模拟电子技术期末试卷5套及答案

模拟电子技术期末试卷5套及答案
模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1

2010.05

班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___

一.填空(25分)

(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量

一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组

成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频 特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为

un u u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数u A = un u u A A A (21)

(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波

和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)

(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ;

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈

(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性

(3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法

(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A )β (B ) β2 (C )2β D )1+β

(5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 (B ) ;

既能放大电流,又能放大电压的电路是 (C ) 。

(A )共基放大电路 (B ) 共集放大电路 (C ) 共射放大电路

(6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC > uB > uE 。

(A ) > (B ) < (C ) = (D )≤

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

(A ) 大 (B ) 小 (C ) 相等

(8)在正弦波振荡器中,放大器的主要作用是( )。

(A ) 保证振荡器满足振幅平衡条件,能持续输出振荡信号

(B )保证电路满足相位平衡条件

(C )把外界的影响减弱

(9)图1中能组成复合管的是 (C ) ,其类型是 (B ) 。(A 、PNP B 、NPN)

(10)甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比,主要优点是( )。

(A )输出功率大 (B )效率高 (C ) 交越失真小 (D )电路结构简单

三.判断题(每题2分,共30分)

(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( × )

(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( √ )

(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( × )

(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( √ )

(5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 ( √ )

(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( √ )

(7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。 ( × )

(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( √ )

(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( × )

(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( √ )

(11)稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点,有利于提高频率稳定度。( √ )

(12)只要工作点合适,晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。( × )

(13)同一放大电路,若要其增益增大,则其通频带宽度将减小。( √ )

(14)差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关,而与输入方式无关。( √ )

(15)为使输出电压稳定,稳压电源的输出电阻应愈大愈好。( × )

四.简答题(每题5分,共15分)

(1)简述放大电路的作用和本质。

答:放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。

其本质是一种换能器,它利用电子器件的控制作用,在输入信号的作用下,将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。

(2)三极管导通的内部和外部条件是什么?

答:内部导通条件:发射区浓度高,基区浓度低且薄,集电结面积大于发射结面积。

外部导通条件:发射结正偏,集电结反偏。

(3)理想集成运放的主要特点是什么?

答:1.开环差模电压放大倍数0→uo A ; 2.输入电阻→id R ∞; 3.输出电阻0→O R ;

4.带宽BW →∞;转换速率→R S ∞;

5.共模抑制比→CMR K ∞。

五.计算题(每题5分,共10分)

(1)在如图所示的电路中,三极管的β为50,设三极管的BE U =0.7V ,CC V +=+15V ,Ω=k R b 475,Ω=k R c 3求电路的静态工作点BQ I 、CQ I 、CEQ U 。

+V R CC

解:由电路可知,静态工作点A R U V I b BE CC BQ μ30475

7.015=-=-= 集电极电流mA I I BQ CQ 5.103.050=?==β

三极管C 、E 间静态管压降V R I V U C CQ CC CEQ 5.1035.115=?-=?-=

(2) 如图所示电路中,已知变压器次级电压 )V (sin 2352t u ω=,稳压管V 7的稳压值V 3.6Z =U ,晶体管均为硅管。

(1) 求整流二极管承受的最大反向电压;

(2) 说明电容C 的作用,并求U I 的大小;

(3) 求U O 的可调范围(求出最大值和最小值)。

解:

(1) V 5.4935222RM ≈?==U U

(2) 电容C 起滤波作用。

V 42352.12.12I =?==U U

(3) V 10V )7.03.6(2

.05.05.02.03.0)(BE Z 2P P 21Omin =+?+++=++++=U U R R R R R U V 35V )7.03.6(2

.05.02.03.0)(BE Z 2P 21Omax =+?++=+++=U U R R R R U 故输出电压U O 的可调范围为10V~35V 。

计算的最后结果数字:

(1)V 5.49RM ≈U

(2) V 42I =U

(3) U O 的可调范围为10V~35V

《模拟电子技术》期末考试试卷2

一、填空题:(20分,每空1分)

1、BJT是控制器件,FET是控制器件。

2、多极放大电路的耦合方式有、、。

3、二极管正向导通时,正向电流为5.2mA,则直流电阻为Ω,交流电阻为Ω。

4、差动放大电路两个输入端的电流分别是1.1v和1v,则共模信号是v,差模信号

为v。。

5、要获得低频信号,可选用振荡器;要获得高频信号可选用振荡器。

6、电流并联负反馈可以稳定放大电路的,并使其输入电阻。

7、影响放大电路通频带下限频率的是电容和电容。

8、理想运算放大器工作在线性区的条件是。

9、串联型反馈式稳压电路是由、、和等四部分构成。

二、选择题:(20分,每题2分)

1、PN结正向偏置时,其内电场被()。

A、削弱

B、增强

C、不变

D、不确定

2、三极管工作在放大状态的条件是()。

A、发射极正偏,集电极正偏

B、发射极正偏,集电极反偏

C、发射极反偏,集电极反偏

D、发射极反偏,集电极正偏

3、LC正弦波振荡电路的振荡频率为()。

A、f0=1/LC

B、f0=1/LC

C、f0=1/2πLC

D、f0=1/2

πLC

4、场效应管的工作原理是()。

A、输入电流控制输出电流

B、输入电流控制输出电压

C、输入电压控制输出电压

D、输入电压控制输出电流

5、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应采用()。

A、电压串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电流并联负反馈

6、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()。

A、反向偏置击穿状态

B、反向偏置未击穿状态

C、正向偏置导通状态

D、正向偏置未导通状态

7、某NPN型三极管的输出特性如图所示,当U ce=6V时。

其电流放大系数β为()。

A、β=100

B、β=50

C、β=150

最新模拟电路试卷及答案---副本

电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]

模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , b 。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是 a , b 。 3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V;若u i1=1500μV, u i2 =500μV,则差模输入电压u id 为μV,共模 输入信号u ic 为μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。 10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二.选择题 1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情 况为()。 A.β增加,I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小

C.β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5.差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大,表明电路() A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7.为了使运放工作于线性状态,应() A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是()。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9.振荡电路的振荡频率,通常是由()决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10.在串联型线性稳定电路中,比较放大环节放大的电压是() A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电工电子技术期末考试试题及答案汇总

成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表: 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数

C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。A.频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻(b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9.单稳态触发器的输出状态有(a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。

A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2.如图所示R-L串联电路,R=280Ω,R L=20Ω,L=1.65H,电源电压U=220V,电源频率为50H Z。(10分)

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

《电工电子技术基础》期末考试试卷答案 (1)

《电工电子技术》期末测验试卷 班级: 姓名: 得分: 一、填空题:(每题3分,共12题,合计 36 分) 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为 电路图 ,它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况,便于对电路进行 分析 和 计算 。 2、在实际应用中,按电路结构的不同分为 简单 电路和 复杂 电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化,然后运用 殴 姆 定 律 求解的电路为 简单电路;否则,就是复杂电路。 3、在直流电路的分析、计算中,基尔霍夫电流第一定律又称 节点电流 定律,它的数学表达式为 。假若注入节点A 的电流为5A 和-6A ,则流出节点的电流 I 出 = -1 A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是 电压 、 电流 、 电位 、 电动势 。 它们的代表符号分别是 I 、 U 、 V 和 E ; 5、在实际电路中,负载电阻往往不只一个,而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来,最基本的连接方式是 串联 、 并联 、 混联 。 6、描述磁场的四个主要物理量是: 磁通 、 磁感应强度 、 磁导率 和 磁场强度 ;它们的代表符号分别是 Φ 、 B 、 U 和 Η ; 7、电磁力F 的大小与导体中 电流I 的大小成正比,与导体在磁场中的有效 长度L 及导体所在位置的磁感应强度B 成正比,即表达式为: F = BIL ,其单位为: 牛顿 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压 、 交流电流 和 交流电动势 ,统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为 正弦交流电 。 9、 有效值(或最大值) 、 频率(或周期、角频率) 和 初相位 是表征正弦交流电的三个重要物理量,通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u =2202sin(314t+45°)V ,该电压最大值为 2202 V ,角频率为 314 rad/s,初相位为 45° 、频率是 50 Hz 周期是 0.02 s 。 11、我国生产和生活所用交流电(即市电)电压为 220 V 。其有效值为 220 V,最大值为 311.8 V ,工作频率f =__50 __Hz ,周期为T =___0.02___s ,其角速度ω=__314___rad/s ,在1秒钟内电流的方向变化是__50___次。 ∑∑=出入I I

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

理工学院-09级电工电子技术(二)期末考试A卷

理工学院-09级电工电子技术(二)期末考试A 卷 课程 电工电子技术基础 1.填空题,从括号中选择正确的答案,用A 、B 、C …填空。 (1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A 的输出电压比B 的小,这说明A 的________(A .输入电阻, B .输出电阻)比B 的_____(C .大, D .小)。 (2)阻容耦合放大电路的上限截止频率主要取决于____,下限截止频率取决于____。 (A .耦合电容, B .晶体管的极间电容, C .晶体管的非线性特性) (3)差动放大电路如图所示。设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。若Re 增大,则静态工作电流IC2 __,差模电压放大倍数 d u A __,共模电压放大倍数 c u A __。(答案:A .增大,B .减小,C .基 本不变)

V EE ( 12V) u 题目(3)的电路 图 题目(5)的电路图 (4)一个双端输入、双端输出差分放大电路,已知差模电压增益Aud =80dB ,当两边的输入电压为 uI1=1mV ,uI2=0.8mV 时,测得输出电压uO =2.09V 。该电路的共模抑制比KCMR 为 。 (答案:A .60dB ,B .40dB ,C .80 dB D .100 dB ) (5)电路如图所示,输入电压 i u 为正弦波,回答下列问题: (a )VT3和VT4、VT5和VT6两对复合管分别为 管和 型管?(答案:A .PNP ,B .NPN ) (b )当Vcc=35V 、RL=8W 、复合管饱和压降为4V 时,最大不失真输出功率约为 W 。 (答案:A .8,B .19,C .60 D .76) 2.试判断下列说法是否正确,正确的在括号中画“√”,不正确的画“×”。

电子技术基础期末试卷(A卷)

内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷(A卷) 班级姓名学号 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC 应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为() A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴() 2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降() 3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 4.稳压二极管工作在反向击穿区域() 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件() 图2

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

《电工电子技术》期末试卷及答案

《电工电子技术》期末考试卷专业年级姓名 一、单项选择题(每题4分,共40分) 1.任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是( ) A.一个理想电流源和一个电阻的并联电路 B.一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路 C.一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路 D.一个理想电压源和一个电阻的串联电路 2.图示电路中,所有输出功率的元件( ) A.仅有恒压源 B.仅有恒流源 C.有恒压源和恒流源 D.不能确定 3.某电路元件中,按关联方向电流) 10 i? - =A,两端电压t 2 90 sin( t 314 2 u=V,则此 220 314 sin 元件的无功功率Q为( ) A.-4400W B.-2200var C.2200var D.4400W 4.在负载为三角形连接的对称三相电路中,各线电流与相电流的关系是( ) A.大小、相位都相等 B.大小相等、线电流超前相应的相电流? 90 C.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流超前相应的相电流? 30 D.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流滞后相应的相电流? 30 5.在电路中用来对电气设备进行短路保护的电器是( ) A.交流接触器 B.热继电器 C.中间继电器 D.熔断器 6.制造普通变压器铁心的磁性材料是( ) A.碳钢 B.硅钢片 C.铝镍钴合金 D.硬磁铁氧体 7.通常用于扩大交流电流表测量量程的电流互感器,其副绕组的额定电流规定为( ) A.0.5A或2A B.1A或5A C.2A或10A D.3A或15A 8.一台三相异步电动机的磁极对数p=2,电源频率为50Hz,电动机转速n=1440r/min,其转差 率s为( ) A.1% B.2% C.3% D.4% 9.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L增大时,电压放大倍数将( ) A.减少 B.增大 C.保持不变 D.大小不变,符号改变 10.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压 U CC时,则该管工作状态为( ) A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定 二、图示对称三相电路中,R AB=R BC=R CA=100Ω,电源线电压为380V,求:(1)电压表和电流 表的读数是多少?(2)三相负载消耗的功率P是多少?(20分)

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电工电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1,全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0,全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1,相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中,电流、电压随时间按正弦规律变化的,称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V,则此电压的最大值为 311V ,频率为 50HZ ,初相位为 0 。 16、在如图所示的电路,已知I1 = 1A,I2 = 3A ,I5 =4.5A,则I3 = 4 A,

I4 = 0.5 A,则I6 = 3.5 A。 17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极,发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二极管类似,但其输出特性 较为复杂,可分为放大区外,还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1、如图所示电路中,电压表的内阻Rv为20KΩ,则电压表的指示为( B )。 20KΩ 20KΩ A.5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的 相位关系是( D )。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是( C )。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中,若电阻从2Ω变到10Ω,则电流i( C )。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定

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