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GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
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GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996
中华人民共和国国家军用标准
微电子器件试验方法和程序
Test methods and procedures for microelectronic device
方法 1009.2 盐雾(盐汽)
1 目的
本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验
1.1 术语和定义
1.1.1 腐蚀 corrosion
指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏
1.1.2 腐蚀部位 corrosion site
指涂层和(或)底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置
1.1.3 腐蚀生成物(淀积物) corrosion product(dcposit)
指腐蚀作用的结果(即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等)。腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流
动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。
1.1.4 腐蚀色斑 corrosion stain
腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。
1.1.5 气泡 blister
指涂层和底金属之间的局部突起和分离
1.1.6 针孔 pinhole
指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。
1.1.7 凹坑 pitting
指涂层和(或)底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞
1.1.8 起皮 flaking
指局部涂层分离，而使底金属显露
2 设备
盐雾试验所用设备应包括：
a) 带有支撑器件夹具的试验箱。该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在试验
箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。该箱应适当通风，以防止产生“高压”
，并保持盐雾的均匀分布；
b) 能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D(
见3.2)要求的备用盐溶液容器；
c) 使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体(应防止诸如油和灰尘
等杂质随气体进入雾化器中);
d) 试验箱应能加热和控制
e) 在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；
f) 空气或惰性气体于燥器；
g) 1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。
3 程序
3.1 试验箱的维护和初始处理
试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。使试验箱工作在(35±3)℃
，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。某些试验可能在清洗
之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件(见3.2)。当需要做长时间试验(见3.2的试验
条件C和D)时，盛盐溶液的容器可采用备用的容器来补充，以便试验不中断。清洗后，试验箱开始工作时，盐溶
液应补满该容器，并且应对试验箱进行适当地控制，使其温度稳定(见3.1.4)。如果试验箱中断工作超过一个
星期，即使还留有盐溶液，也应废弃。而且试验箱在重新开始工作之前应当进行清洗。如果盐溶液的pH值和浓度
保持在3.1.1中规定的范围之内，允许试验箱不连续工作。
3.1.1 盐溶液
为了达到3.1.4所要求的淀积速率，盐溶液的浓度应为0.5%~3.0%(重量百分比)的去离子水或蒸馏水溶液。所用
的盐应为氯化钠，其碘化钠的质量百分比不得多于0.1%，且总杂质的质量百分比不得多于0.3%。在(35±3)℃
下测量时，盐溶液的pH值应在6.5~7.2 之间。只能用化学纯的盐酸或氢氧化钠(稀溶液)来调整pH值。
3.1.2 引线的预处理
除另有规定外，试验样品不应进行预处理。当有要求时(见4c)，样品进行试验之前，器件引线应按方法2004试
验条件B1的要求，承受弯曲应力的初始处理。如果进行试验的样品已经作为其他试验的一部分进行过所要求的初
始处理，那么，其引线无需重新弯曲。
3.1.3 试验样品的安置
样品应按下述方位安置在固定的夹具上(有机玻璃棒、尼龙或玻璃纤维筛、尼龙绳等)。样品应这样安置，使它
们彼此不接触，彼此不遮挡，能自由地接受盐雾作用，腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品落到另一个样品上。
a) 引线固定于封装侧面或引线从封装侧面引出的双列封装(例：侧面纤焊双列封装和陶瓷玻璃熔封双列封装)
：盖面向上，偏离垂直方向15°~45°。将有引线的一个封装侧面向上，偏离垂直方向大于或等于15°(见图Ia)
)
b) 引线固定于封装底部(与盖板相对的那一面)或引线从底部引出的封装(例如金属圆形封装，金属平板封装
)：盖板偏离垂直方向15°~45°。试验时一半样品应盖面向上；剩下一半，引线向上(见图1b)
c) 引线固定于封装某一面或从某一面引出，且与盖板平行的封装(例如扁平封装)：盖板偏离垂直方向15°~45
°将有引线的封装面向上，且偏离垂直方向或等于15°。对金属壳封装，试验时一半样品封帽向上。剩下的样品
外壳向上。其他封装都应盖板向上做试验(见图1c)。
d) 无引线或有引线片式载体：盖板偏离垂直方向15°~45°,试验时一半样品盖板向上，剩余的样品盖板向下(
见图1d)
注1：对于要求进行两种取向的试验，应把规定的样品数分成两等份(或尽可能接近一半)。在所有的情况下，
对所有的封装表面按3.4进行试验后的检查。
注2：对开有窗口的紫外线可擦器件进行试验时，要采取保护措施，以防止光感应电动势产生电解作用。
3.1.4 试验箱的控制
按照第3章的要求对试验箱进行处理之后，具有温度至少35℃的盐雾在规定的试验时间内(见3.2)流过试验箱。
试验箱内的温度应保持在(35±3)℃。盐雾的浓度和速度应调节到使得盐在试验区域内的淀积速率在(20~50)
g/(m2·d)之间。盐的淀积速率可以用体积的、重要的或其他方法来测定(由用户任意选择)。在试验箱底部收
集的盐液应废弃。
3.2 试验时间
应从下列试验条件中规定试验的最短时间。除另有规定外，应采用试验条件A
3.3样品检验的准备工作
完成试验后，试验样品应立即用自由流动的去离子水(水温不得超过38℃)至少冲洗5min，以便除去样品表面沉
淀的盐。而后样品用空气或惰性气体吹干，进行下述检查。
表1 试验条件
试验条件试验时间h
A 24
B 48
C 96
D 240
3.4 失效判据
除3.4.1 b)和3.4.1 c)另有规定外，所有检查都应在放大10倍~20倍的情况下进行。
注1：腐蚀色斑不应认为是3.4.1a)中所指的缺陷
注2: 由引线腐蚀产生的淀积在引线以外部位的腐蚀生成物，不应认为是3.4.1a)中所指的缺陷。
注3：引线端头的腐蚀和由此腐蚀产生的腐蚀生成物，不应判为不合格。
注4：若由于几何形状尺寸或设计(例如针栅阵列封装的引线底部或陶瓷双列封装的钎焊部分)不能按3.4.1b(
作进一步试验的引线，应根据3.4.1a)失效判据进行判定。
3.4.1 带有表面镀涂的产品
器件出现以下情况则不能接收：
a) 腐蚀缺陷面积超过除引线外的任何封装零件(例如盖板、管帽或外壳)镀涂或底金属面积的5%。在测量中要
计入的腐蚀缺陷有：凹坑、气泡、起皮和腐蚀生成物。腐蚀缺陷面积由以下方法确定：用已知缺陷面积的卡片或
照片(见图2)进行比较，用网格或类似的测量器具或镜像分析仪直接测量。
b) 引线缺损、断裂或部分分离。此外，若引线出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成物完全跨越引线，或玻
璃封装中出现针孔、凹坑、气泡、起皮、腐蚀生成或腐蚀色斑的引线，应进一步做如下试验：在引线缺陷处弯曲
90°，使拉伸应力加到缺陷处。若出现引线的断裂或底层金属的破裂面超过引线横截面积的50%，应拒收。若有
多处出现缺陷，应在腐蚀最严重处进行弯曲。对10根以上引线出现缺陷的封装，只需对最多10根腐蚀最严重引线
进行弯曲。应放大30倍~60倍进行破裂情况检查。
c) 规定标志的一部分脱落、褪色、弄脏、模糊或不可辨认。该检查应在室内正常照明下放大1倍~3倍进行。
3.4.2 封装元件
作为来料检查，在封装装配之前，对封装元件或部分组装的封装壳体进行本试验，或作为一种选择性的质量控
制在完成封装之前进行本试验，或作为一种要求的试验(见4d)时，呈现下列现象的元件不得接收：
a) 腐蚀缺陷面积超过盖板镀涂面积或底金属面积的1.0%，或超过除引线以外其他任何封装零件(例如外壳)镀
涂面积或底金属面积的2.5%。器件制造完成后不会暴露于周围环境的镀涂或底金属层上的腐蚀不必考虑。应根据
3.4.1a)程序进行本条检查。
b) 其引线镀涂根据3.4.1b)应被拒收的引线
4 说明
有关的订购文件应规定以下内容：
a) 试验时间(若不是试验条件A)(见3.2)
b) 试验后的测量和检查(除目检外)(见3.4)
c) 预处理的要求(若需要)和程序(若不按3.1.2的规定)
d) 封装元件的来料检查或部分组装的封装壳体检查的要求(见3.4.2)(需要时)。
电子科技大学微电子器件实验讲义
1-1 1-2 1-1 1-2 1XJ4810 2 3 1XJ4810 XJ48101-3 1 2 3 50Hz 4 5 6
XJ4810XJ4810[1] 1-3 XJ4810 23DG6 npn 1R i R i CE V B BE i I V R 3DG6V CE = 10V Q R i 1- 4 0~10V + + 0.1~1k x 0 .1V/ y 0.1mA/ x 1V/10V x 0.1V/V CE =10V 1-5 .200101.002 .03 10 V V B BE i CE I V R 1-4 1-5
2h FE h FE 1- 4 0~50V + + 0.1~1k x 2V/ y 2mA/ 0.02mA/ 1-6 11002. 02.2100 1.010 10101010B C V CE V mA C I B C V CE V mA C I FE I I I I h h FE h FE 1-7x 1-6 1-7 I B g I B B I CE c V I g ""--2mA/I E
CB V E C I I 3V CES V BES V CES V BES V CES C --E V BES B --E V BES =0.7~0.8V V BES =0.3~0.4V V CES V BES V BES 1-4I C =10mA I B =1mA 0~50V 0.5~1K + + x 0.05V/ y 1mA/ 0.1mA/ / 10 1011I C =10mA V CE V CES 1-8V CES =0.15V y x 0.1V/1-9I B =1mA V BE V BES 1-9V BES = 0.78V 1-8 V CES 1-9 V BES 4BV CBO BV CEO BV EBO V B BV CEO BV CBO c Wc BV CBO x mB V B W C c W C BV CBO C --B BV CEO
GJBB微电子器件试验方法和程序文件
G J B B微电子器件试验方 法和程序文件 Revised final draft November 26, 2020
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 点击次数：181 发布时间：2011-3-1 14:24:07 GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996?中华人民共和国国家军用标准微电子器件试 验方法和程序Test methods and procedures for microelectronic device 方法 1009.2 盐雾(盐汽) 1 目的 本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验 1.1 术语和定义 1.1.1 腐蚀 corrosion指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损 坏1.1.2 腐蚀部位 corrosion site指涂层和(或)底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置1.1.3 腐蚀生成物(淀积物) corrosion product(dcposit)指腐蚀作用的结果(即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等)。腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流 动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。 1.1.4 腐蚀色斑 corrosion stain腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。1.1.5 气泡 blister指涂层和底金属之间的局部突起和分离1.1.6 针孔 pinhole指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。1.1.7 凹坑 pitting指涂层和(或)
底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞1.1.8 起皮 flaking指局部涂层分离，而使底金属显露 2 设备盐雾试验所用设备应包括：a) 带有支撑器件夹具的试验箱。该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在试验 箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。该箱应适当通风，以防止产生“高压” ，并保持盐雾的均匀分布；b) 能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D( 见3.2)要求的备用盐溶液容器；c) 使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体(应防止诸如油和灰尘 等杂质随气体进入雾化器中);d) 试验箱应能加热和控制e) 在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；f) 空气或惰性气体于燥器；g) 1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。 3 程序3.1 试验箱的维护和初始处理试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。使试验箱工作在(35±3)℃ ，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。某些试验可能在清洗 之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件(见3.2)。当需要做长时间试验(见3.2的试验
公司文件控制程序规范
1 目的 为对公司的文件进行操纵，确保其适用性、系统性、协调性和完整性，公司制定并执行《文件操纵程序》 2 范围： 2.1 本程序规定了治理体系文件的操纵原则和方法。 2.2 本程序适用于与质量/环境/职业健康安全有关的所有文 件，其中有公司自 己制定的，也有引用的国家或行业标准，以及顾客提供的各种资料。 3 职责 3.1 ISO小组是文件操纵的主管部门。 3.2 秘书科对文件进行治理。 3.3 三层文件由各主管部门进行操纵。 4 程序要求 4.1 文件的分类：本公司文件分为5类
4.1.1 手册 文件类不代号：M（质量手册QM，环境手册EM，职业健康安全手册HM） 4.1.2 程序文件 文件类不代号：P（共用程序P，质量程序QP，环境程序EP，职业健康安全程序HP） 4.1.3 作业性文件文件类不代号：O 4.1.4 记录文件类不代号：R 4.1.5 技术标准文件类不代号：S 4.2 文件的编号规定 公司的文件进行统一编号，由4部分组成：公司代号； 文件类不 代号；公布部门代号；部门流水号。 编号形式： JFQ.×（×）—×.×× a b c d
a、公司代号：JFQ b、文件类不代号：见4.1.1 ~ 4.1.5 c、部门代号：总务部A；营业部B；生产部C；工程部D； 品质保证部E；薄片部F；技术协作部G；ISO小组O。 d、部门流水号：由各部门经理将编号分配给各科室，流 水号自01起，各类文件（5 类）分不编号。流水号同意不连续。 例：质量手册： JFQ.QM-O.01 文件操纵程序： JFQ.P-O.01 合同评审操纵程序： JFQ.QP-O.01 文件操纵程序： JFQ.P-O.01 化验室治理规定： JFQ.O-E.02 4.3 文件的编写格式及内容要点 4.3.1 针对公司内部的文件以中文编写，对外公布的文件可依 照需要以中文、英文或日文 编写。 4.3.2 一般地，文件公布时采纳书面形式，留档保存的文件可采纳磁盘硬拷贝。 4.3.3 同类文件采纳统一格式。
公司文件控制管理程序范本
俊杰 1.目的 对与公司质量管理体系有关的文件进行控制，确保各相关场所使用文件的有效版本。 2.范围 适用于与所有质量管理体系有关文件的控制。 3.职责 3.1行政部负责公司质量管理体系文件编制、收发、更改的控制和管理； 3.2生产部负责公司技术、工艺文件及新产品研发过程中文件的编制、收发、更改的控制和管理; 3.3其他部门负责本部门文件的管理和正确使用。 4.程序 4.1文件分类4.1.1质量管理体系文件包括：
4.3.1质量手册由行政部负责编写，由管理者代表审核，总经理批准发布； 4.3.2程序文件、作业指导书由部门负责编写，由部门负责人审核，管理者代表批准； 4.3.3文件批准发布时，审批人应确保文件是适宜的； 4.3.4质量手册、程序文件由管理者代表确定发放范围，经管理者代表批准后发放到相应的使用部门，行政部填写《文件发放回收登记表》，领用人签名领取。 4.3.5其它质量文件由各部门确定发放范围，分管领导批准后发放至有关人员，并填写《文件发放回 收登记表》，领用人签名领取。 4.4文件的受控、作废 文件分为“受控”和“非受控”两大类，凡与公司质量管理体系运行的各使用场所紧密相关的文件应为受控文件。所有受控文件须在该文件封面加盖“受控”印章，并注明分发号。凡提交顾客等可用“非受控”文件。 4.5文件的更改 4.5.1质量管理体系文件的更改由行政部负责公司实施，申请更改部门填写《文件更改申请单》，经 原审核者审核，原文件批准者批准后更改。如果指定其他部门审批时，该部门应获得审批所需依据的有关背景资料；文件的所有更改，均须体现在《文件更改申请单》中并集中保留。 体系文件的初始版本/版次为1.0/0，第一次换版为2.0版，以后依次类推为3.0版、4.0版……，文件第一次换页修改版次为1，以后修改依次为2、3、……修改5次以后换版。 4.6文件的领用 4.7文件的保存、作废与销毁 4.7.1文件的保存 a.各部门负责保管本部门与质量管理体系相关的文件，文件保存场所应适宜。 b.对受控文件，各部门应及时填写《受控文件清单》进行管理。 c.任何人不得在受控文件上乱涂乱画，不准私自外借，确保文件的清晰、易于识别和检索。 4.7.2文件的作废 a.当文件作废时，文件的发放部门负责按《文件发放回收记录表》及时从相应的使用部门撤回失效或作废的文件。 b.作废文件加盖“作废”印章，需作资料保留的作废文件则由文件发放部门加盖“仅供参考”印章方可留用。
微电子器件设计
微电子器件设计作业—MOSFET 考虑一个理想N沟和P沟MOSFET互补对，要将其设计为偏置相同时的I—V曲线也相同。器件有相同的氧化层厚度t ox=25nm，相同的沟道长度L=2μm，假设二氧化硅层是理想的。N沟器件的沟道宽度为W=20μm，μn=600cm2/Vs，μp=220 cm2/Vs，且保持不变。（a）确定p型和n型衬底掺杂浓度。（b）阈值电压是多少？（c）p沟器件的沟道宽度是多少？ 设计方案 一、分析 但实际工业生产中，NMOS和PMOS均做在同一晶片上，即共用同一衬底。在互补MOS技术中，同时用到了NMOS和PMOS，而PMOS器件的实现可以通过将所有的掺杂类型取反。 对于本设计来说： 互补对：指NMOS和PMOS特性的绝对值相等； 偏置相同：指二者所加偏压的绝对值相同，当所加偏置电压相同时I—V、ID—VDS 和ID—VGS曲线都分别相同。也即是两个MOS 管的阈值电压和偏置相同时的跨导gm均相等。 迁移率：由于实际中的有效迁移率受诸多因素（栅电压、衬底浓度不均匀等）的影响,如果要精确确定器件的特性,需要大量的误差计算,以及结合实际实验和设备的有关测量进行准确设计。因此在本设计中，迁移率视为恒定的有效迁移率,。同时，忽略温度的影响, 掺杂
浓度对载流子有散射作用。在MOS 管的反型层中，当表面感生电荷密度小于10e12cm -2时，电子和空穴的有效迁移率均是常数，为半导体内迁移率的一半。 模型：因为N 沟和P 沟MOSFET 沟道长度相等，均为L=2μm,属于长沟道器件，该设计整体选定长沟道MOS 器件模型。 二、 确定各参数 1、确定p 型和n 型衬底掺杂浓度 （1）、计算P 型衬底掺杂浓度 衬底浓度时采用半导体载流子扩散模型。根据要求，形成反型层 后电子迁移率μn =600cm 2 /Vs 。由于在MOS 管的反型层中，表面感生 电荷密度小于10e12cm -2时，电子和空穴的有效迁移率是常数，为半 导体内迁移率的一半，则半导体内电子迁移率μn =1200cm 2/Vs 。 利用半导体载流子扩散模型： 2 160.9 1180232cm /Vs 1（Na/810 ） n μ=+ +? （2.115） 可以计算出：P 型衬底浓度为Nap=1.48×1016 / cm 3 （2）、计算N 型衬底掺杂浓度 形成反型层后的空穴迁移率μp =220 cm 2/Vs,半导体内迁移率那么就为μp =440 cm 2/Vs. 利用半导体载流子扩散模型： 2 p 17 1.25 370130cm /Vs 1（d/810 ） N μ=+ +? （2.116）
微电子器件实验5模版 联合仿真 nmos
南京邮电大学 课内实验报告 课程名：微电子器件设计 任课教师： 专业：微电子学 学号： 姓名： 2014/2015学年第2学期 南京邮电大学电子科学与工程学院
《微电子器件设计》课程实验第 5 次实验报告 实验内容及基本要求： 实验项目名称：MOS晶体管的工艺器件联合仿真 实验类型：验证 每组人数：1 实验内容及要求： 内容：采用Tsuprem4仿真软件对MOS晶体管进行工艺仿真，并采用MEDICI仿真软件对该MOS晶体管进行器件仿真。 要求：能够将工艺仿真软件得到的器件数据输出到某个文件中，并能在器件仿真中调用该文件。会画出并分析器件仿真结果。 实验考核办法： 实验结束要求写出实验报告。内容如下： 1、问题的分析与解答； 2、结果分析，比较不同器件结构参数对仿真结果的影响； 3、器件设计的进一步思考。 实验结果：（附后） 实验代码如下： COMMENT Example 9B - TSUPREM-4/MEDICI Interface COMMENT TSUPREM-4 Input File OPTION DEVICE=PS COMMENT Specify the mesh LINE X LOCATION=0 SPACING=0.20 LINE X LOCATION=0.9 SPACING=0.06 LINE X LOCATION=1.8 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=0 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.1 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.5 SPACING=0.10
LINE Y LOCATION=1.5 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=3.0 SPACING=1.0 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.0 Y.MAX=0.15 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.06 Y.MAX=0.20 ELIMIN COL X.MIN=0.8 Y.MIN=1.0 COMMENT Initialize and plot mesh structure INITIALIZ <100> BORON=1E15 SELECT TITLE=”TSUPREM-4: Initial Mesh” PLOT.2D GRID COMMENT Initial oxide DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.03 COMMENT Models selection. For this simple example, the OED COMMENT model is not turned on (to reduce CPU time) METHOD VERTICAL COMMENT P-well implant IMPLANT BORON DOSE=3E13 ENERGY=45 COMMENT P-well drive DIFFUSE TEMP=1100 TIME=500 DRYO2 PRESS=0.02 ETCH OXIDE ALL COMMENT Pad oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=20 DRYO2 COMMENT Pad nitride DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.1 COMMENT Field oxidation DIFFUSE TEMP=1000 TIME=360 WETO2 ETCH NITRIDE ALL COMMENT Vt adjust implant IMPLANT BORON ENERGY=40 DOSE=1E12 ETCH OXIDE ALL COMMENT Gate oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=35 DRYO2 DEPOSIT POLYSILICON THICKNESS=0.3 DIVISIONS=4 COMMENT Poly and oxide etch ETCH POLY LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 ETCH OXIDE LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.02 COMMENT LDD implant IMPLANT PHOS ENERGY=50 DOSE=5E13 COMMENT LTO DEPOSIT OXIDE THICK=0.2 DIVISIONS=10 COMMENT Spacer etch ETCH OXIDE DRY THICK=0.22 COMMENT S/D implant IMPLANT ARSENIC ENERGY=100
建筑公司体系文件控制工作程序 - 制度大全
建筑公司体系文件控制工作程序-制度大全 建筑公司体系文件控制工作程序之相关制度和职责，建筑公司体系文件控制程序1目的保证质量体系、职业健康安全和环境管理体系文件和资料处于受控状态,及时获取并使用所需文件的有效版本,防止文件丢失、误传,确保质量体系、职业健康安全... 建筑公司体系文件控制程序 1 目的 保证质量体系、职业健康安全和环境管理体系文件和资料处于受控状态,及时获取并使用所需文件的有效版本,防止文件丢失、误传,确保质量体系、职业健康安全和环境管理体系正常、有效运行。 2 范围 适用于公司质量、职业健康安全和环境管理体系文件和资料,包括相应外来文件的控制。 3 职责 3.1 综合管理部负责制订、修改和组织实施本程序,并负责管理体系文件的出版、发放等日常管理工作,并负责监督公司各部门对管理体系文件的管理与控制。 3.2 综合管理部负责转发政府主管部门、上级单位和本公司发布的文件以及人力资源文件资料的管理。 3.3 综合管理部负责内部审核管理方案的文件和归档管理。 3.4 工程部负责应急预案的文件和工程图纸资料的归档管理。 3.5 工程部负责工程施工组织设计、重要施工方案、职业健康安全和环境控制措施等文件的审核以及相关文件的归口管理。 3.6 计划部负责合同文件、工程劳务招标文件及其相关文件的归口管理。 3.7 物资部负责设备、物资招标、采购及相关文件的归口管理。 3.8 生产准备部负责生产准备、试运行规程、规范等相关作业文件的归口管理。 3.9 各有关部门负责本职能管理范围内相关文件的获取、编制、审批、发放、接收、评审、更改和保管等各环节的管理工作,并负责制定文件现行状态的清单。 3.10 各部门应设置专人负责质量、职业健康安全和环境管理体系文件、资料的收发、登记、标识、复制等工作。 4 管理内容与方法 4.1 文件的分类 --管理方针和管理目标; --质量、职业健康安全和环境管理手册; --质量、职业健康安全和环境体系程序文件; --为确保体系的有效策划、运行和控制所需的作业性文件,包括技术性文件、管理标准、制度、规定、工作标准以及记录表示等; --质量、职业健康安全和环境记录。 4.2 文件的编制 文件由承担其管理职能的部门组织编制。 4.3 文件的审批和发布 4.3.1 质量、职业健康安全和环境手册由管理者代表审核,总经理批准发布。
微电子器件试验-晶体管开关特性的测试分析
电子科技大学微固学院 标准实验报告 （实验）课程名称微电子器件 电子科技大学教务处制表 电子科技大学 实验报告 学生姓名：学号：指导教师：张有润 实验地点：211楼605 实验时间： 一、实验室名称：微电子器件实验室 二、实验项目名称：晶体管开关特性的测试分析 三、实验学时：3 四、实验原理： 图1 如图1所示，如果在晶体管基极输入一脉冲信号Vi，则基极和集电极电流波型如 图所示。故由图可读出其延迟时间T d 、上升时间T r 、存储时间T s 和下降时间T f 。 晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流i C 的变化来定义：?延迟时间t d：从脉冲信号加入到i C上升到0.1I CS。 ?上升时间t r：从0.1I CS上升到0.9 I CS。 ?存储时间t s：从脉冲信号去除到i C下降到0.9 I CS。
?下降时间t f：从0.9 I CS下降到0.1 I CS。 ?其中t d + t r即开启时间、 t s + t f即关闭时间。 五、实验目的： 掌握晶体管开关特性测量原理。并能熟练地运用仪器其对双极晶体管的开关时间进行测试。 六、实验内容： 掌握晶体管开关特性测量原理，用如下实验装置图2观察晶体管输入输出波型，读出各参数。 改变外电路偏置，研究电路偏置对开关时间的影响。 图2 七、实验器材（设备、元器件）： 双踪示波器、脉冲发生器、直流稳压电源、测试盒、9031NPN 八、实验步骤： 1、按上图2连接仪器，校准仪器。 2、上脉冲，记录输入输出波型及NPN的开关参数。
九、实验数据及结果分析： 测量9103NPN的开关参数即：延迟时间T d、上升时间T r、存储时间T s和下降时间T f。 十、实验结论： 通过测试，可以知道：晶体管的开关时间中存储时间比例最高。 十一、总结及心得体会： 晶体管开关时间是衡量晶体管开关速度特性的重要参数。据了解，晶体管开关作用优点如下：控制大功率、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关，以及简单和优化的基极驱动造就的高性能。从而可以知道它对数字电路的工作频率和整机性能有直接影响。本实验的使我掌握了晶体管开关时间的物理性质和测量原理方法，理解了双极晶体管开关特性的基本参数。促进了我能够结合课本更加直观地认识晶体管开关作用的相关概念，继而提高了自己对于晶体管的学习兴趣，为将来的学术和工作都打下了良好的的实践基础。 十二、对本实验过程及方法、手段的改进建议： 实验仪器老旧，建议更新。 报告评分： 指导教师签字：
集团公司文件发放及行文管理流程
文件发放及行文管理流程(20 版) 1.编制目的 为规范企业经营管理，确保企业的政令畅通，有效提升工作效率和团队执行力，特制定本制度。 2.适用范围 金锡机械公司所属各部门的文件提交、收发及管理。 3.内容 文件拟制要求 公司各部门在拟定文件时，必须注意上、下行文的规范化，具体要求如下： 专题专用，内容明确； 文字表述准确、简练、通顺、标点使用正确； 符合行文格式要求，题目、内容书写要符合规范。 行文工作流程 由其它部门拟定将要以公司名义发出的文件，先由部门承办人认真领会领导的要求，按照行文规范拟稿。经部门经理审阅后由承办人在文件左下角“拟制”一栏签署自己的姓名，由拟稿部门的经理在文件下方偏左的“审核”一栏签署自己的姓名后送办公室核稿，由办公室主任在核对无误后在文件下方偏右的“复核”一栏签署自己的姓名，然后由办公室主任依据文件的重要级别按顺序转呈总经理审阅后由总经理在文件的右下角“批准”一栏签发或拒签； 由办公室拟制的将以公司名义发出的内部文件直接由办公室主任在“审核”一栏签字后报总经理审批； 凡是被总经理拒签的文件通常情况下交由办公室进行回复并说明原因；特殊情况下，在总经理认为必要时，将由办公室或总经理本人通知或约定意见交换时间。
文件签发时，由办公室统一编发文号。 文件签发后，办公室应将文件签收记录与原件一起存档。 收文工作流程 主管部门发来的文件、各部门参加会议带回来的文件均属收文范畴。 属于公司领导亲收的收文，由办公室签收登记并交收件人亲自拆封。 收到文件后应于当日在收文本上登记，写明文件编号、收件日期、份数、内容提要、来文单位等。 填写文件传阅单，附在文件上并将文件放入传阅夹交办公室主任； 办公室主任审阅后，在文件传阅单上写明自己的建议，再请领导批阅； 急件或重要文件，须在第一时间送办公室交请领导批阅； 密级文件只交公司高层管理人员传阅并做好记录，该文件不得携离办公室； 文件返回后行政文员要翻阅每份文件传阅单，检查高层领导是否有批示并及时报告办公室主任；无批示的文件按类别归档。 3.3.8办公室在接到有批示的文件后，在按照批示要求涉及的部门或人员按批示办理的同时，根据文件的级别按照“督办原则”进行催办； 文件传阅须做到传阅及时，催办有效，防止积压误事。文件传阅单上必须注明处理结果及日期； 上级主管部门要求回收的文件必须在指定时间内交回并办理相关手续。 发文工作流程 以公司名义上报下发的文件范畴包括公司高层发出的信函； 以公司名义发出的（包括通知、通报、决定、人事任免等）各类文件，统一由办公室执行； 将以部门名义发出的文件按的要求报办公室审核签字后，依据提交文件部门注明的缓急程度依次序转呈总经理审批； 公司或发文部门将须发出的文件在发文登记本上登记，注明时间、发往单位、内容提要及份数； 文件经总经理签发后依据缓急程度，必须在半个工作日到一个半工作日内完成文件的发放；
生物公司文件控制程序示范文本
生物公司文件控制程序示 范文本 In The Actual Work Production Management, In Order To Ensure The Smooth Progress Of The Process, And Consider The Relationship Between Each Link, The Specific Requirements Of Each Link To Achieve Risk Control And Planning 某某管理中心 XX年XX月
生物公司文件控制程序示范文本 使用指引：此管理制度资料应用在实际工作生产管理中为了保障过程顺利推进，同时考虑各个环节之间的关系，每个环节实现的具体要求而进行的风险控制与规划，并将危害降低到最小，文档经过下载可进行自定义修改，请根据实际需求进行调整与使用。 1、目的 加强对安全标准化管理体系所要求的所有文件予以控 制，确保在安全标准化管理体系运行中起重要作用的各个 场所都可获得并使用适用文件的有关版木。 2、适用范围 本程序适用于本公司对安全标准化管理体系所要求的 所有文件进行控制。 3、职责 3.1、安全部科是安全文件控制的归口管理部门，负责 分工的安全标准化管理体系文件的编制、审核，负责安全 标准化管理体系文件的标识、发放、保管、更改、回收、 作废管理。
3.2、安全部科负责分管管理文件的编制、审核，并负责外来文件适用性的审核和控制。 3.3、总经理负责安全标准化管理手册的批准和发布。 3.4、主管安全副经理负责程序文件和管理文件的批准。 3.5、各部门负责本部门与安全标准化管理体系有关的管理文件的编制、审核和本部门所有文件的管理和控制。 4、工作程序 4.1、文件的编号 管理手册手册：GSTG（ANQ）-SC-2013 程序文件：GSTG（ANQ）-CX-XX 管理文件：GSTG（ANQ）-GL -XX 记录：GSTG（ANQ）-JL -XX 4.2、文件的编写、审核、批准、发放 4.2.1、文件发布前应由授权人批准，以确保文件是充
GJB548B_2005微电子器件试验方法和程序文件
WORD 格式整理 GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 点击次数： 181 发布时间： 2011-3-1 14:24:07 GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996 中华人民共和国国家军用标准 微电子器件试验方法和程序 Test methods and procedures for microelectronic device 方法 1009.2盐雾(盐汽) 1目的 本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验 1.1术语和定义 1.1.1腐蚀corrosion 指涂层和 ( 或 ) 底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏 1.1.2腐蚀部位corrosion site 指涂层和 ( 或 ) 底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置 1.1.3腐蚀生成物(淀积物) corrosion product(dcposit) 指腐蚀作用的结果 ( 即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等 ) 。腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流 动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。 1.1.4腐蚀色斑corrosion stain 腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。 1.1.5气泡blister 指涂层和底金属之间的局部突起和分离 1.1.6针孔pinhole 指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。 1.1.7凹坑pitting 指涂层和 ( 或 ) 底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞 1.1.8起皮flaking 指局部涂层分离，而使底金属显露
2设备 盐雾试验所用设备应包括： a)带有支撑器件夹具的试验箱。该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料( 玻璃、塑料等) 制造。在试验 箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。该箱应适当通风， 以防止产生“高压” ，并保持盐雾的均匀分布； b)能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。如需要，为了进行长时间试验，可采 用符合试验条件 C 和 D( 见 3.2) 要求的备用盐溶液容器； c)使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由 20%氧、80%氮组成的混合气体 ( 应防止诸如油和灰尘 等杂质随气体进入雾化器中); d)试验箱应能加热和控制 e)在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段； f)空气或惰性气体于燥器； g)1 倍 ~3 倍、 10 倍~20 倍和 30 倍 ~60 倍的放大镜。 3 程序 3.1试验箱的维护和初始处理 试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。使试验箱工作在 (35 ±3) ℃ ，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。 某些试验可能在清洗 之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件( 见 3.2) 。当需要做长时间试验 ( 见 3.2 的试验 条件 C 和 D)时，盛盐溶液的容器可采用备用的容器来补充，以便试验不中断。清洗后，试 验箱开始工作时，盐溶
GJBB微电子器件试验方法和程序修订稿
G J B B微电子器件试验 方法和程序 集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]
G J B548B-2005微电子器件试验方法和程序 点击次数：181 发布时间：2011-3-1 14:24:07 GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996?中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序Test methods and procedures for microelectronic device 方法盐雾(盐汽) 1 目的 本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验 术语和定义 1.1.1 腐蚀 corrosion 指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏 腐蚀部位 corrosion site 指涂层和(或)底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置 腐蚀生成物(淀积物) corrosion product(dcposit)指腐蚀作用的结果(即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等)。腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流 动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。 1.1.4 腐蚀色斑 corrosion stain 腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。 气泡 blister 指涂层和底金属之间的局部突起和分离
针孔 pinhole 指涂层中产生的小孔，它是完全贯穿涂层的一种缺陷。 凹坑 pitting 指涂层和(或)底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞 起皮 flaking指局部涂层分离，而使底金属显露 2 设备盐雾试验所用设备应包括：a) 带有支撑器件夹具的试验箱。该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在试验 箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。该箱应适当通风，以防止产生“高压” ，并保持盐雾的均匀分布；b) 能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响。如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D( 见要求的备用盐溶液容器；c) 使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体(应防止诸如油和灰尘 等杂质随气体进入雾化器中);d) 试验箱应能加热和控制e) 在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；f) 空气或惰性气体于燥器；g) 1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。 3 程序 试验箱的维护和初始处理试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。使试验箱工作在(35±3)℃ ，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。某些试验可能在清洗 之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件(见。当需要做长时间试验(见的试验
文件和资料控制程序
文件和资料控制程序(总11 页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1 -CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除
1.目的 为了对公司各类文件和资料进行有效管制，统一文件格式，规范文件的制定、修改、发放、废止等管理，确保文件正确、完整、有效，特制定本程序。 2.适用范围 适用于公司行政发文、程序文件、作业指导书，各类规章制度、各类检验标准、工作指引、记录表单及外来文件的管理等。 3.定义 3.1文件分类： 3.1.1红头文件：包括公司组织机构、人事任免、重大决策及重要管理事项等。3.1.2一级文件（A）：公司章程、体系手册等公司纲领性文件。 3.1.3二级文件（B）：管理控制程序、业务流程性文件。 3.1.3三级文件（C）：管理规章制度、操作规程、作业指导书。 （D）：检验标准、产品规范。 3.1.4四级文件（管理表单）：用来记录管理过程的表单，作为QEO管理的追踪和检索的工具。 3.1.5临时性文件（E）：包括通知、通告、暂行办法、暂行规定、部门沟通联络文件等。 3.1.6外来文件（F）：包括地方政府、主管部门、行业管理相关文件，顾客或供应商提供的资料、图纸及有关的行业标准等。 3.2 文件分为受控文件及非受控文件： 3.2.1 受控文件:即要求文件的分发、修订或更改均须按书面规定程序进行控制,保证文件始终反映现行要求,受控文件须加盖“受控文件”印章，且经相关人员会签。包括:管理手册、程序文件、作业指导书、MSDS文件、职务说明书、经识别的外来文件、记录表单类文件等。 3.2.2 非受控文件:若有新的版本发出，旧的版本文件无需更新，被列为非受控文件，且禁止作为产品生产、开发及经营之用。 4.工作职责
微电子器件试验二极管高低温特性测试及分析完整版
微电子器件试验二极管高低温特性测试及分析 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】
电子科技大学微固学院 标准实验报告 （实验）课程名称微电子器件 电子科技大学教务处制表 电子科技大学 实验报告 学生姓名：学号：指导教师：张有润 实验地点： 211楼605 实验时间： 一、实验室名称：微电子器件实验室 二、实验项目名称：二极管高低温特性测试及分析 三、实验学时：3 四、实验原理： 1、如图1，二极管的基本原理是一个PN结。具有PN结的特性——单向导电 性，如图2所示。 图 1 二极管构成原理 2、正向特性：二极管两端加正向电压，产生正向电流。正向电压大于阈值电压时，正向电流急剧增加，如图2 AB段。 3、反向特性：二极管两端加上反向电压，在开始的很大范围内，反向电流很小，直到反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加，这种现象叫做反向击穿，此时对应电压称为反向击穿电压。 4、温度特性：由于二极管核心是PN结，导电能力与温度相关，温度升高，正向特性曲线向左移动，正向压降减小；反向特性曲线向下移动，反向电流增大。
图 2 二极管直流特性 五、实验目的： 学习晶体管图示仪的使用，掌握二极管的高低温直流特性。 六、实验内容： 1、测量当二极管的正向电流为100A时的正向导通压降； 2、测试温度125度时二极管以上参数，并与室温下的特征参数进行比较。 七、实验器材（设备、元器件）： 二极管、晶体管特性图示仪、恒温箱 八、实验步骤： 1、测晶体管的正向特性。各旋钮位置为： ?峰值电压范围 0~10V ?极性（集电极扫描）正（+） ?功耗限制电阻 ~1kΩ（适当选择） ?x轴作用电压0 .1V/度 ?y轴作用电流10A/度 2、测晶体管的反向特性。各旋钮位置为： ?峰值电压范围 0~10V ?极性（集电极扫描）正（+） ?功耗限制电阻 10k~100kΩ（适当选择） ?x轴作用电压1V/度 ?y轴作用电流A/度 3、对高温时的二极管进行参数测量。 九、实验数据及结果分析： 实验数据： 十、实验结论：
公司文件控制程序
公司文件控制程序 The manuscript was revised on the evening of 2021
公司文件控制程序 1目的 为确保与公司有关的各个场所及时得到并使用文件和资料的现行有效版本，确保与公司有关的所有文件处于受空状态，特制定本程序。 2范围 本程序规定了文件的控制原则和方法，适用于本公司有关的所有文件的控制，包括适当范围的外来文件。 3 职责 企管部负责文件和资料的归口管理与控制。 各部门负责部门文件的资料的控制。 4 工作程序 文件类型 公司质量体系文件主要包括质量手册、程序文件、作业指导书和各类记录文件、及外来文件。 质量手册阐明了公司质量方针和质量目标，并对公司质量体系进行纲领和概括性的描述。 程序文件，主要描述为实施过程所涉及各职能部门的活动，是为完成某项活动而规定途径的文件。 作业指导书和各类记录文件，是对具体的作业活动给出指示的文件。包括：生产工艺规程，、作业指导书、原辅料和
包装材料质量标准、产品质量标准、设备操作维护规程、设备清洁规程等。 2 外来文件：各类标准和顾客提供的技术文件。 文件的起草、审批及定稿 质量手册由企管部负责起草，总经理批准。 程序文件由该项活动的主管部门负责编写，相关部门负责人会审，企管部负责人审核，总经理批准。 其他文件由主管部门起草，企管部负责人审核，分管经理批准。 外来文件由相关职能部门负责人审核其适用性和现行有效性，部门经理批准。 文件由企业管理部组织会稿，并将文件草稿复印一定份数，与会稿单同时送至有关部门，以便提出修改意见。 参加会稿人员收到文件草稿及会稿单后，于三天内提出意见写在会稿单下半面(不够时可另附页)，签名后返回企业管理部。 会稿后的文件草稿及修改意见，由文件批准人协调裁决。 文件内容要求 适用性：文件内容应符合国家相关法律、法规和国家相关标准的要求，满足公司经营管理和企业发展的需要，规范企业和员工的行为，持续提高公司管理水平。 准确性：语言文字简练、明确、易懂。
微电子工艺课程设计
微电子工艺课程设计 一、摘要 仿真（simulation）这一术语已不仅广泛出现在各种科技书书刊上，甚至已频繁出现于各种新闻媒体上。不同的书刊和字典对仿真这一术语的定义性简释大同小异，以下3种最有代表性，仿真是一个系统或过程的功能用另一系统或过程的功能的仿真表示；用能适用于计算机的数学模型表示实际物理过程或系统；不同实验对问题的检验。仿真（也即模拟）的可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）的可信度和精度。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科学、工程科学、人文科学和社会科学的重要方法，是开发产品、制定决策的重要手段。据不完全统计，目前，有关建模和仿真方面的研究论文已占各类国际、国内专业学术会议总数的10%以上，占了很可观的份额。 集成电路仿真通过集成电路仿真器（simulator）执行。集成电路仿真器由计算机主机及输入、输出等外围设备（硬件）和有关仿真程序（软件）组成。按仿真内容不同，集成电路仿真一般可分为：系统功能仿真、逻辑仿真、电路仿真、器件仿真及工艺仿真等不同层次（level）的仿真。其中工艺和器件的仿真，国际上也常称作“集成电路工艺和器件的计算机辅助设计”（Technology CAD of IC），简称“IC TCAD”。
二、 综述 这次课程设计要求是：设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=346K 时，β=173。V CEO =18V ，V CBO =90V ，晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=15mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。要求我们先进行相关的计算，为工艺过程中的量进行计算。然后通过Silvaco-TCAD 进行模拟。 TCAD 就是Technology Computer Aided Design ，指半导体工艺模拟以及器件模拟工具，世界上商用的TCAD 工具有Silvaco 公司的Athena 和Atlas ，Synopsys 公司的TSupprem 和Medici 以及ISE 公司（已经被Synopsys 公司收购）的Dios 和Dessis 以及Crosslight Software 公司的Csuprem 和APSYS 。这次课程设计运用Silvaco-TCAD 软件进行工艺模拟。通过具体的工艺设计，最后使工艺产出的PNP 双极型晶体管满足所需要的条件。 三、 方案设计与分析 各区掺杂浓度及相关参数的计算 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压V 时， 集电结可用突变 结近似，对于Si 器件击穿电压为 4 3 13 106- ?=）（BC B N V ， 集电区杂质浓度为： 3 4 13 34 13)1106106CEO n CBO C BV BV N β+?=?=（）（ 由于BV CBO =90所以Nc=*1015 cm -3 一般的晶体管各区的浓度要满足NE>>NB>NC 设N B =10N C ;N E =100N B 则： Nc=*1015 cm -3 ；N B =*1016 cm -3 ；N E =*1018 cm -3 根据室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系，得到少子迁移率： s V cm ?==/13002n C μμ；s V cm P B ?==/3302μμ；s V cm N E ?==/1502μμ 根据公式可得少子的扩散系数：
微电子器件试验二极管高低温特性测试及分析
电子科技大学微固学院 标准实验报告（实验）课程名称微电子器件 电子科技大学教务处制表 电子科技大学 实验报告 学生姓名：学号：指导教师：张有润 实验地点： 211楼605 实验时间： 一、实验室名称：微电子器件实验室 二、实验项目名称：二极管高低温特性测试及分析 三、实验学时：3 四、实验原理： 1、如图1，二极管的基本原理是一个PN结。具有PN结的特性——单向导电性，如图2所示。 图 1 二极管构成原理 2、正向特性：二极管两端加正向电压，产生正向电流。正向电压大于阈值电压时，正向电流急剧增加，如图2 AB段。
3、反向特性：二极管两端加上反向电压，在开始的很大范围内，反向电流很小，直到反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加，这种现象叫做反向击穿，此时对应电压称为反向击穿电压。 4、温度特性：由于二极管核心是PN结，导电能力与温度相关，温度升高，正向特性曲线向左移动，正向压降减小；反向特性曲线向下移动，反向电流增大。 图 2 二极管直流特性 五、实验目的： 学习晶体管图示仪的使用，掌握二极管的高低温直流特性。 六、实验内容： 1、测量当二极管的正向电流为100?A时的正向导通压降； 2、测试温度125度时二极管以上参数，并与室温下的特征参数进行比较。 七、实验器材（设备、元器件）： 二极管、晶体管特性图示仪、恒温箱 八、实验步骤： 1、测晶体管的正向特性。各旋钮位置为： ?峰值电压范围 0~10V ?极性（集电极扫描）正（+） ?功耗限制电阻 0.1~1kΩ（适当选择） ?x轴作用电压0 .1V/度
?y轴作用电流10?A/度 2、测晶体管的反向特性。各旋钮位置为： ?峰值电压范围 0~10V ?极性（集电极扫描）正（+） ?功耗限制电阻 10k~100kΩ（适当选择） ?x轴作用电压1V/度 ?y轴作用电流0.1?A/度 3、对高温时的二极管进行参数测量。 九、实验数据及结果分析： 实验数据： 图 3 常温二极管直流特性 十、实验结论：