紧固件命名规则
紧固件命名规则
本规则依据GB/T1237制定，规定了紧固件的标记办法，适用于我公司紧固件在图纸及BOM系统中的命名。
1、螺钉或螺栓的标记：
a）、名称：使用国标规定的规范名称，如：螺钉、螺栓、螺母、自攻螺钉、螺钉组合件、塑料螺钉等。
b）、标准号：标注国标号、部标号或企标号（不写年号），如是我公司自行设计，则标注所属产品型号。
c）、螺距：只适用于细牙螺纹，粗牙则省略。
d）、材料：如用碳钢材料，则本部份省略，否则应注出，如Cu（铜）、C1（不锈钢。不锈钢材料代码详见GB3098.6，其中：奥氏体，A1、A2、A4；马氏体，C1、C3、C4；铁素体，F1。）
e）、扳拧形式：如采用标准规定的扳拧形式，则省略，否则应注出，如复合槽。
f）、表面处理：如是碳钢材料镀锌钝化，则省略，否则应注出，如Cu/Ni（铜镀镍）、Cu/Ni6b（铜镀亮镍，镍层厚6μm）、Cu/Sn（铜镀锡）、Cu/Sn（60）Pb（铜镀铅锡）、Fe/Ni6bCr0.3r（碳钢镀镍铬）、O（表面氧化）、不锈钢材料通常不需镀覆。如镀层符合ROHS指令，则标注在表面处理后并置于括号内。
表1 螺钉标记示例表
注1：如紧固件的标记中未注明材料及表面处理，则表示紧固件的材料为碳钢镀锌钝化（即镀彩锌）。
注2：自攻螺钉有两种型式，C型和F型，C型是尖端面，F型是平端面。但自攻锁紧螺钉不分型。
注3：盘头和圆柱头的区别在于盘头的头部盘径稍大于圆柱头，但头部厚度稍薄于圆柱头。
注4：沉头和半沉头的区别是沉头的头部是平端面，半沉头的头部是弧形端面，沉头的头部厚度薄于半沉头。注5：紧定螺钉和普通螺钉的区别是，普通螺钉的头部形状呈T型，而紧定螺钉没有T型头部。
注6：开槽表示头部为一字槽。复合槽，十字槽及一字槽可通用，但同批次产品应统一。
注7：对于不锈钢紧固件，鉴于我公司员工对其代码不熟悉，故可在材料代码后备注“不锈钢”，置于括号内。
注8: 螺钉和螺栓区别
螺钉：由头部和螺杆两部分构成，用在有预制螺纹的地方，不需和螺母配用。常用内扳拧，头部常有穴。
螺栓：由头部和螺杆两部分构成，需与螺母配用，用于紧固连接两带通孔的零件。外扳拧，常为六角头。
表3 螺钉组合件标记示例表
注9: 如选用符合上海振华企标的螺钉组合件，则标记分别为：螺钉组合件ZBY1（螺钉和圆平垫两组合）、ZBYA1（螺钉和圆平垫、圆弹垫三组合）、ZBF1（螺钉和方平垫两组合）、ZBFA1（螺钉和方平垫、方弹垫三组合）。 2、螺母的标记：
a ）、名称：使用国标规定的规范名称，如：螺母。
b ）、标准号、螺距、材料及表面处理等的标识与螺钉的标注方法相同。
3、垫圈的标记：
a ）
特将平垫圈统一命名为“平垫”，弹簧垫圈统一命名为“弹垫”。
b ）、公称规格：指螺纹大径，如外螺纹M8的大径即是8。
c ）、标准号、材料及表面处理等的标识与螺钉的标注方法相同。
d ）、如弹垫的标记中未注明材料及表面处理，则表示其材料为65Mn ，表面处理为表面氧化。
表5 垫圈标记示例表
4、挡圈的标记：
a ）、名称：统一命名为“挡圈”。公称规格：指轴径或孔径。标准号的标识与螺钉的标注方法相同。
b ）、挡圈的材料为65Mn ，表面处理为表面氧化。
表6 挡圈标记示例表
6×40（表示公称直径——大端直径为φ6，公称长度为40，材料是碳钢，表面氧化处理，A 型形状。） 注11：选用紧固件时，应首先从BOM 清单现有的订货号中选择，并尽量选择常用的或库存量较多的紧固件。在确认现有BOM 数据库中的所有件均不适用时，才允许新选。
注12：在BOM 系统中，紧固件标记中的所有“×”号均用“*”号表示。
注13：当本规则规定的紧固件标记格式不能表述其全部要素时，允许在本命名格式尾部加后缀，并置于括号内，如（科星专用）、（本色）等。
绝缘子型号命名规则
绝缘子型号的含义 绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2 表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝
2015年常用螺钉与螺栓命名实用标准
2015年常用螺钉与螺栓命名标准 1.目的： 自公司成立以来，常用螺钉与螺栓的中文名称与规格型号没有明确的标准规定，造成管理混乱；因此对常用螺钉与螺栓进行了规范性的命名说明；方便日常采购、存储以及统一管理。 2.范围： 3.类别： 目前公司常用到的各类螺钉与螺栓等紧固件。 4.引用标准： GB 845-85 十字槽盘头自攻螺钉 GB 846-85 十字槽沉头自攻螺钉 GB 847-85 十字槽半沉头自攻螺钉 GB 6560-86 十字槽盘头自攻锁紧螺钉 GB 6561-86 十字槽沉头自攻锁紧螺钉 GB 6562-86 十字槽半沉头自攻锁紧螺钉 GB/T 5782-2000 六角头螺栓 GB/T 5280-2002 自攻螺钉用螺纹 GB/T 3106-82 螺栓、螺钉和螺柱的公称长度和普通螺栓的螺纹长度 GB/T 70.1-2000 内六角圆柱头螺钉 GB/T 193-2003 普通螺纹直径与螺距系列 5.常用螺钉与螺栓标注说明： 5.1非锁紧自攻螺钉标注说明
本标准仅标注实用尺寸，实用尺寸包括（公称长度与公称直径），以十字槽盘头自攻螺钉举例说明；如图1所示。 图1 5.1.1非锁紧自攻螺钉公称直径规格表 公称直径规格选择方法：首先，通过游标卡尺测量螺钉的公称直径；通过列表中提供的最小值（min）与最大值（max）范围，从而确定公称直径规格；如表1所示。 具体详细参数，可查阅GB/T 5280-2002。 5.1.2非锁紧自攻螺钉公称长度规格表 公称长度规格选择方法：首先，通过游标卡尺测量螺钉的公称长度；通过列表中提供的最小值（min）与最大值（max）范围，从而确定公称长度规格；如表2所示。 具体详细参数，可查阅GB/T 3106-82、GB 845-85、GB846-85、GB847-85。
封装命名规则
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
紧固件命名规则
紧固件命名规则 本规则依据GB/T1237制定，规定了紧固件的标记办法，适用于我公司紧固件在图纸及BOM系统中的命名。1 a）、名称：使用国标规定的规范名称，如：螺钉、螺栓、螺母、自攻螺钉、螺钉组合件、塑料螺钉等。 b）、标准号：标注国标号、部标号或企标号（不写年号），如是我公司自行设计，则标注所属产品型号。 c）、螺距：只适用于细牙螺纹，粗牙则省略。 d）、材料：如用碳钢材料，则本部份省略，否则应注出，如Cu（铜）、C1（不锈钢。不锈钢材料代码详见GB3098.6，其中：奥氏体，A1、A2、A4；马氏体，C1、C3、C4；铁素体，F1。） e）、扳拧形式：如采用标准规定的扳拧形式，则省略，否则应注出，如复合槽。 f）、表面处理：如是碳钢材料镀锌钝化，则省略，否则应注出，如Cu/Ni（铜镀镍）、Cu/Ni6b（铜镀亮镍，镍层厚6μm）、Cu/Sn（铜镀锡）、Cu/Sn（60）Pb（铜镀铅锡）、Fe/Ni6bCr0.3r（碳钢镀镍铬）、O（表面氧化）、不锈钢材料通常不需镀覆。如镀层符合ROHS指令，则标注在表面处理后并置于括号内。 表1 螺钉标记示例表 注1：如紧固件的标记中未注明材料及表面处理，则表示紧固件的材料为碳钢镀锌钝化（即镀彩锌）。 注2：自攻螺钉有两种型式，C型和F型，C型是尖端面，F型是平端面。但自攻锁紧螺钉不分型。 注3：盘头和圆柱头的区别在于盘头的头部盘径稍大于圆柱头，但头部厚度稍薄于圆柱头。 注4：沉头和半沉头的区别是沉头的头部是平端面，半沉头的头部是弧形端面，沉头的头部厚度薄于半沉头。注5：紧定螺钉和普通螺钉的区别是，普通螺钉的头部形状呈T型，而紧定螺钉没有T型头部。
PCB封装库命名规则
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
国家半导体产品命名规则
美国国家半导体(NS)产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”
的真正字元。 NS = 标准NS商标 U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程 样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 顶端小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
封装命名规则
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
IC命名 封装 批号 常识等大全
IC命名封装批号常识等大全IC基本认 识 德州仪器( TI ), 安森美( ON ), 国半( NSC ), 国半( NSC ),德意志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )
↑ IC封装如上 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里
就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识： AM29LV 640 D（1）U（2）90R WH（3）I（4） 1：表示工艺： B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit 2：表示扇区方式： T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom 3：表示封装： P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA 4：温度范围 C=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃ MAXIM MAXIM产品命名信息(专有命名体系) MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。 三字母后缀： 例如：MAX232CPE C=等级（温度系数范围）P=封装类型（直插）E=管脚数（16脚） 四字母后缀： 例如：MAX1480BCPI B=指标等级或附带功能C=温度范围P=封装类型（直插）E=管脚数（28脚） 温度范围： C= 0℃至60℃（商业级）I=-20℃至85℃（工业级）E=-40℃至85℃（扩展工业级）A=-40℃至82℃（航空级）M=-55℃至125℃（军品级） 封装类型： A—SSOP；B—CERQUAD；C—TO-200，TQFP；D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP，H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP；N—DIP；Q—PLCC；R—窄陶瓷DIP（300mil）;S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100；U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型（300mil）；X—SC-60（3P，5P，6P）；Y—窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封；/W-晶圆。 管脚数：
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
美国半导体元件命名规则
标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。 典型元件描述（第二行） 标记的第二行描述封装中的特定电路。下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括： 顶端 其他信息, 第三行和第四行 根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括： ?元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳） ?特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号 ?与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项 其它标记 由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息： ?特殊可靠性工艺处理 (/A+) ?处理MIL-STD-883C (/883) ?指示可调整的输出元件 (-ADJ) ?指示输出电压级别 (-5.0) ?指示工作频率 (-33) ?产品推出状态代码 (ES) ?上面各项以外的其它信息
制造日期代码 单位日期代码： 单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。4 位日期代码通常用于军事/航空元件。3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。 商用元件： 定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。 6 周日期代码如下所示。 2007200620052004 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S 0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T 0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U 0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V 0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W 0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X 0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y 0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z 0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 = 2003200220012000 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J 0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K 0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L 0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M 0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N
PCB元器件封装命名规则
PIC 是单片机的一种，比如51单片机，avr单片机；而每个厂家制作的单片机都要给其起名字，名字里会有许多信息，具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”，或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1．前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号，特别地：dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2．系列号:10、12、16、18、24、30、33、32，其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3．器件型号（类型）： C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4．改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5．晶体标示： LP 小功率晶体， RC 电阻电容， XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6．频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ -20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ 7．温度范围： 空白 0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 8．封装形式：
L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
NS国半半导体产品命名规则
NS国半半导体产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号, 并表列于这网页内的价格与供货部份中。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C”或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43A BE”的真正字元。 NS = 标准NS商标
U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES”工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+”号表示為工程样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） [元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
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精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
PDMS_元件命名规则
PDMS_元件命名规则 管道元件命名规则 Index 目录 1.Naming Components 元件命名 2. Deriving Bolt Names 螺栓命名 3. COCO Table Coding 联接兼容表命名 4. Component CATREF coding 元件CATREF命名 第 1 页共 62 页 1. Naming Components 元件命名 Size Facing Rating Component Type Standard number International Standard International Standard: 国际标准 A ANSI Standard (ANSI) B British Standard (BS) C China (中国) D Deutsche Institut für Normung (DIN) F FRAMATOME I ISO M Manufacturers Standardisation Society (MSS) P American Petroleum Institute (API) J Japanese Standards Standard 标准 BS1560, ANSI B16.9, DIN 2050，中国(如GB、JB等)etc.
Type 类型 PDMS 常用类型:ATTA, TEE, BEND, ELBO, REDU, FLAN, OLET, NOZZ CROSS, VALVE, INST etc. Rating 压力等级 ANSI, BS, API, MSS 125#, 150#, 300#, 600#, 900#, 1500#, 2500#, 3000#, 6000#, 9000# (#=lb/sq. in.) China(中国) 0.25MPa,0.6MPa,1.0MPa, 1.6MPa, 2.5MPa, 6.3MPa, 10.0MPa, 16.0MPa, 25.0MPa, 32.0MPa, DIN (ND=Nenndruck) 10, 16, 25, 63, 100, 160, 250, 320, 400 Facing 端面类型 ANSI,BS,API,MSS,DIN ANSI,BS,API,MSS DIN China RF Raised Face TO Tongue FE Tongue RF 凸面法兰 FF Flat Face GR Groove NU Groove FF 平面法 兰 RTJ Ring Type Joint MA Male VS Projection RTJ 环连接面法兰 SCF Screwed Female FE Female RS Recess SCF 内螺纹连接 SCM Screwed Male SCM 外螺纹连接 TUB Plain End TUB 管子 BLF Blinded BLF 盲板 BWD Buttweld End BWD 对焊连接 LIN Lined Facing Size: 公称直径 Nominal bore sizes in inches or mm 英制或公制的公称直径 Typical Catalogue Names: 典型的Catalogue命名 BARC200 = BS1640 BW CONC REDUCER AAEA200 = ANSI B16.9 BW ELBOW 90 DEG CAFWBD0= 中国国标GB12459-96 PN1.6Mpa带颈对焊法兰 DCZFBP0 = DIN 2633 FLANGED NOZZLE PN16RF DAVHBPR= DIN 3202 GLOBE VALVE PN16 RF 第 2 页共 62 页
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下: