SiC陶瓷基体及抗氧化涂层

李崇俊1,2

【摘要】摘要:介绍了5 种主要SiC基体的成型方法，分别是化学气相渗透（CVI）、聚合物先驱体浸渍-裂解法（PIP）、液相硅渗透法（LSI）、反应烧结法、化学气相反应法（CVR）。阐述了各种基体的组织结构、致密效率及陶瓷基复合材料的性能，其中CVI＋PIP/LSI的复合成型技术可达到优化的制备过程，提高基体的组织结构和致密化效率；C/C及C/SiC复合材料表面化学气相转换法SiC涂层及多层涂层技术是提高CMC抗氧化性能的有效途径，并已得到工程实际验证。

【期刊名称】高科技纤维与应用

【年(卷),期】2014(039)001

【总页数】9

【关键词】关键词:碳化硅基体；陶瓷基复合材料；碳纤维；SiC涂层；多层涂层

SiC基陶瓷由于具有高的强度、模量和高温热稳定性，较低的密度以及相对低的成本，一方面在大量的陶瓷材料及陶瓷基复合材料（CMC）中作为粒子型填料，也作为超高温陶瓷（UHTC）第二相使用，或者作为CMC的基体；另一方面是作为C/C、C/SiC复合材料的表面抗氧化涂层，如美国航天飞机的机翼前缘和头锥就是由SiC涂层的抗氧化C/C复合材料构成[1～3]。

SiC基体通常和碳纤维（CF）结合而得到高温应用的非氧化物基CMC。在CMC中SiC基体及抗氧化涂层的主要作用是氧化形成SiO2基玻璃质层，保护CF提高CMC的抗氧化性。抗氧化C/C及C/SiC复合材料在宇宙航天方面的