,最后能考上也是非常的幸运,在考研帮上看的经验贴基本上都是大神们写的,而我的故事并没有那么传奇,还是充满艰辛的,也算是充满戏剧性。 初试:政治60+ 英语二 80+ 社工原理 90+ 社工实务 110+ 排名35+ 初试排名很后了,成绩出来都觉得无望,哭的那叫一个惨,也有人劝我不用去复试打酱油,但我就是不死心,哪怕打酱油我也要去亮个相,就当为明年再战积累经验了。虽然还是去了,我还是有点自暴自弃的。知道有逆袭的先例,但我哭着对朋友说,我是普通人,逆袭是大神的,ta说“咱谁不是普通人?好好准备,你还是有希望的。”很感谢ta即使在事态这么不利的情况下,还是相信我,鼓励我。很意外,最终成功逆袭到总排名前十。 如果我放弃了去“打酱油”的机会,也就不会有最终翻牌的惊喜了。所以,我写这篇经验贴的主要目的就是想激励大家,给自己机会!从决定考研,择校,到最后走完整个过程,都不要放弃,坚持到最后,从考场上走出来就是英雄。

思想篇 考研的人,大多数应该都是有一个名校梦的吧。既然对高考一直都有遗憾,为何不破釜沉舟的拼一把?一直在思考怎样去写一篇经验贴才可以对别人有帮助,毕竟现在很多人喝鸡汤都快喝吐了。我想,写出我真实的故事就足够了,励志也好鸡汤也罢,每个人的感受都不尽相同。 首先,谈谈我考研的初衷。上一所好大学是我从小到大的梦想,不管以后从事什么工作,我只想在有生之年能进名校读书,感受不一样的生活。而高考的失利,还有当时对大学“象牙塔”式的浪漫生活的向往,让我没有勇气再重读高三。结果换来的是什么?是我四年的内疚和悔恨。这四年来,我没有真正开心过,总是在想:如果当年我选择了复读,会不会有不一样的一番境遇? 大学四年,我真正懂得了,人的一生注定要承受一些痛苦的,年轻的时候选择轻松,终有一天是要付出代价的。就像高三,不要只看到学霸光鲜的分数,他们背地里的付出才是我们无法做到的。没有付出,凭什么妄想能和别人有同样的成绩?高中不愿吃苦,大学就得吃更多的苦。所以在考研这件事情上,我的态度是很坚定的。 在一开始准备考中大时,就听说中大的题很活,死背是完全行不通的。我其实很犹豫,觉得自己更适合死记硬背的东西。但朋友的一句话很鼓励我,他说:你会

电力电子器件的发展分析

电力电子技术课程论文 电力电子器件的发展分析 摘要:电力电子器件发展至今已有近60年的历史,本文简单介绍了电力电子器件的发展历程,然后对IGCT、IGBT、MCT等新型电力电子器件的发展状况及其优缺点进行了分析,最后, 展望了电力电子器件的未来发展。 关键字:电力电子器件;IGCT;ICBT;MCT; 1、引言 电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中,电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“机车”。 电力电子器件的发展时间并不长,但是至今已经发展出多个种类的产品,其中最早为人们所应用的是普通晶闸管,普通晶闸管是由美国通用电气公司在1958年时研制并投产的,它为之后的电力电子器件发展奠定了基础,在1964年时,美国公司又成功研制了可关断的GT0;到了二十世纪七十年代,电力电子器件的研究有了又一成果——GTR系列产品,二十世纪八九十年代,以功率M0SFET和IGBT为代表的,集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,标志着传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。 2、电力电子器件发展史

电力电子器件又称作开关器件,相当于信号电路中的A-D采样,称之为功率采样,器件的工作过程就是能量过渡过程,其可靠性决定了装置和系统的可靠性。根据可控程度以及构造特点等因素可以把电力电子器件分成四类: (1)半控型器件——第一代电力电子器件 2O世纪5O年代,由美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世,标志着电力电子技术的开端。到了2O世纪7O年代,已经派生出了许多半控型器件,这些电力电子器件的功率也越来越大,性能日渐完善,但是由于晶闸管的固有特性,大大限制了它的应用范围。 (2)全控型器件一一第二代电力电子器件 从2O世纪7O年代后期开始,可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化。此后,各种高频率的全控型器件不断问世,并得到迅速发展。这些器件主要有:电力场控晶体管(即功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)等,这些器件的产生和发展,已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。 (3)复合型器件——第三代电力电子器件 前两代电力电子器件中各种器件都有其本身的特点。近年来,又出现了兼有几种器件优点的复合器件。如:绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它实际上是MOSFET驱动双极型晶体管,兼有M0sFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两者的优点。它容量较大、开关速度快、易驱动,成为一种理想的电力电子器件。 (4)模块化器件——第四代电力电子器件 随着工艺水平的不断提高,可以将许多零散拼装的器件组合在一起并且大规模生产,进而导致第四代电力电子器件的诞生。以功率集成电路PIC(Power Intergrated Circuit)为代表,其不仅把主电路的器件,而且把驱动电路以及具有过压过流保护,甚至温度自动控制等作用的电路都集成在一起,形成一个整体。 3、电力电子器件的最新发展 现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。其中,电力电子模块化是电力电子器件向高功率密度发展的重要一步。下面介绍几种新型电力电子器件: 3.1 IGCT IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件[1]。它是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,它是结合了晶体管和晶闸管两种器件的优点,即晶体管的稳定的关断能力和晶闸管的低通态损耗的一种新型器件。IGCT在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈类似晶体管的特性。IGCT具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低的特点。此外,IGCT还像GT0一样,具有制造成本低和成品率高的

电力电子总结完美版

一、填空题 1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件,其中要用交流 电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型 器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生 二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ;属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO 要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM I I ,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数;其定义式为= |DS DS U GS I ≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管,但要求其反向恢复特性要软。 6、在电力电子电路中,半导体器件总是工作在开关状态,分析这类电路可以用理想开关等效电路;电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术,追求的目标是高效地处理电力。 7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗,主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠,为了解决该缺陷,最好使电力电子器件工作在零电压开通,零电流关断状态;也可采用由无源元件构成的缓冲技术,但它们一般是有损耗 的。 8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。 9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制,若交流电路的大感性 负载阻抗角为80度,则SCR 开通角的移相范围80度到180度。 10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时,其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件;其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件;SCR 的换流方式都为电网 换流。 11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上;加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=- 12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波;其逆变桥各臂都要反并联 二极管。 13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制,这种技术可以控制输出交流的大小;产 生SPWM 波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。 14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组,构成磁复位 电路; 反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ,耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短,正向压降小,耐压低,效率高等特点。 16、GTR 关断是工作点应在 截止 区,导通时工作点应在 饱和 区;它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。

电力电子技术总结

电力电子技术总结标准化管理部编码-[99968T-6889628-J68568-1689N]

1、电力电子技术的概念:所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。 4、70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO )、电力双极型晶体管(BJT )和电力场效应晶体管(Power-MOSFET )为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路(PIC )。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器 2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 (1)按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件:主要是指晶闸管(Thyristor )及其大部分派生器件。 器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 ◆全控型器件:目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件: 电力二极管(Power Diode ) 不能用控制信号来控制其通断。 (2)按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型 :通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 (3)按照驱动信号的波形(电力二极管除外 ) ◆脉冲触发型 通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。 ◆电平控制型 必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 4、几种常用的电力二极管:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 通态损耗 断态损耗 开关损耗 开通损耗 关断损耗

保研中山大学心得和具体流程

华南农业大学学子保研中山大学心得和具体流程(2009-10-22 19:45:47)转载标签:教育 今年保研中山大学,今天教务处刚刚出了结果,写下心得体会和具体的流程,希望对学弟学妹们有用处。因为我的保研也是问了很多师兄师姐的经验,既然从大家那里无偿获得了资源,就要无偿回报给大家。虽然这只是保中大的流程,保其他外校也可以参考。保研阶段的等待是非常揪心的,也经历了很多的失眠,不过走过这一个月,就豁然开朗。这期间BF的陪伴和朋友们的关心,是我最大的安慰和鼓励。看看旁边还在奋斗考研的同学,觉得自己非常的幸运了。坚持保外的理想,努力争取,就能看到曙光。 联系老师:(暑假期间) 1. 去中大的学院网站看老师的信息,然后通过自己学院的老师,了解中大老师的人品和学术水平。 2.选好老师后,发一封邮件给他,附上自己的成绩,做课题的经历或者大学经历中的闪光点。然后就等老师的回复了。 3. 如果回复就去学校和他谈,选老师是一个双向选择的问题,不必抱着太大的压力,也不用妄自菲薄,好像去求他收留一样。保持平常心,考察老师,也锻炼自己。如果老师没有回复,可以多发几封邮件,也可以在上班时间打电话到办公室。有时候老师比较忙,不一定有时间看邮件。(不过我联系的老师都很及时回复邮件了)聊完后,不妨直接问老师是否愿意收自己。 4. 总之,老师最重要的就是人品,出尔反尔最麻烦,这一点我是深刻体会的,往事不堪回首,愿各位学弟学妹积累经验,一定要先打听清楚老师的人品如何。 5. 还有,不要同时联系多位老师,因为老师收研究生是有名额限制的,你同时联系很多位,他们都要留名额给你,这样你就无形当中占用了多余的名额,是很不道德的行为,不要为了自己的“双保险”甚至“三保险”去同时联系多位老师。当然,也可能碰到我这样的情况:老师同时答应很多学生,然后从学生里选,最后出局的学生陷入困境(这样的老师是比较没品的,刚好被我碰到)。搞得我后来又匆忙去联系了另一位老师,好在另外一位老师很好人,愿意收我。不过我也还是坚持自己的立场,毕竟这样的老师是少数,毕竟大多数老师还是对学生负责的,言出必信。 资料准备(九月初每个学校不同暨南大学开始特别的早注意留意暨大招生信息) 1.首先去中大的研究生招生网网站上下载保研的申请表,认真填信息。要注意接受申请的截止时间,千万别过了交表时间,否则很麻烦的。

现代电力电子技术的发展、现状与未来展望综述上课讲义

现代电力电子技术的发展、现状与未来展 望综述

课程报告 现代电力电子技术的发展、现状与 未来展望综述 学院:电气工程学院 姓名: ********* 学号: 14********* 专业: ***************** 指导教师: *******老师 0 引言

电力电子技术就是使用电力半导体器件对电能进行变换和控制的技术,它是综合了电子技术、控制技术和电力技术而发展起来的应用性很强的新兴学科。随着经济技术水平的不断提高,电能的应用已经普及到社会生产和生活的方方面面,现代电力电子技术无论对传统工业的改造还是对高新技术产业的发展都有着至关重要的作用,它涉及的应用领域包括国民经济的各个工业部门。毫无疑问,电力电子技术将成为21世纪的重要关键技术之一。 1 电力电子技术的发展[1] 电力电子技术包含电力电子器件制造技术和变流技术两个分支,电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 1.1半控型器件(第一代电力电子器件) 上世纪50年代,美国通用电气公司发明了世界上第一只硅晶闸管(SCR),标志着电力电子技术的诞生。此后,晶闸管得到了迅速发展,器件容量越来越大,性能得到不断提高,并产生了各种晶闸管派生器件,如快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。但是,晶闸管作为半控型器件,只能通过门极控制器开通,不能控制其关断,要关断器件必须通过强迫换相电路,从而使整个装置体积增加,复杂程度提高,效率降低。另外,晶闸管为双极型器件,有少子存储效应,所以工作频率低,一般低于400 Hz。由于以上这些原因,使得晶闸管的应用受到很大限制。 1.2全控型器件(第二代电力电气器件) 随着半导体技术的不断突破及实际需求的发展,从上世纪70年代后期开始,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。此外,这些器件的开关速度普遍高于晶闸管,可用于开关频率较高的电路。这些优点使电力电子技术的面貌焕然一新,把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。 1.3电力电子器件的新发展 为了解决MSOFET在高压下存在的导通电阻大的问题,RCA公司和GE公司于1982年开发出了绝缘栅双极晶体管(IGBT),并于1986年开始正式生产并逐渐系列化。IGBT是MOS?FET和BJT得复合,它把MOSFET驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点集于一身,性能十分优越,使之很快成为现代电力电子技术的主导器件。与IGBT 相对应,MOS 控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)都是MOSFET和GTO的复合,它们都综合

电力电子技术第二章总结

2016 电力电子技术 作业:第二章总结 班级:XXXXXX学号:XXXXXXX姓名:XXXXXX

第二章电力电子器件总结 1.概述 不可控器件——电力二极管(Power Diode) GPD FRD SBD 半控型器件——晶闸管(Thyristor) FST TRIAC LTT 典型全控型器件GTO GTR MOSFET IGBT 其他新型电力电子器件MCT SIT SITH IGCT 功率集成电路与集成电力电子模块HVIC SPIC IPM 1.1相关概念 主电路(Main Power Circuit):在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路? 电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件? 1.2特点 电功率大,一般都远大于处理信息的电子器件? 一般都工作在开关状态? 由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路(主要对控制信号进行放大)? 功率损耗大,工作时一般都需要安装散热器? 通态损耗,断态损耗,开关损耗(开通损耗关断损耗) 开关频率较高时,可能成为器件功率损耗的主要因素? 电力电子器件在实际应用中的系统组成 一般是由控制电路?驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统? 关键词电力电子系统电气隔离检测电路保护电路三个端子 1.3电力电子器件的分类 按能够被控制电路信号控制的程度不同可分为半控型器件(开通可控,关断不可控) 全控型器件(开通,关断都可控) 不可控器件(开通,关断都不可控) 按照驱动信号的性质不同可分为电流驱动型电压驱动型 按照驱动信号的波形(电力二极管除外)不同可分为脉冲触发型电平控制型 按照载流子参与导电的情况不同可分为单极型器件(由一种载流子参与导电) 双极型器件(由电子和空穴两种载流子参与导电)复合型器件(由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件) 关键词控制的程度驱动信号的性质?波形载流子参与导电的情况工作原理基本特性主要参数2不可控器件——电力二极管(Power Diode) 2.1结构与工作原理 电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的? PN节(PN junction):采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结? N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体? P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体? 正向电流IF :当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流? 反向截止状态:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过的状态? 反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN 结反向偏置为截止的工作状态?雪崩击穿齐纳击穿(可以恢复) 热击穿(不可恢复) P-i-N结构

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