电子技术习题

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电子基础习题

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第一部分电子技术

第一章数字电路

一、判断题

(√)1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。(√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大,输出电压越稳定。

(√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的,即正与门就是负或门,正或门就是负与门。(√)4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。

(√)5、与非门的多余端不允许接地。

(×)6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。

(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。

(×)8、TTL与非门输入端同时悬空时,相当于输入端不加电平,故输出为高电平。(√)9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。

(×)10、若一个异或门的两个输入端的电平相同,即同为高电平或同为低电平,则输出为高电平。

(√)11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的,与CP脉冲也是不同步的。(√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器。

(×)13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲,应采用单稳态触发器。

(×)14、TTL数字集成电路中,或门不使用的输入端接高电平。

(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。

(√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码,用N个触发器就可以存储N位二进制代码。(√)17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。在数字电路中,能实现编码功能的电路称编码器。

(×)18、主一从J-K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。

(×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。

二、单项选择题

l、具有记忆功能的电路是( D )。

A:与非门 B:异或门 C:加法器 D:触发器

2、组合电路是由( B )组成的。

A:存储电路 B:门电路 C:逻辑电路 D:数字电路

3、下列逻辑电路错误的是( B )。

A:A?A=A B: A+1=A C:A?l二A D: A+A=A

4、l+l+l+0?1+1?1,若这是逻辑运算结果为( A ),若这是二进制算术运算结果为( D )。A:l B: 2 C: 4 D: 100

5、(1011001)2=( C )10。

A:51 B: 19 C: 89 D: 131

6、(51)10二( A )2。

A:l10011 B:100110 C: l10001 D: 100001

7、逻辑表达式A+AB等于( A )。

A: A B: l+A C:1+B D:B

8、双稳态触发器触发脉冲过窄,将会使电路出现的后果是( C )。

A:空翻 B:正常翻转 C:触发而不翻转 D:不定

9、双稳态触发器原来处于“1”状态,想让它翻转为“0”态,可以采用触发方式是( A )。A:单边触发 B:多边触发 C:计数触发 D:负触发

10、当( A )时,TTL与非门输出低电平。

A:Vi>Ut B.Vi

11、有一个TTL与非门,其输入端与地间并接一个电阻Ri,当Ri小于关门电阻ROFF时,此TTL与非门( B ),输出高电平。

A:开启 B:关闭 C:低电平 D:高电平

12、基本RS触发器改为同步RS触发器,主要解决了( B )问题。

A:输入端的约束 B:RS端直接控制 C:计数使用时发生空翻

13、同步JK触发器改为主从JK触发器主要解决了( C )问题。

A:输入端约束 B:输入端直接控制 C:计数使用时发生空翻

14、若要产生振荡频率高度稳定的矩形波,应采用( D )。

A:十进制计数器 B:单稳态触发器 C:施密特触发器 D:石英晶体多谐振荡器

15、将一个正弦波信号转换成同一频率的矩形波,应采用( C )。

A:十进制计数器 B:单稳态触发器 C:施密特触发器 D:石英晶体多谐振荡器

16、17化为二进制数为( A )。

A: 10001 B: 10101 c: 10111 D: 10010

17、用于把矩形波变为尖脉冲的电路是( C )。

A:R耦合电路 B:RC耦合电路 C:微分电路 D:积分电路

18、组合逻辑电路任何时刻的输出信号,与该时刻的输入信号( A ),与电路原来所处的状态( B )。

A:有关 B:无关 C:视情况而定

19、若用与非门组成一个四位二进制译码器,则所需与门的个数为( B )。

A 8个

B l6个 C. 32个 D.64

20、耍把不规则的脉冲信号变换成等宽等幅的脉冲信号.应采用( B ).

A .十进制计数器

B . 单稳态触发器

C 施密特触发器

D. 石英晶体多谐振荡器

21、一个有三个输入端的逻辑电路有( A )个可能的输入组合。

A 8 B. 4 C. 3 D.12

22、组合逻辑电路的特点是( A )。

A .输出只取决于该时刻的输入 B. 具有记忆功能 C.输出不仅取决于该时刻的输入.而且与原来的状态有关

23、在四变量逻辑表达式 F=AB+C+ABCD中,能称为最小项的是( D )。

A . ABC B. A

B C.

C D. ABCD

24、译码器属于( B )电路,加法器属于( B )电路,寄存器属于( A )电路,计数器属于( A )电路。

A.时序

B.组合 D.模拟

25、两个二进制数10101与11101之和为( B )。

A.50

B.110010

C.1100100

D.1100010

26、基本RS触发器,当R、S都是高电平时,该触发器具有( C )功能。

A.置0

B.置1

C.不定

D.保持

27、下一组数中,最大数为( C )。

A.(39)10

B.(101101)2

C.(2E)16

D.(46)8

28、基本RS触发器有( C )个确定状态。

A.1

B.2

C.3

D.4

29、正逻辑电路中的“1”表示( A )。

A.高电平

B.低电平

C.数字1

D.低电压

30、TTL电路是由( A )组成的逻辑电路。

A.双极型晶体管 B.与非门 C.或非门

31.MOS管的栅极可与双极型三极管的( A )相对应。

A.基极 B.集电极 C.发射极

32.晶体管有( B )。

A.三个PN结3个电极 B.2个PN结三个电极 C.三个。PN结1个电极 D.三个PN结2个电极

33.主从J-K触发器有( D )个稳定状态。

A.1 B.2 C.3 D.4

34.当输入只要有一个高电平时输出为低电平,只有当输入全为低电平时输出才为高电平,具有此逻辑功能的电路为( A )。

A.或非门 B.与非门 C.与或非门 D.异或门

35.把一个频率为10KHz的矩形波变换成一个1KHz的矩形波应采用( A )。

A.十进制计数器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.石英晶体多谐振荡器36.“异或”门电路的逻辑功能表达式是( D )。

A.Y= B.Y= C.Y= D.Y= B+ A

37.(1011101)2=( B )10

A.92

B.93

C.94

D.95

三、多项选择题

1.对于TTL数字集成电路来说在使用中应注意到( A、B、D、E ) 。

A.电源电压极性不得接反,其额定值为5V

B.与非门不使用的输入端接“1”.

C.与非门输入端可以串有电阻器,但其值不应大于关门电阻

D.三态门的输出端可以并接,但三态门的控制端所加的控制信号电平只能使其中一个门处于工作状态,而其它所有相并联的三态门均处于高阻状态

E.或非门不使用的输入端接“O”

2.八输入端的TTL或非门,在逻辑电路中使用时,其中有5个输入端是多余的,对多余的输入端应作如下处理,正确的方法有( A、D )。

A.将多余端与使用端连接在一起 B.将多余端悬空

C.将多余端通过一个电阻接工作电源 D.将多余端接地 E.将多余端直接接电源3.下列说法正确的为( C、D、E )。

A.对于低电平有效的TTL型主从RS触发器,具有约束条件RS=1

B.RS触发器都可以用来组成移位寄存器

C.将D触发器的端与D端连接就可构成T’触发器

D.将主从RS触发器端与其中一个S端连接,Q端与其中一个R端连接,把其余的S 端改为J,R端改为K就构成了主从JK触发器

E.RS触发器当R= 时就构成D锁存器

4.下列说法正确的为( B、D、E )。

A.TTL与非门输入端可以接任意电阻 B.TTL与非门输出端不能关联使用

C.译码器、计数器、全加器、寄存器都是组合逻辑电路 D.N进制计数器可以实现N 分频

E.某一时刻编码器只能对一个输入信号进行编码

5.将尖顶波变换成与之对应的等宽的脉冲应采用(D、B)。

A.单稳态触发器 B.双稳态触发器

D.施密特触发器 E.RS触发器

6.555集成定时器由(A、B、C、E)等部分组成。

A.电压比较器 B.电压分压器 C.三极管开关输出缓冲器

D.JK触发器 E.基本RS触发器

7.一个十位二进制加法计数器,在0.002秒内选通,假定初始状态为0,若计数脉冲频率为250KHZ,在选通脉冲终止时,计数器的输入脉冲为( B )个,计数终止时,计数器的输出状态为( D )。

A.250个 B.500个 C.750个 D.0111110100 E.111110100

8.指出下列触发器中,哪些触发器具有翻转的逻辑功能( )。

A.JK触发器 B.RS触发器 C.T’触发器 D.D触发器 E.T触发器

9.荧光数码管的特点是( A、C、E )。

A.工作电压低,电流小 B.字形清晰悦目 C.运行稳定可靠,视距较大 D.寿命长 E.响应速度快

lO.半导体数码显示器的特点是( B、C、D、E )。

A.运行稳定可靠,视距较大 B.数字清晰悦目 C.工作电压低,体积小 D.寿命长 E.响应速度快,运行可靠

11.在异步计数器中,计数从0计到144时,需要多少个触发器( D、E )。

A.4个 B.5个 C.6个 D.23个 E.2×4个

12.具有12个触发器个数的二进制异步计数器,它们具有以下哪几种状态( B、C、E )。 A.256种 B.4096种 C.1024×4种 D.6536种 E.212种

13.与非门其逻辑功能的特点是( A、B )。

A.当输入全为1,输出为0 B.只要输入有0,输出为l

C.只有输入全为O,输出为1 D.只要输入有1,输出为0

14.或非门其逻辑功能的特点是( C、D )。

A.当输入全为1,输出为0 B.只要输入有0,输出为l

C.只有输入全为0,输出为l D.只要输入有1,输出为0

第二章集成运算放大器

练习题

一、判断题’

(√)1.输入失调电压越小,说明集成运放的对称性越好。 j

(×)2.选用运放时,希望输入偏置电流和输入失调电流越大越好。 {

(×)3.集成运放若工作在线性状态,则反相输入端可按“虚地”处理。’

(×)4.运算放大器的输出电压在相位上与同相输入电压反相,与反相输入端的输入电压同相。

(√)5.集成运放工作在线性状态下,要实现信号运算时,两个输入端对地的直流电阻必须相等,才能防止偏置电流带来的运算误差。

(√)6.在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等

于各输入电流之代数和。

(×)7.集成电路工艺很容易制造电感器和几十PF以上的电容器。

(√)8.集成运放组件中的电阻阻值不宜超过20KΩ,需用高阻时,多用外接电阻或晶体管代

(×)9.同相求和电路与同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。

(√)10.两个三极管组成的复合管,其共射电流放大系数为β=β1β2 。

二、单项选择题

1.集成运放输入端并接二个正反向二极管其作用是( C )。

A.提高输入阻抗B.过载保护 C.输入电压保护 D.电源电压保护

2.加法运算电路,输出与输入的电压关系为U0=-(4U1i+2U2i),当RF=100K时,R1i应是( C )。

A.100K B.50K C.25K D.10K

3.反相加法运算电路RF=100K,R1i=50K,R2i=25K,其平衡电阻R’应是( C )。

A.16.67K B.1.67K C.20K D. 14.3K

4.集成运算反相器应是( C )。

A.AF=l B.AF=∞ C.AF=-1 D.AF=0

5.集成运算电压跟随器应是( A )。

A.AF=1 B.AF=∞ C.AF=一1 D.AF=0

6.集成运算积分器是( B )。

A.U0=∫uidt/RC B.U0=-∫uidt/RC--

C.U0= RFCdui/dt D.U0=-RFCdui/dt

7.集成运算微分器输出电压应等于( B )。

A.RFCdui/dt B.-RFCdui/dt

B.∫uid t/RC D.-∫uidt/RC

8.集成运算放大器为扩大输出电流可采用( A )。

A.输出端加功率放大电路 B.输出端加电压放大电路

C.输出端加射极跟随器 D.输出端加三极管反相器

9.在运算电路中,集成运放工作在( C )。

A.饱和区 B.开关状态 C.放大区 D.截止区D

10.若一个实际的运算放大器越接近理想运放,则它的( B )。

A.AUOD越小,RI越高 B.AUOD越大, RI越高 C.AUOD越大, RI越小

11.微分电路是以( C )为输出端,积分电路是以( A )为输出端。

A.电容 B.电抗 C.电阻 D.电感

12.集成运放实质上是( A )。

A.直接耦合的多级放大器 B.单级放大器 c.阻容耦合的多级放大器

D.变压器耦合的多级放大器

13.既要稳定放大器的输出电压,又要增大放大器的输入电阻,则应引入( B )。

A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电压串联正反馈

D.电流串联负反馈

14.理想运放工作在线性区的两个重要结论是( C )。

A.虚地与反相 B.虚短与虚地 C.虚断与虚短 D.断路与短路

15.反相输入积分电路的电容接在电路的( C )。

A.反相输入端 B.同相输入端 C.反相输入端与输出端之间

D.同相输入端与输出端之间’

三、多项选择题

1.集成电压跟随器的条件是( A C )。

A.AF=1

B.AF=-1

C.RF=0

D.RF=∞

E.RF=R

2.运算放大器目前应用很广泛的实例有( ACDE )

A.恒压源和恒流源 B.逆变 C.电压比较器 D.锯齿波发生器 E.自动检测电路

3.集成运放的保护有( ABC )。

A.电源接反 B.输入过压 C.输出短路 D.输出漂移 E.自激振荡

4.一个理想运放应具备的条件是( ABCDE )

A.RI→∞ B.AVOD→ C.KCMC∞ D.RO→0 E.VIO→0,IIO→0

5.集成反相器的条件是( AE )

A.AF=-1 B.AF=1 C.RF=0 D.RF=∞ E. RF=R

6.集成运算放大器若输入电压过高,会对输入级( AB )。

A.造成损坏 B.造成输入管的不平稳,使运放的各项性能变差 C.影响很小

7.判断理想运放是否工作在线性区方法是( AD )。

A.看是否引入负反馈 B.看是否引入正反馈 C.看是否开环 D.看是否闭环8.反相比例运算电路的重要特点是( BD )。

A.虚断 B.虚断、虚短、虚地 C.虚断、虚短 D.虚地

9.理想运放工作在线性区时的特点是( AD )。

A.差模输入电压U+-U-=0 B.U+-U-=∞ C.U+-U-=UI D.U+=U-

10.用集成运算放大器组成模拟信号运算电路时,通常工作在( AD )。

A.线性区 B.非线性区 C.饱和区 D.放大状态

11.分析放大电路的基本方法有( AB )。

A.图解法 B.估算法 C.微变等效电路法 D.等效法 E.实验法

12.反馈按其引入后的作用分为( AD )。

A.正反馈 B.串联反馈 C.并联反馈D.负反馈 E.电压反馈

第三章整流电路

一、判断题

(×)1.单相桥式全控整流电路,接电阻性负载或电感性负载,晶闸管均在电源电压过零时关断。

(×)2.三相半波可控整流电路,若为电阻性负载,当控制角a=60°时,输出波形仍能连续。(√)3.三相半控整流电路对触发脉冲的要求与三相半波可控整流相同,一个周期需间隔为120°的三个触发脉冲。

(×)4.程控单结晶体管和单结晶体管因结构及伏安特性都相似故都适用于作大电流晶闸管的触发器。

(×)5.三相全控桥和三相半控桥都是由两组三相半波可控整流电路串联组合而成。

(√)6.晶闸管可控整流实际上是控制晶闸管的导通时间。

(×)7.晶闸管在反向击穿电压作用下,有限流电阻也能工作。

(×)8.晶闸管整流装置触发系统性能的调整,如:定相、调零、调节幅值、开环、闭环、过流保护等,可根据调试仪器使用情况任意进行。

(×)9.在晶闸管整流电路中导通角越大,则输出电压的平均值越小。

(√)10.晶闸管逆变器是一种将直流电能转变为交流电能的装置。

(√)11.单相半波整流电路若接电动机负载,需在负载侧并接续流二极管才能正常工作。(√)12.单相半控桥整流电路,晶闸管整流二极管和续流二极管均承受相同的正反相电压。

二、单项选择题

1.三相半控桥整流电路当控制角α=0°时,最大导通角为( B )。

A.π/2 B.2 π/3 C. π D.3π/2

2.三相全控桥整流电路当控制角α=0°时,空载整流输出电压平均值为( D )。

A.0.45U2Φ B.0.9 U2Φ C.1.17 U2Φ D.2.34 U2Φ

3.三相全控桥电阻加大电感电路移相范围是( A )。

A. 0-π/2

B. 0-2π/2

C. 0-π

D. 0-3π/2

4.三相半控桥整流电路α=0°时的脉动电压最低脉动频率是( D )。

A.2F B.3F C.4F D.6F

5.三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差是( C )。

A.60° B.90° C.120° D.180°

6.在三相半波可控整流电路中,当负载为感性时,负载电感越大,其( A )。

A.输出电压越低 B.输出电压越高 C.输出电压恒定不变 D.输出电压不定7.三相桥式晶闸管全控整流电路每隔( A )换流一次。

A.60° B.120° C.150° D.180°

8.三相零式晶闸管可控整流电路每次每隔( B )换流一次。

A.60° B.120° C.150° D.180°

9.电感足够大的负载三相桥式晶闸管全控整流电路,当控制角α=90°时,直流输出平均电压为( D )。

A.0.9U2Φ B.1.17U2Φ C. 2.34 U2Φ D.0 U2Φ

10.单相全控桥整流电路按电阻性负载要求已设计安装完毕,今改接蓄电池负载,在输出电流不变的前提下则( C )。

A.变压器容量需加大 B.晶闸管容量需加大 C.两者的容量都需加大 D.两者的容量可不变

11.共阴极单相半控桥整流电路给电势为E的蓄电池充电,晶闸管实际承受的最大正向电压是( A )。

A. U2-E B. u2+E c. u2 D.E

12.三相全控桥整流电路,同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是( D )。

A.60° B.120° C.150° D.180°

13.三相全控桥接大电感负载时输出电流的波形是( C )。

A.正弦波 B.断续波 C.连续近似直线 D.近似矩形波

14.三相半控桥整流电路,若为大电感负载α=90°时,续流二极管每周期的导通电角度为( A )。

A.3×30° B.3×60° C.30° D.60°

15.晶闸管变流装置产生高次谐波的原因是( A )。

A.周期性的非正弦波 B.变压器的漏抗 C.电感负载 D.电容负载

16.要求各项整流指标好,但不要逆变的小功率场合应采用( B )电路。

A.单相全控桥 B.单相半控桥 C.三相半波 D.三相半控桥

17.在三相半波可控整流电路中,当负载为感性时,负载电感越大,其( C )。

A.U越高 B.导通角Φ越小 C.导通角Φ越大 D.与Φ无关

18.在三相半波可控整流电路中,当负载为感性时,负载电感越大,其( B )。

A.导通角Φ越小 B.导通角Φ越大 C.U越高 D.输出波形越好

19.改变单结晶体管触发电路的振荡频率,一般采用( D )。

A.变L B.变C C.变U D.变R

20.三相全控桥整流电路每个整流元件的导通时间是负载电流通过的时间的( B )。

A.1/2 B.1/3 C.1/6 D.1/8

21.单相半控桥整流电路电阻性负载α=0°时,ULAV=100V;若将负载换成直流电动机并保持控制角不变,则输出电压为( D )。

A.大于100V B.小于lOOV C.100V D.因失控不能正常工作

22.三相半波可控整流电路α=0°时的脉动电压最低脉动频率是( B )。

A.2F B.3F C.4F D.6F

23.晶闸管由导通变为截止的条件是( D )。.

A.控制电压减小 B.控制电压反相 C.控制电压为零 D.阳极电压为零24.由三相半波可控整流电路组成的电源装置,已知U2=200V、ILAV=150A;应选用( B )晶闸管。

A.U2=220V、IT=150A B.U2=600V、IT=IOOA C.U2=200V、IT=IOOA D.U2=200 V、IT=50A

25.要求各项整流指标好,较大功率、高电压的场合应采用( D )电路。

A.单相全控桥 B.三相半波 C.三相半控桥 D.三相全控桥

26.单相半控桥整流电路电感性负载,加续流二极管的目的是( C )。

A.减少晶闸管导通角 B.减少晶闸管导通角 C.使负载上平均电压提高,同时防止失控 D.负载电流续流

三、多项选择题

1.KC04集成移相触发器由( ABCDE )等环节组成。

A.同步信号 B.锯齿波形成 C.移相控制 D.脉冲形成 E.功率放大2.目前较大功率晶闸管的触发电路有以下( BCDE )形式。

A.单结晶体管触发器 B.程控单结晶闸管触发器 C.同步信号为正弦波触发

器 D.同步信号为锯齿波触发器 E.KC系列集成触发器

3.造成晶闸管误触发的主要原因有( ACDE )。

A.触发器信号不同步 B.触发信号过强 C.控制极与阴极间存在磁场干扰

D.触发器含有干扰信号 E.阳极电压上升率过大

4.常见大功率可控整流电路接线形式有( AE )。

A.带平衡电抗器的双反星形 B.不带平衡电抗器的双反星形

C.大功率三相星形整流 D.大功率三相半控整流 E.十二相整流电路

5.控制角α=0°整流输出功率平均电压为2.34U2Φ,电路有( AC )。

A.三相全控桥 B.单相全控桥 C.三相半控桥 D.单相半控桥 E.三相半波6.整流电路最大导通角为2π/3的有( ACD )电路。

A.三相全控桥 B.单相全控桥 C.三相半控桥 D.单相半控桥 E.三相半波*7.可以逆变的整流电路有( ABC )。

A.三相全控桥 B.单相全控桥 C.三相半控桥 D.单相半控桥 E.三相

半波

8.通常用的电阻性负载有( ABC )。

A.电炉 B.电焊 C.电解 D.电镀

9.晶闸管可控整流电路通常接有三种不同电性负载,它们是( ABC )。

A.电阻性 B.电感性 C.反电势 D.电容性

10.三相可控整流电路的基本类型有( ACE )。

A.三相全控桥 B.单相全控桥 C.三相半控桥 D.单相半控桥 E.三相半波

电子技术习题集-答案

第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中,E12V =, D为硅二极管,R10K =Ω,则二极管D和和电阻R上的电压各为多少?流过二极管的电流多大? 解:二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中, i u12sin tω =V,二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 (a)(b)(c) 解: 2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a)和(b)中的二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解:(a) D导通, AB U6V =-; (b)D1导通,D2截止; AB U0V =;

2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =,输入电压 i u12sin tω =V,画出输出 电压 o u波形图。 解: 2.2.2在下图所示的(a)和(b)分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。解:(a)由于稳压管的击穿电压各不相 同,击穿电压低的管子工作,而另一个 不工作。 (b)可以串联连接,输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =,波动范围10% ±;稳压管的稳定电压 Z U6V =,稳 定电流 Z I5mA =,最大耗散功率 ZM P180mW =;限流电阻R200Ω =;输出电流 o I20mA =。(1)求I U变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象? 解:输入电压波动范围: Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=

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第1章 电路模型和电路定律 三、单项选择题 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时,该电流( B ) A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 2、已知空间有a 、b 两点,电压U ab =10V ,a 点电位为V a =4V ,则b 点电位V b 为( B ) A 、6V B 、-6V C 、14V 3、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时,欧姆定律的表达式应为( B ) A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 4、一电阻R 上u 、i 参考方向不一致,令u =-10V ,消耗功率为0.5W ,则电阻R 为( A ) A 、200Ω B 、-200Ω C 、±200Ω 5、两个电阻串联,R 1:R 2=1:2,总电压为60V ,则U 1的大小为( B ) A 、10V B 、20V C 、30V 6、电阻是( C )元件,电感是( B )的元件,电容是( A )的元件。 A 、储存电场能量 B 、储存磁场能量 C 、耗能 7、理想电压源和理想电流源间( B ) A 、有等效变换关系 B 、没有等效变换关系 C 、有条件下的等效关系 8、当恒流源开路时,该恒流源内部( B ) A 、有电流,有功率损耗 B 、无电流,无功率损耗 C 、有电流,无功率损耗 9、图示电路中5V 电压源发出的功率P 等于( A ) A )15W B )-15W C )30W D )-30W

五、计算分析题 1、图1.1所示电路,已知U =3V ,求R 。(2k Ω) 2、图1.2所示电路,已知U S =3V ,I S =2A ,求U AB 和I 。(?V 、?A ) 3、图1.3所示电路,负载电阻R L 可以任意改变,问R L 等于多大时其上可获得最大功率,并求出最大功率P Lmax 。(?Ω) 4、图1.4所示电路中,求2A 电流源之发出功率。(?W ) 5、分别计算S 打 开与闭合时图1.5电路中A 、B 两点的电位。(S 打开:A - 10.5V,B 图1.1 L 4U 图 1.4 2Ω Ω 图1.2

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专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。 1-2 、在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值U O(AV)=15V,负载电流平均值 I L(AV)=100mA。 (1)变压器副边电压有效值U2≈ (2)设电网电压波动范围为±10%。在选择二极管的参数时,其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示,变压器副边电压有效值为 2U2。 (1)画出u2、u D 1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)和输出电流平均值I L((3)二极管的平均电流I D(AV)和所承受的最大反向电压AV)的表达式;U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示,变压器副边电压有效值U21=50V,U22=20V。试问: (1)输出电压平均值U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (2)各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中,标出各电容两端电压的极性和数值,并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U=6V,稳定电流的最小值I Zmin = 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin=5mA,最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z=6V,最小稳定电流 I Zmax=25mA。 (1)分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值; (2)若U I= 35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 (1)分别标出u O1和u O2对地的极性; (2)u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 (3)当U21=U22= 20V 时,U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (4 )当U2 1= 18V ,U2 2= 22V 时,画出u O1、u O2的波形;并求出U O1(AV)和U O2(AV)各为多少

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++=

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《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

电子技术基础习题答案

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(对) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对) 7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。(错) 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时,该管必被击穿。(错) 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错) 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错) 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件是(C)。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》(第二版)节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答: 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换;电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂,电路元件是理想的,电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向,但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说,某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出,因此在求解电路列写方程式时,各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向,方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时,参考方向下某电量前面取正号,即假定该电量的实际方向与参考方向一致,若参考方向下某电量前面取负号,则假定该电量的实际方向与参考方向相反;求解结果某电量为正值,说明该电量的实际方向与参考方向相同,求解结果某电量得负值,说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在,参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为:在图1-5中,五个二端元 件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出,在参考方向下通过测量得到:I 1=-2A ,I 2=6A ,I 3=4A ,U 1=80V ,U 2=-120V ,U 3=30V 。试判断哪些元 件是电源?哪些是负载? 解析:I 1与U 1为非关联参考方向,因此P 1=-I 1×U 1=-(-2)×80=160W ,元件1获得正功率,说明元件1是负载;I 2与U 2为关联参考方向,因此P 2=I 2×U 2=6×(-120)=-720W ,元件2获得负功率,说明元件2是电源;I 3与U 3为关联参考方向,因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ,元件3获得正功率,说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知,元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压,因此可得:U 4=40V ,左高右低;U 5=90V ,左低右高。则元件4上电压电流非关联,P 4=-40×(-2)=80W ,元件4是负载;元件5上电压电流关联,P 5=90×4=360W ,元件5是负载。 验证:P += P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P -= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率,符合功率平衡。 第16页检验题解答: 图1-5检验题4电路图 U 3

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

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第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=

(2) )( AB Y D C B C ABD +++= D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4.根据下列各逻辑式, 画出逻辑图。 ①Y=(A+B )C ; ②Y=AB+BC ; ③Y=(A+B )(A+C ); 5.试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。

6.如果“与”门的两个输入端中, A为信号输入端, B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时,输入信号端A的波形如图所示,试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端,则输出端Y的波形又如何?总结上述四种门电路的控制作用。

第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式,列出真值表,然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=: ①列出逻辑真值表,说明其逻辑功能; ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图; ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图; ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图; ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器

参考答案-《电工与电子技术基础(第三版)习题册》-A06-3760

第一章直流电路 一、填空题 1.电源、负载、导线和控制装置 2.通路、断路、和短路短路 3.定向移动 I A mA μA 4.某点参考点有无 5. 20V -50V -30V 6. b指向a a指向b 1.5 V 7.阻碍 R 欧姆(Ω) 8.正比反比 I=U/R 9.5A 10.0.4A 11.电能其他电功 W 焦耳 12.2 13.单位时间 14.1 15.导体发热电烙铁电吹风电熨斗 16.0.45484 17.50Ω 2Ω 18.1:2 1:1 1:1 2:1 19.4 6 7 3 20.6A 21.短路 二、判断题 1.√ 2. √ 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. ×9. √ 10. × 11. √ 12. × 三、选择题 1.C 2.C 3.C 4. C 5. A 6. B 7. D 8. B 9. C 10. C 11.A 12. A 四、问答题 1.答:电流热效应的利:利用电流热效应可以制成很多电器设备,如:电烙铁、电饭煲、电熨斗等。 电流热效应的弊:元器件和电气设备发热过多,不仅消耗电能,而且会加速绝缘材料的老化,严重时还会引起电气火灾。

2. “220V ”表示这个灯泡的额定电压 “40W ”表示这个灯泡的额定功率 3.答:(1)对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 (2)电流表必须串接到被测量的电路中。 (3)电流必须从电流表的正端流入负端流出。 (4)选择合适的量程。 五、计算题 1.解:(1)C 为参考点,则 U A =-3V-5V=-8V U B =-5V U C =0V U AB = U A - U B =-8V-(-5V)=-3V U BC = U B - U C =-5V U AC = U A - U C =-8V (2)以B 为参考点,则U A =-3V=-3V U B =0V U C =5V U AB = U A - U B =-3V U BC = U B - U C =0-(5)=-5V U AC = U A - U C =-3-(5)=-8V (3)从上面的结果可知:电位随着参考点的改变而改变; 电压不随参考点的改变而改变。 2.解:假设电流方向如图所示 12+103 4.510AB U IR E E I V =?=×+?=?

电子技术基础习题答案

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第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对)

电子技术实训试题库

电子技术实训试题库 一、填空类题 1、CW7906表示输出电压为V的稳压器。 2、在多级放大电路中,级数越多,通频带越。 3、为了有效地抑制零点漂移,常采用电路作为集成运放的前置级。 4、如图1所示放大电路,极间反馈类型为。 5、对三极管的引脚进行判别时,把万用表置于R?100Ω(或R k1 ?Ω档),把黑表笔与假定的基极引连,红表笔分别与另外两个极相连,测得其电阻值均很小,说明该管的类型为。 6、测得三极管各管脚对雪电压分别为U C=0.4V,U B=1.0V,U E=0.3V,则此三极管工作于状态。 7、在比例运算放大电路中,若闭环放大倍数A F=-3,则反馈系数F为。 8、将二进制数11011001转换为十进制数。 9、将异或门实现的函数C =改用同或门实现,其函数表达式为。 ? B A L? 10、图中画出了门电路的输入波形A、B,输出波形L、其中L对应的门电路类型为。 11、复合管的电流放大倍数β是 12、集成运放运用于时电压放大倍数趋于无穷大。 13、十进制数69转换为8421BCD码是 14、时序逻辑电路中最基本的单元一般是 15、JK触发器转化为T触发器的条件是 16、能将二进制代码转换为相应的输出信号的电路称为 17、如图所示电压跟随电路中,输入输出电阻的特点是 18、如图所示电路中已知U21=U22=20V(有效值),则U O2= 19、如图所示电路,满足深度负反馈,已知R1=100K,R2=50K=R F=2K反馈系数F=

20、74LS161是4位于一进制同步加法计算器,如图9所示连接后构成的计数器模 21、在某一振荡器中,如果反馈电路的系数F 是 0.02。那么开环放大器的放大倍数必须是 。 22、一低频小功率三极管,当I C =2mA 时,β=150,则此三极管的交流输入电阻r be = ,K Ω(精确到小数点后一位)。 23、如图所示为一晶体三极管外形,则其1脚是 极。 24、理想运算放大器的电路如图所示,u O = u i 。 25、一个全波整流电路,当输入40HZ 的正弦信号时,输入出信号的基波频率是 。 26、如图所示电路输出端Y 的最小顶表达式为 。 27、函数CD B A y +=的反函数是 。 28、逻辑函数D B B A y ?+=的最简表达式是 。 29、8421BCD 码100101110对应的十进制数是 。 30、反映D/A 转换器工作速度的指标是 。 31、晶体管和声效应管具有受控作用的器件,场效应管属于 式器件,其G 、S 的阻抗要 晶体管有B 、E 间的阻抗。 32、在调谐放大电路中,三极管集电极负载为 。为了较好地兼顾通频带和选择性,双调谐回路的耦合程度最好处于 状态。 33、将十进制(42.625)10转换成二进制数 。 34、利用对偶原则写出表达式))()()((C B C A B A B A F ++++=的对偶式 F '= 。 35、时序逻辑电路按工作方式可分为 和 。 36、正弦波振荡电路振幅平衡条件是 ,相位平衡条件是 。 用CMOS 或非门实现反相器功能时,或非门的多余端应接 。 37、文氏桥式正弦波振荡电路如图所示,R=12K Ω,C=0.03μF ,电路满足 的条件参数时,电路方能起振;电路的振荡频率为 。

经典电工学电子技术试题库(含答案)

电工电子技术试题库 一、单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(D) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的(C ) A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3.下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是( C ) A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子 C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子 4.理想运算放大器的两个基本特点是( C ) A.虚地与虚断B.虚短与虚地 C.虚短与虚断D.断路与短路 5.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( B ) A.P型半导体,其少子为自由电子B.N型半导体,其多子为自由电子C.P型半导体,其少子为空穴D.N型半导体,其多子为空穴 6.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U O为( B ) A.3V B.10V C.-3V D.-10V 7.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( B ) A.基区很薄B.基区掺杂浓度最高 C.发射区掺杂浓度最高D.发射结的结面积小于集电结的结面积8.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( D ) A.锗管①为b极 B.硅管③为c极 C.锗管②为e极 D.硅管③为b极 9.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( B ) A.电流并联负反馈

B.电流串联负反馈 C.电压并联负反馈 D.电压串联负反馈 10.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为( B ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V 11.NPN型三极管处在放大状态时,各电极的电位关系是( D ) A.E极电位最高,C极电位最低 B.E极电位最高,B极电位最低 C.C极电位最高,B极电位最低 D.C极电位最高,E极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈组态为( C ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻,可引入(D) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由(C) A.电流放大系数β确定 B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定 =++等价于(B) 15.函数Y A B C A.Y=ABC B. C = ? B A Y? =++ C.Y=AB+C D. Y A B C 16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C ) A.F=ABC B.F=A+B+C C.F=ABC D.F=A+B+C 17.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( D ) A.AA A AA= =B.1 C.AA A AA= =D.0

数电电子技术基础习题答案册

习题答案 第一章数制和码制 1. 数字信号和模拟信号各有什么特点? 答:模拟信号一一量值的大小随时间变化是连续的。 数字信号一一量值的大小随时间变化是离散的、突变的(存在一个最小数量单位△)。 2. 在数字系统中为什么要采用二进制?它有何优点? 答:简单、状态数少,可以用二极管、三极管的开关状态来对应二进制的两个数。 3. 二进制:0、1;四进制:0、1、2、3;八进制:0、1、2、3、4、5、6、7;十六进制:0、1、2、 3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F。 4. (30.25)10=( 11110.01)2=( 1E.4)16。(3AB6) 16=( 0011101010110110)2=(35266)8。 (136.27)10=( 10001000.0100) 2=( 88.4) 16。 5. B E 6. ABCD 7. (432.B7) 16=( 010*********. 10110111) 2=(2062. 556) 8。 8. 二进制数的1和0代表一个事物的两种不同逻辑状态。 9. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数;符号位为1表示负数。这种 表示法称为原码。 10. 正数的反码与原码相同,负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。 11. 正数的补码与原码相同,负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。 12. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数;符号位为1表示负数。正数的反码、 补码与原码相同,负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。负数的 补码即为它的反码在最低位加1形成。补码再补是原码。 13. A:(+1011)2的反码、补码与原码均相同:01011; B: (-1101)2的原码为11101,反码为10010, 补码 为10011. 14. A: (111011)2的符号位为1,该数为负数,反码为100100,补码为100101. B: (001010)2 的符号位为0,该数为正,故反码、补码与原码均相同:001010. 15. 两个用补码表示的二进制数相加时,和的符号位是将两个加数的符号位和来自最高有效 数字位的进位相加,舍弃产生的进位得到的结果就是和的符号。+3的补码000011, +15的补码001111,和为010010; +9 的补码01001, -12 的补码10100,和11101. 16. (100001000) BCD= (108) D= (6C) H= (01101100) Bo 17. A 18. A 19. 常见的十进制代码有8421码,2421码,5211码,余3码,余3循环码;前3种码从左到右每 一位的1分别用码的权值表示;余3码的权值为8、4、2、1;余3循环码相邻的两个代码之间仅有一位的状态不同。 20. 计算机键盘上的按键是ASCII 码。1000100 1011000 1011000 1011001. (参见教材P15表 1.5.3) 习题答案 第二章逻辑代数基础 1. 二值逻辑是指只有两种对立逻辑状态的逻辑关系。如门的开、关等。二值逻辑中的正逻 辑指有1表示高电平,开关闭合等有信号的状态,0表示低电平,开关断开等无信号状态;负逻辑则正好与正逻辑相反。 2. 见教材P22-23。 3. 正逻辑与、或、非运算的真值表:

最新电子技术习题答案

第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题 1.变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。 2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。 3.稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的,正向 也可以 稳压。 4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由 变压 、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。 5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V 1的读数为100V ,负载电阻R L =1 k Ω,开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ,电流表A= 45mA ;开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ,电流表A= 90mA 。 图1 二、选择题 1.要得到P 型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。 A .三价元素 B .四价元素 C .五价元素 D .六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为 26V Z U =,则电压0U 等于( C )。 A .12 V B .20 V C .6 V D .0 V 图2 图3 3.理想二极管构成的电路如图3所示,则输出电压0U 等于( A ) A .8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V

4.在整流电路中,设整流电路的输出电流平均值为o I ,如果流过每只二极管的电流平均值D o /2I I =,每只二极管的最高反压为2U ,则这种电路是( A ) A .单相桥式整流电路 B .单相全波整流电路 C .单相半波整流电路 D .单相半波整流电容滤波电路 5.稳压管电路如图4所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为 26V Z U =,则电压0U 等于( C ) A .12 V B .20 V C .6 V D .0 V 图4 图5 6.整流电路如图5所示,输出电压平均值0U 是18V ,若因故一只二极管损坏而断开, 则输出电压平均值0U 是( A ) A .9 V B .20 V C .40 V D .10 V 三、计算题 1.电路如图6所示,设S V U =6,i sin V u t ω=12,分别画出输出电压01U 和02U 的波形。二极管正向压降忽略不计。 图6 解:

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电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 2.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 3.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为() A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S - T U U I D. 1 e S - T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为()。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不

《模拟电子技术基础》习题册

第一章:基本放大电路习题 1-1 填空: 1.本征半导体是,其载流子是和。载流子的浓度。 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3.漂移电流是在作用下形成的。 4.二极管的最主要特征是,它的两个主要参数是 和。 5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。 7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有 和两种载流子参与导电。 8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。 9.场效应管属于控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。 10.当温度升高时,双极性三极管的β将,反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。 11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。 12.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;饱和区,偏置为和;截止区,偏置为和。 13.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。 1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U0,已知稳压管的正向压降为0.7V。

D Z1D Z225V U O 1k Ω ( )b D Z1D Z225V U O 1k Ω( ) c ( ) d ( )a D Z1D Z225V U O 1k Ω D Z1D Z225V U O 1k Ω 图1-2 1-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。 ( )a ( )b ( ) c 图1-3 1-5 放大电路如图1-5所示,试选择以下三种情形之一填空。 a :增大、b :减小、c :不变(包括基本不变) 1.要使静态工作电流I c 减小,则R b2应 。 2.R b2在适当范围内增大,则电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 。 3.R e 在适当范围内增大,则电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 。 4.从输出端开路到接上R L ,静态工作点将 ,交流输出电压幅度要 。 5.V cc 减小时,直流负载线的斜率 。

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