TLP185全新原装东芝光藕

恒信宇电子仪表电器元件器材配套：集成电路IC、二三极管、光电藕合器、可控硅、LED电源驱动IC……

TLP181可一采用TLP185进行替代

由于使用了S06封装，TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄，而且能在高温

下正常工作(Ta = 110度最大值)。

TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。能轻易用这些产品代替现在的这些型号，因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。而且，由于更轻薄，这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米，降低到2.3毫米。

因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米，而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。所以这些产品的最大允许操作隔离电压为707 Vpk，EN60747-5-2中已明确规定过。所以，TLP184 和TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781，TLP785等)。而且，这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米，而且属于加强绝缘种类，符合国外安全标准。

因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准，所以他们非常适合AC 适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。

TLP785/TLP781代替TLP521/TLP421/TLP621

TLP785/TLP781是东芝TOSHIBA研发的TLP521/TLP421/TLP621升级版，并将逐步取代TLP521/TLP421/TLP621的生产。

恒信宇Emal:jsong820@https://www.360docs.net/doc/4712927898.html,

单片机光耦继电器驱动电路

单片机光耦继电器驱动电路大部分电路转载于网络用PNP 管驱动继电器电路分析与验证：元件参数三极管：9012 继电器：DC12V ，66.7mA ，180Ω。电路一：不好有不少的设计采用这样的电路来驱动继电器，样能合理的，经过细致分析后会发现Q1根本就不能完全饱合的。估且我们不算R 的阻值为多大，假设我们现在使Q 1基最大，取R 1=0；压为0时，Q 1e b 极的电压为0.7样e c 极电压也为0.7V ，而9012的管子在e c 极电压应为0.2V 。很显然该管工作在非完全饱合状态；继电器上最也只能获得 11.3V 的电压。要想管子完全饱合，基要足够大，那么基极需要电压为-0.7V 以下。 1

电路二：好端电压为0时Q 1基极电压为（12-0.7=11.3V ）,改变R 1 的大小便可改变基，当基足够大时，三极管饱合。为了验证以上的分析，我们搭了一个电路，R1取 4 .7K ，此时基为2.4ma ，测得Q1ec 电压为0.2V,继电器两端电压为11.8V 。注意：R1 的取值不能太小，要保证基在合，这个可以通过电压和电阻算出来。第一种电路能工作因为继电器有较宽的电用这种方式。正确的电路电路二，正确的连接方式，大小合适的基极电阻才能保证设计的合理和稳定性。最后注明一下，本次实验采用的12V 继电器，因此该电路的控上一样。 2

24V 继电器的驱动电路 V 5V 。继电器串联RC 电路：这种形式主要应用于继电器的额定工作电压低电压的电路中。当电路闭合时，继电器线圈由于自感现象会产生电动势阻碍线圈的增大，从而延长了吸合时。电路闭合，电容C 两端电压不能突变可视为短路，这样就将比继电器线圈额定工作电压高电压加到线圈上，从而加快了线圈增吸合稳定之后电容C 不起作用，电阻R 作用。基极和发射极的电阻的：在没有正电压下，保证基极的电压为零止三极管的受外部的干为了保证可靠性。具体的阻值的大小倒不绝对10K 、100K 都可以的起到下拉的作用非常很小的。此继电器驱动电路已经验证通过，开和关状态良好，实际应用中最好把5V 、24V 两电源的地分开，再配合光藕实现真正的隔离效果。但由于项目要求，继电器的不上，已经取消次此切换方案。此驱动大家可以参考下用在实际的设计中。

单片机系统硬件电路抗干扰常用方法

单片机系统硬件电路抗干扰常用方法实践影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰，并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这些都构成单片机系统的干扰因素，常会导致单片机系统运行失常，轻则影响产品质量和产量，重则会导致事故，造成重大经济损失。形成干扰的基本要素有三个：（1）干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语言描述如下：du/dt， di/dt 大的地方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。（2）传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。（3）敏感器件。指容易被干扰的对象。如：A/D、D/A变换器，单片机，数字IC，弱信号放大器等。干扰的分类 1 干扰的分类干扰的分类有好多种，通常可以按照噪声产生的原因、传导方式、波形特性等等进行不同的分类。按产生的原因分：可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。按传导方式分：可分为共模噪声和串模噪声。按波形分：可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲序列等等。 2 干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道才对测控系统产生作用的。因此，我有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。干扰的耦合方式，无非是通过导线、空间、公共线等等，细分下来，主要有以下几种：（1）直接耦合：这是最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵入系统。对于这种形式，最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。（2）公共阻抗耦合：这也是常见的耦合方式，这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。为了防止这种耦合，通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。（3）电容耦合：又称电场耦合或静电耦合。是由于分布电容的存在而产生的耦合。（4）电磁感应耦合：又称磁场耦合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。（5）漏电耦合：这种耦合是纯电阻性的，在绝缘不好时就会发生。常用硬件抗干扰技术针对形成干扰的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段。 1 抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。

单片机控制继电器光耦实际应用

有源光耦固态继电器有源光耦固态继电器是一种控制端不需加电信号的固态继电器产品介绍有源光耦固态继电器是一种控制端不需加电信号的固态继电器，它由无触点功率可控硅，电源平衡功耗驱动部件（驱动功率<50微瓦>）等组成。本产品性能优良、结构精巧。可广泛应用于石油、化工、矿井、消防、船舶、医疗、家电、电力及军事等易燃易爆、潮湿及需电气安全隔离等场所。用于本质安全型防爆电气系统，耐潮耐腐蚀电气系统及电气安全隔离等电气系统中，作电气控制、负载控制及温度控制及安全隔离开关用，可达到简化系统结构，保障和提高系统安全的目标。产品经国家级仪器仪表防爆安全监督检查站鉴定合格。防爆合格证号GYBO1249。主要技术参数 BJ-40-1单相（220V）、BJ-40-2三相（380V）。负载电流（A）20 尺寸、单相——长、宽、高（95×52×39 ）三相——100×94×39 防爆标志： Exm（ia）II CT4 产品特点： 1、输入端不需外加电信号直接采用电气隔离微功率耗驱动开关（驱动功率小于50微瓦）及其它开关元件可控硅输出大功率负载。因此可简化电路系统设计使用简便。 2、输入端具有极低的工作电压和电流，因此安全性能好，可用于特殊场合。 3、具有极高的控制灵敏度及功率增益（>500db）。 4、由于有源光耦固态继电器采用可控硅，集成模块，无触电功率开关，因此寿命长、噪音低、工作可靠。单片机通过光耦控制继电器，单片机与继电器分开供电，是否将地也分开？悬赏分：100 | 解决时间：2009-6-11 23:04 | 提问者：TINY_24 单片机通过光耦控制继电器，

继电器单独供电去控制电磁阀。是否将单片机电源的地线与继电器供电电源的地线要分开？电磁阀对单片机的电源有干扰，电磁阀工作是否有磁场干扰？主要是电源的干扰吗？？最佳答案如果是隔离的话，那么两者的地需要隔离，也即各自的地是独立的，如果共地了，那么就失去了光耦隔离的意义，也就是说，只地是相连的，那么不需要用光耦了，直接用三极管驱动继电器即可。继电器继开时，电磁阀将产生较大的电磁干扰，这可以在单片机的电源引脚及继电器的供电引脚串接电感或在穿心电感能有效抑制干扰，对小功率电磁阀不需要光耦隔离，如果电磁阀的功率大的话，如500W以上，那么需要考虑用光耦隔离，同时要注意各线的走向，并串电感或穿心磁珠。单片机控制继电器为什么需要先接一个光耦？哪位高手能具体解释下，谢谢悬赏分：15 | 解决时间：2009-5-13 16:35 | 提问者：slguangguang 最佳答案光耦是用来隔离的。就是说用光耦后，单片机的电路信号与光耦另一边的信号可以完全隔离。好处：继电器在开关过程产生的高压不会影响单片机，一般用在控制高压的电路或者继电器电感比较大的情况下。 1楼主贴：单片机控制继电器/光耦实际应用（本博原创）[精华]文章发表于：2010-07-22 15:36 注：此程序是本博原创程序，不过之前已经在一些技术论坛上提前上映了。以下程序和电路是在菁远科技JY-100B单片机开发板上试验的。此开发板详细信息将会在本博详细登出。欢迎大家咨询，咨询QQ：1462382752 （此开发板功能强大，价格低廉） JY-100B 51/AVR开发板包括AD、DA、继电器、光耦/、电机、18B20等常用接口，具体可以登陆淘宝店铺查看继电器原理及实验程序作者：张工

光耦继电器是什么

光耦继电器是什么光耦继电器是什么光耦继电器是固态继电器的一种。英文是Solid State Optronics Relay。一般继电器都是机械触点，靠通电流过线圈变成有磁性的磁铁吸合触点，从而控制开光状态。而光耦继电器工作原理类似于光耦(其实看等效电路图是一样的)。光耦继电器的专业术语： Form A=常开触点 Form B=常闭触点 Form C=转换触点 Form E=双稳态开关 AT=安培匝数用于描述磁场灵敏度的参数 NC是常闭触点normal close NO是常开触点normal open 光耦继电器（MOS输出）特点：无触点，因此没有触点的磨损，使用寿命是无限的；无震动和弹跳；防震，抗摔性；无动作声音；小体积（有直插和贴片两种封装），高信赖性；>AC/DC兼用；高速切换；低放电电压；低动作电流（省电流）；低开路时的漏电电流；输入与输出间完全绝缘。可控制各种负载（继电器、电灯、发光二极管、加热器、马达、电磁吸筒等）。以上说明光耦继电器不像其他继电器，如电磁继电器那样。电磁继电器是有使用寿命的，DataSheet上通常称为Expected Mechanical Life(预估机械寿命)和Expected Electrical Life at Rated Load(预估负载寿命)，机械寿命一般在107或108 次，而负载寿命一般在105 次。光耦继电器是没有寿命的，发光二极管导通截止，接收二极管导通截止，不会因为老化而坏掉。因此光耦继电器适用于反复需要开关的领域。光耦继电器还有一个优点就是没响声，不会咔嚓咔嚓响。光耦继电器按输出结构也可以分为MOS(场效应管)输出或SCR(可控硅整流管)输出。MOS 输出的负载电流比较小(通常几百mA)，而如果是SCR输出的负载电流比较大(能达到几A)。

TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用

TLP112A 东芝小型扁平耦合器TLP112A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP112A包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。 TLP112A（P112A）特性 ?隔离电压：2500Vrms（最小） ?转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ） ?兼容TTL ?UL 认证：UL1577,file no.E67349 TLP112A（P112A）应用 ?晶体管逆变器 ?数字逻辑隔离 ?线路接收器 ?电源控制，反馈控制 ?开关式电源 TLP113A 概述：东芝小型扁平耦合器TLP113是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP113（包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速单片光探测器。探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出。 TLP113A 特性： ?输入电流阀值：IF=10mA（最大） ?转换速度：10MBd（典型值） ?兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V ?性能保证温度范围：0～70℃ ?隔离电压：2500Vrms（最小） ?UL 认证：UL1577 file no.E67349 TLP113A 应用： ?隔离线路接收器 ?单/多路数据传输 ?计算机外设接口 ?微处理器系统接口 ?A/D,D/A转换数字隔离 TLP114A 东芝小型扁平耦合器TLP114A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。 TLP114A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。 TLP114A 特性 ?隔离电压：3750Vrms（最小） ?转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ） ?兼容TTL UL ?认证：UL1577,file no.E67349

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持 IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 ---------------------------------------------------------------------------------------- 常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有： TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线

光电继电器控制

课程设计说明书单片机原理与接口技术专业电气工程及其自动化学生姓名宋丰宇班级 B 电建101 学号 1010602108 指导教师吴冬春完成日期 2014年1月17日

前言单片机已经渗透到生活的各个领域,它是很难找到哪些领域没有单片机的痕迹。导弹的导航装置,在飞机上控制各种仪器,计算机网络通信和数据传输,工业自动化过程的实时控制和数据处理。该微控制器被广泛用于在该领域的智能管理和过程控制,仪器仪表,家电产品,医疗设备,航空航天,专门的设备。近年来,随着电子信息产业的快速发展,作为继电器的基本组成部分,广泛应用于家电,通讯，汽车,仪器仪表,机械设备,航空航天自动化和控制领域。最近的统计数据显示,继电器已经成为第一大产品在电子元件产品之中。单片机控制继电器的电路在生活中随处可见,小的元件但是作用无穷。继电器是当输入量（如电压、电流、温度等）达到规定值时，使被控制的输出电路导通或断开的电器。它可分为电气量（如电流、电压、频率、功率等）继电器及非电气量（如温度、压力、速度等）继电器两大类。继电器具有动作快、工作稳定、使用寿命长、体积小等优点。广泛应用于电力保护、自动化、运动、遥控、测量和通信等装置中。继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。本设计基于单片机AT89C51所设计，通过P1口输出高低电平，控制几点起的开合，以实现对外部的控制。

目录一理论部分 (3) 1课题要求与内容 (3) 2 系统方案设计 (3) 3 系统硬件的设计 (4) 4 系统软件设计 (9) 二实践部分 (10) 1 系统硬件原理简介 (10) 2 系统硬件调试中出现的问题及解决措施 (10) 3 系统软件 (11) 3.1 软件设计 (11) 3.2软件调试中出现的问题及解决措施 (12) 三结束语 (12) 四参考文献 (12) 五附录 (13) 1参考程序清单 (13) 2元器件清单 (14) 3系统仿真图 (14)

基于51单片机的调光控制器设计

基于51单片机的调光控制器设计 1 调光控制器设计在日常生活中，我们常常需要对灯光的亮度进行调节。本调光控制器通过单片机控制双向可控硅的导通来实现白炽灯(纯阻负载)亮度的调整。双向可控硅的特点是导通后即使触发信号去掉，它仍将保持导通；当负载电流为零(交流电压过零点)时，它会自动关断。所以需要在交流电的每个半波期间都要送出触发信号，触发信号的送出时间就决定了灯泡的亮度。调光的实现方式就是在过零点后一段时间才触发双向可控硅开关导通，这段时间越长，可控硅导通的时间越短，灯的亮度就越低；反之，灯就越亮。这就要求要提取出交流电压的过零点，并以此为基础，确定触发信号的送出时间，达到调光的目的。 1．1 硬件部分本调光控制器的框图如下：控制部分：为了便于灵活设计，选择可多次写入的可编程器件，这里选用的是ATMEL的AT89C51单片机。驱动部分：由于要驱动的是交流，所以可以用继电器或光耦+可控硅(晶闸管SCR)来驱动。继电器由于是机械动作，响应速度慢，不能满足其需要。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性高。所以这里选用的是可控硅。负载部分：本电路只能控制白炽灯(纯阻负载)的亮度。 1．2 软件部分要控制的对象是50Hz的正弦交流电，通过光耦取出其过零点的信号(同步信号)，将这个信号送至单片机的外中断，单片机每接收到这个同步信号后启动一个延时程序，延时的具体时间由按键来改变。当延时结束时，单片机产生触发信号，通过它让可控硅导通，电流经过可控硅流过白炽灯，使灯发光。延时越长，亮的时间就越短，灯的亮度越暗(并不会有闪烁的感觉，因为重复的频率为100Hz，且人的视觉有暂留效应)。由于延时的长短是由按键决定的，所以实际上就是按键控制了光的强弱。理论上讲，延时时间应该可以是0～10ms内的任意值。在程序中，将一个周期均分成N 等份，每次按键只需要去改变其等份数，在这里，N越大越好，但由于受到单片机本身的限制和基于实际必要性的考虑，只需要分成大约100份左右即可，实际采用的值是95。可控硅的触发脉冲宽度要根据具体的光耦结合示波器观察而定，在本设计中取20 μs。程序中使用T1来控制这个时间。对两个调光按键的处理有两种方式：一种是每次按键，无论时间的长短，都只调整一个台阶(亮或暗)；另一种是随按键时间的不同，调整方法不同：短按只调整一个台阶，长按可以连续调整。如前面所述，由于本设计中的台阶数为95(N=95)，如果使用前一种方式，操作太麻烦，所以用后者较为合理。 2 各单元电路及说明 2．1 交流电压过零点信号提取交流电压过零点信号提取电路，图中的同步信号就是我们需要的交流电压过零点信号。各部分波形。

tlp521驱动_应用电路_光耦参数

High Isolation V oltage (5.3kV RMS ,7.5kV PK ) High BV CEO ( 55Vmin ) TLP521GB, TLP521-2GB, TLP521-4GB, TLP521, TLP521-2, TLP521-4 TLP521XGB, TLP521-2XGB, TLP521-4XGB TLP521X, TLP521-2X, TLP521-4X HIGH DENSITY MOUNTING PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS APPROVALS ● UL recognised, File No. E91231 TLP521 2.54 Dimensions in mm 'X'SPECIFICATIONAPPROVALS ● VDE 0884 in 3 available lead form : - - STD - G form 1.2 7.0 6.0 1 2 4 3 - SMD approved to CECC 00802 ● BSI approved - Certificate No. 8001 5.08 4.08 4.0 3.0 7.62 DESCRIPTION 0.5 13° Max The TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages. 3.0 TLP521-2 0.5 2.54 3.35 0.26 1 8 2 7 FEATURES ● Options :- 7.0 6.0 3 4 6 5 10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. ● High Current Transfer Ratio ( 50% min) ● ● ● All electrical parameters 100% tested ● Custom electrical selections available APPLICATIONS ● Computer terminals 1.2 3.0 TLP521-4 10.16 9.16 0.5 4.0 3.0 3.35 0.5 7.62 0.26 1 2 13° Max 16 15 ● Industrial systems controllers 3 14 ● Measuring instruments ● Signal transmission between systems of different potentials and impedances 2.54 7.0 4 13 5 12 6 11 OPTION SM SURFACE MOUNT OPTION G 7.62 1.2 6.0 7 8 10 9 20.32 19.32 4.0 3.0 7.62 0.6 0.1 1.25 0.75 10.46 9.86 0.26 10.16 0.5 3.35 0.5 0.26 13° Max 7/

(完整word版)光耦原理介绍

光电耦合器 TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图 Characteristic 参数 Symbol 符号 Rating 数值Unit 单位 TLP521?1 TLP521?2 TLP521?4 LED Forward current 正向电流IF 70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃?0.93(Ta≥50℃)?0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj 125 ℃ 接收侧 Collector?emitter voltage 集电极发射极电压 VCEO 55 V Emitter?collector voltage 发射极集电VECO 7 V

光耦隔离(驱动)电路-v1.0..

光耦隔离（驱动）电路（V1.0）一、本文件的内容及适用范围本文详细分析了非线性光耦的结构、重要参数，并以此为依据讲解了光耦的应用设计原则及隔离（驱动）电路的设计步骤与方法，最后对单片集成数字隔离器做了简单介绍。适用于作为艾诺公司开发工程师新项目硬件开发过程、产品设计修改过程、产品问题分析过程、工程师培训的指导性模块与参考文件。本文中的“光耦”指非线性光耦。本文中的过程与方法不能完全应用于线性光耦。二、光耦光电耦合器optical coupler/optocoupler,简称光耦。是设计上输入与输出之间用来电气隔离并消除干扰的器件。因线性光耦特有其特点及设计方法，本文在此仅单独讨论在公司产品上广泛应用非线性光耦。 2.1 光耦在公司仪表上的主要应用根据光耦的类型在公司仪表上主要有以下几个方面的应用： 1、数字信号隔离：非线性光耦，如6N137对高速数字信号如SPI、UART等接口的隔离。 2、模拟信号隔离传递：线性光耦。隔离&驱动：普通输出型，如TLP521对IO信号的隔离；达林顿输出型主要用于需要大驱动电流的场合，如继电器的驱动和隔离。 2.2 公司主要应用的主要非线性光耦类别、型号及参数特点主要类别： 1、通用型：TLP521、PC817等。 2、数字逻辑输出型（高速、带输出控制脚）：6N137及其变种HCPL06系列等。 3、达林顿输出型：4N30、4N33等。 4、推挽输出型（MOS、IGBT驱动专用）：TLP250、HCPL316等艾诺公司截止到2010年12月常用光耦型号统计及分类见表格《艾诺光耦201012.XLS》。 2.4 光耦基础知识 1、光耦结构及原理示意光耦的主要构成部分：LED（电->光）、光电管（光->电）、电流放大（Hfe）部分。

TLP521光耦合详解

TLP521-4四路光耦合一、简介 TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。二、引脚图 T LP521－2提供两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供4个孤立的光耦中16引脚三、原理分析 1脚：正极 2脚：负极 3脚：发射极 4脚：集电极一般系统中如上图图进行光耦设计（只标明一组，其余组均按此设计）。

光耦的输入端是一个发光二极管，加电阻是为了限制电流，不加电阻容易烧毁。加二极管（IN4148）主要为了保护光耦。四、输入输出介绍左图为上拉电阻，此时光敏三极管构成反相放大器，即当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其集电极电流Ic=0，集电极输出TD5=VCC - Ic*R2=VCC- 0*R5=VCC，此时输出TD5为高电平（VCC）。当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2的电压降VR5=VCC，故使其集电极对地电压=0V，此时输出TD5为低电平（≈0V）。右图为下拉电阻，即：光敏三极管的集电极接VCC，而发射极接电阻R2，R2下端接地，即构成射极跟随器形式，由发射机输出。此时输出相位与上1、2相反，即：当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其发射极电流Ie=0，故发射极对地输出电压=0V。当有输入信号时，发光

光耦MOC3041的接法例子

“MOC3041”的应用图2是用双向可控硅的云台控制单路电路图。图中的光耦MOC3041是用来隔离可控硅上的交流高压和直流低压控制信号的。其输出用来触发双向可控硅，选用ST Microelectronics公司的T4系列，部集成有缓冲续流电路，不用在双向可控硅两端并联RC吸收电路，可以直接触发，电路设计比较简单。 P1.0通过可控硅、交流接触器、过流保护器和断相保护器控制电机，图中仅给出带过零触发的双向晶闸管触发电路。MOC3041为光耦合双向可控硅驱动器，输入端驱动电流为15mA，适用于220V交流电路。 1、MOC3041的工作电流仅十余个毫安，直接驱动20瓦的功率非常勉强，不敢保证长时间工作不会烧坏，应该让3041驱动97A6的可控硅，再用可控硅驱动电磁阀。 2、实践证明，51单片机驱动PNP管的时候，在工作条件接近临界点的时候，会出现关不断的现象，其原因在于：（1）端口的高电平并不是严格的Vcc电压，而是比Vcc略低，这种略低的电压足以形成给Q1一个很小的偏置电压Vbe，虽然该电压远小于0.7V，但经过三极管放大后，却能够造成Q1集电极有极小的电流存在，尽管该电流不足以导致LED发出用肉眼能

看到的亮光，但是在密封的光耦合器，却能够导致光耦合区工作；（2）PNP管要比NPN极管有更大的穿透电流，即：在基极B完全断开的情况下，集电极仍然有极小的电流存在。综合以上两点，该电路的设计是存在缺欠的，改进方法如下： 1、MOC3041与气阀之间加入一个可控硅（必须） 2、建议改用NPN管驱动，如果必须要用PNP管，就应该在B和E之间接一个10K左右的电阻；或者在发射极串入一个二极管，以起到钳位作用，即保证PNP管能可*关断；或者干脆将耦合器的1和2脚改接在发射极，并让集电极通过电阻接地。 1、不推荐用3041直接驱动电磁阀，加一个可控硅非常有必要。 2、用单片机直接驱动3041是可以的。 3、用2K电阻能可*驱动，因为部的光耦合几乎是100%的耦合，只要微弱发光即可。例2 交流接触器C 由双向晶闸管KS 驱动。光电耦合器MOC3041 的作用是触发双向晶闸管KS 以及隔离单片机系统和接触器系统。MOC3041 的输入端接7407，由单片机的P_1.1端控制。P_1.1输出低电平时，KS导通，接触器C吸合。P_1.1输出高电平时，KS关断，接触器C释放。MOC3041部带有过零控制电路，因此KS 工作在过零触发方式。例3 单片机处理完数据后，发出控制信号控制外电路工作，开关型驱动接口中单片机控制输出的信号是开关量，有发光二极管驱动接口，光电耦合器驱动接口，液晶显示器驱动接口，晶闸管输出型驱动接口和继电器型驱动接口。控制扬声器采用的是晶闸管输出型光电耦合驱动接口。电路如图2 所示。晶闸管输出型光电耦合器的输出端是光敏晶闸管。当光电耦合器的输入端有一定的电流流入时，晶闸管导通。采用4N 40单相晶闸管输出型光电耦合器，当输入端有15-30mA的电流时输出端的晶闸管导通。输出端的额定电压为400V ,额定电流有效值为300mA。4N 40的6脚是输出晶闸管的控制端，不使用此端时，可对阴极接一电阻。所以，当8031的P1.0为低电平时，二极管导通，发光，触发晶闸管使其导通，扬声器报警。自动通车接口电路设计图2 光电耦合器驱动接口电路 8031与自动停车电路间用的是交流电磁式接触器的功率接口。具体电路如图3 所示。

光耦选型经典指南

光耦选型经典指南 1.0.目的：针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。 2.0.适用范围：本指导书适用于瑞谷光偶的设计，选型，替代等。 3.0.说明：目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。 4.0.内部结构图及CTR 的计算方法： ●规格定义CTR：Ice/I F*100% (检测条件：I F =5 ma Vce=5V, 2701，2801系列) 5.0.光偶主要特性分析，设计选型替代要求: 5.1外观尺寸：设计，选型，替代注意： ●封装正确，本体MARK字迹要清晰，品牌正确，与技术规格书一致； ●替代时，如都为标准件封装，基本上装配没有问题，但需注意厚度是否与原料相同，是否满足整机的工艺要求。 5.2不同输入控制电流I F，CTR 值不同；

●由图表显示，IF在5-15ma时CTR值最大；在小于5mA时(目前我们产品设计大多如此)，CTR值一般小于正常额定规格值； ●附加Cosmo KPS2801-B 实测数据： J16(2009年第16周生产)的光耦在室温下的CTR I F（VCE=5V）#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 1mA 88.3% 90.48% 90.57% 86.56% 87.1% 85.12% 87..39% 2mA 133% 130% 130% 125% 135% 122% 126% 3mA 150% 154% 154% 147% 151% 139% 150% 5mA 177% 187% 183% 177% 178% 170% 177% J25(2009年第25周生产)的光耦在室温下的CTR I F（VCE=5V）#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 1mA 69.24% 78.61% 66.68% 66.41% 65.7% 75.5% 79.0% 2mA 97% 105% 110% 104% 101% 122% 126% 3mA 121% 121% 131% 132% 129% 151% 151% 5mA 166% 147% 174% 174% 173% 210% 196% ●评注：IF不同，CTR不同，且差异非常大；不同DATECODE的也有差异，但在IF=5ma时， CTR值都在规格（130-260）范围内； ●设计，选型，替代注意：设计时工作电流应接近来料的检测电流值（目前大多 IF=5ma）,否则应用的CTR值无法保证，产品动态性能将很差； 5.3不同环境温度，CTR 值不同；

光耦MOC3041的接法例子

“MOC3041”的应用图2是用双向可控硅的云台控制单路电路图。图中的光耦MOC3041是用来隔离可控硅上的交流高压和直流低压控制信号的。其输出用来触发双向可控硅，选用ST Microelectronics公司的T4系列，内部集成有缓冲续流电路，不用在双向可控硅两端并联RC吸收电路，可以直接触发，电路设计比较简单。 P1.0通过可控硅、交流接触器、过流保护器和断相保护器控制电机，图中仅给出带过零触发的双向晶闸管触发电路。MOC3041为光耦合双向可控硅驱动器，输入端驱动电流为15mA，适用于220V交流电路。

1、MOC3041的工作电流仅十余个毫安，直接驱动20瓦的功率非常勉强，不敢保证长时间工作不会烧坏，应该让3041驱动97A6的可控硅，再用可控硅驱动电磁阀。 2、实践证明，51单片机驱动PNP管的时候，在工作条件接近临界点的时候，会出现关不断的现象，其原因在于：（1）端口的高电平并不是严格的Vcc电压，而是比Vcc略低，这种略低的电压足以形成给Q1一个很小的偏置电压Vbe，虽然该电压远小于0.7V，但经过三极管放大后，却能够造成Q1集电极有极小的电流存在，尽管该电流不足以导致LED发出用肉眼能看到的亮光，但是在密封的光耦合器内，却能够导致光耦

合区工作；（2）PNP管要比NPN极管有更大的穿透电流，即：在基极B完全断开的情况下，集电极仍然有极小的电流存在。综合以上两点，该电路的设计是存在缺欠的，改进方法如下： 1、MOC3041与气阀之间加入一个可控硅（必须） 2、建议改用NPN管驱动，如果必须要用PNP 管，就应该在B和E之间接一个10K左右的电阻；或者在发射极串入一个二极管，以起到钳位作用，即保证PNP管能可*关断；或者干脆将耦合器的1和2脚改接在发射极，并让集电极通过电阻接地。 1、不推荐用3041直接驱动电磁阀，加一个可控硅非常有必要。 2、用单片机直接驱动3041是可以的。 3、用2K电阻能可*驱动，因为内部的光耦合几乎是100%的耦合，只要微弱发光即可。例2 交流接触器C 由双向晶闸管KS 驱动。光电耦合器MOC3041 的作用是触发双向晶闸管

ADuM磁耦与6N137光耦隔离比较

ADuM磁耦与6N137光耦隔离比较 (2011-02-27 23:13:55) 转载▼ 分类：电路设计常识标签： it 杂谈 ADuM磁耦与6N137光耦隔离比较技术分类：模拟设计 | 2009-04-01 作者：jerrymiao: EDN China EDN博客精华文章作者：jerrymiao 为了更进一步形象的说明ADuM磁耦与常用高速光耦6N136与6N137的实际使用效果，我们分别以光耦6N137（东芝）和磁耦ADuM1201为代表，来进行实际的比较。 1、封装：6N137是DIP-8的封装，而ADuM1201是SOP-8的封装。从两者的实际测量体积我们也可以看出6N137是9.66mm*6.4mm(平均)，而ADuM1201是5.00mm*6.2mm(最大)。前者在PCB面积上是后者的两倍。 2、通道分布：6N137是单通道隔离，而ADuM1201是双通道隔离，且通道方向分布是一收一发。从这个方面讲ADuM1201可以节省75%以上的PCB面积。 3、工作电压：两者均为5V供电，6N137需20mA，而ADuM1201仅需0.8mA/通道。所以ADuM1201功耗仅为其1/10. 4、速率：6N137的最大传输速率是10MBPS，ADuM1201的速率可分1M、10M、25M三个级别。 5、工作温度范围：6N137为0℃to+70℃，ADuM1201是?40°C to +105°C. 6、传输延迟时间：6N137是75nS. ADuM1201则是30nS. 7、隔离电压：两者均为2500V.（ADuM2201是5000V）. 8、典型电路：6N137是电流型器件，其输入的高压电流一般在15mA左右，使用时要注意输入电流满足其要求，因为里面有发光二极管，输入电流不同，发光二极管的光强就不同，这直接影响到信号的输出，另外输出要接上拉电阻，电阻的选择应根据输出电流的要求进行计算，（据I=V/R），输出信号的延迟和上升/下降时间会根据上拉电阻而不同，应仔细计算。所以6N137需要三极管与电阻等分立元件共同使用，来完其功能。ADuM1201是电压型器件，只要保证输出信号在其电压范围之内（2.7V--5.5V），电流不用去管。所以ADuM1201除两个通用的旁路电容外，无需分立元件配合就可工作。

继电器驱动电路中的二极管保护电路

1、继电器线圈没有安装续流二极管。 2、继电器触点没有安装RC消火花电路。 3、三极管的基极对地要有一个下拉电阻，防止误动。 4、三极管与单片机连接之间应采用光耦进行隔离，继电器供电的12V与单片机5V要不共地。继电器内部具有线圈的结构，所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势，会击穿继电器的驱动三极管，为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路，以保护继电器驱动管。图11-61所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路，电路中的K l是继电器，VD1是驱动管VT1的保护二极管，Rl和Cl构成继电器内部开关触点的消火花电路。

1．电路分析继电器内部有一组线圈，图11-62所示是等效电路。在继电器断电前，流过继电器线圈Ll的电流方向为从上而下，在断电后线圈产生反向电动势阻碍这一电流变化，即产生一个从上而下流过的电流，如图中虚线所示。根据前面介绍的线圈两端反向电动势判别方法可知，反向电动势在线圈Ll上的极性为下正上负。 (1)正常通电情况下电路分析。直流电压+V加到VD1负极，VD1处于截止状态，VD1内阻相当大，所以二极管在电路中不起任何作用，也不影响其他电路工作。 (2)电路断电瞬间电路分析。继电器Kl两端产生下正上负、幅度很

大的反向电动势，这一反向电动势正极加在二极管正极上，负极加在二极管负极上，使二橛管处于正向导通状态，反向电动势产生的电流通过内阻很小的二极管VD1构成回路。二极管导通后的管压降很小，这样继电器Kl两端的反向电动势幅度被大大减小，达到保护驱动管VT1的目的。 2．故障检测方法对于这一电路中的保护二极管不能采用测量二极管两端直流电压降的方法来判断检测故障，也不能采用在路测量二极管正向和反向电阻的方法，因为这一二极管两端并联着继电器线圈，这一线圈的直流电阻很小，所以无法通过测量电压降的方法来判断二极管质量。应该采用代替检查的方法。 3．二极管过压保护电路图11-63所示是视放输出管保护电路。电路中，VD1和VD2是保护二极管。在正常情况下，显像管的阴极电压不是很高，二极管VD 2处于反向偏置，VD2截止，对电路无影响。当因为显像管打火而使阴极电压升高到一定程度时，VD2的正极电压大于负极电压，VD2导通。VD2导通后，打火电压通过VD2对

光耦TLP621-4_en_wm_20071001

TOSHIBA 11?5B2 Weight: 0.26 g (typ.) TOSHIBA 11?10C4 Weight: 0.54 g (typ.) TOSHIBA 11?20A3 Weight: 1.1 g (typ.)

(Note 1) Device considered a two terminal: LED side pins shorted together, and detector side pins shorted together. Recommended Operating Conditions Characteristic Symbol Min.Typ.Max. Unit Supply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F ― 16 20 mA Collector current I C ― 1 10 mA Operating temperature T opr ?25 ― 85 °C Note: Recommended operating conditions are given as a design guideline to obtain expected performance of the device. Additionally, each item is an independent guideline respectively. In developing designs using this product, please confirm specified characteristics shown in this document.