集成电路构成的振荡电路集

在电子线路中，脉冲振荡器产生的CP 脉冲是作为标准信号和控制信号来

使用的，它是一种频率稳定、脉冲宽度和幅度有一定要求的脉冲。这种振荡器

电路不需要外界的触发而能自动产生脉冲波，因此被称为自激振荡器。一个脉

冲波系列是和这个脉冲的基本频率相同的正炫波以及许多和这个脉冲基本频率

成整数倍的正炫波谐波合成的，所以脉冲振荡器有时叫做多谐振荡器。用集成

电路构成的振荡器比用分立元件构成的工作要可靠的多，性能稳定。本电路汇

编了用各种集成电路构成的大量振荡器电路。供读者在使用时参考。-、门电路

构成的振荡电路1、图1 是用CMOS 与非门构成的典型的振荡器。当反相器F2 输出正跳时，电容立即使F1 输入为1，输出为0。电阻RT 为CT 对反相器输

出提供放通电路。当CT 放电达到F1 的转折电压时，F1 输出为1，F2 输出为0。电阻连接在F1 的输出端对CT 反方向充电。当CT 被充到F1 的转折电压时，F1 输出为0，F2 为1，于是形成形成周期性多谐振荡。其振荡周期

T=2。2RtCt。电阻Rs 是反相器输入保护电阻。接入与否并不影响振荡频率。2、图2 是用TTL 的非门构成的环形振荡器。三个非门接成闭环形。假定三

个门的平均传输延迟时间都是t，从F1 输入到F3 输出共经过3t 的延迟，Vo 输出就是Vi 的输入，所以输出端的振荡周期T=6t。该电路简单，但t 数值一般

是几十毫微秒，所以振荡频率极高，最高可达8MHz。

3、图3 是用TTL 非门电路组成的带RC 延时电路的RC 环形振荡器。当a

点由高电平跳变为低电平时，b 点电位由低边高，经门2 使C 点电位由高变低，同时又经耦合到d 点，使d 点电位上跳为高电平，所以门3 输出即e 点电位为低。随着c 充电电流减少，d 点电位逐渐降低，低到关门电压时门3 关闭，e 点由低变高，再反馈到门1，使b 点由高变低，d 点下降到较负的电压值，保证

实验七(选) 集成电路RC正弦波振荡器

实验七（选）集成电路RC正弦波振荡器一、实验目的 1、掌握桥式RC正弦波振荡器的电路构成及工作原理。 2、熟悉正弦波振荡器的调整、测试方法。 3、观察RC参数对振荡频率的影响，学习振荡频率的测定方法。二、实验仪器 1、双踪示波器 2、低频信号发生器 3、频率计三、预习要求 1、复习RC桥式振荡器的工作原理 2、完成下列列填空题: （1）图7-1中，正反馈支路是由组成，这个网络具有特性，要改变振荡频率，只要改变或或的数值即可。（2）图7-1中，R P和3R3组成反馈，其中是用来调节放大器的放大倍数，使A U≥3的。四、实验内容 1、按图7-1接线，注意电阻R P=Rl需预先调好再接入。 2、用示波器观察输出波形。思考: （1）若元件完好，接线正确，电源电压正常，而V0 = 0，原因何在?应怎么办? （2）有输出但出现明显失真，应如何解决? 3、用频率计测上述电路输出频率，若无频率计可按图7-2接线，用李沙育图形法测定，测出V0的频率f01并与计算值比较。 4、改变振荡频率

在实验箱上设法使文氏桥电阻R= l0K+20K，先将1R P调到30K ，然后在Rl与地端串入1个20K电阻即可。注意：改变参数前，必须先关断实验箱电源开关，检查无误后再接通电源，测 f 0之前，应适当调节2R P 使V 无明显失真后，再测频率。 5、测定运算放大器放大电路的闭环电压放大倍数A uf 先测出图7-1电路的输出电压V0值后，关断实验箱电源，保持R p2及信号发生器频率不变，断开图7-1中"A"点接线，把低频信号发生器的输出电压接至一个l KΩ的电位器上，再从这个lKΩ电位器的滑动接点取V i接至运放同相输入端。如图7-3所示调节V i使V0等于原值，测出此时的V i值，则： A uf=V0 / V i = 倍图7-1 图7-3

集成电路产业链及主要企业分析

集成电路产业链及主要企业分析集成电路简介集成电路（integratedcircuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。集成电路的特点集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。集成电路产业链概要集成电路的产业链又是怎样的呢？集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。集成电路主要包括模拟电路、逻辑电路、微处理器、存储器等。广泛用于各类电子产品之

集成电路构成的振荡电路

集成电路构成的振荡电路大全集成电路构成的振荡电路大全在电子线路中，脉冲振荡器产生的CP脉冲是作为标准信号和控制信号来使用的，它是一种频率稳定、脉冲宽度和幅度有一定要求的脉冲。这种振荡器电路不需要外界的触发而能自动产生脉冲波，因此被称为自激振荡器。一个脉冲波系列是和这个脉冲的基本频率相同的正炫波以及许多和这个脉冲基本频率成整数倍的正炫波谐波合成的，所以脉冲振荡器有时叫做多谐振荡器。用集成电路构成的振荡器比用分立元件构成的工作要可靠的多，性能稳定。本电路汇编了用各种集成电路构成的大量振荡器电路。供读者在使用时参考。 -、门电路构成的振荡电路 1、图1是用CMOS与非门构成的典型的振荡器。当反相器F2输出正跳时，电容立即使F1输入为1，输出为0。电阻RT为CT对反相器输出提供放通电路。当CT放电达到F1的转折电压时，F1输出为1，F2输出为0。电阻连接在F1的输出端对CT反方向充电。当CT被充到F1的转折电压时，F1输出为0，F2为1，于是形成形成周期性多谐振荡。其振荡周期T=2。2RtCt。电阻Rs是反相器输入保护电阻。接入与否并不影响振荡频率。 2、图2是用TTL的非门构成的环形振荡器。三个非门接成闭环形。假定三个门的平均传输延迟时间都是t，从F1输入到F3输出共经过3t的延迟，Vo输出就是Vi的输入，所以输出端的振荡周期T=6t。该电路简单，但t数值一般是几十毫微秒，所以振荡频率极高，最高可达8MHz。 3、图3是用TTL非门电路组成的带RC延时电路的RC环形振荡器。当a点由高电平跳变为低电平时，b点电位由低边高，经门2使C点电位由高变低，同时又经耦合到d点，使d点电位上跳为高电平，所以门3输出即e点电位为低。随着c充电电流减少，d点电位逐渐降低，低到关门电压时门3关闭，e点由低变高，再反馈到门1，使b点由高变低，d点下降到较负的电压值，保证门3输出为高。当c放电使d点上升到开门电压时，门3打开，e点又由高变低，输出电压Vo又回复为低电平，如此交替循环变化形成连续的自激振荡。振荡周期T=2.2RC。R可用作频率微调，一般R值小于1k欧姆。RS是保护电阻。

集成电路RC正弦振荡器方案

项目四：集成电路RC 正弦振荡器一、项目名称：集成电路RC 正弦振荡器二、项目训练目标： 1、掌握桥式RC 振荡器的电路构成及原理 2、熟悉正弦波振荡器的调整方法 3、观察RC 参数对振荡频率的影响 4、熟悉数字存储示波器的使用三、项目培训内容及评分标准（一）培训内容： 1、桥式RC 振荡器的电路构成及原理 (1)RC 串并联选频网络 R1 vi （2）RC 桥式振荡器

9R 2、正弦波振荡器的调整方法（1）若电路不能起振，可以顺时针调节9W4减小负反馈深度，提高放大倍数使电路起振。（2）若出现波形失真，可逆时针方向调节9W4增大负反馈深度，减小放大倍数使波形不失真。（3）若改变9W3后出现不起振的现象，可以顺时针调节9W4使电路起振。 3、频率计算及波形 (二)评分标准及细则：

四、教学总课时：3 其中教师讲解、演示节数：1 学生训练课时:1 技能考核课时:1 五、训练地点：电子综合室六、学生分组：三人一组七、每组所需设备：实训台、示波器八、每组所需工具；数字万用表九、每组所需材料：连接导线十、项目实施程序：（一）回顾RC桥式振荡器的组成及原理 1、RC串并联选频网络

R1 vi 2、 RC 桥式振荡器 9R 思考：（1）若元件完好，接线正确，电源电压正常，而 VO=0，原因何在，应怎么办？（2）有输出但出现明显失真，应如何解决？（二）教师演示： 1、电路连接

2、示波器接法 3、调整方法（1）调节9W4使电路起振（2）调节9W3改变振荡频率注意：正弦波振荡器的调整方法（1）若电路不能起振，可以顺时针调节9W4减小负反馈深度，提高放大倍数使电路起振。（2）若出现波形失真，可逆时针方向调节9W4增大负反馈深度，减小放大倍数使波形不失真。（3）若改变9W3后出现不起振的现象，可以顺时针调节9W4使电路起振。（三）学生实作：步骤： 1、学生选择元件，把9W3调整到10K，按图接线。 2、接通电源，连接上示波器，调节9W4使电路起振且波形不失真，记录频率，与实际计算值比较。 3、调节电位器，用示波器观察输出波形，记录频率完成表格

超大规模集成电路的设计发展趋势

超大规模集成电路的设计发展趋势摘要：随着信息产品市场需求的增长，尤其通过通信、计算机与互联网、电子商务、数字视听等电子产品的需求增长，世界集成电路市场在其带动下高速增长。本文主要从半导体电子学与计算技术工程方面进行进行的诸多研究成果以及国际集成电路的发展现状和发展趋势反映其在国际上的重要地位。关键字：超大规模集成电路发展趋势SOC IP复用技术 1 引言集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，通常用IC（Integrated Circuit）表示。近廿多年来，半导体电子学的发展速度是十分惊人的。从分离元件发展为集成电路，从小规模集成电路发展为现代的超大规模集成电路。集成电路的性能差不多提高了3个数量级，而其成本却下降了同样的数量级。 2超大规模集成电路发展的概述集成电路之所以获得如此迅速的发展，与数据处理系统日益增长的各种要求是分不开的，也是半导体电子学与计算技术工程方面进行了许多研究工作的结果。这些工作可以概括为:(l)改进性能一尽可能减少信号处理的传递时间。(2)降低成本一从设计、制造、组装、冷却等各方而降低成本。(3)提高可靠性一减少失效率，增加检测与诊断的手段。(4)缩短研制/生产周期一加快从确定研制产品到产品可用之间的时间，使产品保持领先地位。(5)结构上的改进一半导体存储器的进展，推动了计算机体系的发展。 1.改进性能在计算机中采用高密度的半导体集成电路是减少信号传递时间，提高机器性能的重要环节。因为在普通采用小规模集成电路(551)或中规模集成电路(MSI)的硬件结构中，信号传输与负载引起的延迟，与插件上的门的有效组装密度的平方根成正比，如图(1.1.1)。也就是说，组装延迟与每个门所需的有效面积的平方根成正比。因此将组装延迟减少一半的话，必须提高组装密度4倍。从ssl/Msl发展为LSI/VLsl标志着芯片上元件的集成度得到了很大的提高。目前，一个双极随机逻辑的VLsl，每片已包含有5。。O个门电路。若芯片的最大面积为50平方毫米的话，封装密度已达每平方毫米100个门的密度。据估计，今后几年内，在继续加大芯片面积，减小尺寸的惰况下，密度可提高到每片包含门的数量达一万个以上，如图].1.2所示。

关于成立集成电路公司可行性分析报告

报告摘要说明作为全球电子产品制造大国，近年来中国电子信息产业的全球地位迅速提升，产业链日渐成熟，为中国集成电路产业发展提供了机遇。特别是2014年《国家集成电路产业推动纲要》的细则落地，大基金项目启动，地方各基金纷纷建立，更是推动中国集成电路产业迎来新的黄金发展期。 xxx（集团）有限公司由xxx科技公司（以下简称“A公司”）与xxx集团（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1100.0万元，占公司股份54%；B公司出资940.0万元，占公司股份46%。 xxx（集团）有限公司以集成电路产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx（集团）有限公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。 xxx（集团）有限公司计划总投资2606.17万元，其中：固定资产投资2045.98万元，占总投资的78.51%；流动资金560.19万元，占总投资的21.49%。根据规划，xxx（集团）有限公司正常经营年份可实现营业收入3826.00万元，总成本费用2972.58万元，税金及附加45.26万元，利润总额853.42万元，利税总额1016.39万元，税后净利润640.06万

元，纳税总额376.32万元，投资利润率32.75%，投资利税率39.00%，投资回报率24.56%，全部投资回收期5.57年，提供就业职位61个。集成电路（integratedcircuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克?基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特?诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

集成电路RC正弦波振荡器

实验三集成电路RC正弦波振荡器一、实验目的 1．掌握桥式RC正弦波振荡器的电路构成原理。 2．熟悉正弦波振荡器的高速测试方法。 3．观察RC参数对振荡频率的影响，学习振荡频率的测定方法。二、预习要求 1．复习RC桥式振荡器的工作原理。 2．图5-2所示电路中，调节R1起什么作用，两个二极管起什么作用？三、实验原理与参考电路 1．基本RC桥式振荡电路如图所示，它由两部分组成，即放大电路和选频网络 V F 。由图中可知由于Z1、Z2和R1、R f正好形成一个四臂电桥，因此这种振荡电路常称为RC桥式振荡电路。 Z1 Z2R 图 5-1RC 桥式振荡电路由图可知，在时，经RC反馈网络传输到运放同相端的电压与同相，即有和。这样，放大电路和由Z1、Z 2 组成的反馈网络刚好形成正反馈系统，可以满足相位平衡条件，因而有可能振荡。实现稳幅的方法是使电路的R f /R1值随输出电压幅度增大而减小。起振时要求放大器的增益>3,例如，R f用一个具有负温度系数的热敏电阻代替，当输出电压增加使R f的功耗增大时，热敏电阻R f减小，放大器的增益下降，使的幅值下降。如果参数选择合适，可使输出电压幅值基本恒定，且波形失真较小。由于集成运放接成同相比例放大电路，它的输出阻抗可视为零，而输入阻抗远比RC 串并联网络的阻抗大得多，可忽略不计，因此，振荡频率即为RC串并联网络的。RC串并联网络构成正弦振荡电路的正反馈,在处,正反馈系数

，而R 1和R f 当构成电路中的负反馈，反馈系数。F +与 F -的关系不同，导致输出波形的不同。 2．如图5-2 ，RC 桥式振荡电路由RC 串并联网络和同放大电路组成，图中RC 选频网络形成正反馈电路，并由它决定振荡频率f0,Ra 和Rb 形成负反馈回路，由它决定起振的幅值条件和调节波形的失真与稳幅控制。在满足1 212,R R R C C C ====的条件下，该电路的：振荡频率 01 2f RC π= 起振幅值条件 13a b vf a R R A R += ≥ 即 2b a R R ≥ 式中43,//b d d R R R r r =+为二极管的正向动态电阻。四、实验内容 1．按图5-2所示电路接线。 2．用示波器观察输出波形。 Vo 图5-2 3 ．按表5.1内容测试数据 4．调整Rp 观察波形的变化。

集成电路产业链及主要企业分析

2017年8月中国集成电路产量达到151.7亿块，同比增长29.9%。2017年1-8月中国集成电路累计产量已超1000亿块，达到1030亿块，累计增长24.7%。从出口来看，8月中国出口集成电路18139百万个，同比增长12.8%；1-8月中国出口集成电路131521百万个，与去年同期相比增长13.9%。从销售额来看，中商产业研究院《2017-2022年中国集成电路行业深度调查及投融资战略研究报告》预测2017年集成电路销售额将达5000亿元。集成电路产业链集成电路的产业链又是怎样的呢？集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。集成电路主要包括模拟电路、逻辑电路、微处理器、存储器等。广泛用于各类电子产品之中。集成电路作为现代社会信息化、智能化的基础，广泛用于计算机、手机、电视机、通信卫星、相机、汽车电子中，集成电路集成度的上升带动了计算机等产品设备的性能与功能更上一台阶。其中计算机和通信领域是集成电路的主要应用行业，2016年全球约74%的集成电路应用在计算机与通信领域中。

图片来源：中商产业研究院整理主要企业高通Qualcomm 高通创立于1985年，总部设于美国加利福尼亚州圣迭戈市，33,000多名员工遍布全球。高通公司是全球3G、4G与下一代无线技术的企业，目前已经向全球多家制造商提供技术使用授权，涉及了世界上所有电信设备和消费电子设备的品牌。高通产品正在变革汽车、计算、物联网、健康医疗、数据中心等行业，并支持数以百万计的终端以从未想象的方式相互连接。骁龙是高通公司推出的高度集成的“全合一”移动处理器系列平台，覆盖入门级智能手机乃至高端智能手机、平板电脑以及下一代智能终端。安华高科技安华高科技（AvagoTechnologies）是新加坡一家设计和开发模拟半导体，定制芯片，射频和微波器件产品的公司，公司联合总部位于加利福尼亚州圣何塞和新加坡。目前，公司正在扩大移动技术的IP产品组合。 1961年，安华高科技作为惠普半导体产品事业部而成立。公司第一个核心产品是基于LED技术。2005年，公司在分拆成一个独立的法律实体前它是安捷伦半导体集团产品部的一部分。安华高科技提供了一系列的模拟，混合信号和光电器件及子系统。公司销售的产品覆盖无线，有线通信，工业，汽车电子和消费电子。安华高科技产品系列包括：ASICs，光纤，LED灯及LED显示器，运动控制解决方案，光传感器-环境光传感器和接近传感器，光电耦合器-密封塑料，射频与微波-包括薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器，GPS滤波器-LNA模块，以及功率放大器的手机。联发科台湾联发科技股份有限公司是全球著名IC设计厂商，专注于无线通讯及数字多媒体等技术领域。其提供的芯片整合系统解决方案，包含无线通讯、高清数字电视、光储存、DVD及蓝光等相关产品。联发科技成立于1997年，已在台湾证券交易所公开上市。总部设于中国台湾地区，并设有销售或研发团队于中国大陆、印度、美国、日本、韩国、新加坡、丹麦、英国、瑞典及阿联酋等国家和地区。2016年原本势头暴涨的联发科，恰恰是因为大客户OPPO、vivo的“移情别恋”，导致出货量开始衰退，对2016年的整体业绩造成了直接的影响。随着去年底OPPO、vivo甚至魅族这个铁打的“联发科专业户”，都纷纷与高通达成专利授权协议，趋势对联发科愈发不利。

门电路振荡器

集成电路构成的振荡电路大全在电子线路中，脉冲振荡器产生的CP脉冲是作为标准信号和控制信号来使用的，它是一种频率稳定、脉冲宽度和幅度有一定要求的脉冲。这种振荡器电路不需要外界的触发而能自动产生脉冲波，因此被称为自激振荡器。一个脉冲波系列是和这个脉冲的基本频率相同的正炫波以及许多和这个脉冲基本频率成整数倍的正炫波谐波合成的，所以脉冲振荡器有时叫做多谐振荡器。用集成电路构成的振荡器比用分立元件构成的工作要可靠的多，性能稳定。本电路汇编了用各种集成电路构成的大量振荡器电路。供读者在使用时参考。 -、门电路构成的振荡电路 1、图1是用CMOS与非门构成的典型的振荡器。当反相器F2 输出正跳时，电容立即使F1输入为1，输出为0。电阻RT为CT对反相器输出提供放通电路。当CT放电达到F1的转折电压时，F1输出为1，F2输出为 0。电阻连接在F1的输出端对CT反方向充电。当CT被充到F1的转折电压时，F1输出为0，F2为1，于是形成形成周期性多谐振荡。其振荡周期T=2。 2RtCt。电阻Rs是反相器输入保护电阻。接入与否并不影响振荡频率。 2、图2是用TTL的非门构成的环形振荡器。三个非门接成闭环形。假定三个门的平均传输延迟时间都是t，从F1输入到F3输出共经过3t的延迟，Vo输出就是Vi的输入，所以输出端的振荡周期T=6t。该电路简单，但t数值一般是几十毫微秒，所以振荡频率极高，最高可达8MHz。

3、图3是用TTL非门电路组成的带RC延时电路的RC环形振荡器。当a点由高电平跳变为低电平时，b点电位由低边高，经门2使C点电位由高变低，同时又经耦合到d点，使d点电位上跳为高电平，所以门3输出即e点电位为低。随着c充电电流减少，d点电位逐渐降低，低到关门电压时门3关闭，e点由低变高，再反馈到门1，使b点由高变低，d点下降到较负的电压值，保证门3输出为高。当c放电使d点上升到开门电压时，门3打开，e点又由高变低，输出电压 Vo又回复为低电平，如此交替循环变化形成连续的自激振荡。振荡周期T=2. 2RC。R可用作频率微调，一般R值小于1k欧姆。RS是保护电阻。 4、图4是用与非门构成的晶体振荡器。该振荡器精度比较高，一般在10^-5，一般将其基准振荡信号作为时间基准来使用。由于受晶体体积的限制，晶体振荡器产生的脉冲频率都比较到，通常是几百KHZ~几MKZ。要想得到频率较低的标准

用集成电路组成的振荡器_下_苏成富

电子报/2007年/12月/23日/第019版职业技能用集成电路组成的振荡器（下）上海苏成富二、触发器组成的振荡电路图8是用CMOS D触发器组成的占空比可调的脉冲发生器。设电路初始状态Q端为低电平，为高电平。端通过R B对C B充电，使C B两端电压逐渐上升，直至达到置位电平，则端由高变低，Q端由低变高，C A开始被充电，C A两端电压逐渐上升(同时C B通过R B并联的二极管D1放电)，直至达到复位电平，Q端又由高变低，Q端由低变高，完成一个脉冲振荡周期。如果输出脉冲从Q端输出，脉冲持续时间TA=0.7R B C AO截止时间T B=0，7R B C B，重复频率f=1／(T A+T B)。由此可知，决定时间常数T B与T日的是两个完全分开的RC网络，可独立调节其数值而互不影响，实现占空比可调节的脉冲发生器。该脉冲发生器与数据端D、触发端CP的状态无关。图9是用D触发器组成的多功能振荡器。该振荡器具有起振／停振控制、相位控制的占空比可调控制的功能。V C为起停控制电压，当V C为低电平时，由于二极管D1、D3的钳位作用，使D触发器的复位端R和置位端S的电位为0.6V左右，此值小于门限电平，D触发器维持原状。当V C由低向高跳变时，D触发器输出状态取决于输入电压Vp。若Vp为低电平，输出电压V0也为低电平；若Vp为高电平，V0也为高电平。由此可见，Vp决定了振荡波形的起始电压，也即振荡器的相位，所以Vp又可称为相位控制电压。振荡器的振荡过程同图8电路一样，这里不再赘述。图10是用施密特触发器附加一个电阻和一个电容组成的振荡器电路。当输出端为“1”时，经电阻R向电容C充电直至上限阈值电压V T+，输出由“1”变为“0”。然后，电容C上的电压经R向输出端放电至下限阈值电压V T-时，输出由“0”变”1”，如此周而复始，电路引起振荡。图11是用施密特触发器组成的占空比可调的多谐振荡器。用两个可调电阻R1和R2分别与两个极性相反的二极管相接后并联。当改变电阻R1的阻值时，可改变振荡器的充电时间常数，从而改变输出脉冲高电平的宽度T1；当改变电阻R2的阻值时，可改变振荡器的放电时间常数，从而改变输出脉冲低电平的宽度T2。三、555集成电路组成的振荡器电路图12是用通用的555时基电路组成的典型振荡器。当电源接通时，由于②脚处于零电平，所以输出端③脚是高电平；当Vc充电到≥2／3Vcc时，③脚由高变低，电路内部放电管导通，电容C经R B的放电管(⑦脚)放电，到Vc≤1／3Vcc时，输出又由低变高，C再次充电。如此周期重复，形成振荡。电路振荡周期T=0.7(RA+2RB)C。改变RA、RB可改变其振荡频率。图13(a)～(c)是用555电路组成的另一类振荡器，其原理与图12类同。在图12中调节R、C 的值，可改变充放电时间，因此充放电的时间常数不能单独调整。在图13三个电路中，设置了充放电引导二极管，充放电电阻RA、RB可以单独调节，在RA=RB的情况下，可以获得占空比为50%的方波。四、其他集成电路组成的振荡电路图14是用TTL的数据选择器1570组成的振荡器，T750四位二选一，每片有4位，每位有DO、D1两路数据输入端和一路输出端Q，每片有一个选择控制端A和功能控制端S。图中，R、C组成积分延时环节，利用电容C的充放电控制选择控制端A的电位V A，使其在门限电平VT 上下变化，从而实现电路不断自动翻转产生方波信号输出的目的。其振荡周期T=2RC。

中国集成电路设计企业一览表

一、北京地区集成电路企业北京华虹NEC集成电路设计有限公司北京华虹集成电路设计有限公司北京博旭华达科技有限公司北京宏思电子技术有限责任公司北京清华同方微电子有限公司广州市理惟科技有限公司北京分公司思略微电子（北京）有限公司北京清华紫光微电子系统有限公司北京九方中实电子科技有限公司北京中科博业科技有限公司北京明宇科技有限公司北京英贝多嵌入式网络技术有限公司北京神州龙芯集成电路设计有限责任公司北京航天伟盈微电子有限公司北京时代华诺科技有限公司北京东世半导体技术有限公司北京凯赛德航天系统集成设计有限公司北京创新天地科技有限公司北京秀策电子技术有限公司北京吴喜动态科技有限公司北京赛特克科技有限公司贵州以太家庭网络项目组图形芯片项目组北京卫士通龙马网络技术公司北京东兴泰思特检测技术有限公司北京科力测试技术有限公司北京东润泰思特测控技术有限公司北京远望经贸信息网络开发公司北京东越泰思特电子技术有限公司北京东方泰思特测控装备技术有限责任公司北京东英泰思特测试技术有限公司北京国芯安集成电路设计公司北京儒荣科技有限公司北京鑫泰维科技发展有限公司北京鑫世恒达商贸有限公司北京华贝尔兴业机电技术有限公司北京泛析智能控制技术有限公司北京世纪千里马商贸有限责任公司北京捷瑞泰思特科技有限公司北京硅普泰思特半导体设备有限公司

北京快鱼科技有限公司北京精技环宇条码技术公司北京恩联科技有限公司北京天元伟业科技有限公司北京惠友天成科技有限公司二、上海地区集成电路设计企业 1 上海集成电路设计研究中心 2 新涛科技(上海)有限公司 3 上海华龙信息技术开发中心 4 华邦(上海)集成电路有限公司 5 旭上电子(上海)有限公司 6 上海清华晶芯微电子有限公司 7 盛扬半导体(上海)有限公司 8 展讯通讯(上海)有限公司 9 上海大学微电子研究与开发中心 10上海上大众芯微电子有限公司 11科广微电子(上海)有限公司 12全泰电子(上海)有限公司 13上海全景数字技术有限公司 14上海晶进微电子有限公司 15上海华虹集成电路有限责任公司 16上海爱普生电子有限公司 17华东师范大学微电子电路与系统研究所18上海复旦微电子股份有限公司 19上海奇普科技有限公司 20华东计算技术研究所 21泰鼎多媒体技术(上海)有限公司 22上海莱迪思半导体有限公司 23百利通电子(上海)有限公司 24上海华园微电子技术有限公司 25迈世微电子(上海)有限公司 26上海科星电子有限公司 27上海复理南华信息技术有限公司 28上海海岭电子科技有限公司 29上海信语语音芯片有限公司 30上海元方集成电路咨询服务公司 31上海京西电子信息系统有限公司 32上海双岭电子有限公司 33上海海尔集成电路有限公司 34上海圣景科技发展有限公司

软件及集成电路上市公司一览表

软件及集成电路上市公司一览表 (2011-01-13 12:46:14) 转载▼ 标签：股票 600584长电科技江阴长电先进封装有限公司封装600360华微电子华微半导体（上海）有限责任公司封装002079苏州固锝苏州固锝电子股份有限公司封装002156富通微电南通富士通微电子股份有限公司封装600764中电广通中电智能卡有限责任公司封装600651飞乐音响上海长丰智能卡有限公司封装600460士兰微杭州士兰光电技术有限公司封装000925S*ST海纳杭州海纳半导体有限公司硅单晶材料 600206有研硅股有研半导体材料股份有限公司硅单晶材料国泰半导体材料有限公司硅单晶材料 600639浦东金桥上海通用硅材料有限公司硅单晶材料上海通用硅晶体材料有限公司硅单晶材料 000035ST科健上海新傲科技有限公司硅单晶材料 600171上海贝岭上海集成电路研发中心有限公司芯片制造大唐电信（微电子）（600198）大唐电信微电子分公司是目前亚洲较大的IC卡模块生产企业，2000年10月30日第5000万个模块顺利出厂，同年11月2日又建立了第三条生产线，从而使其月生产能力可达到1200万块，预计年底可完成产量6900万块，这个产量相当于国内其他所有企业在此之前曾经封装过的IC卡模块的总和。而作为中国电信的指定生产厂家，这个产量满足了中国电信年需求量的60％以上，在世界市场上也取得了一定的市场份额。在成功推出SIM卡芯片后，大唐电信微电子公司发布了其新开发的DTT4C18A型UIM卡芯片，用于CDMA移动电话。这是第一个由中国公司开发的非自主知识产权的芯片，预计可在明年投产。该产品主要用于联通公司经销的CDMA 移动电话，此外，部分将出口到国际市场。此项研究的成功不仅证明中国全面掌握了UIM卡芯片的开发技术，而且还将这一产品的技术升级到国际领先水平。UIM(用户标识模块)具有GSM移动电话中SIM卡的功能，包括标识识别、电信加密和电话号码存储。目前的DTT4C18A解决了UIM卡的核心技术问题，这将极大地推动中国CDMA技术的普及和第三代电信技术的发展。 2.上海贝岭（600171）上海贝岭股份有限公司是中国微电子行业的首家上市公司，主要从事通讯，多媒体信息系统集成电路的设计、制造、销售、技术服务与咨询等业务。现有总资产12.8亿元人民币，其中上海华虹（集团）有限公司为上海贝岭的第一大股东，持有上海贝岭38.45％的股份；上海贝尔有限公司持有上海贝岭25.64％的股份，为上海贝岭第二大股东。上海贝岭拥有1.2～3.0微米CMOS、NMOS、高电压BiCMOS和EPROM工艺技术。 3.中兴通讯（0063）深圳市中兴集成电路(ZTEIC)设计有限责任公司成立于2000年3月，是由深圳市中兴通讯股份有限公司与国家开发投资公司共同投资创立的高新技术企业，注册资金为5000万元人民币。公司专攻通讯专用ASIC的研究、开发、生产和销售，是国家“909”工程中八家集成电路设计公司之一。

集成电路版图设计

北京工业大学集成电路版图设计设计报告姓名：于书伟学号：15027321 2018年5 月

目录目录 (1) 1绪论 (2) 1.1集成电路的发展现状 (2) 1.2集成电路设计流程及数字集成电路设计流程 (3) 1.2.1CAD发展现状 (3) 2电路设计 (5) 2.1运算放大器电路 (5) 2.1.1工作原理 (5) 2.1.2电路设计 (5) 2.2D触发器电路 (12) 2.2.1反相器 (12) 2.2.2传输门 (13) 2.2.3或非门 (13) 2.2.4D触发器 (14) 3版图设计 (15) 3.1运算放大器 (15) 3.1.1运算放大器版图设计 (15) 3.2D触发器 (18) 3.2.1反相器 (18) 3.2.2传输门 (20) 3.2.3或非门 (21) 3.2.4D触发器 (23) 4总结与体会 (27) 参考文献 (28)

1 绪论 1.1 集成电路的发展现状在全球半导体市场快速增长的带动下，我国半导体产业快速发展。到2018 年，我国半导体产业销售额将超过8000 亿元。近年来，我国半导体市场需求持续攀升，占全球市场需求的比例已由2003 年的18.5%提升到2014 年的56.6%，成为全球最大的半导体市场。 2009-2018 年我国半导体产业销售情况变化图与旺盛的市场需求形成鲜明对比，我国集成电路产业整体竞争力不强，在各类集成电路产品中，中国仅移动通信领域的海思、展讯能够比肩高通、联发科的国际水准。本土集成电路供需存在很大的缺口。 2010-2019 我国集成电路供需情况对比

1.2 集成电路设计流程及数字集成电路设计流程集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：功能设计阶段，设计描述和行为级验证，逻辑综合，门级验证（Gate-Level Netlist Verification），布局和布线。模拟集成电路设计的一般过程：电路设计，依据电路功能完成电路的设计；.前仿真，电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真；版图设计（Layout），依据所设计的电路画版图；后仿真，对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图；后续处理，将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。数字集成电路设计流程 1.设计输入电路图或硬件描述语言 2.逻辑综合处理硬件描述语言，产生电路网表 3.系统划分将电路分成大小合适的块 4.功能仿真 5.布图规划芯片上安排各宏模块的位置 6.布局安排宏模块中标准单元的位置 7.布线宏模块与单元之间的连接 8.寄生参数提取提取连线的电阻、电容 9.版图后仿真 1.2.1CAD发展现状 CAD/CAM技术20世纪50年代起源于美国,经过近50年的发展,其技术和水平已经到达了相当成熟的阶段。日本、法国、德国也相继在机械制造、航空航天、汽车工业、建筑化工等行业中广泛使用CAD/CAM技术。CAD/CAM技术在发达国家已经成为国民经济的重要支柱。我国CAD/CAM技术的应用起步于20世纪60年代末,经过40多年的研究、开发与推广应用,CAD/CAM技术已经广泛应用于国内各行各业。综合来看,CAD/CAM技术的在国内的应用主要有以下几个特点: (1)起步晚、市场份额小我国 CAD/CAM技术应用从20世纪80年代开始,“七五”期间国家支持对24个重点机械产品进行了 CAD/CAM的开发研制工作,为我国 CAD/CAM技术的发展奠定了一定的基础。国家科委颁布实施的863计划也大大促进了 CAD/CAM技术的研究和发展。“九五”期间国家科委又颁发了《1995～2000年我国 CAD/CAM应用工程发展纲要》,将推广和应用 CAD/CAM技术作为改造传统企业的重要战略措施。有些小企业由于经济实力不足、技术人才缺乏,CAD/CAM技术还不能够完全应用到生产实践中。国内研发的CAD/CAM软件在包装和功能上与发达国家还存在差距,市场份额小。 (2)应用范围窄、层次浅CAD/CAM技术在企业中的应用在CAD方面主要包括二维绘图、三维造型、装配造型、有限元分析和优化设计等。其中CAD二维绘图

中国集成电路设计企业一览表

中国集成电路设计企业一览表近几年中国集成电路设计产业发展迅猛，数量已经超过六百家，下表仅为各地集成电路产业园列出的较出名的集成电路设计企业：一、北京地区集成电路企业北京华虹NEC集成电路设计有限公司北京华虹集成电路设计有限公司北京博旭华达科技有限公司北京宏思电子技术有限责任公司北京清华同方微电子有限公司广州市理惟科技有限公司北京分公司思略微电子（北京）有限公司北京清华紫光微电子系统有限公司北京九方中实电子科技有限公司北京中科博业科技有限公司北京明宇科技有限公司北京英贝多嵌入式网络技术有限公司北京神州龙芯集成电路设计有限责任公司北京航天伟盈微电子有限公司北京时代华诺科技有限公司北京东世半导体技术有限公司北京凯赛德航天系统集成设计有限公司北京创新天地科技有限公司北京秀策电子技术有限公司北京吴喜动态科技有限公司北京赛特克科技有限公司贵州以太家庭网络项目组图形芯片项目组北京卫士通龙马网络技术公司

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20家芯片设计最有潜力的公司

中国最具潜力的２０家芯片设计企业 2005-09-16 专题特写：《国际电子商情》创刊二十周年系列报道春华秋实：中国IC设计业走向可持续发展之路《国际电子商情》伴随着中国电子产业飞速发展已经走过了整整二十个不平凡的春秋，我们热切的目光也一路见证了中国IC设计业从孕育到成长，从星星之火到阵容壮大。今天，我们聚集在创刊20周年庆的舞台上，与20家中国最具代表性的IC设计公司一道，细数回顾饱含酸甜苦辣的发展历程，展现他们创立以来的丰硕成果和未来发展规划，分享业界志士们对产业环境变化的衷心感言。诚然，中国IC产业在过去十几年取得了巨大的成就，IC设计企业已接近500家，2004年销售收入过亿元人民币的企业达到了16家之多。但是IC企业仍然有很长的路要走，一方面产品市场范围过窄，主要集中于电源管理、信号处理、视频编解码、玩具控制等几个方面，在相当一段时间里仍将提供替代性产品为主；另一方面，企业知识产权的建立与保护机制有待健全和加强。所幸的是，本土IC设计企业已然清醒认识到这些问题，正在向具有自主知识产权、自我良性循环成长的可持续发展之路迈进。安凯开曼公司这是一家创办于硅谷、根植于中国的芯片设计公司。成立4年多来，员工总数与设计人员大幅增长，推出多媒体应用处理器(AK3210M、AK3220M)、多媒体协处理器(A2、A6)两条产品主线，并提供多媒体手机、个人媒体播放器、无线监控、车载电话等完整解决方案。目前，安凯公司正与重庆重邮信科股份有限公司紧密合作，联合开发具有中国自主知识产权的TD-SCDMA基带处理器芯片。安凯认为，现在中国IC设计产业的竞争如火如荼，对于本土的IC设计公司而言，想要在这样的竞争中生存和壮大，必须要在国际强手留下的生存空间中拿出有知识产权的特色产品，即注重芯片差异化特征的修炼。安凯的目标是成为全球一流的移动手持设备多媒体应用处理器的主要

集成电路设计习题答案1-5章

CH1 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境： IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识 CH2 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH3 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高 5．说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复 6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。干氧 2 2 S i O O Si→ +湿氧 2 2 2 2 2H S i O O H Si+ → + CH4 1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.1 2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。 CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。 3.什么是MOS工艺的特征尺寸？工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。 4.为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺

集成电路综合设计实验报告

集成电路设计综合实验报告学院：电控学院班级：微电子1001班姓名：xxx 学号：xxxxxxxxxx

一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程二、实验内容 1、反向提取给定电路模块，要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。）（1）实验原理标准CMOS工艺下的集成半导体器件主要有NMOS晶体管、PMOS晶

体管、多晶硅电阻和多晶硅电容等。在P型衬底N阱CMOS工艺中，NMOS 晶体管直接制作在衬底材料上，PMOS晶体管制作在N阱中。在集成电路版图的照片中，NMOS管阵列和PMOS管阵列一般分别制作在不同区域，PMOS管阵列制作在几个N阱内，NMOS管阵列制作在多个区域。这一点在照片中可以明显地区分开来。N阱和两种有源区存在较为明显的颜色差别。通过对N阱、P型有源区和N型有源区的颜色辨别，可以确认PMOS 管阵列和NMOS管阵列位置。 N型选择区和有源区共同构成了N型掺杂区，P型选择区和有源区共同构成了P型掺杂区。在实际的电路连接关系中接触孔的多少取决于晶体管的连接关系，当晶体管一侧或两侧与其它器件存在物理连接时，不需要接触孔。从图中可以看出，形成晶体管的重要结构是多晶硅与有源区的十字交叉区域，只要存在多晶硅栅和某种有源区十字交叉图形，就可以确定一只晶体管的位置，进而通过测量可以确定其宽长比参数。确定MOS管的类别主要是通过观察该十字交叉区域是否在N阱区域内，N阱区域内为PMOS晶体管，阱外则为NMOS晶体管。在P型衬底N阱CMOS工艺条件下，NMOS器件直接制作在衬底材料上，PMOS器件制作在N阱中。在模拟集成电路中，MOS晶体管常常工作在线性区或饱和区，需要承受较大的功耗，这些晶体管具有较大的宽长比。模拟集成电路版图常常不规则，这就要求在电路提取时要充分注意电路连接关系。为了解决较大宽长比器件与版图布局资源之间的矛盾，实际版图照片中常常可以看到，以多只较小宽长比晶体管并联形式等效一只较大宽长比