电力电子技术复习要点

电力电子技术复习要点
电力电子技术复习要点

复习要点

基本概念:

电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。

电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术,就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

信息电子技术主要用于信息处理,而电力电子技术主要用于电力变换。

电力包括交流和直流两种。从公用电网直接得到的是交流,从蓄电池和干电池得到的是直流。电力变换通常可分为四大类:交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。

进行电力变换的技术称为变流技术。

通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术两大分支。变流技术也称为电力电子器件的应用技术,它包括用电力电子器件构成各种电力变换电路和对这些电路进行控制的技术。

电力电子器件应用技术:用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术,及构成电力电子装置和电力电子系统的技术,是电力电子技术的核心,理论基础是电路理论。

电力电子器件制造技术:是电力电子技术的基础,理论基础是半导体物理。

对于信息电子,器件既可工作在放大状态,也可处于开关状态;而电力电子总处在开关状态,为避免功率损耗过大。这是电力电子技术的一个重要特征。

电力电子装置广泛用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程

通常把电力电子技术归属于电气工程学科。它在电气工程学科中是一个最为活跃的分支,其不断进步给电气工程的现代化以巨大的推动力。

控制理论广泛用于电力电子技术,使电力电子装置和系统的性能满足各种需求。

电力电子技术可看成“弱电控制强电”的技术,是“弱电和强电的接口”,控制理论是实现该接口的强有力纽带。

控制理论和自动化技术密不可分,而电力电子装置是自动化技术的基础元件和重要支撑技术。

以计算机为核心的信息科学将是21世纪起主导作用的科学技术之一,而电力电子技术和运动控制一起,将和计算机技术共同成为未来科学技术的两大支柱。

计算机的作用比做人脑。电力电子技术可比做人的消化系统和循环系统。消化系统对能量进行转换(把电网等的“粗电”变成“精电”),再由循环系统把转换后的能量传送到大脑和全身。电力电子技术连同运动控制一起,可比做人的肌肉和四肢,使人能够运动和从事劳动。

电力电子技术的诞生以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志。

IGBT是MOSFET和BJT的复合,它集MOSFET的驱动功率小、开关速度快的优点和BJT 通态压降小、载流能力大的优点于一身,性能十分优越,使之成为现代电力电子技术的主导器件。

模块:为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小,常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式,这给应用带来了很大的方便。

功率集成电路:把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC)。目前其功率都还较小,但代表了电力电子技术发展的一个重要方向。

传统的发电方式是火力发电、水力发电以及后来兴起的核能发电。能源危机后,各种新

能源、可再生能源及新型发电方式越来越受到重视。其中太阳能发电、风力发电的发展较快,燃料电池更是备受关注。

太阳能发电和风力发电受环境的制约,发出的电力质量较差,常需要储能装置缓冲,需要改善电能质量,这就需要电力电子技术。当需要和电力系统联网时,也离不开电力电子技术。

为了合理地利用水力发电资源,近年来抽水储能发电站受到重视。其中的大型电动机的起动和调速都需要电力电子技术。

超导储能是未来的一种储能方式,它需要强大的直流电源供电,这也离不开电力电子技术。

电力电子装置提供给负载的是各种不同的直流电源、恒频交流电源和变频交流电源,因此也可以说,电力电子技术研究的也就是电源技术。

电力电子技术对节省电能有重要意义。特别在大型风机、水泵采用变频调速方面,在使用量十分庞大的照明电源等方面,电力电子技术的节能效果十分显著,因此它也被称为是节能技术。

主电路(main power circuit)——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路

电力电子器件(power electronic device)——可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件

同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一般特征:

(1) 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要的参数

(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态

(3) 实用中,电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。

(4)为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏,不仅在器件封装上讲究散热设计,在其工作时一般都要安装散热器。

电力电子系统:由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。

主电路中的电压和电流一般都较大,而控制电路的元器件只能承受较小的电压和电流,因此在主电路和控制电路连接的路径上,如驱动电路与主电路的连接处,或者驱动电路与控制信号的连接处,以及主电路与检测电路的连接处,一般需要进行电气隔离,而通过其它手段如光、磁等来传递信号。

按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以下三类:

(1) 半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断

(2) 全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断,又称自关断器件。

(3) 不可控器件——不能用控制信号来控制其通断,因此也就不需要驱动电路

按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质,分为两类:

电流驱动型——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。

电压驱动型——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制

按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类:

单极型器件——由一种载流子参与导电的器件

双极型器件——由电子和空穴两种载流子参与导电的器件

复合型器件——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件

普通二极管,多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长,一般在5μs以上。但正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上

快恢复二极管,恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5μs以下)的二极管,也简称快速二极管

肖特基二极管,以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。反向恢复时间很短(10~40ns),在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管。其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。

晶闸管是一个三端四层结构的半导体元件。主要有螺栓形和平板形两种封装结构,均引出阳极A、阴极K和门极G。晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管模型来解释,当外电路向门极注入电流时,双晶体管形成强烈的正反馈,进入完全饱和导通状态,晶闸管导通。

晶闸管在导通之后,如果撤掉门极电流,晶闸管由于内部已形成了强烈的正反馈仍然维持导通状态。

若要使晶闸管关断,必须去掉阳极所加的正向电压,或给阳极施加反压,或设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下,晶闸管才能关断。

晶闸管在正常的门极控制导通之外,可能导通的情况:

阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应

阳极电压上升率d u/d t过高

结温较高

光直接照射硅片,即光触发

晶闸管的基本特性

承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通

承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通

晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用

要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下

通常取晶闸管的断态重复峰值电压U DRM和反向重复峰值电压U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时,额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍

晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值定为晶闸管的额定电流。使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管。应留一定的裕量,一般取1.5~2倍。

维持电流I H

——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

一般为几十到几百毫安,与结温有关,结温越高,则I H越小。

擎住电流I L

——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。

对同一晶闸管来说,通常I L约为I H的2~4倍。

断态电压临界上升率d u/d t

指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。

通态电流临界上升率d i/d t

指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。

IGBT的特性和参数特点

(1)开关速度高,开关损耗小。在电压1000V以上时,开关损耗只有GTR的1/10,与电力MOSFET相当

(2)相同电压和电流定额时,安全工作区比GTR大,且具有耐脉冲电流冲击能力

(3)通态压降比VDMOSFET低,特别是在电流较大的区域

(4) 输入阻抗高,输入特性与MOSFET类似

(5) 与MOSFET和GTR相比,耐压和通流能力还可以进一步提高,同时保持开关频率高的特点

20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多个器件封装在一个模块中,称为功率模块可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性

对工作频率高的电路,可大大减小线路电感,从而简化对保护和缓冲电路的要求

将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为功率集成电路。

功率集成电路的主要技术难点:高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。

电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压

外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因

(1) 操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起

(2) 雷击过电压:由雷击引起

内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程

(1) 换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断,因而有较大的反向电流流过,当恢复了阻断能力时,该反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压

(2) 关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压

过电流分过载和短路两种情况。电子电路作为第一保护措施,快熔仅作为短路时的部分区段的保护,直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护,过电流继电器整定在过载时动作

晶闸管的串联

目的:当晶闸管额定电压小于要求时,可以串联

问题:理想串联希望器件分压相等,但因特性差异,使器件电压分配不均匀

静态不均压:串联的器件流过的漏电流相同,但因静态伏安特性的分散性,各器件分压不等承受电压高的器件首先达到转折电压而导通,使另一个器件承担全部电压也导通,失去控制作用

反向时,可能使其中一个器件先反向击穿,另一个随之击穿

均压措施

挑选特性参数尽量一致的器件。

采用电阻实现静态均压。

采用阻容实现动态均压。

晶闸管的并联

目的:多个器件并联来承担较大的电流

问题:会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀

均流措施

挑选特性参数尽量一致的器件。

采用均流电抗器。

用门极强脉冲触发也有助于动态均流。

当需要同时串联和并联晶闸管时,通常采用先串后并的方法联接。

变换电路:

对于电力电子变换电路,必须要理解各种电路的原理和概念,会分析电路、会画波形等。下面是要求掌握的各种电路及概念。

1、单相整流电路

单相半波整流电路

单相桥式整流电路

单相桥式半控整流电路

单相全波整流电路

2、三相整流电路

三相半波整流电路

三相桥式整流电路

三相桥式整流电路逆变状态

变压器漏感对整流电路的影响

3、DC/DC变换电路

Buck电路

Boost电路

4、逆变电路

单相半桥逆变电路

单相全桥逆变电路

三相桥式逆变电路

多重逆变电路

5、交流电力控制电路

单相调压电路

调功电路

驱动控制电路:

晶闸管触发电路分析(以教材中“同步信号为锯齿波的触发电路”为重点理解)

IGBT驱动电路理解(教材P200)

《电力电子技术》课程复习与考试.doc

11级《电力电子技术》课程 复习与考试提纲(第五版) 综合成绩=平时成绩(30%)+实验成绩(10%)+期末考试(60%) 考试题型:1.单项选择题:10%,共5题;2.填空题:20%,共20空;3.问 答题:40%,共7题;4.计算j30%,共4题。 考试时间:第18 周周5(2014-01-03) 15:00-17:00 考试地点:A3?305、A3?302、A3?304、A3?303、A3?308、A3?310、A3-309 一、绪论 什么是电力电子技术? 1)电力电子技术的定义 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,即应用于电力领域的电子技术。29电力变换的类型 电力变换通常可分为四大类:交流变直器、直流变交器、直流变直器、交流变交器3)电力电子技术的分类、学科组成、重要特征。 电力电子技术分为电力电子器件制造技术和交流技术两个分支;电力电子学是由电力学、电子学和控制理论三个学科交又而形成的;电力电子技术中为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,这是电力电子技术的一个重要特征。 二、电力电子器件 课后习题:第2题、第3题、第4题(a)、第5题(a) 4)电力电子器件的概念。 是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。 5)电力电子系统的组成。 电力电子电路也被称为电力电子系统,由控制电路、驱动电路、检测电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。 6)电力电子器件的分类。 (1)按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可分为半控型器

件、全控型器件和不控型器件。 (2)按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号性质,又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型器件。 (3)电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。 7)晶闸管的静态工作特性,参数计算。 静态工作特性: (1)半晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 (2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 (3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不能门极触发电流是否存在,晶闸管都保持导通。 (4)若要使己导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 参数计算:(详细见PPT) 电压定额 电流定额 动态参数 8)四种全控型器件的优缺点比较。 对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下:

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电力电子课程学习心得

前沿 在大二学习模电之后,这学期我们开始接触电力电子器件和多种变换器。其中包括直流变直流,无源逆变电路,整流和有源逆变电路,交流变交流电路,软开关变换器。电力电子技术(Power Electronics Technology)是研究电能变换原理及功率变换装置的综合性学科,包括电压、电流、频率和波形变换,涉及电子学、自动控制原理和计算机技术等学科。电力电子技术与信息电子技术的主要不同就是效率问题,对于信息处理电路来说,效率大于15%就可以接受,而对于电力电子技术而言,大功率装置效率低于85%还是无法忍受。目前能源问题已是我国面临的主要问题之一,提高电源变换效率是电力电子工程师主要任务. 电力电子器件及应用 电力电子器件特点:1.具有较大的耗散功率2.工作在开关状态3.需要专门驱动电路来控制4.需要缓冲和保护电路。我们在本章学习了功率二极管,场效应二极管,电力二极管,IGBT . 可控整流器与有源逆变器: 主要内容: 整流器的结构形式、工作原理,分析整流器的工作波形,整流器各参数的数学关系和设计方法;整流器工作在逆变状态时的工作原理、工作波形。变压器漏抗对整流器的影响、整流器带电动机负载时的机械特性、触发电路等内容。 学习重点包括: (1) 学习不同型式整流电路的工作原理,波形分析与数值计算、各种负载对 整流电路工作情况的影响。 (2) 变压器漏抗对整流电路的影响,重点建立换相压降、换相重叠角等概念, 并掌握相关的计算,熟悉漏抗对整流电路工作情况的影响。 (3) 掌握产生有源逆变的条件、逆变失败及最小逆变角的限制等。 (4) 熟悉锯齿波移相触发电路的原理,建立同步的概念,掌握同步电压信号的 选取方法。 交-交变换器: 主要内容: 晶闸管单相和三相交流调压器;全控型器件的交流斩波电路;交-交变频器;交-交(AC-AC)变换器的应用。 交流调压电路通常由晶闸管组成,用于调节输出电压的有效值。与常规的调压变压器相比,晶闸管交流调压器有体积小、重量轻的特点。其输出是交流电压,但它不是正弦波形,其谐波分量较大,功率因数也较低。 控制方法: (1) 通断控制。即把晶闸管作为开关,通过改变通断时间比值达到调压的目的。这种控制方式电路简单,功率因数高,适用于有较大时间常数的负载;缺点是输出电压或功率调节不平滑。 (2) 相位控制。它是使晶闸管在电源电压每一周期中、在选定的时刻将负载与电源接通,改变选定的时刻可达到调压的目的。 基本结构和工作原理

电力电子技术课程重点知识点总结

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化(P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算) 13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图(P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。

电力电子技术 复习题答案

第二章: 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若 du/dt过大,就会使晶闸管出现_ 误导通_,若di/dt过大,会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性 答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时,如果在器件两端施加正向电压,则晶闸管处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通。 随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低,晶闸管本身的压降很小,在1V左右。 如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态,IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管 (GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV) 答:晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α(移相角) 答:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。

模拟电子技术复习提纲资料

;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲 (各章重点及公式汇编) 第三章 1. 半导体 | 2.PN 结正偏时: 反 偏时 : 削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系 条件 关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ; U >1V V =- (Si) (Ge) U >-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I >>I 半导体 N 型 > P 型 掺杂 5价 施主杂质 3价 受主杂质 多子 电子 ~ 空穴 少子 空穴 电子

中小值 和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ;穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算 (1)图解方法: U 为饱和压降 : (3)NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U (t )截止失真波形 、 U (t )饱和失真波形 (4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握 (5)三极管小信号等效电路 — (6)放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ¥ 电 路 静态工作点Q 的计算 动

基于Matlab的电力电子技术课程设计报告

《电力电子技术》 课程设计报告 题目:基于Matlab的电力电子技术 仿真分析 专业:电气工程及其自动化 班级:电气2班 学号:Z01114007 姓名:吴奇 指导教师:过希文 安徽大学电气工程与自动化学院 2015年 1 月7 日

中文题目 基于Matlab 的电力电子技术仿真分析 一、设计目的 (1)加深理解《电力电子技术》课程的基本理论; (2)掌握电力电子电路的一般设计方法,具备初步的独立设计能力; (3)学习Matlab 仿真软件及各模块参数的确定。 二、设计工作任务及工作量的要求〔包括课程设计计算说明书(论文)、图纸、实物样品等〕: (1)根据设计题目要求的指标,通过查阅有关资料分析其工作原理,设计电路原理图; (2)利用MATLAB 仿真软件绘制主电路结构模型图,设置相应的参数。 (3)用示波器模块观察和记录电源电压、控制信号、负载电压、电流的波形图。 三、设计内容 (1)设计一个降压变换器(Buck Chopper ),其输入电压为200V ,负载为阻感性带反电动势负载,电阻为2欧,电感为5mH ,反电动势为80V 。开关管采用IGBT ,驱动信号频率为1000Hz ,仿真时间设置为0.02s ,观察不同占空比下(25%、50%、75%)的驱动信号、负载电流、负载电压波形,并计算相应的电压、电流平均值。 然后,将负载反电动势改变为160V ,观察电流断续时的工作波形。(最大步长为5e-6,相对容忍率为1e-3,仿真解法器采用ode23tb ) (2)设计一个采用双极性调制的三相桥式逆变电路,主电路直流电源200V ,经由6只MOSFET 组成的桥式逆变电路与三相阻感性负载相连接,负载电阻为1欧,电感为5mH ,三角波频率为1000Hz ,调制度为0.7,试观察输入信号(载波、调制波)、与直流侧假想中点N ‘的三相电压Uun ’、Uvn ’、Uwn ’,输出线电压UV 以及负载侧相电压Uun 的波形。 四、设计方案 实验1:降压变换器 dc-dc 变流电路可以将直流电变成另一固定电压或可调电压的直流电,包括直接直流变流电路和间接直流变流电路。其中,直接直流变流电路又称为斩波电路,功能是将直流电变为另一直流电。本次实验主要是在Matlab 中设计一个降压斩波电路并仿真在所给条件下的波形和数值与理论计算相对比。降压斩波电路原理图如下所示,该电路使用一个全控型器件V ,这里用IGBT ,也可采用其他器件,例如晶闸管,若采用晶闸管,还需设置使晶闸管关断的辅助电路。为在V 关断时给负载中电感电流提供通道,设置了续流二极管VD 。斩波电路主要用于电子电路的供电电源,也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等,后两种情况下负载中均会出现反电动势,图中用m E 表示。若无反电动势,只需令0m E ,以下的分析和表达式中均适用。

电力电子技术复习总结

电力电子技术复习题1 第1xx 电力电子器件 1. 电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2. 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当 器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添 加_保护电路__。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分 为_单极型器件双极型器件复合型器件_三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电 压截止_。 6. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、XX 二极管。7.XX二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、 反向电压则截止。 9. 对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__ 大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为, UDSM大于_UbQ 11. 逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反xx_ (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12. GTO的__多兀集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极XX特性中的三个区域与GTF共发射极接法时的输 出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截

后者的 _饱和区 __。 14. 电力MOSFE 的通态电阻具有正温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降开关速 度__小于__电力 MOSFET 。 16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可 将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型 _两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 负 温 度系 数, 在1/2 或1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR 、门 极可关断晶闸管(GTO 、电力晶体管(GTR 、电力场效应管(电力 MOSFET 、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是 电力二极管 __,属于半控型器件的是 __晶闸管_,属于全控型器件的 是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET IGBT _;属于单极型电力电子器件 的有_电力 MOSFET ,_ 属于双极型器件的有 _电力二极管、晶闸管、 属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _ ;在可控的 器件中, 容量最大的是 _晶闸管_,工作频率最高的是 _电力 MOSFE , T 属于电压驱动的是电力 MOSFET 、 IGBT _,属于电流驱动的是 _晶闸 管、 GTO 、 GTR _。 第 2xx 整流电路 1. 电阻负载的特点是—电压和电流XX 且波形相同_,在单相半波 可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 0-180O_。 2. 阻感负载的特点是 _流过电感的电流不能突变,在单相半波可 控整流带阻感负载XX 续流二极管的电路中,晶闸管控制角a 的最大 止区_、前者的饱和区对应后者的 放大区 __、前者的非饱和区对应 GTO 、 GTR

电力电子技术复习总结(王兆安)

电力电子技术复习题1 第1章电力电子器件 J电力电子器件一般工作在开关状态。 乙在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三 部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型 器件、双极型器件、复合型器件三类。 L电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通,承受反相电压截止。 6.电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。乙肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 匕晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止。 乞对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSMt转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM大于 _UbQ 11. 逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12(TO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTRft发射极接法时的输出特性中的 三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区一、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_ 。 14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。 15JGBT的开启电压UGE(th )随温度升高而_略有下降一,开关速度—小于— 电力MOSFET 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子 器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 IZIGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数,在1/2或 1/3额定电流以上区段具有__正—温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR、门极可关断晶闸管

电力电子技术考试试题(doc 8页)

一、填空题(11 小题,每空0.5分,共 22 分) 1、电力电子学是 由、和交叉而形成的边缘学科。 2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类; 1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指 及其大部分派生器件。 2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有和。 3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如。 3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。 5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如;或磁隔离,例如 。 6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。其中缓冲电路又称为du/dt 抑制电路,用于吸收器件的过电压。缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如0°~180°)? 8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=_____________。当控制角α小于停止导电角δ时,且采用宽脉冲触发,则晶闸管的导通角θ=_____________。 9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。换流方式可分以下四种:,, ,。 10、正弦脉宽调制(SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改变_可改变逆变器输出电压幅值;改变 _ _可改变逆变器输出电压频率;改变 _ _可改变开关管的工作频率。 11、在SPWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制可分为与_______ _两种类型,采用_______ _调制可以综合二者的优点。 二、选择题(5 小题,每空0.5分,共3分) 1、晶闸管稳定导通的条件() A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是() A 500V B 600V C 700V D1200V 3、()存在二次击穿问题。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT 4、下图所示的是()的理想驱动信号波形。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7.PN结 *PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 *PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电力电子技术课程设计报告

电力电子课程设计报告题目三相桥式全控整流电路设计 学院:电子与电气工程学院 年级专业:2015级电气工程及其自动化 姓名: 学号: 指导教师:高婷婷,林建华 成绩:

摘要 整流电路尤其是三相桥式可控整流电路是电力电子技术中最为重要同时也是应用得最为广泛的电路,不仅用于一般工业,也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统,能源系统及其他领域,因此对三相桥式可控整流电路的相关参数和不同性质负载的工作情况进行对比分析与研究具有很强的现实意义,这不仅是电力电子电路理论学习的重要一环,而且对工程实践的实际应用具有预测和指导作用,因此调试三相桥式可控整流电路的相关参数并对不同性质负载的工作情况进行对比分析与研究具有一定的现实意义。 关键词:电力电子,三相,整流

目录 1 设计的目的和意义………………………………………1 2 设计任务与要求 (1) 3 设计方案 (1) ?3.1三相全控整流电路设计 (1) 3.1.1三相全控整流电路图原理分析 (2) ?3.1.2整流变压器的设计 (2) ?3.1.3晶闸管的选择 (3) 3.2 保护电路的设计 (4) 3.2.1变压器二次侧过压保护 (4) ?3.2.2 晶闸管的过压保护………………………………………………4 3.2.3 晶闸管的过流保护………………………………………………5 3.3 触发电路的选择设计 (5) 4 实验调试与分析 (6) 4.1三相桥式全控整流电路的仿真模型 (6)

4.2仿真结果及其分析……………………………………………7 5 设计总结 (8) 6 参考文献 (9)

1 设计的目的和意义 本课程设计属于《电力电子技术》课程的延续,通过设计实践,进一步学习掌握《电力电子技术》,更进一步的掌握和了解他三相桥式全控整流电路。通过设计基本技能的训练,培养学生具备一定的工程实践能力。通过反复调试、训练、便于学生掌握规范系统的电子电力方面的知识,同时也提高了学生的动手能力。 2 设计任务与要求 三相桥式全控整流电路要求输入交流电压2150,10,0.5U V R L H ==Ω=为阻 感性负载。 1.写出三相桥式全控整流电路阻感性负载的移相范围,并计算出直流电压的变化范围 2.计算α=60°时,负载两端电压和电流,晶闸管平均电流和有效电流。 3.画出α=60°时,负载两端 d U 和晶闸管两端 1 VT U 波形。 4.分析纯电阻负载和大电感负载以及加续流二极管电路的区别。 5.晶闸管的型号选择。 3 设计方案 3.1三相全控整流电路设计

电力电子技术总复习

电力电子技术总复习-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

《电力电子技术》综合复习资料 一、填空题 1、开关型DC/DC变换电路的3个基本元件是、和。 2、逆变角β与控制角α之间的关系为。 3、GTO的全称是。 4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有斩波电路;斩波电路; ----斩波电路。 5、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。 6、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。 7、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。 8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为角。 9、GTR的全称是。 10、在电流型逆变器中,输出电压波形为波,输出电流波形为波。 11、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。 12、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是,和。 13、整流指的是把能量转变成能量。 14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的和时间比,即调节来控制逆变电压的大小和频率。 15、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。 16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括:和。 二、判断题 1、KP2—5表示的是额定电压200V,额定电流500A的普通型晶闸管。 2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。 4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。 5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。 6、普通晶闸管内部有两个PN结。 7、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。 8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明,其电路中发生的“逆变”称有源逆变。

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

电力电子技术课程设计报告

电力电子技术课程设计 报告书 专业班级:16电气2班 姓名:王浩淞 学号:2016330301054 指导教师:雷美珍

目录 1、webench电路设计 1.1设计任务要求 输入电压为(8V-10V),输出电压为5V,负载电流为1A 1.2设计方案分析 图1.3.1主电路原理图 图1.3.2元器件参数 图1.3.3额定负载时工作值

图1.3.4输出电流和系统效率间的关系 如图1.3.4所示,在输出电流相同的情况下,输入电压越小,系统的稳态效率越高,因此提高效率的最直接方式就是降低系统的输入电压,其次在输入电压相同的情况下,我们可以调节输出电压的大小,使系统效率达到最大,例如当输入电压为9.0V时,根据图像输出电流为0.40A的时候效率最高。第二种方法是改变元器件的参数,通过使用DCR(直流电阻)小的电感元件来实现输出纹波电压降低。 1.3主芯片介绍 TPS561201和TPS561208采用SOT-23封装,是一款简单易用的1A同步降压转换器。这些器件经过优化,可以在最少的外部元件数量下工作,并且还经过优化以实现低待机电流。这些开关模式电源(SMPS)器件采用D-CAP2模式控制,可提供快速瞬态响应,并支持低等效串联电阻(ESR)输出电容,如特种聚合物和超低ESR陶瓷电容,无需外部补偿元件。TPS561201以脉冲跳跃模式工作,在轻负载操作期间保持高效率。TPS561201和TPS561208采用6引脚1.6×2.9(mm)SOT(DDC)封装,工作在-40°C至125°C的结温范围内。 1.4电气仿真结果分析

图1.4.1启动仿真图1.4.2稳态仿真 图1.4.3暂态仿真图1.4.4 负载暂态仿真 二、基于电力系统工具箱的电力电子电路仿真 2.1 设计要求和方案分析 本课程设计主要应用了MATLAB软件及其组件之一Simulink,进行系统的设计与仿真系统主要包括:Boost升压斩波主电路部分、PWM控制部分和负载。Boost升压斩波主电路部分拖动带反电动势的电阻,模拟显示中的一般负载,若实际负载中没有反电动势,只需令其为零即可。负载为主电路部分提供脉冲信号,控制全控器件IGBT的导通和关断,实现整个系统的运行。在Simulink中完成各个功能模块的绘制后,即可进行仿真和调试,用Simulink 提供的示波器观察波形,进行相应的电压和电流等的计算,最后进行总结,完成整个Boost 变换器的研究与设计。 2.2 simulink仿真模型分析 电路设计好后主电路中的电感电容值已确定,此时只要调节触发波形的占空比即可调节Boost Chopper输出电压。电路设计好后主电路中的电感电容值已确定,此时只要调节触发波形的占空比即可调节Boost Chopper输出电压。占空比越大,Boost Chopper的输出电压值

《电力电子技术》综合复习

《电力电子技术》综合复习资料 一、填空题 1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。 2、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。 3、整流是指将变为的变换。 4、单相桥式可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为。 5、逆变角β与控制角α之间的关系为。 6、MOSFET的全称是。 7、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是;另一方面是。 8、将直流电源的恒定电压,通过电子器件的开关控制,变换为可调的直流电压的装置称为器。 9、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。 10、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。 11、就无源逆变电路的PWM控制而言,产生SPWM控制信号的常用方法是。 12、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括:和。 13、IGBT的全称是。 14、为了保证逆变器能正常工作,最小逆变角应为。 15、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联,电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载,这称为或。 16、脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的和时间比,即调节来控制逆变电压的大小和频率。 17、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。

二、判断题 1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 2、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。 3、在单相桥式半控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。 4、GTO属于双极性器件。 5、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。 6、对于三相全控桥整流电路,控制角α的计量起点为自然换相点。 7、IGBT属于电压驱动型器件。 8、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 9、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。 10、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。 三、选择题 1、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。 A、有效值 B、最大值 C、平均值 2、普通的单相半波可控整流装置中一共用了()晶闸管。 A、一只 B、二只 C、三只 D、四只 3、变流器工作在逆变状态时,控制角α必须在()。 A、0°-90° B、30°-120° C、60°-150° D、90°-150° 4、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。 A、GTO B、GTR C、MOSFET D、IGBT 5、可实现有源逆变的电路为()。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 6、可实现有源逆变的电路为()。 A、三相半波可控整流电路 B、三相半控桥整流桥电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 7、三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关()。 A、α、I d、X L、U2 B、α、I d C、α、U2 D、α、U2、

电力电子实训心得体会

电力电子技术实验总结 随着大功率半导体开关器件的发明和变流电路的进步和发展,产生了利用这类器件和电路实现电能变换与控制的技术——电力电子技术。电力电子技术横跨电力、电子和控制三个领域,是现代电子技术的基础之一,是弱电子对强电力实现控制的桥梁和纽带,已被广泛应用于工农业生产、国防、交通、能源和人民生活的各个领域,有着极其广阔的应用前景,成为电气工程中的基础电子技术。 本学期实验课程共进行了四个实验。包括单结晶体管触发电路实验,单相半波整流电路实验,三相半波有源逆变电路实验,单相交流调压电路实验. 单结晶体管触发电路实验 实验目的 (1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。 (2)掌握单结晶体管触发电路的基本调试步骤。 实验线路及原理单结晶体管触发电路利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和rc充放电特性,可组成频率可调的自激振荡电路。v6为单结晶体管,其常用型号有 bt33和bt35两种,由等效电阻v5和c1组成rc充电回路,由c1-v6-脉冲变压器原边组成电容放电回路,调节rp1电位器即可改变c1充电回路中的等效电阻,即改变电路的充电时间。由同步变压器副边输出60v的交流同步电压,经vd1半波整流,再由稳压管v1、v2 进行削波,从而得到梯形波电压,其过零点与电源电压的过零点同步,梯形波通过r7及等效可变电阻v5向电容c1充电,当充电电压达到单结晶体管的峰值电压up时,v6导通,电容通过脉冲变压器原边迅速放电,同时脉冲变压器副边输出触发脉冲;同时由于放电时间常数很小,c1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压uv,使得v6重新关断,c1再次被充电,周而复始,就会在电容c1两端呈现锯齿波形,在每次v6导通的时刻,均在脉冲变压器副边输出触发脉冲;在一个梯形波周期内,v6可能导通、关断多次,但对晶闸管而言只有第一个输出脉冲起作用。电容c1的充电时间常数由等效电阻等决定,调节rp1电位器改变c1的充电时间,控制第一个有效触发脉冲的出现时刻,从而实现移相控制。 实验内容 (1)单结晶体管触发电路的调试。 (2)单结晶体管触发电路各点电压波形的观察。 单相半波整流电路实验 实验目的 1、熟悉强电实验的操作规程; 2、进一步了解晶闸管的工作原理; 3、掌握单相半波可控整流电路的工作原理。 4、了解不同负载下单相半波可控整流电路的工作情况。 实验原理 1、晶闸管的工作原理晶闸管的双晶体管模型和内部结构如下:晶闸管在正常工作时,承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。当承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值一下。 2.单相半波可控整流电路(电阻性负载) 2.1电路结构若用晶闸管t替代单相半波整流电路中的二极管d,就可以得到单相半波可控整流电路的主电路。变压器副边电压u2为50hz正弦波,负载 rl为电阻性负载。 三相半波有源逆变电路实验 实验目的 1、掌握三相半波有源逆变电路的工作原理,验证可控整流电路在有源逆变时的工作条件,并比较与整流工作时的区别。

电力电子技术总复习

电力电子技术总复习 第一章:绪论 1、什么是电力电子技术? 2、电力电子技术应用于电力领域的电子技术,是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。 3、电力变换的种类? 4、电力电子技术的有哪两个分支?电力电子器件制造技术和变流技术,变流技术也称为电力电子器件的应用技术。 5、电力电子器件制造技术是电力电子技术的基础,而变流技术是电力电子技术的核心。 6、他们的理论基础分别是半导体物理和电路理论。 7、电力电子技术与那些学科有关? 第二章:电力电子器件 1、什么是主电路? 2、什么是电力电子器件? 3、电力电子器件的分类? 4、电力电子器件的工作状态? 5、电力电子器件的损耗有哪几部分组成? 6、电力电子系统的组成? 7、电力电子器件按控制程度的分类? 8、电力电子器件按控制信号的分类? 9、电力电子器件按器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的

情况分类? 10、常用的电力二极管主要有哪些? 11、晶闸管的外形结构? 12、晶闸管正常工作时的特性? 13、晶闸管的主要参数? 14、晶闸管的派生器件? 15、GTO的结构? 16、GTO与普通晶闸管不同的是什么? 17、GTO的主要参数?GTO的一个主要缺点? 18、GTR的输出特性曲线? 19、GTR的主要参数? 20、GTR的二次击穿现象? 21、GTR的安全工作区? 22、MOSFET的特点? 23、MOSFET的结构? 24、MOSFET的输出特性曲线? 25、MOSFET具有正温度系数。 26、MOSFET的主要参数? 27、IGBT是GTR和MOSFET结合而成的复合器件。 28、IGBT的输出特性曲线? 29、IGBT的主要参数? 30、IGBT的擎柱效应和安全工作区?

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