LED芯片常用衬底材料
LED芯片常用衬底材料选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：
1. 蓝宝石（Al2O3）
2. 硅 (Si)
3. 碳化硅（SiC）
蓝宝石衬底
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片
使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。
蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。
蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。
硅衬底
目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L 接触（Laterial-cONtact ,水平接触）和 V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。
碳化硅衬底
碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。
图2 采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片
碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/(m·K)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。
三种衬底的性能比较
前面的内容介绍的就是制作LED芯片常用的三种衬底材料。这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。
除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。
衬底材料的*价
1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低；
2．衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏；
3．衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降；
4．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。
当前用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底目前只有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。
LED显示屏常用驱动芯片资料(精)
LED 常用芯片技术资料 1、列电子开关74HC595 （串并移位寄存器） 第14脚DATA ，串行数据输入口，显示数据由此进入，必须有时钟信号的配合才能移入。 第13脚EN ，使能口，当该引脚上为“1”时QA~QH口全部为“1”，为“0”时QA~QH的输出由输入的数据控制。第12脚STB ，锁存口，当输入的数据在传入寄存器后，只有供给一个锁存信号才能 将移入的数据送QA~QH口输出。 第11脚CLK ，时钟口，每一个时钟信号将移入一位数据到寄存器。 第10脚SCLR ，复位口，只要有复位信号，寄存器内移入的数据将清空，一般接VCC 。第9脚DOUT ，串行数据输出端，将数据传到下一个。第15、1~7脚，并行输出口也就是驱动输出口，驱动LED 。 2、译码器 74HC138 第1~3脚A 、B 、C ，二进制输入脚。第4~6脚片选信号控制，只有在4、5脚为“0”6脚为“1”时，才会被选通，输出受A 、B 、C 信号控制。其它任何组合方式将不被选通，且Y0~Y7输出全为“1”。
3、缓冲器件74HC245 第1脚DIR ，输入输出端口转换用，DIR=“1” A输入B 输出，DIR=“0” B输入A 输出。第2~9脚“A ”信号输入输出端；第11~18脚“B ”信号输入输出端。 第19脚G ，使能端，为“1”A/B端的信号将不导通，为“0”时A/B端才被启用。
4、4953的作用：行驱动管，功率管。 1、3脚VCC ， 2、4脚控制脚，2脚控制7、8脚的输出，4脚控制5、6脚的输出，只有当2、4脚为“0”时，7、8、5、6才会输出，否则输出为高阻状态。 5、74HC04的作用：6位反相器。 信号由A 端输入Y 端反相输出，A1与Y1为一组，其它类推。例：A1=“1”则Y1=“0”、A1=“0”则Y1=“1”，其它组功能一样。 6、 74HC126（四总线缓冲器）正逻辑 Y=A 2、SDI 串行数据输入端 3、CLK 时钟信号输入端， 4、LE 数据锁存控制端 5~20、恒流源输出端 21、OE 输出使能控制端 22、SDO 串行数据输出端，级联下一个芯片 23、R-EXT 外接电阻，控制恒流源输出端电流大小
。蓝宝石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED衬底材料的选用比较)
?1、蓝宝石（Al2O3）,硅(Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用 比较 ?通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。 ?蓝宝石衬底有许多的优点： 首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好； 其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中； 最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。 因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED 芯片。 ? 图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片[/url] 使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的
方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。 蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。 蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。 硅衬底 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触（Laterial-contact ,水平接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。 图2 采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片[/url]
三种LED衬底比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（Al2O3） ·硅 (Si) 碳化硅（SiC）[/url] 蓝宝石衬底 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。 图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片
使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。 蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。 蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。 硅衬底 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触 （Laterial-contact ,水平接触）和 V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V 型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。
LED显示屏各芯片管脚定义汇总
一、1.2 LED板的芯片功能 74HC245的作用：信号功率放大。 第1脚DIR，为输入输出转换端口，当DIR=“1”高电平(接VCC）时信号由“A” 端输入“B”端输出，DIR=“0”低电平（接GND）时信号由“B”端输入“A”端输出。 第19脚G，使能端，若该脚为“1”A/B端的信号将不导通，只有为“0”时A/B 端才被启用，该脚也就是起到开关的作用. 第2~9脚“A”信号输入\输出端，A1=B1、、、、、、A8=B8，A1与B1是一组，如果DIR=“1”G=“0”则A1输入B1输出，其它类同。如果DIR=“0”G=“0”则B1输入A1输出，其它类同。 第11~18脚“B”信号输入\输出端，功能与“A”端一样。 第10脚GND，电源地。 第20脚VCC，电源正极。 74HC595的作用：LED驱动芯片，8位移位锁存器。 第8脚GND，电源地。 第16脚VCC，电源正极 第14脚DATA，串行数据输入口，显示数据由此进入，必须有时钟信号的配合才能移入。 QA~QH的输出由输入的数据控制。
第12脚STB，锁存端，当输入的数据在传入寄存器后，只有供给一个锁存信号才能将移入的数据送QA~QH口输出。 第11脚CLK，时钟端，每一个时钟信号将移入一位数据到寄存器。 第10脚SCLR，复位端，只要有复位信号，寄存器内移入的数据将清空，显示屏不用该脚，一般接VCC。 第9脚DOUT，串行数据输出端，将数据传到下一个。 第15、1~7脚，并行输出端也就是驱动输出端，驱动LED。 HC16126\TB62726的作用：LED驱动芯片，16位移位锁存器。 备注：HC16126驱动芯片定义和5020，5024,2016等芯片一样 第1脚GND，电源地。 第24脚VCC，电源正极 第2脚DATA，串行数据输入 第3脚CLK，时钟输入 第4脚STB，锁存输入 第23脚输出电流调整端，接电阻调整 第22脚DOUT，串行数据输出 第21脚EN，使能输入 其它功能与74HC595相似，只是TB62726是16位移位锁存器，并带输出电流调整功能，但在并行输出口上不会出现高电平，只有高阻状态和低电平状态。74HC595并行输出口有高电平和低电平输出。TB62726与5026的引脚功能一样，结构相似。
LED半导体照明衬底类型及其测量技术
LED半导体照明衬底类型及其测量技术 自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光LED以来，基于GaN基蓝光LED和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光LED的光效已经超过150 lm/W，而实验室水平已经超过了200 lm/W，远远高于传统白炽灯（15 lm/W）和荧光灯（80 lm/W）的水平。从市场看，LED已经广泛应用于显示屏、液晶背光源、交通指示灯、室外照明等领域，并已经开始向室内照明、汽车灯、舞台灯光、特种照明等市场渗透，未来有望全面替换传统光源。 半导体照明光源的质量和LED芯片的质量息息相关。进一步提高LED的光效（尤其是大功率工作下的光效）、可靠性、寿命是LED材料和芯片技术发展的目标。 LED半导体衬底分类 （1）图形衬底 衬底是支撑外延薄膜的基底，由于缺乏同质衬底，GaN基LED一般生长在蓝宝石、SiC、Si等异质衬底之上。发展至今，蓝宝石已经成为性价比最高的衬底，使用最为广泛。由于GaN的折射率比蓝宝石高，为了减少从LED出射的光在衬底界面的全发射，目前正装芯片一般都在图形衬底上进行材料外延以提高光的散射。常见的图形衬底图案一般是按六边形密排的尺寸为微米量级的圆锥阵列，可以将LED的光提取效率提高至60%以上。同时也有研究表明，利用图形衬底并结合一定的生长工艺可以控制GaN中位错的延伸方向从而有效降低GaN 外延层的位错密度。在未来相当一段时间内图形衬底依然是正装芯片采取的主要技术手段。 未来图形衬底的发展方向是向更小的尺寸发展。目前，受限于制作成本，蓝宝石图形衬底一般采用接触式曝光和ICP干法刻蚀的方法进行制作，尺寸只能做到微米量级。如能进一步减小尺寸至和光波长可比拟的百nm量级，则可以进一步提高对光的散射能力。甚至可以做成周期性结构，利用二维光子晶体的物理效应进一步提高光提取效率。纳米图形的制作方法包括电子束曝光、纳米压印、纳米小球自组装等，从成本上考虑，后两者更适合用于衬底的加工制作。 （2）大尺寸衬底 目前，产业界中仍以2英寸蓝宝石衬底为主流，某些国际大厂已经在使用3英寸甚至4英寸衬底，未来有望扩大至6英寸衬底。衬底尺寸的扩大有利于减小外延片的边缘效应，提
LED衬底分类
LED衬底分类 日亚化学采用蓝宝石衬底，Cree公司采用炭化硅(SiC)衬底，旭明公司采用铜衬底，在此基础上生长氮化镓外延片。 铜、炭化硅材料衬底导电，而蓝宝石衬底不导电，因此制作LED 二极管的结构就有了不同。 导热性能上铜导热好于炭化硅(SiC)，炭化硅(SiC)导热性能好于蓝宝石，而LED的使用寿命与发光亮度是与LED的温度密切相关的，温度越高寿命与发光亮度越低，因此具有铜衬底的LED产品在寿命与发光亮度要好于炭化硅(SiC)与蓝宝石衬底。 [提要] 863项目验收专家组如此评价硅衬底技术：该技术打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。目前，世界范围内LED芯片有三大技术路线：日本专利垄断的蓝宝石衬底技术，美国专利垄断的碳化硅衬底技术，我国具有自主知识产权的硅衬底技术。
编者按：加快培育和发展以重大技术突破、重大发展需求为基础的战略性新兴产业，对于推进产业结构升级和经济发展方式转变，提升我国自主发展能力和国际竞争力，促进经济社会可持续发展，具有重要意义。 作为战略性新兴产业，LED方兴未艾。在日美垄断LED芯片核心技术的格局下，南昌市的企业抱团攻坚，开创了全球LED芯片的第三条技术路线，并迅速实现产业化。在技术手段日新月异，在产业竞争残酷激烈的全球化格局下，拥有核心技术和主导性的行业标准，是制胜的关键。但是，新技术要成为新产业，不可能一蹴而就。 日前召开的国务院常务会议提出，必须坚持发挥市场基础性作用与政府引导推动相结合，科技创新与实现产业化相结合，以企业为主体推进产学研结合，把战略性新兴产业培育成为国民经济的先导产业和支柱产业。这，也是我们解剖南昌LED产业这一“麻雀”的意义所在。 “硅基发光，中国创造”、“自主创新，光明万里”――这是科技部部长万钢给江西南昌一家企业的题词。 在日美垄断LED芯片核心技术的格局下，2008年，位于江西省南昌市高新开发区的晶能光电有限公司在氮化镓基半导体发光材料领域创造性地发展出第三条技术路线，成为唯一具有“硅衬底发光二极管”自主知识产权的LED生产企业，备受各方关注。 LED光源是低压微电子产品，也是新兴的数字信息化产品。“中国创造”的硅基发光，能否后来居上主导世界LED光源产业？ 全球70%以上LED应用产品加工制造都在中国完成，但核心技术被日美掌控 LED从上世纪90年代走出日本的实验室，在全球迅速产业化，并摧枯拉朽般地颠覆传统光电产业。LED背光技术进入显示屏领域的短短数年间，跨国企业生产的笔记本电脑、手机，其显示屏100%是LED。
LED显示屏专用驱动芯片详细介绍
目前，LED显示屏专用驱动芯片生产厂家主要有TOSHIBA(东芝)、TI(德州仪器)、SONY(索尼)、MBI{聚积科技}、SITI(点晶科技)等。在国内LED显示屏行业，这几家的芯片都有应用。 TOSHIBA产品的Xing价比较高，在国内市场上占有率也最高。主要产品有TB62705、TB62706、TB62725、TB62726、TB62718、TB62719、TB62727等。其中TB62705、TB62725是8位源芯片，TB62706、TB62726是16位源芯片。TB62725、TB62726分别是TB62705、TB62706的升级芯片。这些产品在电流输出误差(包括位间和片间误差)、数据移位时钟、供电电压以及芯片功耗上均有改善。作为中档芯片，目前”TB62725、TB62726已经逐渐替代了TB62705和TB62706。另外，TB62726还有一种窄体封装的TB62726AFNA芯片，其宽度只有6.3mm(TB62706的贴片封装芯片宽度为8.2mm)，这种窄体封装比较适合在点间距较小的显示屏上使用。需要注意的是，AFNA封装与普通封装的引脚定义不一样(逆时针旋转了90度)。TB62718、TB62719是TOSHIBA针对高端市场推出的驱动芯片，除具有普通恒流源芯片的功能外，还增加了256级灰度产生机制(8位PWM)、内部电流调节、温度过热保护(TSD)及输出开路检测(LOD)等功能。此类芯片适用于高端的LED全彩显示屏，当然其价格也不菲。TB62727为TOSHIBA的新产品，主要是在TB62726基础上增加了电流调节、温度报警及输出开路检测等功能，其市场定位介于TB62719(718)与TB62726之间，计划于2003年10月量产。 TI作为世界级的IC厂商，其产品Xing能自然勿用置疑。但由于先期对中国LED市场的开发不力，市场占有率并不高。主要产品有TLC5921、TLC5930和TLC5911等。TLC5921是具有TSD、LOD功能的高精度16位源驱动芯片，其位间电流误差只有±4％，但其价格一直较高，直到最近才降到与TB72726相当的水平。TLC5930为具有1024级灰度(10位PWM)的12位源芯片，具有64级亮度可调功能。TLC5911是定位于高端市场的驱动芯片，具有1024级灰度、64级亮度可调、TSD、LOD等功能的16位源芯片。在TLC5921和TLC5930芯片下方有金属散热片，实际应用时要注意避开LED灯脚，否则会因漏电造成LED灯变暗。 SONY产品一向定位于高端市场，LED驱动芯片也不例外，主要产品有CXA3281N和CXR3596R。CXA3281N是8位源芯片，具有4096级灰度机制(12位PWM)、256级亮度调节、1024级输出电流调节、TSD、LOD和LSD(输出短路检测)等功能。CXA3281N主要是针对静态驱动方式设计的，其最大输出电流只有40mA。CXA3596R是16位源芯片，功能上继承了CXA3281N的所有特点，主要是提高了输出电流(由40mA增加到80mA)及恒流源输出路数(由8路增加到16路)。目前CXA3281N的单片价格为1美元以上，CXA3596R价格在2美元以上。 MBI(聚积科技)的产品基本上与TOSHIBA的中档产品相对应，引脚及功能也完全兼容，除了恒流源外部设定电阻阻值稍有不同外，基本上都可直接代换使用。该产品的价格比TOSHIBA的要低10~20％，是中档显示屏不错的选择。MBI的MBl5001和MBl5016分别与TB62705和TB62706对应，MBl5168千口MBl5026分另(j与TB62725禾口TB62726对应。另外，还有具有LOD功能的其新产品MBl5169(8位源)、MBl5027(16位源)、64级亮度调节功能的MBl5170(8位源)和MBl5028(16位源)。带有LOD及亮度调节功能的芯片采用MBI公司的Share-I-OTM技术，其芯片引脚完全与不带有这些功能的芯片，如MBl5168和MBl5026兼容。这样，可以在不变更驱动板设计的情况下就可升级到新的功能。
LED显示屏常用器件的介绍(精)
LED 显示屏常用器件的介绍 1．ＩＣ的管脚功能 IC 芯片分别：74HC245、74HC595、74HC138、74HC04、4953。各IC 管脚功能如下： A: 74HC245功能是放大及缓冲。 20 和1接电源(+5V 19脚和10脚接电源地(GND 当电源是以上接时：输入脚分别为2、3、4、5、6、7、8、9。 输出脚分别为11、12、13、14、15、16、17、18 注：2脚输入时，18脚输出。其它脚以此类推。 B ：74HC138功能是8选1译码器，输出为8行。控制行数据。 第8脚GND ，电源地。第15脚VCC ，电源正极第1-3脚A 、B 、C ，输入脚。第4-6脚选通输入端，（一般第5脚为EN ）9-15脚和第7脚输出端。 C ：74HC595功能是8位串入串、并出移位寄存器。控制列数据。 16脚和10脚接电源（+5V），13脚和8脚接电源地（GND ）。 列信号输出脚：1、2、3、4、5、6、7、15。 第一列输出脚为7脚，以此类推。另第八列输出脚为15脚。 数据信号输入脚（Din ）为14，数据信号输出脚（Din ）为9。 锁存信号脚（L ）为12脚，移位信号脚为11脚。
D ：74HC04功能是六带缓冲反相器，控制使零信号（EN ）。 15脚接电源（+5V），7脚电源地（GND ）。 信号输入脚为：1、3、5、9、11、13。 信号输出脚为：2、4、6、8、10、12。 E ： 4953行管功能是开关作用，每个行管控制2行。 1脚和3脚接电源（+5V）。 信号输入脚：2、4。 信号输出脚：5、6、7、8。 5脚和6脚为一组输入， 7脚和8脚、5脚和6脚为一组输出。 TB62726与5026 5024 16126 的作用：LED 驱动芯片，16位移位锁存器。 第1脚GND ，电源地。第24脚VCC ，电源正极第2脚DATA ，串行数据输入 第3脚CLK ，时钟输入. 第4脚STB ，锁存输入 . 第23脚输出电流调整端，接电阻调整 第22脚DOUT ，串行数据输出第21脚EN ，使能输入第5-12脚和13-20脚驱动输出端。 其它功能与74HC595相似，只是TB62726是16位移位锁存器，并带输出电流调整功能，但在并行输出口上不会出现高电平，只有高阻状态和低电平状态。74HC595并行输出口有高电平和低电平输出。TB62726与5026 5024的引脚功能一样，结构相似。不同点是TB62726和5026每路输出电压为5-90毫安，5024 16126为3-45毫
led显示屏常用芯片说明
LED 显示屏中常用的芯片说明及原理 Led中常见的芯片有：74HC595列驱动，74HC138译码驱动，74HC245信号放大，74HC4953行扫描等。 1、74HC595 74HC595是硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。 74HC595 是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。移位寄存器和存储器是分别的时钟。数据在SHcp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在STcp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。三态。 将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。 2特点 8位串行输入 /8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态
输出寄存器（三态输出：就是具有高电平、低电平和高阻抗三种输出状态的门电路。）可以直接清除 100MHz的移位频率 特点8位串行输入 /8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态 输出寄存器（三态输出：就是具有高电平、低电平和高阻抗三种输出状态的门电路。）可以直接清除 100MHz的移位频率 3输出能力并行输出，总线驱动；串行输出；标准中等规模集成电路 595移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。 参考数据 Cpd决定动态的能耗， Pd=Cpd×VCC×f1+∑(CL×VCC^2×f0) F1=输入频率，CL=输出电容 f0=输出频率（MHz） Vcc=电源电压 4、引脚说明符号引脚描述 Q0…Q7 8位并行数据输出，其中Q0为第15脚 GND 第8脚地 Q7’第9脚串行数据输出 MR 第10脚主复位（低电平） SHCP 第11脚移位寄存器时钟输入 STCP 第12脚存储寄存器时钟输入 OE 第13脚输出有效（低电平） DS 第14脚串行数据输入 VCC 第16脚电源
LED碳化硅衬底基础概要
LED碳化硅衬底基础概要 碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑 (生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。碳化硅主 要分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显 微硬度为2840～3320kg/mm2。其中：黑碳化硅是以石英砂，石油焦和优质硅 石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机 械强度高于刚玉，性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料， 添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之 间，机械强度高于刚玉。 碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。可以 作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。还可以作为冶金 去氧剂和耐高温材料。碳化硅主要有四大应用领域，即: 功能陶瓷、高级耐火 材料、磨料及冶金原料。并且高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅 纤维。碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性，在一些应用上成为最佳的半 导体材料: 短波长光电元件，高温，抗幅射以及高频大功率元件。主要优势如 下： 1. 宽能级(eV)4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12 2. 高热传导率(W/cm?K@RT)4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0.5 Si: 1.5 3. 高击穿电场(V/cm)4H-SiC: 2.2x106 6H-SiC: 2.4x106 GaAs: 3x105 Si: 2.5x105 4. 高饱和电子迁移速度(cm/sec @E 2x105V/cm)4H-SiC: 2.0x107 6H-SiC: 2.0x107 GaAs: 1.0x10 Si: 1.0x107 由于碳化硅的宽能级，以其制成的电子元件可在极高温下工作，可以抵受 的电压或电场八倍于硅或砷化鎵，特别适用于制造高压大功率元件如高压二极
LED显示屏驱动芯片的各类及应用
1 引言 LED显示屏主要是由发光二极管(LED)及其驱动芯片组成的显示单元拼接而成的大尺寸平面显示器。驱动芯片性能的好坏对LED显示屏的显示质量起着至关重要的作用。近年来，随着LED市场的蓬勃发展，许多有实力的IC厂商，包括日本的东芝(TOSHIBA)、索尼(SONY)，美国的德州仪器(T1)，台湾的聚积(MBl)和点晶科技(SITl)等，开始生产LED专用驱动芯片。 2 驱动芯片种类 LED驱动芯片可分为通用芯片和专用芯片两种。所谓的通用芯片，其芯片本身并非专门为LED 而设计，而是一些具有LED显示屏部分逻辑功能的逻辑芯片(如串-并移位寄存器)。而专用芯片是指按照LED发光特性而设计专门用于LED显示屏的驱动芯片。LED是电流特性器件，即在饱和导通的前提下，其亮度随着电流的变化而变化，而不是靠调节其两端的电压而变化。因此专用芯片一个最大的特点就是提供恒流源。恒流源可以保证LED的稳定驱动，消除LED 的闪烁现象，是LED显示屏显示高品质画面的前提。有些专用芯片还针对不同行业的要求增加了一些特殊的功能，如亮度调节、错误检测等。本文将重点介绍专用驱动芯片。 2．1通用芯片 通用芯片一般用于LED显示屏的低档产品，如户内的单色屏，双色屏等。最常用的通用芯片是74HC595。74HC595具有8位锁存、串—并移位寄存器和三态输出。每路最大可输出35mA 的电流(非恒流)。一般的IC厂家都可生产此类芯片。显示屏行业中常用Motorola(Onsemi)，Philips及ST等厂家的产品，其中Motorola的产品性能较好。 2．2专用芯片 专用芯片具有输出电流大、恒流等特点，比较适用于电流大，画质要求高的场合，如户外全彩屏、室内全彩屏等。 专用芯片的关键性能参数有最大输出电流、恒流源输出路数、电流输出误差(bit-bit,chip-chip)和数据移位时钟等。 ●最大输出电流 目前主流恒流源芯片的最大输出电流多定义为单路最大输出电流，一般在90mA左右。恒流是专用芯片的最根本特性，也是得到高画质的基础。而每个通道同时输出恒定电流的最大值(即最大恒定输出电流)对显示屏更有意义，因为在白平衡状态下，要求每一路都同时输出恒流电流。一般最大恒流输出电流小于允许最大输出电流。 ●恒流源输出路数 恒流源输出路数主要有8(8位源)和16(16位源)两种规格，现在16位源基本上占主流：如TLC5921，TB62706／TB62726，MBl5026／MBl5016等。16位源芯片主要优势在于减少了芯片尺寸，便于LED驱动板(PCB)布线，特别是对于点间距较小的PCB更是有利。
led衬底选用
LED衬底-LED衬底材料选用的比较 关键字：LED衬底，LED衬底材料添加时间：2010-4-19 在LED晶圆(LED外延片)制程方面，不同的衬底材料，需要不同的磊晶（晶圆生长）技术、芯片加工技术和封装技术，LED衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 LED灯衬底材料的选择主要取决于以下9个方面，衬底的选择要同时满足全部应该有的好特性。所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工制程的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发 和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3 和碳化硅SiC衬底。 如果我们来看LED衬底材料，好的材料应该有的特性如下： 1、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。 2、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。 3、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。 4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。 5、导电性好，能制成上下结构。 6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。 7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等。 8、价格低廉。 9、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 一般说来，LED衬底还有哪些呢？ 1、氮化镓衬底 用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高晶圆膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过HVPE方法在其它衬底(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显，即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位错密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位错密度要明显低；但价格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。 2、Al2O3衬底 目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3，其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟；不足方面虽然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服，导电性能差通过同侧P、N电极所克服，机械性能差不易切割通过雷射划片所克服，很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但是，差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率
LED显示屏芯片原理图
第五节、电子原器件原理 1、74HC245 1脚为 控制端，19脚为使能端； 当1脚为高电平、19脚低为低电平时信号 从2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9 脚输 入；18、17、16、15、14、13、12、11脚 输出信号； 当1脚为低电平、19脚低为低电平时信号 从18、17、16、15、14、13、12、 11脚输入；2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9位输出信号；10脚为GND，20 脚为+5V；（输入信号从排针上来， 一般为红；绿；锁存；时钟；使能； A B C D 信号；这些信号一般分到 2个245的针脚上，然后输出到595 （红；绿；锁存；时钟）；138（A B C D）；和输出的排针上（锁存；时 钟）
2、74HC138 3线—8线译码器 HC138有三个地址输入（A0-A2），三个选通输入（STA，-STB，-STC）和八个输出（-Y0 -- -Y7）。当STA为高电平，-STB 和-STC为低电平时器件被选通，A0-A2K可确点-Y0 -- -Y7中的一个以低电平呈现，对于STA，-STB，-STC的其它任何组合，-Y0 -- -Y7均为高电平。 A0---A1地址输入端 STA---选通端 -STB.-STC--选通端（低电平有效）-Y0--- -Y1输出端（低电平有效） GND---地
VCC---电源 A0—A2一般为A:B:C信号 Y0— Y7信号输出端，输出到4953的 2，4脚上；有时使能信号也245 到138（第5脚）上，此信号又 从138上输出到排针。
3、74HC595 8位移位寄存器（串行输入，3S并行锁存输出） HC595内含8位串入，串/并出移位寄存器和8位三态输出锁存器。寄存器和锁存器分别有各自的时钟输入（CPsr和CPla）。当CPsr从低到高电平跳变时，串行输入数据（DS）移入寄存器。当CPla从低到高电平跳变时，寄存器的数据置入锁存器。清除端（-CR）的低电平仅对寄存器复位（Q7S 为低电平）。而对锁存器无影响。当输出允许控制（-EN）为高电平时，并行输出（Q0—Q7）为高阻态，而串行输出（Q7S）不受影响。 CP1A---锁存器时钟输入端CPSR---寄存器时钟输入端-CR---清除端（低电平有效） DS---串行数据输入端 -EN---输出允许控制端（低电平有效） Q0、Q7---并行数据输出端 Q7s---串行数据输出端 VCC---电源 GND---地 14脚为信号输入端,此信号从245的针脚上输入;Q0----Q7信号输出到模块针脚(红绿信号);
LED芯片常用衬底材料
LED芯片常用衬底材料选用比较 对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： 1. 蓝宝石（Al2O3） 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅（SiC） 蓝宝石衬底 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。
图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片 使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。
蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。 蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。 硅衬底 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L 接触（Laterial-cONtact ,水平接触）和 V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。
LED显示屏单元板常用芯片参数说明方便客户维修维护
楚豪光电科技常用器件的介绍 随着LED显示屏工程商越来越多，生意越做越火爆，显示屏的问题也水涨船高，通常最头疼的问题就是显示屏的主要组成部分：单元板，新手一般不知道LED单元板维修时从哪里下手，围绕这个问题，我们总结了一下常见的问题及排除，提起74HC595，我想大家都不陌生，595也就是单元板的模块或者灯珠的垂直驱动芯片，一般单元板出现垂直一组灯不亮或者常亮，基本上都是这个芯片出现了问题或者虚焊，我们再来介绍下4953，它的作用是模块或者灯珠的行驱动，当LED单元板出现水平一条或者两条灯不亮的现象，也就是4953这个芯片的问题，至于其它芯片的作用及介绍，如下所述： 1．ＩＣ的管脚功能 IC芯片分别：74HC245、74HC595、74HC138、74HC04、4953。各IC管脚功能如下： A: 74HC245功能是放大及缓冲。各引脚如图 20 和1接电源(+5V) 19脚和10脚接电源地(GND)
当电源是以上接时：输入脚分别为2、3、4、5、6、7、8、9。 输出脚分别为11、12、13、14、15、16、17、18 注：2脚输入时，18脚输出。其它脚以此类推。 B：74HC138功能是8选1译码器，输出为8行。控制行数 据。各引脚如图 第8脚GND，电源地。第16脚VCC，电源正极第1-3脚A、B、C输入脚。第4-6脚选通输入端，（一般第5脚为EN ）9-15 脚和第7脚输出端。 C：74HC595功能是8位串入、并出移位寄存器。控制列数据。各引脚如图
16脚和10脚接电源（+5V），13脚和8脚接电 源地（GND）。 列信号输出脚：1、2、3、4、5、6、7、15。 第一列输出脚为7脚，以此类 推。另第八列输出脚为15脚。 数据信号输入脚（Din）为14，数据信号输出 脚（Din）为9。 锁存信号脚（L）为12脚，移位信号脚为11 脚。 D：74HC04功能是六带缓冲反相器，控制使零信号（EN）。 各引脚如下图 15脚接电源（+5V），7脚电源地（GND）。 信号输入脚为：1、3、5、9、11、13。 信号输出脚为：2、4、6、8、10、12。 E：4953行管功能是开关作用，每个行管控制2 行。 1脚和3脚接电源（+5V）。
Si衬底LED芯片制造和封装技术
Si衬底LED芯片制造和封装技术 (2011-10-17 11:52:22) 转载 标签： 杂谈 引言 1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。 1 Si衬底LED芯片制造 1.1 技术路线 在si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。 工艺流程：在si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN多量子阱发光层→生长P型AlGaN层→生长p型GaN层→键合带Ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。 1.2 主要制造工艺 si衬底GaN基LED芯片结构图见图1。 图1 si衬底GaN基LED芯片结构图 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜（P欧姆电极）、GaN外延层、粗化表面和Au电极。这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。 1.3 关键技术及创新性
3款LED显示屏驱动芯片比较(精)
LED显示屏作为一项高科技产品引起了人们高度重视,采用计算机控制,将光、电融为一体的大屏幕智能显示屏已经应用到很多领域。LED显示屏的像素点采用LED发光二极管,将许多发光二极管以点阵方式排列起来,构成LED阵列,进而构成LED屏幕。通过不同的LED驱动方式,可得到不同效果的图像。因此驱动芯片的优劣,对LED显示屏的显示质量起着重要的作用。 LED驱动芯片可分为通用芯片和专用芯片。通用芯片一般用于LED显示屏的低端产品,如户内的单、双色屏等。最常用的通用芯片是74HC595,具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路最大可输出35mA 电流(不是恒流一般IC厂家都可生产此类芯片。 由于LED电流特性器件,即在饱和导通的前提下,其亮度随着电流大小的变化而变化,不是随着其两端电压的变化而变化。因此,专用芯片的一个最大特点是提供恒流源。恒流源可保证LED稳定驱动,消除LED闪烁现象。下面将重点介绍LED显示屏的专用驱动芯片。专用芯片的主要参数和发展现状专用芯片具有输出电流大、恒流等基本特点,比较适用于要求大电流、画质高的场合,如户外全彩屏、室内全彩屏等。专用芯片的关键性能参数有最大输出电流、恒流源输出路数、电流输出误差(bittobit,chiptochip和数据移位时钟等。1最大输出电流目前主流的恒流源芯片最大输出电流多定义为单路最大输出电流,一般90mA 左右。电流恒定是专用芯片的基本特性,也是得到高画质的基础。而每个通道同时输出恒定电流的最大值(即最大恒定输出电流对显示屏更有意义,因为在白平衡状态下,要求每一路都同时输出恒流电流。一般最大恒流输出电流小于允许的最大输出电流。2恒流输出通道恒流源输出路数有8位(8路恒源和16位(16路恒源两种规格,现在16位源占主流,其主要优势在于减少了芯片尺寸,便于LED驱动板 PCB布线,特别是对于点间距较小的LED驱动板更有利。3电流输出误差电流输出误差分为两种,一种是位间电流误差,即同一个芯片每路输出之间的误差;另一种是片间电流误差,即不同芯片之间输出电流的误差。电流输出误差是个很关键的参数,对显示屏的均匀性影响很大。误差越大,显示屏的均匀性越差,很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差(bittobit一般在±6%以内,chiptochip片间电流误差在±15%以内。4数据移位时钟数据移位时钟决定了显示数据的传输速