冷杉胶综述

冷杉胶综述
冷杉胶综述

文献综述

导师:陈彪;学生:张川

摘要:按照使用要求冷杉胶可分别制成普通冷杉胶、改性冷杉胶合液体冷杉胶三种类型。普通冷杉胶具有硬度大,耐高温性能好,宜用于岩石磨片和生物切片的胶接剂。在普通冷杉胶中添加一定数量的增塑剂,可满足精密光学仪器零件的交接要求。在普通冷杉胶中添加14%-20%的增塑剂时,可提高抗寒性能,作为特殊光学胶件胶接剂。液体冷杉胶实际上就是在冷杉胶中添加了溶剂,达到方便使用的目的,用途、性质与普通冷杉胶相同。

关键词:冷杉胶;分布;提取;应用

冷杉胶的现状与未来

一、前言

冷杉胶是由冷杉树脂加工而成的,因为最早是从加拿大香胶枞树的树脂制备的,所以,也称为加拿大香胶。冷杉胶的制取包括冷杉树脂的提取和分离出冷杉胶,传统冷杉树脂采用立木采集或伐木采集,采集效率不高,费时费力,而且浪费物料。新的技术如通过蒸汽蒸煮,低温干馏,加压蒸馏来提取冷杉树脂,再进一步提取冷杉胶,新方法使冷杉树脂提取更完全。而且对于冷杉针叶、幼枝、树皮均可使用。在从冷杉树脂中分离冷杉胶的过程中,新技术如真空蒸馏技术使冷杉胶的提取方便快捷、彻底、产品质量高。应用也越来越广泛。目前,冷杉胶主要的用途为光学用胶,为了进一步提高冷杉胶的某些性能,在必要时还应根据不同用途采取一些改性措施以改进其气味,塑性,耐高、低温性能,机械强度性能,抗紫外性能和防霉性能等。一般光学仪器用胶,只需要进行调香和增塑这两方面的改性。对有特殊要求的胶还要考虑化学改性,而且改性冷杉胶将是以后研究应用的重点。另外,液体冷杉胶由于其应用范围广,也将是研究的重点。

二、正文

1)、冷杉属植物的分布

冷杉胶是从冷杉属的树中提取的,冷杉属约有50种。分布于欧洲、亚洲、北美洲、中美洲及非洲最北部的亚高山至高山地带。其中20余种冷杉是这些地区广泛分布的寒温性针叶林的重要组成树种,以西伯利亚冷杉分布最广,直至北极圈;黄连山冷杉是欧亚大陆分布最南的种类;危地马拉冷杉在西半球则越过北回归线,为冷杉属分布最南的界限(北纬14°49')。我国冷杉属的树种有

22种,分布在东北、华北、西北、和西南等高山地区;常用于采集冷杉胶树脂的树种是东陵冷杉和岷江冷杉。东陵冷杉又名臭松、臭冷杉,我国东北林区常见树种,主要分布在黑龙江的小兴安岭、吉林的长白山一带。岷江冷杉主要分布在西南林区。

2)、冷杉胶的理化性质

刚采集的冷杉树脂几乎无色。透明;长时间放置会逐渐呈浅黄色,有黏性。特殊气味;不溶于水,易溶于乙醚、乙酸乙酯、笨和松节油等中等极性和非极性溶剂。冷杉树脂中含有65%-80%的树脂酸,18%-35%的冷杉油以及少量的有机酸、单宁和其他树脂等。

冷杉胶的分级依据和理化性质分别见表1和表2所示。

表1 冷杉胶分级依据

杂质数量/(个/5cm3)等级

≤5 一

6-10 二

11-20 三

表二冷杉胶的理化性质

指标名称指标

折射率(n20D) 1.5200-1.5400

线膨胀系数(α0-25) 1.6-2.0×10-4

相对密度(d2020) 1.05-1.06

酸值/(mgKOH/g) 96-110

皂化值/(mgKOH/g)124-135

3)、冷杉树脂的采集方式

一是立木采集,用尖锐的利器刺穿冷杉树皮层的皮瘤,用手挤压皮瘤,使树脂流出,用容器收集。成片树林中,单木树脂采集量在50-200g;稀疏林地立木,树脂采集量会大一些,又时可达500g。

二是伐木采集,因为立木采集费时费工,需要一些器械帮忙,如梯子等。如果结合伐木,就简单许多,就是伐木后在木材堆积场将树脂集中收集。

三是通过蒸汽蒸煮,低温干馏,加压蒸馏等方法来提取冷杉树脂。对于冷杉针叶、幼枝、树皮均可使用。因为此法简单,即可以使用现代化方法生产,也可以在林区土法上马,小型生产,然后将粗品集中精制。与前两种方法相比,此法利用率比较高,提取比较彻底,但浪费能源。

四是提浸法,冷杉树脂能溶于多种有机溶剂和碱液,利用溶剂萃取或用碱液皂化,则能比较彻底的从树皮中抽提出树脂物质。常用的溶剂有汽油、石油醚、乙酸乙酯、乙醚、二甲苯等。此法优点是能充分利用资源,树脂的提取方法可工业化。缺点为树脂成分比较复杂,质量低,需进一步精制,而且要消耗溶剂和热能,设备必须现代化。

采集树脂时需要注意,冷杉树和其他针叶树(如松树)不同,它的木质部分没有正常的树脂道;其树脂道仅存在于形成层(生长层)和针叶中。树脂则贮存在形成层中大小不同的皮瘤中;不同部位的皮瘤中树脂含量也有区别,靠近根部的皮瘤中树脂黏度打,采集困难;顶部的挥发油含量大,树脂含量少;中部的皮瘤中树脂含量高,采集也容易。

采集过程中难免混入杂质,如树皮、苔藓等,需要过滤除去,防止树脂变色。收集用的容器要避免用铁、铜等金属器皿;可以用有色玻璃、陶瓷或塑料器具,顶部要有盖子,一方杂质混入。

树木生长迅速的春夏季采集树脂较适宜,这时树脂流动性好,产量大;雨天不宜采集。

4)、冷杉胶的提取

冷杉胶的提取工艺流程如下:冷杉树脂→乙酸乙酯溶解→食盐水洗涤→无水硫酸钠干燥→粗滤→浓缩→净滤→蒸馏→冷杉胶

操作要点:

○1溶解杉树脂粘稠难于过滤,需要稀释,常用的溶剂有乙酸乙酯、乙醚和松节油。乙酸乙酯对冷杉树脂的溶解性好,故常选作溶剂。

○2洗涤目的在于洗去水溶物和尘土等杂质。

○3干燥含水树脂难于精虑,精滤前必须严格脱水,对粘稠的冷杉树脂采用化学脱水较为适宜。目前常采用的脱水剂为无水硫酸钠。将其推入脂液中,充分摇动,脱水剂应微过量,以防因脱水不充分,而造成溶于水的硫酸钠进入胶液,蒸馏时又会失去水分成粉末状析出,影响产品质量。此后静置至溶液清澈。用中速滤纸过滤,将吸水后含胶的硫酸钠用乙酸乙酯洗涤后回收,含脂乙酸乙酯送溶解工段循环使用。

○4浓缩溶解过程中为了提高洗涤效果,采用的液比较大。为了在蒸馏时提高产量,应将过滤后的稀液部分进行浓缩,其浓缩条件为恒温水浴温度90度左右,浓缩系统压力约为50Kpa。

○5净滤为了保证产品的清洁度,先将5号或6号玻砂漏斗过滤除尘,滤液检查合格后再进行蒸馏。

○6蒸馏净滤合格的冷杉树脂溶液可用普通蒸馏的方法分离出冷杉油和冷杉胶,二者均可进行深度加工。

冷杉树脂可以采用真空蒸馏法来加工。真空蒸馏技术是一种与传统工艺概念完全相反的全新的树脂加工方法。该方法为:将没有经过任何处理的冷杉原脂(或与松脂的混合物或纯松脂)放在蒸馏瓶中进行真空蒸馏,在180度时应全部蒸出冷杉油(真空下),然后在真空度大于80kpa的情况下,经温度逐渐升高,并将冷凝管改为加热管,收集此时的流出物(即为产品光学胶),在200-250度应控制1h左右,若得率太低,可再延长时间。

真空蒸馏技术的特点如下:○1全部省掉了所有预处理和精制过程,即不用溶解、过滤、水洗、脱色、增塑,而直接采用原脂进行生产。大大简化了工艺,节约了人力、药品、仪器设备、水电、时间,并缩短了周期。○2不会有环境污染,

不存在有害气体伤害工人健康的问题。○3产品色浅,清亮透明、不结晶,酸价特低,软化点在50度左右,耐低温性能很好。可直接作为中性光学胶使用,也可以为普通冷杉胶的增塑剂,得率约为原脂的40%左右,主要成分为:高沸点、高溶点萜烯、双环、二萜烯及其衍生物(中性物),松香油(松香醇),某些树脂酸及其裂解产物。

5)、冷杉胶的主要用途

按照使用要求冷杉胶可分别制成普通冷杉胶、改性冷杉胶合液体冷杉胶三种类型。

普通冷杉胶普通冷杉胶具有硬度大,耐高温性能好,宜用于岩石磨片和生物切片的胶接剂。

改性冷杉胶在普通冷杉胶中添加一定数量的增塑剂,可满足精密光学仪器零件的交接要求。在普通冷杉胶中添加14%-20%的增塑剂时,可提高抗寒性能,作为特殊光学胶件胶接剂。

液体冷杉胶液体冷杉胶实际上就是在冷杉胶中添加了溶剂,达到方便使用的目的,用途、性质与普通冷杉胶相同。

目前,冷杉胶主要的用途为光学用胶,其应用范围为以下几个方面:

○1光学仪器生产

冷杉胶作光学零件的胶合剂,已有数百年的历史。随着现代科技的发展,冷杉胶的用途更为广泛,如:

制备电子显微技术上的专用薄膜,其膜的厚度为1/2-1/50λ。在水面上制备,用以沉积碳或硅的具有精确厚度的复制品。

吸湿的偏光片、滤色片的封藏胶合。与聚合型树脂配合作用,可有效地把近代的可染色的分子定向的排列的亲水胶质滤光片封藏在两块玻璃之间,不但不会破坏薄膜,而且胶合力强,可有效的防水,能保证光学均一性。

在冷杉胶中加入苯基1,3-丁二稀衍生物,胶合的相机镜头可除去紫外光,能改善黑白相质和颜色。

○2显微镜镜检

在制备生物显微切片时,需冷杉胶进行封固,但固体胶在热熔时会破坏生物切片,因此一般都将固体胶溶于苯或二甲苯中。

○3地质检验

冷杉胶在地质上有两个用处:一是把矿石标本粘住,可供高速磨床磨成0.25mm厚的薄片;二是把此薄片封固在载玻片上,供偏光显微镜镜检。前者要求冷杉胶具有较高的软化点,强的胶合力和弹性,后者要求具有固定的折光指数,因矿石的识别是通过岩石标本的折光指数和冷杉胶的折光指数进行比较而加以鉴别的。

○4照相印刷制版

照相印刷制版,其感光层为明胶和重铬酸胺。为防止在摘字时磨坏照相层,一般使用一块白玻璃将照相层保护起来,或者为了提高字版的黑度,有时使用正负二张片子重叠起来。这些都要经过胶合,字版为10.5cm×6.7cm的两块平面玻璃,对于冷杉胶的要求是不使照相层发生任何畸变,不开裂,无气泡,不移动。有强的胶合力和高的柔韧性。

○5电子产品生产

在电子工业上,冷杉胶作为介质用于二极真空管,可提高发光效应,作为光电池的镶嵌介质,可获得发光微粒的最大接触;可将云母胶合于“玻璃-塑料”型电发光装置的真空蒸发电极上,构成能完全抗弧的电发光装置;作为电发光装置的防潮涂层,可制备防潮的电发光装置,该装置可抑制光输出率的减少。

○6其他方面

冷杉胶与其他材料配合,可制成牙科黏结剂、橡胶胶合剂和橡胶增黏剂。三、总结

冷杉胶由于其特殊的性能,使其在光学方面应用广泛,而且即使现在合成了一些粘胶剂,也不能完全替代冷杉胶。经过改良的冷杉胶使之应用范围变广,性能更加优良,将是未来发展的方向。另外,冷杉胶的提取工艺也将会更加成熟,但毕竟冷杉树的量有限,就限制了大规模的从冷杉树中提取冷杉胶,所以全合成的冷杉胶将会有很大的前景。

参考文献:

[1]《中国冷杉林》樊金拴主编 2007

[2]《中国植物志》第七卷

[3]《天然产物化学与应用》哈成勇主编 2003

[4]《环保型胶粘剂配方及生产工艺》廖晖编著 2007

[5]《林产化学工艺学》王庆六主编 1995

[6]《中国林业科学研究院林产化学工业研究所研究报告选集第1卷 1952-1964》 1986

[7]《天然树脂生产工艺学》南京林产工业学院编 1983

[8]《胶黏剂实用技术》 -邱建辉张继源生楚君主编 2004

[9]《现代化工小商品制法大全第1集》詹益兴主编 1999

[10]《植物资源开发研究与应用》张卫明等 2005

光刻胶的发展及应用

Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。

光刻胶前期调研报告

目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨(供借鉴) (9) 2.UV可剥性涂料(供借鉴) (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质(供借鉴) (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质(供借鉴) (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究(供借鉴) (11) 6.酚醛感光材料的研究材料(供借鉴) (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂(环化橡胶类负型光致抗蚀剂) (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)

九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)

国外光刻胶及助剂的发展趋势

应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺,借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程,不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中,硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里,光刻费用飞速上涨,其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用,一个典型的例子是,在一个价格在50万欧元(合65万美元)的90nm 的光掩膜技术中,其光刻机花费是1000万欧元(合 1300万美元)。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中,常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍,这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率,可以用于微小精细的电路,同时,正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类,对于光致抗蚀技术来说,集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小,因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案,其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围,但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物,用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系,主要包括感光物质(PAC )、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时,其溶解度发生了改变:负型光刻蚀剂变为不溶,正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型,一种是二元体系:大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物;另外一种是一元体系:缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合,醋酸酯选择性地转换成酚醛,以及将其与其他反应性单体的化合,可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年,使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来,感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以,光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性,以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且,其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂,而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下,化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域,由于辐照源的匮乏,势必导致一种催化的东西产生,通常为中子源。在曝光的加热处理后,催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应,这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期:2009-04-23 作者简介:王雪珍(1983-),女,主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12

光刻胶可行性研究报告范文

光刻胶可行性研究报告范文 第一章光刻胶项目概要 第二章光刻胶项目背景及可行性 第三章光刻胶项目选址用地规划及土建工程 第四章光刻胶项目总图布置方案 第五章光刻胶项目规划方案 第六章光刻胶项目环境保护 第七章光刻胶项目能源消费及节能分析 第八章光刻胶项目建设期及实施进度计划 第九章光刻胶项目投资估算 第十章光刻胶项目融资方案 第十一章光刻胶项目经济效益分析 第十二章光刻胶项目社会效益评价 第十三章光刻胶项目综合评价及投资建议

第一章项目概要 一、项目名称及建设性质 (一)项目名称 光刻胶生产项目 (二)项目建设性质 本期工程项目属于新建工业项目,主要从事光刻胶项目投资及运营。 二、项目承办企业及项目负责人 某某有限责任公司 三、项目建设背景分析 中国的制造业正面临着第三次工业革命。第三次工业革命是由于人工智能、数字制造和工业机器人等基础技术的成熟和成本下降,以数字制造和智能制造为代表的现代制造技术对既有制造范式的改造以及基于现代制造技术的新型制造范式的出现,其核心特征是制造的数字化、智能化和网络化。 四、项目建设选址 “光刻胶投资建设项目”计划在某某省某某市某某县经济开发区实施,本期工程项目规划总用地面积120000.60 平方米(折合约180.00 亩),净用地面积119440.60 平方米(红线范围折合约179.16 亩)。该建设场址地理位置优越,交通便利,规划道路、电力、天然气、给排水、通讯等

公用设施条件完善,非常适宜本期工程项目建设。 五、项目占地及用地指标 1、本期工程项目拟申请有偿受让国有土地使用权,规划总用地面积120000.60 平方米(折合约180.00 亩),其中:代征公共用地面积560.00 平方米,净用地面积119440.60 平方米(红线范围折合约179.16 亩);本期工程项目建筑物基底占地面积85173.07 平方米;项目规划总建筑面积121960.77 平方米,其中:不计容建筑面积0.00 平方米,计容建筑面积121960.77 平方米;绿化面积8193.63 平方米,场区停车场和道路及场地硬化占地面积22756.14 平方米;土地综合利用面积119440.60 平方米,土地综合利用率100.00 %。 2、该项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照光刻胶行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合光刻胶制造经营的规划建设需要。 3、根据中华人民共和国国土资源部国土资发【2008】24号文及国土资发【2008】308号文的规定,某某县土地等别为九等,本期工程项目行业分类:光刻胶行业;根据谨慎测算,本期工程项目固定资产投资强度3024.77 万元/公顷>1259.00 万元/公顷,建筑容积率1.02 >0.80 ,建筑系数71.31 %>30.00 %,建设区域绿化覆盖率6.86 %<20.00 %,办公及生活服务设施用地所占比重4.80 %<7.00 %,各项用地技术指标均符合规定要

光刻胶行业现状分析

光刻胶行业现状分析 ▌国产光刻胶现状 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一,按应用领域可分为PCB(线路板)用、平板显示(LCD、LED)用和半导体用三类,目前国内市场上绝大多数厂商生产的产品为前两者。 在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的40%~50%,光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。 为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)的方向转移,并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 目前半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四类光刻胶,其g线和i线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。 半导体用光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中,日美企业基本垄断了g/i线光刻胶、KrF/ArF光刻胶市场,生产商主要有JSR、信越化学工业、TOK、陶氏化学等。 国产光刻胶发展起步较晚,与国外先进光刻胶技术相比国内产品落后4代,目前主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品,虽然PCB领域已初步实现进口替代,但LCD 和半导体用光刻胶等高端产品仍需大量进口,正处于由中低端向中高端过渡阶段。 随着国家层面对半导体在资金、政策上的大力支持,国内光刻胶企业正在努力追赶,企业数量从2012年的5家增长到2017年15家,少数企业在中高端技术领域已取得一定突破。 其中半导体用光刻胶领域代表性企业有苏州瑞红和北京科华,两者分别承担了02专项i线(365nm)光刻胶和KrF线(248nm)光刻胶产业化课题。目前,苏州瑞红实现g/i线光刻胶量产,可以实现0.35μm的分辨率,248nm光刻胶中试示范线也已建成;北京科华KrF/ArF光刻胶已实现批量供货。 如今国际半导体产能正在逐渐向国内转移,受益于产业大趋势,国产光刻胶需求将日益提升,随着苏州瑞红、北京科华等企业在技术上的不断突破,国产化替代趋势愈加明显。

光刻胶项目立项报告

光刻胶项目立项报告 一、建设背景 全球光刻胶市场集中度高 光刻胶又称光致抗蚀剂,是由光引发剂(包括光增感剂、光致产 酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的 对光敏感的混合液体,利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等光刻工 艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。 光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作, 是微细加工技术的关键性材料。按应用领域分类,光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他。2017年,全球光刻胶下 游应用较为均衡,PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶及其他占比 基本都在25%左右。 从以上概念及应用可知,光刻胶用于微小图形的加工,生产工艺 复杂,技术壁垒较高。其主要技术参数包括分辨率、对比度、敏感度,此外还有粘滞性黏度、粘附性等。其中分辨率描述形成的关键尺寸; 对比度描述光刻胶从曝光区到非曝光区的陡度;敏感度为光刻胶上产

生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。诸多技术参数限制 构成了光刻胶的技术壁垒。 同时,光刻胶质量直接影响下游产品的质量,下游企业对光刻胶 供货企业的质量及供货能力非常重视,通常采取认证采购的商业模式。伴随着高的采购成本与认证成本,光刻胶生产厂家与下游企业通常会 形成较为稳定的合作,这对新供应商涉足光刻胶行业设置了准入壁垒。 由于极高的行业壁垒,全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局,长年 被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额,行业集中度较高。其中,日本JSR、东京应化、日本信越 与富士电子材料市占率加和达到72%。 细分领域来看,在PCB光刻胶市场,PCB干膜光刻胶厂家主要有7家,分别为台湾长兴化学、台湾长春化工、日本旭化成、日本日立化成、美国杜邦、韩国KOLON、意大利莫顿公司,其中长兴化学、旭化成、日立化成三家所占市场份额已达80%以上;湿膜光刻胶主要生产厂家有台湾长春化工、日本三井化学、飞凯材料等;光成像阻焊油墨的主要 生产商有日本太阳油墨、TAMURA制作所、欧洲HUNGTSUMAN、中国台湾 永胜泰、无锡广信油墨(台资)等公司,共占据市场80%以上份额,其中日本太阳油墨一家独大,几乎占据全球60%份额。

光刻胶

````4、光刻胶 光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加剂(Additive)等不同得材料按一定比例配制而成。其中树脂就是粘合剂(Binder),感光剂就是一种光活性(Photoactivity)极强得化合物,它在光刻胶内得含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用. 4、1 光刻胶得分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联(Cross Linking),使其结构加强而不溶于现像 液; ·而未曝光部分溶于现像液; ·经曝光、现像时,会有膨润现像,导致图形转移不良,故负胶一般不用于 特征尺寸小于3um得制作中。 2.分类(按感光性树脂得化学结构分类) 常用得负胶主要有以下两类: ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶得特点,就是在感光性树脂分子得侧链上带有肉桂酸基感光性官 能团.如聚乙烯醇肉桂酸酯(KPR胶)、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯(OSR胶)等。 ·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂(主要就是环化橡 胶)、 双叠氮型交联剂、增感剂与溶剂配制而成。

3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶与OSR胶得感光性树脂分子结构如下: 在紫外线作用下,它们侧链上得肉桂酰官能团里得炭-炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间得交联,转变为不溶于现像液得物质。KPR胶得光化学交联反应式如下:

这类光刻胶中得高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联,而且在一定温度以上也会发生交联,从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘得温度与时间. ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶得光化学反应机理与前者不同,在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联,必须有作为交联剂得双叠氮化合物参加才能发生交联反应.交联剂在紫外线作用下产生双自由基,它与聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键,变为三维结构得不溶性物质。其光化学反应工程如下: 首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应: 双叠氮交联剂分解后生成得双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成)与炭氢取代反应,机理如下:

光刻胶知识简介

光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶:正胶和负胶。 光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。

光刻胶实验报告

综合实验报告 题目:重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质 院系:化学学院 年级:2011级 指导老师:王力元 姓名:姚宁 学号:201111014918

摘要:本文关于制备一种正性光致抗蚀剂——重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂及其成像性质的研究。重氮萘醌磺酸酯采用2,4,4’-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化得到,产量 1.43g,产率82.6% ;并用红外光谱和熔点仪对产物进行了表征。重氮萘醌磺酯感光剂与酚醛树脂和乙二醇配胶并均匀铺在铝板上,在紫外下曝光,稀碱水洗涤显影。成像试验得到的结果是:最佳曝光时间为90S,分辨率为12um。 关键词:重氮萘醌磺酸酯重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂光化学腐蚀法感光化合物负性光致抗蚀剂正性光致抗蚀剂 正文: 实验目的: 1. 初步了解光致抗蚀剂的概念 2. 了解酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂的成像原理 3. 学习重氮萘醌磺酸酯的制备方法 4. 学习匀胶机、烘胶台、碘镓灯的使用方法 5. 学习抗蚀剂曝光、显影等评价方法。 实验原理: 在半导体器件和集成电路制造中,要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层,是运用感光性树脂材料在控制光照(主要是UV光)下,短时间内发生化学反应,使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化;再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光化学腐蚀法”,也称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”(又称光刻胶)。 按成像机理不同,光致抗蚀剂可分为负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂:(1)负性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶中光照部分发生交联反应,溶解度变小,用适当溶剂即可把未曝光的部分显影除去,在被加工表面形成与曝光掩膜相反的图像,因此称为负性光致抗蚀剂。(2)正性光致抗蚀剂:在紫外光照射下,光刻胶的光照部分发生分解,溶解度增大,用适当溶剂可以把光照部分显影除去,即形成与掩膜一致的图像,因此称为正性光致抗蚀剂。如图1所示。

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样,上世纪基本上3~5年修正一次,而进入本世纪后,基本上每年都有修正和新的版本出现,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示,是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点,新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开,大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小",这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的COO和COC。因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术,在半导体工业的进步中,起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350~450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线,特别是波长为365nm的i线为光源,配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等,可为0.35~0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障,在目前任何一家FAB中,此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面,有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等,如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面,ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主,分辨率覆盖0.5~0.25μm:NIKON以提供前工程的1:5步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率覆盖0.8~0.35μm和2~0.8μm;CANON以提供前工程的1:4步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率也覆盖0.8~0.35μm和1~0.8μm;ULTRATECH以提供低端前工程的1:5步进重复系统和特殊用途(先进封装/MEMS/,薄膜磁头等等)的1:1步进重复系统为主;而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l:1接触/接近式系统和特殊用途(先进封装/MEMS/HDI等等)的1:1接触/接近式系为主。另外,在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术

常用橡胶性能一览表

常用橡胶性能一览表

由于具有优异的耐老化性能耐冲击性也较好,所以常用做胎侧。EPDM三元乙丙胶三元乙丙橡胶是一种在乙烯和丙烯共聚物中引入了第三单体的高分子聚合物,产品性能及优点:超高分子量,高乙烯含量,可高度填充填充剂和油,易碎的性能缩短了混炼的时间. 分子结构和特性 三元乙丙是乙烯、丙烯和非共轭二烯烃的三元共聚物。二烯烃具有特殊的结构,只有两键之一的才能共聚,不饱和的双键主要是作为交链处。另一个不饱和的不会成为聚合物主链,只会成为边侧链。三元乙丙的主要聚合物链是完全饱和的。这个特性使得三元乙丙可以抵抗热,光,氧气,尤其是臭氧。三元乙丙本质上是无极性的,对极性溶液和化学物具有抗性,吸水率低,具有良好的绝缘特性。

在三元乙丙生产过程中,通过改变三单体的数量,乙烯丙烯比,分子量及其分布以及硫化的方法可以调整其特性。 热塑性弹性体(TPE) 高刚性耐高温且保有低温的弯曲性,优异的耐化学品性,应用于管材、静音齿轮、电线被覆、发卷、自动收缩管线. TPE热塑性弹性体特性: 1、材料有半透、高透明、白色、黑色供选择。 2、已通过ROHS、PAHs、FDA测试,等级测试。 3、材料环保无卤无毒无味,不含塑胶软化剂、磷苯二甲酸盐、重金属等化合物。 4、良好的减震性和防滑耐磨。 5、良好的抗紫外线及耐化学药品性。 6、广阔的硬度范围选择(邵氏0度-110度)。可根据需求任意调整。 7、在—60度至135度的长期使用温度 8、压缩变形及永久变形小 9、卓越的抗动态疲劳性能 10、极优的耐臭氧及耐候性能 11、亮面、雾面均可,光滑的外观和舒适的橡胶柔软质感。 12、材料不含水分,无须干燥可直接使用,节约能源。 13、易于加工,着色。水口料即边角料可百分百回收再利用,降低产品,且不影响产品物性。 14、它可以通过二次注塑成型,与PP、PE、PS、ABS、PC、PA等基体材料包覆粘合,也可单独成形。替代软质PVC部分硅橡胶。 TPE/TPR 之应用领 域运动器材: 手把类(高尔夫球、各种球拍、脚踏车、滑雪器材、滑水器材等), 潜水器材(蛙鞋、蛙镜、呼吸管、手电筒等)、刹车块、运动护垫。日常用品:

光刻胶项目可行性研究报告(可编辑)

光刻胶项目 可行性研究报告规划设计 / 投资分析

摘要 该光刻胶项目计划总投资17894.46万元,其中:固定资产投资14436.11万元,占项目总投资的80.67%;流动资金3458.35万元,占项目总投资的19.33%。 达产年营业收入28205.00万元,总成本费用22446.42万元,税金及附加324.02万元,利润总额5758.58万元,利税总额6876.89万元,税后净利润4318.93万元,达产年纳税总额2557.95万元;达产年投资利润率32.18%,投资利税率38.43%,投资回报率24.14%,全部投资回收期5.64年,提供就业职位537个。 依据国家产业发展政策、相关行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势,同时,根据项目承办单位已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略,阐述投资项目建设的背景及必要性。 项目基本情况、项目建设背景分析、产业分析、产品规划分析、项目选址方案、项目工程方案分析、工艺技术、项目环境影响分析、生产安全保护、风险应对评价分析、节能评估、项目实施方案、投资分析、项目经营效益分析、综合结论等。

光刻胶项目可行性研究报告目录 第一章项目基本情况 第二章项目建设背景分析 第三章产业分析 第四章产品规划分析 第五章项目选址方案 第六章项目工程方案分析 第七章工艺技术 第八章项目环境影响分析 第九章生产安全保护 第十章风险应对评价分析 第十一章节能评估 第十二章项目实施方案 第十三章投资分析 第十四章项目经营效益分析 第十五章项目招投标方案 第十六章综合结论

第一章项目基本情况 一、项目承办单位基本情况 (一)公司名称 xxx有限责任公司 (二)公司简介 公司坚持“以人为本,无为而治”的企业管理理念,以“走正道,负责任,心中有别人”的企业文化核心思想为指针,实现新的跨越,创造新的辉煌。热忱欢迎社会各界人士咨询与合作。 公司及时跟踪客户需求,与国内供应商进行了深入、广泛、紧密的合作,为客户提供全方位的信息化解决方案。和新科技在全球信息化的浪潮中持续发展,致力成为业界领先且具鲜明特色的信息化解决方案专业提供商。 公司坚持精益化、规模化、品牌化、国际化的战略,充分发挥渠道优势、技术优势、品牌优势、产品质量优势、规模化生产优势,为客户提供高附加值、高质量的产品。公司将不断改善治理结构,持续提高公司的自主研发能力,积极开拓国内外市场。 (三)公司经济效益分析 上一年度,xxx实业发展公司实现营业收入17032.40万元,同比增长21.44%(3007.51万元)。其中,主营业业务光刻胶生产及销售收入为

光刻胶大全

光刻胶产品前途无量(半导体技术天地) 1 前言 光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工,因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC,经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况 随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,对微细图形加工技术的要求越来越高,为了适应亚微米微细图形加工的要求,国外先后开发了g线(436nm)、i线(365nm)、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达(Kodak)公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等;联合碳化学(UCC)公司的KTI系列;日本东京应化(Tok)公司的TPR、SVR、OSR、OMR;合成橡胶(JSR)公司的CIR、CBR 系列;瑞翁(Zeon)公司的ZPN系列;德国依默克(E.Merk)公司的Solect等。正性胶如:美国西帕来(Shipely)公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。 2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额 公司 2001年收益 2001年市场份额(%) 2000年收益 2000年市场份额(%) Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他 122.2 18.5 171.6 20.0 总计 662.9 100.0 859.4 100.0 Source: Gartner Dataquest 目前,国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25μm~0.18μm的深紫外正型光刻胶,主要的厂商包括美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利

MEMS文献综述报告

微机电系统(MEMS)的主要工艺 姓名:曹光浦 班级:02321202 学号:1120120403 指导老师:何光

前言 微电子机械系统(MEMS)的出现,极大地扩展了微电子领域的研究空间。从广义上讲,MEMS是指集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的完整系统。MEMS主要包含了微型传感器、执行器及相应的处理电路三部分。作为输入信号的自然界的各种信息,首先通过传感器转化成各种电信号,经过信号处理以后,再通过微执行器对外部世界发生作用。传感器可以把能量从一种形式转化成另一种形式,从而将现实世界的信号(如热、运动等信号)转化成系统可以处理的信号(如电信号)。执行器根据信号处理电路发出的指令完成人们所需要的操作。信号处理器则可以对信号进行转换、放大和计算等处理。 微机电系统(MEMS)的主要工艺 1、体加工工艺 1.1腐蚀工艺 腐蚀是指一种材料在它所处的环境中由于另一种材料的作用而造成的缓慢的损害的现象。然而在不同的科学领域对腐蚀这一概念则有完全不同的理解方式。在微加工工艺中,腐蚀工艺是用来“可控性”的“去除”材料的工艺。大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。“Top-Down”加工思想是通过去掉多余材料的方法,实现结构的加工。(雕刻——泥人)作为实现“去除”步骤的腐蚀工艺是形成特定平面及三维结构过程中,最为关键的一步。 腐蚀工艺简介图 1.2湿法腐蚀 湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材

料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。根据所选择的腐蚀剂,又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。各向同性腐蚀的试剂很多,包括各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否获得高纯试剂,以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制,因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。基于这种腐蚀特性,可在硅衬底上加工出各种各样的微结构。各向异性腐蚀剂一般分为两类,一类是有机腐蚀剂,包括EPW(乙二胺、邻苯二酚和水)和联胺等,另一类是无机腐蚀剂,包括碱性腐蚀液,如KOH、NaOH、NH4OH 等。 1.3干法腐蚀 干法腐蚀是指利用高能束与表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法腐蚀能实现各向异性刻蚀,即纵向的刻蚀速率远大于横向刻蚀的速率,保证了细小图形转移后的高保真性。但工艺设备昂贵,不适用于生产。 就湿法和干法比较而言,湿法的腐蚀速率快、各向异性差、成本低,腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度,具有较高的机械灵敏度。但控制腐蚀厚度困难,且难以与集成电路进行集成。 湿法腐蚀和干法腐蚀的优缺点比较 2、硅片键合工艺

2020光刻胶行业现状及前景趋势

2020年光刻胶行业现状 及前景趋势 2020年

目录 1.光刻胶行业现状 (4) 1.1光刻胶行业定义及产业链分析 (4) 1.2光刻胶市场规模分析 (6) 1.3光刻胶市场运营情况分析 (7) 2.光刻胶行业存在的问题 (10) 2.1纯度要求高、工艺复杂 (10) 2.2配方技术问题 (10) 2.3光刻机的配套需求问题 (10) 2.4体量壁垒问题 (10) 2.5供应链整合度低 (11) 2.6产业结构调整进展缓慢 (11) 2.7供给不足,产业化程度较低 (11) 3.光刻胶行业前景趋势 (13) 3.1技术难度最高,国产化率极低 (13) 3.2技术含量较低,国产化率超过50% (13) 3.3市场规模最大,低端产品已实现国产化 (13) 3.4用户体验提升成为趋势 (14) 3.5生态化建设进一步开放 (14) 3.6呈现集群化分布 (15) 3.7需求开拓 (16)

4.光刻胶行业政策环境分析 (16) 4.1光刻胶行业政策环境分析 (16) 4.2光刻胶行业经济环境分析 (17) 4.3光刻胶行业社会环境分析 (17) 4.4光刻胶行业技术环境分析 (17) 5.光刻胶行业竞争分析 (19) 5.1光刻胶行业竞争分析 (19) 5.1.1对上游议价能力分析 (19) 5.1.2对下游议价能力分析 (19) 5.1.3潜在进入者分析 (20) 5.1.4替代品或替代服务分析 (20) 5.2中国光刻胶行业品牌竞争格局分析 (21) 5.3中国光刻胶行业竞争强度分析 (21) 6.光刻胶产业投资分析 (22) 6.1中国光刻胶技术投资趋势分析 (22) 6.2中国光刻胶行业投资风险 (22) 6.3中国光刻胶行业投资收益 (23)

光刻胶

光刻胶的入门知识 2009-2-7 13:05:00来源: 不详作者:佚名访问:0次字号:【小】 作为图案复制用的光刻胶,主要的指标有光反应速度、光分辨率、光反应波长、针孔度、粘度等。自97年后,普通的lcd制作用光刻胶基本上都已经把光反应速度提高了一倍以上,使定向层制作前的生产能力大大提升。现在市面上的lcd制作用光刻胶光反应时间几乎都可以在10秒以下。光分辨率在近几年也有了很大进展,现市面上的lcd制作用光刻胶都可以做到pitch在18微米水平。光反应波长在前几年如果要做到pitch28微米的水平,波长还得在275纳米以下,经过这几年的发展,现在在400纳米可以反应的光刻胶也可以做到pitch18微米的水平。 光刻胶的技术由于改良发展较快的缘故,基本上已经解决了针孔率偏高的问题,现在大家几乎都不再考虑针孔率对lcd制作的影响了。粘度的调整要视各家的习惯,一般是50cp的产品由于使用时添加了一定的稀释剂,可以比较好调整涂覆效果,成本也可以降低,但是由于大量使用稀释剂,也使光刻胶的一些性能受到影响,在作比较高档的产品时会有分辨率下降的趋势。而30cp的产品,在涂覆效果上,控制稍显困难,但性能比较稳定,比较适合制作精细度高的产品。 光刻胶的保存条件比较严格,在光线、温度、湿度上都有限制,特别是开瓶使用后的光刻胶和稀释剂,一旦吸潮,其物理化学性能均下降很快。现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起,很多时候都只考虑此段的洁净度,而疏忽了该段的湿度控制,使得光刻胶涂覆的良品率比较低,在显影时光刻胶脱落严重,起不到保护阻蚀的效果。 1、光刻胶的特性: 光刻胶的组成: lcd使用的光刻胶一般为正性光刻胶,由光敏剂、填料和添加剂混和而成。 光刻胶的特性: 正性光刻胶中的的填料让光刻胶有一定的粘性,加温固化后能得到一定的初始硬度。而正性光刻胶中的光敏剂中一种溶于弱碱的小分子化学品,它在紫外线的作用下聚合成一种不溶于强酸和弱碱的比较致密大分子化合物,但它在强碱中依然可以溶解。 光刻胶的分类: 电子类产品光刻胶分为高感光度光刻胶和低感光度光刻胶。高感光度光刻胶可以制作10μm 以内的高精密线路,一般用于ic和lcd微显示器制作,低感光度光刻胶制作精度在10μm以上,一般用于普通lcd产品制作和线路板制作。 影响光刻胶性能的主要参数: 固含量;感光度;粘度;固化温度;针孔率;分辨率 2、光刻胶常用规格表: 3、光刻胶工厂自适应测试方法及判定标准: 粘度: a、测试方法:用粘度计测试待测光刻胶的粘度。 b、判定标准:测试结果粘度值与供应商提供参数一致。 添加剂干燥性能(预烘性能)

丁苯橡胶的概况

丁苯橡胶的概况 丁苯橡胶的基本概念 丁苯橡胶又称丁苯胶; 英文名:Emulsion-polymerized styrene butadiene rubber、Styrene Butadiene Rubber; 简称:SBR; 分子式:C12H14; 分子量:; CAS号:9003-55-8; 结构式: 图丁苯橡胶分子结构式 丁苯橡胶(SBR) 是最大的通用合成橡胶品种,也是最早实现工业化生产的橡胶之一。它是1,3-丁二烯与苯乙烯的无规共聚物。 丁苯橡胶的综合性能好,是合成橡胶中产量最高、消耗量最大的品种,常与天然橡胶掺混或单独使用。 丁苯橡胶(SBR)按聚合体系可分为乳聚丁苯橡胶(ESBR)和溶聚丁苯橡胶(SSBR)两类。 乳聚丁苯橡胶根据聚合温度的不同,分为高温乳聚丁苯橡胶和低温乳聚丁苯橡胶两大类。一般乳聚丁苯橡胶苯乙烯含量为%,苯乙烯含量高于40%的称为高苯乙烯丁苯橡胶,结合苯乙烯达到70%~90%者则称为高苯乙烯树脂。此外,还有充油乳聚丁苯橡胶和充油充炭黑乳聚丁苯橡胶。乳聚丁苯橡胶主要用于轮胎胎

面胶、胎侧胶,也广泛用于胶带、胶管、胶辊、胶布、鞋底、医疗用品及其他工业制品,并少量用于电线、电缆等非橡胶制品中。 溶聚丁苯橡胶是丁二烯和苯乙烯在烃类溶剂中采用有机锂引发阴离子聚合而制得的共聚物。溶聚丁苯橡胶具有耐磨、耐寒、生热低、回弹性高、收缩性低、色泽好、灰分少、纯度高以及硫化速度快等优点,近年来在发达国家发展较快。溶聚丁苯橡胶有纯溶聚丁苯和充油溶聚丁苯两类。溶聚丁苯橡胶主要用于制造轮胎,制造皮带、刮水板、窗框密封及散热器软管等工业用零部件,制造胶鞋、雨衣、毡布、手套、风衣及气垫床等日用品,应用相当广泛。 溶聚丁苯橡胶是兼具多种综合性能的橡胶品种。其生产工艺与乳聚丁苯橡胶相比,具有装置适应能力强、胶种多样化、单体转化率高、排污量小、聚合助剂品种少等优点,是今后的发展方向。 丁苯橡胶的特性 丁苯橡胶与其它通用橡胶一样,是一种不饱和的烃类高聚物,能溶于大部分溶解度参数相近的烃类溶剂中,而硫化胶仅能溶胀。丁苯橡胶能进行许多聚烯烃型反应,如氧化、臭氧破坏、卤化和氢卤化等。在光、热、氧和臭氧结合作用下,将发生物理化学变化,但其被氧化的作用比天然橡胶缓慢,即使在较高温度下老化反应的速度也较缓慢。光对丁苯橡胶的老化作用不明显,但丁苯橡胶对臭氧的作用比天然橡胶敏感,耐臭氧性比天然橡胶差。丁苯橡胶的低温性能稍差,脆性温度约为-45℃。与其它通用橡胶相似,影响丁苯橡胶电性能的主要因素是配合剂。丁苯橡胶的物理性能列于表。

相关文档
最新文档