单晶硅太阳能电池板详细全参数

单晶硅太阳能电池板详细全参数
单晶硅太阳能电池板详细全参数

单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W尺寸:

963x805x35MM净重:11KGS工作电压:33.5V 工作电流:2.99A开路电压:41.5V短路电流:

3.57A蓄电池:24v二、产品特点:采用平均转换效率在15%^上的优质单晶硅太

阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合IEC61215和电气保护II级标准。太阳能电

池转换效率高。而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。太阳能电池板阵列的表面采用高

透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。阳极氧化铝边框:机械强度高,

具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。太阳能

电池板在制造时,先进行化学处理,表面做成了一个象金字塔一样的绒面,能减少反射,更

好地吸收光能。采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。太阳能电池板阵列抗冲

击性能佳,符合IEC国际标准。太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT

复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。直流接线盒:采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头,使用安全、方便、可靠。带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度:-40 C?+90C 使用寿命可达20年以上,衰减小于20% 三、问题集锦:

1、什么是太阳能电池答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳能电池、多晶

硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池需要

高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。硅材料是用二氧化硅(SiO2,也就是我们所熟悉的沙子)作为原料,将其

熔化并除去杂质就可制取粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片,涉及多个生产工艺和过程,一般大致分为:二氧化硅一> 冶金级硅一>高纯三氯氢硅一>高纯度多晶硅一>单晶硅棒或多晶硅锭一>硅片一>太阳能电池片。2、什么是单晶硅太阳能电池板答:单晶硅太阳能电池

片主要是使用单晶硅来制造,与其他种类的太阳能电池片相比,单晶硅电池片的转换效率最

高。在初期,单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额,在1998年后才退居多晶硅之后,

市场份额占据第二。由于近几年多晶硅原料紧缺,在2004年之后,单晶硅的市场份额又略

有上升,现在市面上看到的电池有单晶硅居多。单晶硅太阳能电池片的硅结晶体非常完美,

其光学、电性能及力学性能都非常的均匀一致,电池的颜色多为黑色或深色,特别适合切割

成小片制作成小型的消费产品。单晶硅电池片在实验室实现的转换效率为24.7%.普通商品

化的转换效率为10%-1 8%单晶硅太阳能电池片因为制作工艺问题,一般其半成硅锭为圆柱进,然后经过切片-> 清洗->扩散制结-> 去除背极-> 制作电极-> 腐蚀周边-> 蒸镀减反射膜等工蕊制成成品。一般单晶硅太阳能电池四个角为圆角。单晶硅太阳能电池片的厚度一般为200uM- 350uM厚,现在的生产趋势是向超薄及高效方向发展,德国太阳能电池片厂家已经证实40uM厚的单晶硅可达到20%勺转换效率。3、什么是多晶硅太阳能电池板答:在制

作多晶硅太阳能电池时,作为原料的高纯硅不是再提纯成单晶,而是熔化浇铸成正方形的硅

锭,然后再加工单晶硅一样切成薄片和进行类似的加工。多晶硅从其表面很容易进行辨认,

硅片是由大量不同大小的结晶区域组成(表面有晶体结晶状),其发电机制与单晶相同,但

由于硅片由多个不同大小、不同取向的晶粒组在,其晶粒界面处光电转换易受到干扰,因而

多晶硅的转换效率相对较低,同时,多晶硅的光学、电性能及力学性能一致性没有单晶硅太

阳能电池好。多晶硅太阳能电池实验室最高效率达到20.3%,商品化的一般为10%-16%多

晶硅太阳能电池是正方形片,在制作太阳能组件时有最高的填充率,产品相对也比较美观。

多晶硅太阳能电池片的厚度一般为220uM-300uM厚,有些厂家已有生产180uM厚的太阳能电池片,并且向薄发展,更以节约昂贵的硅材料。4、怎么区分单晶硅和多晶硅答:多晶

片是直角的正方形或长方形,单晶的四个角有接近圆形的倒角,一块组件中间有金钱形窟窿

的就是单晶,一眼就能看出来 6 、太阳能电池组件分类及制作方法因为太阳能电池的厚度非常薄,所以其本身易破碎,易被腐蚀,果直接暴露在大气中,其转换效率会因环境的影响而下降,甚至失效;晶体硅太阳能电池单片的工作电压一般为0.5V 左右,为达到所需电压及电流的太阳能电池组件,都会先进行相应的串联、并联太阳能电池片,然后经过胶封、层压等方式进行封装成平板式结构再投入使用。太阳能电池的封装一般有以下几种方式:环氧树脂胶封太阳能电池组件、有机硅胶封太阳能电池组件、钢化玻璃层压封闭太阳能电池组件,而小店采用的封装方式正是钢化玻璃层压封闭太阳能电池组件。 1 、环氧树脂胶封太阳能电池组件(滴胶板)环氧树脂封装太阳能电池组件工艺简单、材料成本低,在小型组件封闭上使用较多,一些消费类产品及小型灯具上面使用的都为此种组件。但环氧树脂抗热、氧老化、抗紫外线老化的性能相对较差。树脂容易发黄,使用时间一般为一年半至两年左右。一般3W 以下功率的太阳能板才会使用这种封装2、有机硅胶封太阳能电池有机硅胶是一种特殊结构的封装材料,它具有耐高温、耐低温、耐老化、耐紫外线、抗氧化、电绝缘等特性。有机硅胶是弹性机,在外力作用下具有变形能力,硅片在经受热胀冷缩时不会损坏,不过耐冲击能力差,在封装时,表层需盖钢化玻璃进么保护。其封装流程与环氧树脂接近,只需增加粘合玻璃的工序。经过此封装太阳能板使用时间可达到8 年左右。 3 、超白钢化玻璃层压封装(层压板)

(本产品即用此方式封装)大功率的太阳能电池组件一般都使用此方式进行封装,此种封装的材料

为:超白钢化低铁玻璃、抗紫外线EVA耐酸、碱的TPT以

过以下步骤:激光切片—>焊接负极—>焊接正极(将电池片焊接成串)—>层叠(玻璃-EVA- 太阳能电池-EVA-TPT)—>中测—>压层—>固化—>装铝合金边框、接线盒—>终测。此封装制作太阳能板一般使用寿命可达15 年以后,有的甚至达到25 年。层压太阳能板使用了铝合金边框,可以方便的进行组合,增容等,一般使用于大型的户用电源及发电站。四、太阳能发电系统的组成太阳能发电系统主要包括:太阳能电池组件、控制器、蓄电池、逆变器、负载等组成。其中,太阳能电池组件和蓄电池为电源系统,控制器和逆变器为控制保护系统,负载为系统终端。如图所示: 1 .太阳能电池组件太阳能电池组件是发电系统中的核心部分,其作用是将太阳的辐射能直接转换为直流电,供负载使用或存贮于蓄电池内备用。一般根据用户需要,将若干太阳能电池板按一定方式连接,组成太阳能电池方阵(阵列),再配上适当的支架及接线盒组成太阳能电池组件。电池板的种类及特点类型项目

单晶硅多晶硅非晶硅转换效率12~18% 10~16%6~8% 使用寿命15~20 年15~20 年5~10 年平均价格昂贵较贵较便宜稳定性好好差(会衰减)颜色黑色、深蓝深蓝晶体状棕主要优点转换效率高、工作稳定,体积小。工作稳定,成本低。使用广泛。价低,弱光性好,多数用于计算器,电子表等主要缺点成本高转换效率较低转换效率最低,会衰减。相同功率的面积比晶体硅大一倍以上。 2 .充电控制器在太阳能发电系统中,充电控制器的基本作用是为蓄电池提供最佳的充电电流和电压,快速、平稳、高效的为蓄电池充电,并在充电过程中减少损耗、尽量延长蓄电池的使用寿命;同时保护蓄电池,避免过充电和过放电现象的发生。高级的控制器可以同时记录并显示系统各种重要数据,如充电电流、电压等。控制器主要功能如下: 1 )过充保护避免蓄电池因充电电压过高而造成损坏。2)过放保护避免蓄电池因放电到过低的电压而损坏。 3 )防反接功能避免蓄电池及太阳能电池板因正负极接反而不能使用甚至酿成事故。 4 )防雷击功能避免因雷击而损坏整个系统。5)温度补偿主要针对温差大的地方,保证蓄电池处于最佳的充电效果。 6 )定时功能控制负载的工作时间,避免能源浪费。7 )过流保护当负载过大或短路时,自

动切断负载,保证系统的安全运。8 )过热保护当系统工作温度过高时,自动停止给负载供电,故障排除后,自动恢复正常工作。9 )自动识别电压对于不同的系统工作电压,自

动识别,无须另外设置。 3 .蓄电池蓄电池作用是将太阳能电池方阵发出直流电贮存起来, 供负载

使用。在光伏发电系统中,蓄电池处于浮充放电状态。白天太阳能电池方阵给蓄电池

充电,同时方阵还给负载用电,晚上负载用电全部由蓄电池供给。因此,要求蓄电池的自放电

要小,而且充电效率要高, 同时还要考虑价格和使用是否方便等因素。蓄电池的种类及特点

类别项目锂电池镍镉电池镍氢电池免维护铅酸电池胶体普通酸液充放电特性无记忆效应, 使用时间长, 重复充电可达1200 次以上。 2 小时的急速充电可以重复500 次以上充放电, 但是记忆效应明显, 使用一定时间后, 需完全放电后, 才可充没有明显的记忆效应, 随充随用,可以重复500 次以上充电。 1.2 小时的急速充电。耐深放电, 亏电状态下恢复能为极好, 不会因若干次亏电而失去容量. 寿命长, 可达10 年. 若干次亏电而失去容量, 易使电池报废. 使用寿命一般为2~3 年. 电。容量同等容量的锂电池重量比镍电池要轻50%, 单体电压为 3.6V 单体电压为 1.2V. 容量在200mAh~ 14000mA h 单体电压为1.2V, 容量是同体积的镍镉电池的1.5~2 倍单体电压有2V,6V,12 V, 容量5.5Ah~18 0Ah,2V 可

达3000AH 单体电压有2V,6V,12V , 容量5AH~200Ah ,2V 可达3000Ah 适用范围移动通信、报警

系统、仪器仪表、日用品等。太阳能系统、UPS通信设备(2V)电动车、发电、

数据工程等4.逆变器绝大多数用电器,如日光灯、电视机、电冰箱、电风扇和绝大多数动力机械

等都是以交流电工作,要想这类用电器能正常工作,太阳能发电系统需要将直流电变换成交流电,

具有这种功能的电力电子设备称作逆变器。逆变器还具有自动稳压功能,可改善光伏发电系统的供

电质量。逆变器种类及特点种类特点方波逆变器修正波逆变器

正弦波逆变器交流电压方波阶梯波正弦波波形优点线路简单,价格便宜,维修方便。比方波

有明显改善、高次谐波含量减少,当阶梯达到17 个以上时输出波形可实现准正弦波,当采用无变

压器输出时,整机效率很高。输出波形好、失真度很低,对收音机及通信设备

干扰小、噪声低,此外还有保护功能齐全,整机性能高等优点缺点高次谐波多,损耗大,

噪声大,对收音机及通信设备干扰大。线路比较复杂,对收音机和某些通信设备仍有一些

高频干扰。线路相对复杂、对维修技术要求高、价格较昂贵。五.太阳能光伏发电需考虑

的几个因素太阳能光伏发电需要综合考虑各种因素,只有掌握了准确的资料后,才能确定电池板的安

装方式、最低功率、规格(太阳能电池板每天的有效发电量必须太于负载的用电量)及蓄电池的容

量、性能及控制方式。使产品达到最佳性价比。如果对相关因素的估算失误,就会直接影响到独立

光伏发电系统性能和造价。(1)现场的地理位置. 。包括:地点、

纬度、经度、海拔等。(2)安装地点的气象条件。包括:逐月太阳能总辐射量,直接辐射量(或

日照百分比),年平均气温,最长连续阴雨天数,最大风速及冰雹、降雪等特殊气象情况。(3)

最大负载量。包括:负载每天工作时间及平均耗电量,连续阴雨天需工作

的时间。(4)负载用电特性由于太阳能电池阵列输出的电流是直流,如果负载是交流的

话,需要经过逆变器的转换,才能正常工作,这样太阳能最终供给负载的能量损耗就增大,从而所需

太阳能电池就会增大,导致太阳能供电系统造价增大。(5)交流负载对电源的要

求交流负载除了需要更大的太阳能电池板外,对逆变器的要求也会因负载的不同而不同。一般来讲纯

电阻性质的负载例如电热丝,对逆变器要求不高,可用普通的修正波逆变器。而电视、电动机对

电源要求相对要高,需要的逆变器功率及输出特性都要高,需用大功率的正弦波的逆变器,才能保

证负载能正常工作,不受干扰。负载要求不同,造价也不同。

(6

使用限制由于部分国家和地区,对蓄电池有特定的环保要求,特别是镍镉电池在欧美国家受到严格限

制,还有铅酸电池在运输方面也会受到限制,这些因素都将导致太阳能光电产品的造价增大。

六.太阳能光电产品的一般要求(1)防水、防雹、防风。一般太阳能电池板采用钢化玻璃封装,

外框用铝合金封装,能有效抵御冰雹袭击,安装用金属支架固定,能抵御10 级以上大风。(2)

防晒、防冻。一般都有通风、散热窗子,以利于蓄电池散热。对于冬季特别寒冷地区,蓄电池采用防

凝固的胶体电池。(3)控制保护为了最大限度延

长电池板及蓄电池的使用寿命,一般都有防反充、过充、过放保护电路控制,避免损坏电池板及蓄电池过早的老化。(4)零件选择由于太阳能光电产品使用环境不同,温度相差较

大,因此要求零件的工作温度范围要宽。(5)维护太阳电池发电系统没有活动部件,不

容易损坏,其维护也非常简便。不过也需做定期维护,否则可能影响正常使用,甚至缩短使用寿命。

一般来说,太阳电池板方阵倾角应超过30度,所有灰尘可由雨水冲刷而自行清

洁,在风沙较大地区,应当经常清除灰尘,保持方阵表面的干净,以免影响发电量。清洁时可拭去灰尘,有条件时可用清水清洗,再用干净抹布擦干。切勿用腐蚀性溶剂或硬物冲洗擦拭。定期检查所有安装部件的紧固程度。遇到冰雹、狂风、暴雨等异常天气,应及时采用保护措施。经常检查蓄电池的充放电情况,随时观察电极或接线是否有腐蚀或接触不良之处。在一些简单的系统中应根据蓄能情况,控制用电量,防止蓄电池因过放电而损坏。发现有异常情况应当立即检查、维修。七、太阳能光电产品应用需明确的问题 1 ?太阳能电池峰值

功率普遍存在的一个问题就是:认为只要有阳光就可以输出额定功率,100WP的峰值功率,如果在普通光照条件下,照射10小时,就可发电1000WH也就是1度电,其实太阳能峰

值功率WP是在标准条件下:辐射强度1000W/m 2,大气质量AM1 5,电池温度prefix

=st1 ns = "urn: schemas-microsoft-com:office:smarttags" 25 C条件下,太阳能电池的

输出功率。(这个条件大约和我们平时晴天中午前后的太阳光照条件差不多)按广东地区的光照条件,折算成标准光照时间大约为 3. 3~3.5小时。在阴雨天,太阳电池也可以产生一

定的能量,它的功率大约在额定功率的5-15% 2 .太阳能发电损耗通常误认为:太阳能电

池组件每天输出的电量会被负载全部利用。实际上,太阳能电池组件安装存在相当大的损耗,

大约在15~20%充电、放电过程中,损耗在20%^右,如果有逆变器,损耗在10%^上,总

的来说,太阳能发电利用率大约在50%左右。总之,所有能量转换过程中,都必须遵循能量

守恒的定律,绝对不会无中生有,也不会百分百利用。 3 ?如何降低太阳能发电损耗一般

来讲,为了尽可能降低损耗,常采取如下措施:⑴太阳能电池组件倾斜,与光线成垂直角

度,一般广东地区倾斜35~40度。⑵太阳能电池所有组件开路电压、短路电流、工作电压、

工作电流等参数尽量一致,连接电缆尽可能粗些、短些。⑶蓄电池如果采用串联,所有的

单元内阻尽量一致,尽可能小。⑷为了减少线路间的损耗,条件允许的话,尽可能采用高

电压、低电流的方案,这样使线路承受的电流尽可能小,从而降低损耗。在设计控制电路时,

尽可能采用集成化高的、稳定性好的元器件。附:一.太阳能光电产品计算方法下面以100W输出功率,每天使用6个小时为例,介绍一下计算方法: 1.首先应计算出每天消耗

的瓦时数(包括逆变器的损耗):若逆变器的转换效率为90%,则当输出功率为100W时,则实际需要输出功率应为 1 00W/90 % =111W 若按每天使用5小时,则耗电量为111W*5

小时=555Wh 2?计算太阳能电池板:按每日有效日照时间为6小时计算,再考虑到充电

效率和充电过程中的损耗,太阳能电池板的输出功率应为555Wh/6h/70%=130W其中70%是

充电过程中,太阳能电池板的实际使用功率。 3.充电控制器的选择:130W的太阳能电池

板它的最大输出电流是7.7A。因此应该选取充电电流至少为8A的充电控制器。4.蓄电池

的选择:若采用12V的蓄电池,其放电深度为50%则应使用555Wh/12V/50%=90Ah的蓄

电池;若选择24V的蓄电池,则蓄电池的容量应为555Wh/24V/50%=45Ah=二.太阳能电池

的估算与检测太阳能电池的额定输出功率与转换效率有关,一般来讲,单位面积的电池组件,转换效率越高,其输出功率越大。太阳能电池目前的转换效率一般在14~17%之间,每平方厘米的电池片,其输出功率在14~16mW每平方米的太阳能电池组件输出功率约120WP.太阳能电池组件的测试,需用专门的检测设备,在标准的条件下检测。由于检测设备非常昂

贵,一般的检测方法是:利用碘钨灯或白炽灯,模拟太阳光,比较样品作对比测试,主要检测其开路电压与短路电流,检测的时候注意控制温度,不能超过25C。三、基本计算公式

功率=电压X电流(W=U)用电量=功率X时间(Q=Wh四、全国各地光照条件及平均峰值日照时间表1是不同地区太阳光照条件。表1为了更加直观地了解各地每天太阳能辐

射的平均分布,表2给出年总辐射量与日平均峰值日照时数(太阳能电池每天可以接受到

1000W/m2辐照度的等效时间)对应关系。表2年总辐射量千卡/m 2年100 110 120 130 140 150 160 170 180 平均峰值日照时数h 3 19 3 50 3 82 4 14 4 46 4 78

5 10 5 42 5 75区域划分丰富地区比较丰富地区可以利用地区贫乏地区年总辐

射量千卡/m 2 年 > 140 120-140 100-120 < 100 全年日照时数 > 3000h 2400h~3000h 1600h~2400h w 1600h地区内蒙西部甘肃西部新疆南部青藏高原新疆北部,东北,内蒙东部,华北,陕北,宁夏,甘肃部分,青藏高原东,海南,台湾东北北端,内蒙呼蒙,

长江下游,福建,广东,广西,贵州部分,云南,河南,陕西重庆,四川,贵州,江西部

分地区通过上面资料可以看出,太阳能灯具的设计和灯具的使用地理位置有关。太阳能电

池组件额定输出功率和灯具输入功率之间关系在华东地区大约是2~4: 1,具体比例要根据

灯具每天工作时间以及对连续阴天雨照明要求决定。

单晶硅太阳能电池制作工艺

单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术 2015-10-20 单晶硅太阳能电池 2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。④提高切割速度,实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类: 1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒. 3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类:(1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。(2)、带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。 1、用 H2O2作强氧化剂,使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面 2、用无害的小直径强正离子(如H+),一般用HCL作为H+的来源,替代吸附在硅片表面的金属离子,使其溶解于清洗液中,从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH 的碱性溶液,通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲洗而被排除;同时溶液具有强氧化性和络合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等,使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污,亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,具有极强的氧化性和络合性,能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 具体的制作工艺说明(1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。(2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。(3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。(8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。(9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。(10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂,一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。本文介绍的是晶硅太阳能电池片生产的一般工艺与设备。 一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术

太阳能电池板规格

型号材料峰值 功率 Pm (watt) 峰值 电压 Vmp (V) 峰值 电流 Imp (A) 开路 电压 Voc (V) 短路 电流 Isc (A) 尺寸 (mm) APM36M5W25x24 单晶硅 5 17.3 0.29 21.6 0.35 249x235x30 APM36P5W22x36 多晶硅 5 17.3 0.29 21.6 0.35 216x362x30 APM36M10W36x30 单晶硅10 17.2 0.58 22 0.66 359x296x30 APM36P10W29x36 多晶硅10 17.2 0.58 22 0.66 294x362x30 APM36M15W53x30 单晶硅15 17.4 0.86 21.5 0.98 528x296x30 APM36M20W34x55 单晶硅20 17.2 1.17 21.6 1.62 341x550x30 APM36P20W55x36 多晶硅20 17.2 1.17 21.6 1.62 548x358x30 APM36M25W43x55 单晶硅25 17.3 1.45 21.6 1.72 434x550x30 APM36M30W62x55 单晶硅30 17.2 1.75 21.6 1.95 622x550x30 APM36P30W41x68 多晶硅30 17.2 1.75 21.6 1.95 413x676x30 APM36M35W62x55 单晶硅35 17.3 2.02 21.5 2.3 622x550x30 APM36M40W62x55 单晶硅40 17.5 2.3 21.6 2.5 624x552x30 APM36P40W53x68 多晶硅40 17.5 2.3 21.6 2.5 530x676x30 APM36M45W81x55 单晶硅45 17.2 2.6 21.7 2.9 811x552x30 APM36M50W81x55 单晶硅50 17.3 2.9 21.5 3.2 811x552x30 APM36P50W76x68 多晶硅50 17.3 2.9 21.5 3.2 764x676x30 APM36M55W83x55 单晶硅55 17.4 3.16 21.7 3.5 830x552x30 APM36M60W119x55 单晶硅60 17.2 3.5 21.7 4 1186x552x30 APM36P60W76x68 多晶硅60 17.2 3.5 21.7 4.02 764x676x30 APM36M65W119x55 单晶硅65 17.5 3.7 21.6 3.82 1186x552x30 APM36M70W119x55 单晶硅70 17.2 4.1 21.4 4.8 1186x552x30 APM36M75W119x55 单晶硅75 16.8 4.46 21.7 5.1 1186x552x30 APM36M80W120x56 单晶硅80 17.2 4.65 21.6 5 1196x556x30 APM36P80W102x68 多晶硅80 17.2 4.65 21.6 5 1016x676x35 APM36M85W120x56 单晶硅85 17.6 4.83 22 5.3 1196x556x30 APM36M90W107x81 单晶硅90 17.6 5.1 21.7 5.5 1068x806x35 APM36P90W102x68 多晶硅90 17.6 5.1 21.7 5.5 1016x676x35 APM36M100W107x81 单晶硅100 18 5.56 21.6 6.6 1068x806x35 APM36P100W147x68 多晶硅100 18 5.56 21.6 6.64 1466x676x35 APM36M120W158x81 单晶硅120 17.6 6.85 22.8 7.5 1580x808x35

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池地工作原理及区别1

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池 的工作原理及区别 硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。其中基本材料为P型单晶硅,厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区,构成一个PN+结。顶区表面有栅状金属电极,硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N+区和P区形成欧姆接触,整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。 当入发射光照在电池表面时,光子穿过减反射膜进入硅中,能量大于硅禁带宽度的光子在N+区,PN+结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区,就对发光电压作出贡献。光生电子留于N+区,光生空穴留于P区,在PN+结的两侧形成正负电荷的积累,产生光生电压,此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后,光电池就从P区经负载流至N+区,负载中就有功率输出。 太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光(或紫外光)敏感,约占总光源电流的5-10%(随N+区厚度而变),PN+结空间电荷的光生电流对可见光敏感,约占5 %左右。电池基体域

产生的光电流对红外光敏感,占80-90%,是光生电流的主要组成部分。 2.单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池,它的构成和生产工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。为了降低生产成本,现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成PN结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳能电池组件(太阳能电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,最后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可

单晶硅太阳能电池板详细参数

单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W 尺寸:963x805x35MM 净重:11KGS 工作电压:33.5V 工作电流:2.99A 开路电压:41.5V 短路电流:3.57A 蓄电池:24v 二、产品特点:采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合IEC61215 和电气保护II 级标准。太阳能电池转换效率高。而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。阳极氧化铝边框:机械强 度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。 太阳能电池板在制造时,先进行化学处理,表面做成了一个象金字塔一样的绒面,能减少反射,更好地吸收光能。采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。太阳能电池板阵列抗冲击性能佳,符合IEC 国际标准。太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA 材料以及TPT 复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。直流接线盒:采用密封防水、高可靠性多功能ABS 塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头,使用安全、方便、可靠。带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。工作温度:-40℃~+90℃使用寿命可达20 年以上,衰减小于20%。三、问题集锦:1、什么是太阳能电池答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池需要高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。硅材料是用二氧化硅(SiO2,也就是我们所熟悉的沙子)作为原料,将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片,涉及多个生产工艺和过程,一般大致分为:二氧化硅—> 冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。2、什么是单晶硅太阳能电池板答:单晶硅太阳能电池片主要是使用单晶硅来制造,与其他种类的太阳能电池片相比,单晶硅电池片的转换效率最高。在初期,单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额,在1998 年后才退居多晶硅之后,市场份额占据第二。由于近几年多晶硅原料紧缺,在2004 年之后,单晶硅的市场份额又略有上升,现在市面上看到的电池有单晶硅居多。单晶硅太阳能电池片的硅结晶体非常完美,其光学、电性能及力学性能都非常的均匀一致,电池的颜色多为黑色或深色,特别适合切割成小片制作成小型的消费产品。单晶硅电池片在实验室实现的转换效率为24.7%.普通商品化的转换效率为10%-1 8%。单晶硅太阳能电池片因为制作工艺问题,一般其半成硅锭为圆柱进,然后经过切片->清洗->扩散制结->去除背极->制作电极->腐蚀周边->蒸镀减反射膜等工蕊制成成品。一般单晶硅太阳能电池四个角为圆角。单晶硅太阳能电池片的厚度一般为200uM- 350uM 厚,现在的生产趋势是向超薄及高效方向发展,德国太阳能电池片厂家已经证实40uM 厚的单晶硅可达到20%的转换效率。3、什么是多晶硅太阳能电池板答:在制作多晶硅太阳能电池时,作为原料的高纯硅不是再提纯成单晶,而是熔化浇铸成正方形的硅锭,然后再加工单晶硅一样切成薄片和进行类似的加工。多晶硅从其表面很容易进行辨认,硅片是由大量不同大小的结晶区域组成(表面有晶体结晶状),其发电机制与单晶相同,但由于硅片由多个不同大小、不同取向的晶粒组在,其晶粒界面处光电转换易受到干扰,因而多晶硅的转换效率相对较低,同时,多晶硅的光学、电性能及力学性能一致性没有单晶硅太阳能电池好。多晶硅太阳能电池实验室最高效率达到20.3%,商品化的一般为10%-16%,多晶硅太阳能电池是正方形片,在制作太阳能组件时有最高的填充率,产品相对也比较美观。多晶硅太阳能电池片的厚度一般为220uM-300uM 厚,有些厂家已有生产180uM 厚的太阳能电池片,并且向薄发展,更以节约昂贵的硅材料。4、怎么区分单晶硅和多晶硅答:多晶片是直角的正方形或长方形,单晶的四个角有接近圆形的

太阳能电池片的相关参数

硅太阳能电池的性能参数主要有:短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。 ①短路电流(isc):当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时,此时的电流就是电池片的短路电流,短路电流的单位是安培(a),短路电流随着光强的变化而变化。 ②开路电压(uoc):当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时,此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压,开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化,一般为0.5~ 0.7v。 ③峰值电流(im):峰值电流也叫最大工作电流或最佳工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出最大功率时的工作电流,峰值电流的单位是安培(a)。 ④峰值电压(um):峰值电压也叫最大工作电压或最佳工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出最大功率时的工作电压,峰值电压的单位是v。峰值电压不随电池片面积的增减而变化,一般为0.45~0.5v,典型值为 0.48v。 ⑤峰值功率(pm):峰值功率也叫最大输出功率或最佳输出功率。峰值功率是指太阳能电池片正常工作或测试条件下的最大输出功率,也就是峰值电流与峰值电压的乘积:pm===im×um。峰值功率的单位是w(瓦)。太阳能电池的峰值功率取决于太阳辐照度、太阳光谱分布和电池片的工作温度,因此太阳能电池的测量要在标准条件下进行,测量标准为欧洲委员会的101号标准,其条件是:辐照度lkw/㎡、光谱aml.5、测试温度25℃。

⑥填充因子(ff):填充因子也叫曲线因子,是指太阳能电池的最大输出功率与开路电压和短路电流乘积的比值。计算公式为ff=pm/(isc×uoc)。填充因子是评价太阳能电池输出特性好坏的一个重要参数,它的值越高,表明太阳能电池输出特性越趋于矩形,电池的光电转换效率越高。串、并联电阻对填充因子有较大影响,太阳能电池的串联电阻越小,并联电阻越大,填充因子的系数越大。填充因子的系数一般在0.5~0.8之间,也可以用百分数表示。 ⑦转换效率(η):转换效率是指太阳能电池受光照时的最大输出功率与照射到电池上的太阳能量功率的比值。即: η=pm(电池片的峰值效率)/a(电池片的面积)×pin(单位面积的入射光功率),其中pin=lkw/㎡=100mw/cm2。 组件的板形设计一般从两个方向入手。一是根据现有电池片的功率和尺寸确定组件的功率和尺寸大小;二是根据组件尺寸和功率要求选择电池片的尺寸和功率。 电池组件不论功率大小,一般都是由36片、72片、54片和60片等几种串联形式组成。常见的排布方法有4片×9片、6片×6片、6片×12片、6片×9片和6片×10片等。下面就以36片串联形式的电池组件为例介绍电池组件的板型设计方法。

有关太阳能电池板的数据计算(1)

一,太阳能光电产品计算 下面以1kW输出功率,每天使用6个小时为例,介绍一下计算数据: 1.首先应计算出每天消耗的瓦时数(包括逆变器的损耗): 通常逆变器的转换效率为90%(国内企业研制的大功率光伏逆变器最高转换率 已达98.8%),则当输出功率为P 1=1kW时,则实际需要输出功率应为P 2 =1kW/90% =1.11kW;若按每天使用6小时,则耗电量为W 1 =1.11kW*6小时=6.66kWh。 2.蓄电池的选择: 按照蓄电池一次充满后连续放电(非浮充状态下)可供负载一天(6小时)使用 蓄电池采用规格: 2400WH/12V。 蓄电池容量:2400WH/12V=200AH,蓄电池每日放电量 6.66kw/12v=555Ah,即每天(6小时使用时间)的用电量为12V555Ah。蓄电池的最大放电深度最好保持在70%以内, 所以输入应为:W 2 =W 1 /0.7=6.66kwh/0.7=9.51kWh。 总共容量的计算:555Ah/0.7=792.85Ah≈800Ah,实际没有800AH的容量,可以用200AH四组就可以了. 3.太阳能电池容量的计算与当地的地理位置、太阳辐射、气侯等因素有关。首先计算标准辐照度下当地的年平均日照时数H(h) H=年辐射总量(kcal/cm2)×1.63(Wh/kcal) 365×0.1(W/cm2) 式中0.1W/cm2是25℃,AM1.5光谱时的辐照度,也是太阳能电池的标准测试条件。 表1 我国各类地区太阳能年辐射量 将年总辐射量代入公式,可得到各地区标准辐照度下当地的年平均日照时数H (h),结果如表1 按每日有效日照时间为H小时计算,再考虑到充电效率和充电过程中的损耗,充电过程中,太阳能电池板的实际使用功率为70%。 太阳能电池板的输出功率应为P 3 =9.51kWh/H/70%=13.585/H(W)。 太阳能峰值功率WP是在标准条件下:辐射强度1000W/m2,大气质量AM15,电池温度25℃条件下,太阳能电池的输出功率。太阳能电池的额定输出功率与转换效率有关,一般来讲,单位面积的电池组件,转换效率越高,其输出功率越大。太阳能电池目前的转换效率一般在14-17%之间,每平方米的太阳能电池组件输出功率约140-170WP. 面积功率*面积=功率 我们按照面积电池(m2)光电转换效率为15%计算,假设此时太阳光的总功率为 1000W/m2组件的功率为P 3 =13.585/H(kW)

单晶硅太阳能电池详细工艺

单晶硅太阳能电池 1.基本结构 2.太阳能电池片的化学清洗工艺 切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。④提高切割速度,实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类: 1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除≥ 0.2 μm颗粒。 3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类:(1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。(2)、带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。

1、用 H2O2作强氧化剂,使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 2、用无害的小直径强正离子(如H+),一般用HCL作为H+的来源,替代吸附在硅片表面的金属离子,使其溶解于清洗液中,从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。 由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液,通过H2O2的强氧化和NH4OH 的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲洗而被排除;同时溶液具有强氧化性和络合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等,使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污,亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。 另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,具有极强的氧化性和络合性,能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 3.太阳能电池片制作工艺流程图 具体的制作工艺说明 (1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。 (2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将 硅片表面切割损伤层除去30-50um。 (3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备 绒面。 (4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行 扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板详细参数(精)

单晶硅太阳能电池板,铝合金边框,钢化玻璃面板详细参数:单晶硅太阳能板100W 尺寸:963x805x35MM 净重:11KGS 工作电压:33.5V 工作电流:2.99A 开路电压:41.5V 短路电流:3.57A 蓄电池:24v 二、产品特点: 采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片,具有优良的弱光响应性能,符合 IEC61215 和电气保护 II 级标准。太阳能电池转换效率高。 而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。太阳能电池板阵列的表面 采用高透光绒面钢化玻璃封装,气密性、耐候性好,抗腐蚀。 阳极氧化铝边框:机械强 度高,具有良好的抗风性和防雹性,可在各种复杂恶劣的气候条件下使用,便于安装。太阳能电池板在制造时, 先进行化学处理, 表面做成了一个象金字塔一样的绒面, 能减少反射,更好地吸收光能。采用双栅线,使组件的封装的可靠性更高。 太阳能电池板阵列抗冲击性能佳, 符合 IEC 国际标准。 太阳能电池板阵列层之间采用双层 EVA 材料以及 TPT 复合材料,组件气密性好,抗潮,抗紫外线好,不容易老化。直流接线盒:采 用密封防水、高可靠性多功能 ABS 塑料接线盒,耐老化防水防潮性能好;连接端采用易操作的专用公母插头, 使用安全、方便、可靠。带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。 工作温度:-40℃~+90℃使用寿命可达 20 年以上,衰减小于 20%。三、 问题集锦:1、什么是太阳能电池 答:太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射 直接转换为电能的半导体器件。 现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型:单晶硅太阳 能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池,目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。 晶体硅(单晶、多晶太阳能电池需要高纯度的硅原料,一般要求纯度至少是 99. 99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许 2 个杂质原子存在。硅材料是用二氧化硅(SiO2,也就是我们所熟悉的沙子作为原料, 将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。从二氧化硅到太阳能电池片, 涉及多个生

太阳能电池性能参数

太阳能电池性能参数 1、开路电压 开路电压UOC:即将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下,在两端开路时,太阳能电池的输出电压值。 2、短路电流 短路电流ISC:就是将太阳能电池置于AM1.5光谱条件、100 mW/cm2的光源强度照射下,在输出端短路时,流过太阳能电池两端的电流值。 3、最大输出功率 太阳能电池的工作电压和电流是随负载电阻而变化的,将不同阻值所对应的工作电压和电流值做成曲线就得到太阳能电池的伏安特性曲线。如果选择的负载电阻值能使输出电压和电流的乘积最大,即可获得最大输出功率,用符号Pm表示。此时的工作电压和工作电流称为最佳工作电压和最佳工作电流,分别用符号Um和Im表示。 4、填充因子 太阳能电池的另一个重要参数是填充因子FF(fill factor),它是最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比。 FF:是衡量太阳能电池输出特性的重要指标,是代表太阳能电池在带最佳负载时,能输出的最大功率的特性,其值越大表示太阳能电池的输出功率越大。FF 的值始终小于1。串、并联电阻对填充因子有较大影响。串联电阻越大,短路电流下降越多,填充因子也随之减少的越多;并联电阻越小,其分电流就越大,导致开路电压就下降的越多,填充因子随之也下降的越多。 5、转换效率 太阳能电池的转换效率指在外部回路上连接最佳负载电阻时的最大能量转换效率,等于太阳能电池的输出功率与入射到太阳能电池表面的能量之比。太阳能电池的光电转换效率是衡量电池质量和技术水平的重要参数,它与电池的结构、结特性、材料性质、工作温度、放射性粒子辐射损伤和环境变化等有关。

图2.4.1 太阳能电池输出特性曲线

单晶硅片制作工艺流程

单晶硅电磁片生产工艺流程 ?1、硅片切割,材料准备: ?工业制作硅电池所用的单晶硅材料,一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒,原始的形状为圆柱形,然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的边长一般为10~15cm,厚度约200~350um,电阻率约1Ω.cm的p型(掺硼)。 ?2、去除损伤层: ?硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷,这就会产生两个问题,首先表面的质量较差,另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除,一般采用碱或酸腐蚀,腐蚀的厚度约10um。 ? ? 3、制绒: ?制绒,就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,形成漫反射,减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀,利用单晶硅的各向异性腐蚀,在表面形成无数的金字塔结构,碱液的温度约80度,浓度约1~2%,腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说,一般采用酸法腐蚀。 ? 4、扩散制结:

?扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度,因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要,要求硅片在制绒后要进行清洗,即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 ? 5、边缘刻蚀、清洗: ?扩散过程中,在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环,必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降,以至成为废品。 目前,工业化生产用等离子干法腐蚀,在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用,去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 ? 6、沉积减反射层: ?沉积减反射层的目的在于减少表面反射,增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN 作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。 ? 7、丝网印刷上下电极: ?电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤,它不仅决定了发射区的结构,而且也决定了电池的串联电阻和电

(整理)太阳能电池板规格表.

光伏组件(太阳能电池板)规格表 型号材料 峰值 功率 Pm (watt) 峰值 电压 Vmp (V) 峰值 电流 Imp (A) 开路 电压 Voc (V) 短路 电流 Isc (A) 尺寸 (mm) APM18M5W27x27单晶硅 5 8.75 0.57 10.5 0.66 265*265*25 APM36M5W27x27单晶硅 5 17.5 0.29 21.5 0.32 265*265*25 APM18P5W27x27多晶硅 5 8.75 0.57 10.5 0.66 265*265*25 APM36P5W27x27多晶硅 5 17.5 0.29 21.5 0.32 265*265*25 APM36M8W36x30单晶硅8 17.5 0.46 21.5 0.52 301*356*25 APM36P8W36x30多晶硅8 17.5 0.46 21.5 0.52 301*356*25 APM36M10W36x30单晶硅10 17.5 0.57 21.5 0.65 301*356*25 APM36P10W36x30多晶硅10 17.5 0.57 21.5 0.65 301*356*25 APM36M15W49x29单晶硅15 17.5 0.86 21.5 0.97 287*487*25 APM36P15W43x36多晶硅15 17.5 0.86 21.5 0.97 356*426*28 APM36M20W63x28单晶硅20 17.5 1.14 21.5 1.29 281*627*25 APM36P20W58x36多晶硅20 17.5 1.14 21.5 1.29 356*576*28 APM36M25W48x54单晶硅25 17.5 1.43 21.5 1.61 536*477*28 APM36P25W68x36多晶硅25 17.5 1.43 21.5 1.61 356*676*28 APM36M30W48x54单晶硅30 17.5 1.71 21.5 1.94 536*477*28

单晶硅太阳能电池制作工艺

. 单晶硅太阳能电池/DSSC/PERC技术 2015-10-20

单晶硅太阳能电池

2.太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。④提高切割速度,实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类: 1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。 2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除≥0.2 μm颗粒. 3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类:(1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。(2)、带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。 1、用H2O2作强氧化剂,使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面 2、用无害的小直径强正离子(如H+),一般用HCL作为H+的来源,替代吸附在硅片表面的金属离子,使其溶解于清洗液中,从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。由于SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液,通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲洗而被

排除;同时溶液具有强氧化性和络合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等,使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污,亦能去除某些金属沾污。在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,具有极强的氧化性和络合性,能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 具体的制作工艺说明(1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。(2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。(3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。(8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD 法或喷涂法等。(9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。(10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。 生产电池片的工艺比较复杂,一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、

硅太阳能电池的主要性能参数

硅太阳能电池的主要性能参数 本信息来源于太阳能人才网|https://www.360docs.net/doc/5d7241948.html, 原文链接: 硅太阳能电池的性能参数主要有:短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。 ①短路电流(isc):当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时,此时的电流就是电池片的短路电流,短路电流的单位是安培(a),短路电流随着光强的变化而变化。 ②开路电压(uoc):当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时,此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压,开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化,一般为0.5~0.7v。 ③峰值电流(im):峰值电流也叫最大工作电流或最佳工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出最大功率时的工作电流,峰值电流的单位是安培(a)。 ④峰值电压(um):峰值电压也叫最大工作电压或最佳工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出最大功率时的工作电压,峰值电压的单位是v。峰值电压不随电池片面积的增减而变化,一般为0.45~0.5v,典型值为0.48v。 ⑤峰值功率(pm):峰值功率也叫最大输出功率或最佳输出功率。峰值功率是指太阳能电池片正常工作或测试条件下的最大输出功率,也就是峰值电流与峰值电压的乘积:pm===im ×um。峰值功率的单位是w(瓦)。太阳能电池的峰值功率取决于太阳辐照度、太阳光谱分布和电池片的工作温度,因此太阳能电池的测量要在标准条件下进行,测量标准为欧洲委员会的101号标准,其条件是:辐照度lkw/㎡、光谱aml.5、测试温度25℃。 ⑥填充因子(ff):填充因子也叫曲线因子,是指太阳能电池的最大输出功率与开路电压和短路电流乘积的比值。计算公式为ff=pm/(isc×uoc)。填充因子是评价太阳能电池输出特性好坏的一个重要参数,它的值越高,表明太阳能电池输出特性越趋于矩形,电池的光电转换效率越高。 串、并联电阻对填充因子有较大影响,太阳能电池的串联电阻越小,并联电阻越大,填充因子的系数越大。填充因子的系数一般在0.5~0.8之间,也可以用百分数表示。 ⑦转换效率(η):转换效率是指太阳能电池受光照时的最大输出功率与照射到电池上的太阳能量功率的比值。即: η=pm(电池片的峰值效率)/a(电池片的面积)×pin(单位面积的入射光功率),其中pin=lkw /㎡=100mw/cm2。 电池组件的板型设计 在生产电池组件之前,就要对电池组件的外型尺寸、输出功率以及电池片的排列布局等进行设计,这种设计在业内就叫太阳能电池组件的板型设计。电池组件板型设计的过程是一个对电池组件的外型尺寸、输出功率、电池片排列布局等因素综合考虑的过程。设计者既要了解电池片的性能参数,还要了解电池组件的生产工艺过程和用户的使用需求,做到电池组件尺寸合理,电池片排布紧凑美观。 组件的板形设计一般从两个方向入手。一是根据现有电池片的功率和尺寸确定组件的功率和尺寸大小;二是根据组件尺寸和功率要求选择电池片的尺寸和功率。 电池组件不论功率大小,一般都是由36片、72片、54片和60片等几种串联形式组成。常见的排布方法有4片×9片、6片×6片、6片×12片、6片×9片和6片×10片等。下面就以36片串联形式的电池组件为例介绍电池组件的板型设计方法。

太阳能电池片功率计算公式

太阳能电池片功率计算公式 电池片制造商在产品规格表中会给出标准测试条件下的太阳电池性能参数:一般包括有短路电流Isc;开路电压Voc;最大功率点电压Vap;最大功率点电流Iap;最大功率Pmpp; 转换效率Eff等。标准测试条件下,最大功率Pmpp 与转换效率之间有如下关系: Pmpp = 电池面积(m2)*1000(W/m2)*Eff 举例如下: 产品类型转化效率(%) 功率(W) 单晶125*125 15 单晶156*156 15 多晶125*125 15 多晶156*156 15 注1:测试条件符合太阳光谱的辐照强度1000W/m2,电池温度25℃,测试方法 符合IEC904-1,容许偏差Efficiency ±5% REL。 注2: AM是air mass的简称,意思是大气质量。 是一种条件,它描述太阳光入射于地表之平均照度,其太阳总辐照度为1000W/m2;太阳电池的标定温度为25±1℃。 注3:IEC904-1 IEC:国际电工委员会,international electrotechnical commission。 IEC904等同于GB/T6495。 注4:REL :rate of energy loss 能量损耗率

太阳能电池功率 一:首先计算出电流: 如:12V蓄电池系统;30W的灯2只,共60瓦。 电流= 60W÷12V= 5 A 二:计算出蓄电池容量需求: 如:路灯每夜照明时间小时,实际满负载照明为 7小时(h); 例一:1 路 LED 灯 (如晚上7:30开启100%功率,夜11:00降至50%功率,凌晨4:00后再100%功率,凌晨5:00 关闭) 例二:2 路非LED灯(低压钠灯、无极灯、节能灯、等) (如晚上7:30两路开启,夜11:00关闭1路,凌晨4:00开启2路,凌晨5:00关闭) 需要满足连续阴雨天5天的照明需求。(5天另加阴雨天前一夜的照明,计6天)蓄电池= 5A× 7h×( 5+1)天= 5A× 42h =210 AH 另外为了防止蓄电池过充和过放,蓄电池一般充电到90%左右;放电余留5%-20%左右。 所以210AH也只是应用中真正标准的70%-85%左右。另外还要根据负载的不同,测出实际的损耗,实际的工作电流受恒流源、镇流器、线损等影响,可能会在5A的基础上增加15%-25%左右。 三:计算出电池板的需求峰值(WP): 路灯每夜累计照明时间需要为 7小时(h); ★:电池板平均每天接受有效光照时间为小时(h); 最少放宽对电池板需求20%的预留额。 WP÷=(5A× 7h× 120%)÷ WP÷= WP = 162(W) ★:每天光照时间为长江中下游附近地区日照系数。

单晶硅电池片工艺样本

单晶硅电池片工艺( 初稿) 工艺流程图: 硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库 1.单晶硅片质量检验标准 1.1 外观检验 1.1.1 基片大小: 125×125mm±0.5mm 1.1.2 形状: 准方片 1.1.3 直径: ∮150±1.0mm Φ165±1.0mm 1.1.4 厚度: 280±30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。 1.1.5 TTV( μm) total thickness variation 在选定圆片区域内, 最大厚度变化值≤50μm 1.1.6 表面缺陷: ≤2个深度不大于0.05mm 1.1.7 破损及针孔: 无可见破损和针孔 1.1.8 边缘缺损: 长度小于5mm, 深度0.5的破损≤1个 1.1.9 钜痕: <5μm 1.1.10 表面状况: 表面颜色均匀一致, 无残留硅粉, 无水迹 1.2 电特性: 1.2.1 晶体: 无位错直拉( CZ) 单晶 1.2.2 晶向: ( 100) ±3° 1.2.3 导电类型: P型( 硼掺杂) 1.2.4 电阻率( Ω·CM) 0.5~2.0 用四探针测量平均晶体电阻 1.2.5 少子寿命: >15μS 使用微波光电导方法, 在未钝化区域内, 扫描2×2mm区域, 去次测量平均值, 硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。

1.2.6 碳浓度: ≤5×10 1.2.7 氧浓度: ≤1×10 1.3 质量判断标准: AQL2.5 2.硅片插入片盒: 2.1 工具仪器: 25片片盒工作桌, 凳子, 真空吸附镊子 2.2 原材料: 125×125mm硅片 2.3 工艺过程: 把一定高度的硅片放于工作桌上, 在操作者面前, 用真空镊子把硅片吸起, 把硅片放于片盒的最下一层, 释放真空, 硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作, 直至把任务完成。 2.4 注意事项: 2.4.1 人是最大的污染源, 不要面对硅片说话, 不要用手直接拿片盒, 手上有钠离子、油类污染; 2.4.2 操作人员要戴口罩、手套操作; 2.4.3 硅片易碎, 在操作过程中, 工作人员要轻拿轻放, 尽量减少碎片; 2.4.4 真空吸头经常见酒精擦拭, 在工作过程中, 保持清洁。 3.硅片清洗: 3.1 去除损伤层: 3.1.1 目的: 在硅片切割过程中, 引起晶体表面晶格损伤, 为把PN结制作在良好的晶体上, 去除硅片表面的损伤层。 3.1.2 溶液浓度的配比: NaOH: H2O=8500: 34000( 重量比) 在实际工作中, 34000克纯水, 添加10000克的氢氧化钠 3.1.3 溶液的配制过程: 根据资料查明: NaOH的融解热, 10.4千卡/摩尔 8500÷40×10400=2210000卡 2210000÷34000=65( 度) 结论: 8500克氢氧化钠, 能够使34000克纯水温升65度, 理论计算要

太阳能电池板规格表(新)

型号Model 组件峰值功率(W)峰值电压Vmp(V)峰值电流Imp(A)开路电压Voc(V)短路电流 Isc(A) 电池片规格电池片规格单片功率电池片转 换效率 (%) 排列 排列 组件尺寸重量(kg) XNXM310-3631036.258.5643.809.40156 4.3117.6972 6*12XNXM300-3630036.258.2843.809.10156 4.1717.1272 6*12XNXM290-3629036.258.0043.808.80156 4.0316.5572 6*12 XNXM280-36 28036.257.7343.808.50156 3.8915.9872 6*12XNXP290-3629036.208.0243.508.82156 4.0316.5572 6*12XNXP280-3628036.207.7443.508.51156 3.8915.9872 6*12XNXP270-3627036.207.4643.508.21156 3.7515.4172 6*12XNXP260-3626036.207.1943.507.91156 3.6114.8472 6*12XNXM260-4826048.33 5.3857.80 5.92125 2.7117.3396 8*12XNXM250-4825048.33 5.1857.80 5.69125 2.6016.67968*12XNXM240-48 24048.33 4.9757.80 5.47125 2.5016.0096 8*12XNXM230-4823048.33 4.7657.80 5.24125 2.4015.3396 8*12XNXP230-4823048.08 4.7957.60 5.27125 2.4015.3396 8*12XNXP220-4822048.08 4.5857.60 5.04125 2.2914.6796 8*12XNXP210-4821048.08 4.3757.60 4.81125 2.1914.0096 8*12XNXM260-3026030.238.6136.209.47156 4.3317.8160 6*10XNXM250-3025030.238.2736.209.10156 4.1717.12606*10XNXM240-30 24030.237.9436.208.73156 4.0016.4460 6*10XNXM230-3023030.237.6136.208.37156 3.8315.7560 6*10XNXP240-3024030.187.9635.808.75156 4.0016.4460 6*10XNXP230-3023030.187.6335.808.39156 3.8315.7560 6*10XNXP220-3022030.187.2935.808.02156 3.6715.0760 6*10XNXP210-3021030.18 6.9635.807.66156 3.5014.3860 6*10XNXM200-3620036.26 2.5243.20 6.07125 2.7717.7372 6*12XNXM190-3619036.26 5.2443.20 5.77125 2.6416.89726*12XNXM180-3618036.26 4.9743.20 5.46125 2.5016.0072 6*12XNXM170-3617036.26 4.6943.20 5.15125 2.3615.1172 6*12XNXP175-3617536.21 4.8443.00 5.32125 2.4315.5672 6*12XNXP165-3616536.21 4.5643.00 5.02125 2.2914.6772 6*12XNXM230-2723027.258.4532.509.28156 4.2617.50546*9XNXM220-2722027.258.0832.508.89156 4.0716.74546*9XNXM210-2721027.257.7132.508.48156 3.8915.98546*9XNXM200-2720027.257.3432.508.08156 3.7015.22546*9XNXP210-27 210 27.21 7.72 32.30 8.49 156 156mm*156mm 3.89 15.98 54 6*9 1485mm*992mm*50mm 18 Kg 156mm*156mm 1960mm*992mm*50mm 156mm*156mm 1960mm*992mm*50mm 125mm*125mm 1600mm*1070mm*50mm 125mm*125mm 1600mm*1070mm*50mm 156mm*156mm 1650mm*992mm*50mm 156mm*156mm 1650mm*992mm*50mm 125mm*125mm 1580mm*810mm*50mm 125mm*125mm 1580mm*810mm*50mm 太阳能组件标准规格参数表 1485mm*992mm*50mm 156mm*156mm 24.6 Kg 24.6 Kg 21 Kg 21 Kg 19.8Kg 19.8Kg 16.3Kg 16.3Kg 18 Kg

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