大直径单晶硅棒径向电阻率均匀性的控制

摘要：通过不同工艺拉制参数和不同冷却方式，研究了单晶头部径向电阻率的均匀性，实验结果表明，提升晶转和埚转后，会使固液界面从下向上运动的高温流增大，起到抑制热对流的作用，提高电阻率的径向均匀性。

关键词：单晶硅棒；电阻率；均匀性

Procedures to Control the Radial Resistivity Uniformity of Silicon rods with large diameter

Abstract: Through the different process control parameters and different cooling methods on single crystal head, radial resistivity uniformity, the experimental results show that increasing crystal rotation rate and crucible rotation rate, can make the solid liquid interface from the upward movement of high temperature flow increases, rise to inhibit heat convection function, improve the resistance rate of radial uniformity.

Key words: single crystal silicon; resistivity; resistivity uniformity

1 引言

单晶中径向杂质分布在单晶生长过程中既受分凝的影响，又受到蒸发和坩埚污染的影响[1]。晶体生长界面各处由转动产生的离心力不同，晶体中心离心力最小，边缘离心力最大，在离心力的作用下，熔体沿晶体半径向外流出，抑制了温度较高的熔体由于自然对流向晶体中心移动，由于温度和力学因素作用，单晶边缘生长较快，使单晶生长界面改变[2]。通常情况下，随着晶体转速的增加，单晶生长界面形状由凸向熔体逐渐渐变平，再凹向熔体。只有平坦生长界面，单晶边缘和中心部分的有效分凝系数才相等，杂质浓度一致，电阻率均匀[3]。为使单晶生长界面平坦，在拉晶过程中，适当的改变拉晶速度，加强熔体的对流和扩散，使熔体中杂质分布均匀，可提高单晶径向电阻率均匀性。另外，单晶拉制过程中，由于头部氧施主效应影响，使得单晶头部径向电阻率均匀性较差。本文通过实验分析了大直径单晶硅棒截断面电阻率均匀性的控制方法。

2 实验方法及结果

2.1实验1

在拉制8英寸晶棒过程中，调整等径过程的晶转和埚转，调整前晶转10rpm、埚转8rpm；调整后晶转12rpm、埚转10rpm，其余拉晶参数不变。两种参数各拉制两根单晶硅棒，对比不同参数下的硅片径向电阻率的变化。调整前样品编号是样品1和样品2，调整后样品编号是样品3和样品4。

2.2实验2

桩基施工工艺及质量控制要点

桩基工程施工工艺指引及质量控制要点

桩基工程施工工艺指引目录编写说明 (1) 第一章预应力管桩施工工艺指引 (2) 一、适用范围 (2) 二、工艺流程 (2) 三、施工工艺 (3) 四、质量控制要点 (13) 五、质量标准 (15) 六、常见质量问题及处理 (19) 第二章钻（冲）孔灌注桩施工工艺指引 (24) 一、适用范围 (24) 二、工艺流程 (24) 三、施工工艺 (25) 四、质量控制要点 (31) 五、质量标准 (33) 六、常见质量问题及处理 (35) 第三章人工挖孔桩施工工艺指引 (44) 一、适用范围 (44) 二、工艺流程 (44) 三、施工工艺 (45) 四、质量控制要点 (51) 五、质量标准 (53) 六、常见质量问题及处理 (55) 第四章 CFG桩施工工艺指引 (58) 一、适用范围 (58) 二、工艺流程 (60) 三、施工工艺 (60) 四、质量控制要点 (62) 五、质量标准 (65) 六、常见质量问题及处理 (65)

编写说明【编写目的】为全面提升产品品质，根据建筑施工规范并借鉴多年来各项目开发建设的施工经验，编制相关施工工艺指引，规范和指引各项目工程施工的开展。【实施原则】自下发之日起实施。【使用说明】 1、必须在满足国家、地方施工规范及设计要求的前提下，结合工程项目的实际情况有选择性的采用（非强制要求）。 2、实施过程中如有疑问、建议，或地区公司现有可行实用的工艺，可函告我部，我们将采纳有益的建议，在必要的时候进行补充、完善、更新，向全国进行推广，共享经验。【编制部门】工程管理部

第一章预应力管桩施工工艺指引一、适用范围 1、锤击预应力管桩适用范围锤击预应力管桩适用于各种粘性土、粉土，当需要穿透较厚砂性土中间夹层或含砾卵石较多的硬夹层时，采用锤击管桩效果更佳，但因噪音大，在城市建设中应限制使用。 2、静压预应力管桩适用范围静压预应力管桩适用于软土、填土、一般粘性土、粉土，尤其适用于居民稠密、危房附近及附近环境要求严格的地区沉桩，其持力层适用于硬塑或坚硬粘土层、中密或密实碎土层、砂土、全风化岩层、强风化层；但不宜用于地下有孤石、障碍物或厚度大于2m的中密以上砂夹层。二、工艺流程 1、锤击预应力管桩工艺流程

土腐蚀性分析报告

工程名称：城一期详勘报告日期：2015年6月22日试样编号采样深度 (m) 含水率（%） pH值阴离子含量(mg/kg)阳离子含量(mg/kg)易溶盐总量 CO32-HCO3-SO42-Cl-Ca2+Mg2+Na++K+( mg/kg) （%） T02-1 1.00 3.51 8.48 62 253 298 147 83 37 202 1093 0.11 T02-2 2.00 3.14 8.47 124 189 446 183 103 62 225 1342 0.13 T02-3 3.00 3.08 8.45 62 314 396 183 83 62 249 1349 0.13 T02-4 4.00 1.20 8.45 121 185 243 144 61 36 198 997 0.10 T02-5 5.00 10.17 8.50 66 336 264 352 66 40 367 1504 0.15 T02-6 6.00 13.86 8.50 137 278 492 727 114 68 615 2447 0.24 T02-7 7.00 10.09 8.53 66 336 476 1288 110 66 975 3329 0.33 T02-8 8.00 14.73 8.46 69 350 165 814 46 28 673 2148 0.21 T02-9 9.00 14.44 8.44 69 279 604 1258 138 82 934 3371 0.34 T02-10 10.00 17.08 8.47 140 286 281 872 70 42 714 2416 0.24 T10-1 1.00 5.44 8.40 63 257 304 150 85 38 206 1112 0.11 T10-2 2.00 2.60 8.48 62 250 394 145 82 62 201 1209 0.12 T10-3 3.00 2.84 8.39 62 314 247 146 62 37 225 1104 0.11 T10-4 4.00 6.51 8.50 64 195 256 113 64 38 159 895 0.09 T10-5 5.00 5.46 8.46 63 257 354 187 85 51 230 1239 0.12 T10-6 6.00 27.03 8.51 76 233 244 135 76 30 190 996 0.10 T10-7 7.00 21.73 8.43 73 297 292 129 73 44 210 1123 0.11 T10-8 8.00 22.70 8.47 74 225 471 131 98 74 183 1268 0.13 T10-9 9.00 4.34 8.43 63 191 200 111 42 38 156 810 0.08 T10-10 10.00 20.96 8.53 73 295 464 172 97 73 236 1423 0.14 KT13-1 1.00 15.39 8.45 69 352 443 164 92 69 252 1448 0.14 KT13-2 2.00 15.99 8.39 70 212 612 164 139 84 200 1496 0.15 KT13-3 3.00 12.47 8.53 67 275 432 199 90 67 246 1386 0.14 KT13-4 4.00 9.76 8.52 132 268 316 156 88 40 240 1240 0.12 KT13-5 5.00 7.13 8.52 64 327 1028 76 236 129 185 2047 0.20 KT13-6 6.00 18.24 8.47 71 361 454 168 95 71 258 1486 0.15 KT13-7 7.00 23.48 8.48 74 301 415 175 124 74 213 1382 0.14 KT13-8 8.00 23.32 8.49 74 301 533 219 124 74 269 1602 0.16 KT13-9 9.00 30.39 8.46 78 318 501 370 105 78 375 1833 0.18 KT13-10 10.00 17.26 8.50 70 358 225 208 70 28 283 1249 0.12 KT13-11 11.00 7.65 8.46 65 328 258 114 65 39 210 1093 0.11 KT13-12 12.00 20.63 8.47 72 368 290 385 73 43 402 1642 0.16 KT13-13 13.00 29.99 8.42 78 397 374 323 104 47 374 1706 0.17 KT13-14 14.00 22.65 8.51 74 374 353 565 98 44 522 2048 0.20 KT13-15 15.00 21.72 8.52 73 371 292 475 73 44 462 1801 0.18 KT13-16 16.00 18.77 8.48 71 362 285 547 71 43 505 1893 0.19 KT13-17 17.00 19.20 8.44 72 364 286 423 72 43 425 1692 0.17 KT13-18 18.00 14.96 8.47 69 351 441 326 92 69 357 1714 0.17 以上试验结果按《土工试验方法标准》（GB/T50123—1999）进行试验，该试验报告仅对来样负责。研究院检测中心审核：校核：汇总:

表面电阻率

测量表面电阻率 1.范围本方法用以测定导电热塑性材料的表面电阻率。依照惯例，表面电阻率是正方形测量面积内的绝缘电阻（单位：欧姆/平方米）。因此，表面电阻率的值不受电极配置的影响。因为没有相关的国际标准对测量导电材料的表面电阻率进行过描述，所以在本方法中测试条件将参照IEC 167（国际电工标准：固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法）和AFNOR C26-215（法国标准：绝缘材料的试验方法.固体电绝缘材料的体积电阻率和表面电阻率的试验方法）。样品： ★ 4mm厚的压缩成型板（CTM E042A） ★ 100um厚的吹塑薄膜（CTM E042B） ★ 400mm厚的挤压成型带材（CTM E042D） ★ 4×50×80mm3的注射成型板（CTM E042E） 2.原理导电材料的绝缘电阻通过测量其电阻获得。该电阻通过计算电流方向上的电位梯度（伏特）与电流强度（安培）之比获得（欧姆定律）。依照惯例，表面电阻率是正方形测量面积内的绝缘电阻。按照IEC 167(1964-01)标准的描述，在测试中用两条导电涂料线做电极从而测量电阻值。

图表 1 注射成型板样品 3.仪器 ★银粉漆 ★小漆刷 ★欧姆表（电阻范围：0~106欧姆） ★皮可安培计（电阻范围：106~1014欧姆） ★有两条平行缝隙（长100mm、宽1mm、间距10mm）的adhesive mask ★电极连接系统（恒压） 4.样品制备 ★不同的样品分别按如下方法制备： ★压缩成型板：CTM E050B ★吹塑薄膜：CTM E046 ★挤出成型带材：CTM E045 ★注射成型板：CTM E050A 5.样品预加工

桩基施工质量保证措施

安徽省昌水建设工程有限公司桩基工程施工质量保证措施一、质量目标质量目标：按照国家验收标准达到一次性验收合格二、质量保证体系一、质量保证体系 1、质量保证体系质量保证体系的建立原则是：紧紧围绕投标承诺的质量创优目标，制定切实可行的质量创优规划，坚持“以人为本”的理念，通过思想政治工作、相应的组织保证措施和及时准确的质量管理信息系统，实现项目整个过程的质量控制。 2、质量保证体系说明我公司中标后将在项目部的领导下，成立以项目经理为组长，由技术、质安员、物资设备、施工队长及施工员参加的全面质量管理领导小组，责任到人，督察督办。定期组织有关人员进行专业技术学习、质量教育。项目部建立安质组，设立安全质量检查室，配备专职质检工程师，班组设置兼职质检员，形成体系完善、责任明确的质量检查体系，并定期、不定期地组织质量检查和质量评比，奖优罚劣。 3、质量保证体系如下：

二、项目部质量控制本工程施工质量保证体系将根据我司质量控制程序文件，采取逐级控制，规范操作，发挥本公司在质量管理方面的优势。坚持施工全过程控制和“计划、实施、检查、处理”循环工作法，持续改进过程的质量控制。本公司现行的我司质量控制程序文件为程序控制文件，其控制面涵盖整个施工过程。本工程施工，将由项目经理和项目工程师制定建立质量管理网络，项目体各管理人员严格按照本公司程序文件和质量保证体系实施。质量保证程序图程序图解释： ①施工方案经审批后在施工中优化，用优化的方案保证质量实施； ②人员基本要素质量较好，在执行岗位职责中保证质量实施； ③原材料的质量保证、成孔过程检验保证质量实施； ④施工操作经规范的过程操作保证质量的实施；

影响电阻或电阻率测试的主要因素

影响电阻或电阻率测试的主要因素一、环境温湿度一般材料的电阻值随环境温湿度的升高而减小。相对而言，表面电阻（率）对环境湿度比较敏感，而体电阻（率）则对温度较为敏感。湿度增加，表面泄漏增大，体电导电流也会增加。温度升高，载流子的运动速率加快，介质材料的吸收电流和电导电流会相应增加，据有关资料报道，一般介质在70C时的电阻值仅有20C时的10％。因此，测量材料的电阻时，必须指明试样与环境达到平衡的温湿度。二、测试电压（电场强度）介质材料的电阻（率）值一般不能在很宽的电压范围内保持不变，即欧姆定律对此并不适用。常温条件下，在较低的电压范围内，电导电流随外加电压的增加而线性增加，材料的电阻值保持不变。超过一定电压后，由于离子化运动加剧，电导电流的增加远比测试电压增加的快，材料呈现的电阻值迅速降低。由此可见，外加测试电压越高，材料的电阻值越低，以致在不同电压下测试得到的材料电阻值可能有较大的差别。值得注意的是，导致材料电阻值变化的决定因素是测试时的电场强度，而不是测试电压。对相同的测试电压，若测试电极之间的距离不同，对材料电阻率的测试结果也将不同，正负电极之间的距离越小，测试值也越小。三、测试时间用一定的直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的，而是有一衰减过程。在加压的同时，流过较大的充电电流，接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流，最后达到比较平稳的电导电流。被测电阻值越高，达

到平衡的时间则越长。因此，测量时为了正确读取被测电阻值，应在稳定后读取数值或取加压1分钟后的读数值。另外，高绝缘材料的电阻值还与其带电的历史有关。为准确评价材料的静电性能，在对材料进行电阻（率）测试时，应首先对其进行消电处理，并静置一定的时间，静置时间可取5分钟，然后，再按测量程序测试。一般而言，对一种材料的测试，至少应随机抽取3～5个试样进行测试，以其平均值作为测试结果。四、测试设备的泄漏在测试中，线路中绝缘电阻不高的连线，往往会不适当地与被测试样、取样电阻等并联，对测量结果可能带来较大的影响。为此：为减小测量误差，应采用保护技术，在漏电流大的线路上安装保护导体，以基本消除杂散电流对测试结果的影响；高电压线由于表面电离，对地有一定泄漏，所以尽量采用高绝缘、大线径的高压导线作为高压输出线并尽量缩短连线，减少尖端，杜绝电晕放电；采用聚乙烯、聚四氟乙烯等绝缘材料制作测试台和支撑体，以避免由于该类原因导致测试值偏低。五、外界干扰高绝缘材料加上直流电压后，通过试样的电流是很微小的，极易受到外界干扰的影响，造成较大的测试误差。热电势、接触电势一般很小，可以忽略；电解电势主要是潮湿试样与不同金属接触产生的，大约只有20mV，况且在静电测试中均要求相对湿度较低，在干燥环境中测试时，可以消除电解电势。因此，外界干扰主要是杂散电流的耦合或静电感应产生的电势。在测试电流小于10-10A或测量电阻超过1011欧姆时；被测试样、测试电极和测试系统均应采取严格的屏蔽措施，消除外界干扰带来的影响。

岩土工程勘察规范水土腐蚀性判定部分

中华人民共和国住房和城乡建设部公告第 314 号《岩土工程勘察规范》（GB50021-2001）局部修订版现批准《岩土工程勘察规范》GB50021-2001局部修订的条文，自2009年7月1日起实施。其中，第1.0.3、4.1.18(1、2、3、4)、4.1.20(1、2、3)、4.8.5、5.7.2、7.2.2条（款）为强制性条文，必须严格执行。经此次修改的原条文同时废止。局部修订的条文及具体内容，将在近期出版的《工程建设标准化》刊物上登载。二○○九年五月十九日 12.1.1 当有足够经验或充分资料，认定工程场地及其附近的土或水（地下水或地表水）对建筑材料不具腐蚀性时，可不取样进行腐蚀性评价。否则，应取水试样或土试样进行试验，并按本章评定其对建筑材料的腐蚀性。土对钢结构腐蚀性的评价可根据任务要求进行。 12.1.2 采取水试样和土试样应符合下列规定： 1混凝土结构处于地下水位以上时，应取土试样做土的腐蚀性测试； 2混凝土结构处于地下水或地表水中时，应取水试样做水的腐蚀性测试； 3混凝土结构部分处于地下水位以上、部分处于地下水位以下时，应分别取土试样和水试样做腐蚀性测试； 4水试样和土试样应在混凝土结构所在的深度采取，每个场地不应少于2件。当土中盐类成分和含量分布不均匀时，应分区、分层取样，每区、每层不应少于2件。 12.1.3 水和土腐蚀性的测试项目和试验方法应符合下列规定： 1水对混凝土结构腐蚀性的测试项目包括：pH值、Ca2+、Mg2+、Cl-、SO 42－、HCO 3 -、CO 3 2-、侵蚀性CO 2、游离CO 2 、NH 4 +、OH-、总矿化度； 2 土对混凝土结构腐蚀性的测试项目包括：pH值、Ca2+、Mg2+、Cl-、SO 42－、HCO ３ -、CO 3 2- 的易溶盐（土水比1：5）分析； 3 土对钢结构的腐蚀性的测试项目包括：pH值、氧化还原电位、极化电流密度、电阻率、质量损失； 4腐蚀性测试项目的试验方法应符合表12.1.3的规定。 12.1.4 水和土对建筑材料的腐蚀性，可分为微、弱、中、强四个等级，并可按本规范

平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控

第36卷第3期电子元件与材料V ol.36 No.3 2017年3月ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Mar. 2017 平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控李明达，陈涛，李普生，薛兵（中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津 300220）摘要: 硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层，结合傅里叶变换红外线光谱分析（FT-IR）、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究，最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。关键词: 硅外延层；化学气相沉积；厚度；电阻率；均匀性；缺陷 doi: 10.14106/https://www.360docs.net/doc/7913017058.html,ki.1001-2028.2017.03.008 中图分类号: TN304 文献标识码:A 文章编号:1001-2028（2017）03-0038-04 Uniformity adjust and control of large-area Si epitaxial layer based on planar epitaxial furnace LI Mingda, CHEN Tao, LI Pusheng, XUE Bing (The 46th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Tianjin 300220, China) Abstract: Silicon epitaxial layer is a kind of mono crystalline silicon thin film, which deposites on the surface of the polished silicon substrate by using chemical vapor deposition method. In this study, using 150 mm large size silicon polished wafer as the substrate, with epitaxial layer high uniformity was deposited. Combining with epitaxial electrical parameters by using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and resistivity testing apparatus, the relationship between flowing field, thermal field of the planar epitaxial furnance and uniformity of thickness, resistivity was studied. Finally, the epitaxial layer with good surface quality and non-uniformity less than 1% was prepared successfully. Key words: Si epitaxial layer; chemical vapor deposition; thickness; resistivity; uniformity; defect 硅外延层是采用化学气相沉积法在硅抛光衬底上生长的一层单晶硅薄膜，具有厚度和掺杂浓度可精确调控、结晶完整性好等特点，在高端电力电子器件应用方面具有无可取代的优势[1-2]。由于外延层的质量管控水平与器件产出参数的一致性与可靠性密切相关，因此进一步提升外延层的性能已经成为极为迫切的研究课题。当前随着高端电力电子器件向高频高压、低功耗、大电流、轻薄短小的方向发展，面临越来越快的更新速度，对所需外延层的性能要求愈高[3]。尤其在器件成本和良率的双重驱动下，外延层尺寸的主流供应规格已从125 mm扩大到150 mm，晶圆面积随之扩大1.44倍，同时器件加工过程中对边缘去除的区域不断减少，单位晶圆利用率不断提高，要求片内参数离散性越来越低，由此对外延层片内电参数的均匀性提出了严格的要求[4]。以单个VDMOS 管为例，通常由成百上千个元胞并联而成，其中任何一个元胞的失效都会引发整个MOS管失效，进而导致电力工作系统的异常[5]。因此片内元胞工作电压的主流规格已从20 V的容限收严到10 V，相对应地要求外延层片内和片间不均匀性已经从≤2%的容限收严到≤1%[6-7]。外延层面积的扩大，均匀性要求的提高，对外延层特别对于MOS功率器件用厚层高阻外延片来说是极大的挑战[8]。基于厚层高阻外延本身生长时间较长，而且外延层与衬底掺杂浓度相差超过4个数量级，轻微的非主动掺杂效应就会影响研究与试制收稿日期：2016-12-20 通讯作者：李明达作者简介：李明达（1988－），男，天津人，工程师，主要从事硅外延材料的理论和工艺研究，E-mail: limingda@https://www.360docs.net/doc/7913017058.html, 。网络出版时间：2017-03-10 11:42 网络出版地址：https://www.360docs.net/doc/7913017058.html,/kcms/detail/51.1241.TN.20170310.1142.008.html 万方数据

绝缘电阻的正确测量方法及标准

绝缘电阻的正确测量方法一、测试内容施工现场主要测试电气设备、设施和动力、照明线路的绝缘电阻。二、测试仪器测试设备或线路的绝缘电阻必须使用兆欧表（摇表），不能用万用表来测试。兆欧表是一种具有高电压而且使用方便的测试大电阻的指示仪表。它的刻度尺的单位是兆欧，用ΜΩ表示。在实际工作中，需根据被测对象来选择不同电压等级和阻值测量范围的仪表。而兆欧表测量范围的选用原则是：测量范围不能过多超出被测绝缘电阻值，避免产生较大误差。施工现场上一般是测量500V以下的电气设备或线路的绝缘电阻。因此大多选用500V，阻值测量范围0----250ΜΩ的兆欧表。兆欧表有三个接线柱：即L（线路）、E（接地）、G（屏蔽），这三个接线柱按测量对象不同来选用。三、测试方法 1、照明、动力线路绝缘电阻测试方法线路绝缘电阻在测试中可以得到相对相、相对地六组数据。首先切断电源，分次接好线路，按顺时针方向转动兆欧表的发电机摇把，使发电机转子发出的电压供测量使用。摇把的转速应由慢至快，待调速器发生滑动时，要保证转速均匀稳定，不要时快时慢，以免测量不准确。一般兆欧表转速达每分钟120转左右时，发电机就达到额定输出电压。当发电机转速稳定后，表盘上的指针也稳定下来，这时指针读数即为所测得的绝缘电阻值。测量电缆的绝缘电阻时，为了消除线芯绝缘层表面漏电所引起的测量误差，其接线方法除了使用“L”和“E”接线柱外，还需用屏蔽接线柱“G”。将“G”接线柱接至电缆绝

缘纸上。 2、电气设备、设施绝缘电阻测试方法首先断开电源，对三相异步电动机定子绕组测三相绕组对外壳（即相对地）及三相绕组之间的绝缘电阻。摇测三相异步电动机转子绕组测相对相。测相对地时“E”测试线接电动机外壳，“L”测试线接三相绕组。即三相绕组对外壳一次摇成；若不合格时则拆开单相分别摇测；测相对相时，应将相间联片取下。四、绝缘电阻值测试标准绝缘阻值判断 (1)、所测绝缘电阻应等于或大于一般容许的数值，各种电器的具体规定不一样，最低限值：低压设备0.5MΩ， 3-10KV 300MΩ、 20-35KV为400MΩ、 63-220KV为800MΩ、 500KV为3000MΩ。 1、现场新装的低压线路和大修后的用电设备绝缘电阻应不小于0.5ΜΩ。 2、运行中的线路，要求可降至不小于每伏1000Ω=0.001MΩ，每千伏1 MΩ。 3、三相鼠笼异步电动机绝缘电阻不得小于0.5ΜΩ。 4、三相绕线式异步电动机的定子绝缘电阻值热态应大于0.5ΜΩ、冷态应大于2ΜΩ，转子绝缘电阻值热态应大于0.15ΜΩ、冷态应大于0.8ΜΩ。

国家标准《硅、锗单晶电阻率测定方法》编制说明

硅、锗单晶电阻率测定方法修订讨论稿编制说明一、任务来源及计划要求根据中色标所字[2006]26号文，关于下达2006-2008年第二批半导体材料国家标准修订计划的通知精神，对中华人民共和国国家标准GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》进行修订，将这两个标准合并编制为《硅、锗单晶电阻率测定方法》。二、编制过程（包括编制原则、工作分工、征求意见单位、各阶段工作过程等）本标准以国家标准GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMI MF 84-1105 和SEMI MF 397-1106 ，对原标准进行了补充和修订。该标准的修订工作组主要由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。 2006年12月成立了标准修订工作组，在国内广泛调研的基础上，于2007年8月完成了标准征求意见稿，并对中国有色金属工业标准计量质量研究所、宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司等26家单位函审征求意见。三、调研和分析工作情况查阅了国外SEMI MF 84-1105 和SEMI MF 397-1106等相关标准。本标准以国家标准GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995为基础，参照国外先进标准SEMI MF 84-1105 和SEMI MF 397-1106 ，对原标准进行了补充和修订。为指导硅、锗材料生产应用单位使用好该标准，对该方法的干扰因素进行了分析，在编制标准中增加了干扰因素。对原测试标准中所列举的欧姆接触材料进行实验发现使用不便，经多家单位使用验证导电橡胶做两探针法端面接触材料方便有效。四、主要修订点 4.1 本标准将GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》两个标准，合并编制为《硅、锗单晶电阻率测定方法》。 4.2 本标准去掉了原标准GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995中的若干记录测试数据的表格，简化了标准。

土的腐蚀性报告

工程名称：*****20MW光伏发电项目取样编号：1 取样单位：取样日期：2016年04月07日取样地点：现场收样日期：2016年04月08日孔号：DK1 开始分析：2016年04月09日取样深度：3.0－3.2 提出报告：2016年04月16日氢离子浓度PH 7.10 离子mg/Kg 阳离子 K+ 281.72 Na+ Ca2+68.76 Mg2+35.41 阴离子 Cl-85.61 SO42-184.17 HCO3-131.40 CO32-0.00 OH-0.00 土质评价地基土对混凝土结构、混凝土结构中钢筋及钢结构均具微腐蚀性。主任：审核人：汇总人：

工程名称：*****20MW光伏发电项目取样编号：2 取样单位：取样日期：2016年04月07日取样地点：现场收样日期：2016年04月08日孔号：ZK48 开始分析：2016年04月09日取样深度：2.0－2.2 提出报告：2016年04月16日氢离子浓度PH 7.14 离子mg/Kg 阳离子 K+ 261.74 Na+ Ca2+65.16 Mg2+33.17 阴离子 Cl-81.28 SO42-163.28 HCO3-123.27 CO32-0.00 OH-0.00 土质评价地基土对混凝土结构、混凝土结构中钢筋及钢结构均具微腐蚀性。主任：审核人：汇总人：

工程名称：*****20MW光伏发电项目取样编号：3 取样单位：取样日期：2016年04月07日取样地点：现场收样日期：2016年04月08日孔号：ZK295 开始分析：2016年04月09日取样深度：3.0－3.2 提出报告：2016年04月16日氢离子浓度PH 7.17 离子mg/Kg 阳离子 K+ 251.36 Na+ Ca2+68.21 Mg2+40.281 阴离子 Cl-89.24 SO42-173.27 HCO3-127.31 CO32-0.00 OH-0.00 土质评价地基土对混凝土结构、混凝土结构中钢筋及钢结构均具微腐蚀性。主任：审核人：汇总人：

电阻率和表面电阻率

高阻计法测定高分子材料体积电阻率和表面电阻率 2010年03月07日10:37 admins 学习时间：20分钟评论 0条高分子材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。最基本的是电导性能和介电性能，前者包括电导(电导率γ，电阻率ρ=1/γ)和电气强度(击穿强度Eb)；后者包括极化(介电常数εr)和介质损耗(损耗因数tg δ)。共四个基本参数。种类繁多的高分子材料的电学性能是丰富多彩的。就导电性而言，高分子材料可以是绝缘体、半导体和导体，如表1所示。多数聚合物材料具有卓越的电绝缘性能，其电阻率高、介电损耗小，电击穿强度高，加之又具有良好的力学性能、耐化学腐蚀性及易成型加工性能，使它比其他绝缘材料具有更大实用价值，已成为电气工业不可或缺的材料。高分子绝缘材料必须具有足够的绝缘电阻。绝缘电阻决定于体积电阻与表面电阻。由于温度、湿度对体积电阻率和表面电阻率有很大影响，为满足工作条件下对绝缘电阻的要求，必须知道体积电阻率与表面电阻率随温度、湿度的变化。表1 各种材料的电阻率范围材料电阻率(Ω·m) 材料电阻率(Ω·m) 超导体导体≤10-810-8～10-5半导体绝缘体10-5～107 107～1018 除了控制材料的质量外，测量材料的体积电阻率还可用来考核材料的均匀性、检测影响材料电性能的微量杂质的存在。当有可以利用的相关数据时，绝缘电阻或电阻率的测量可以用来指示绝缘材料在其他方面的性能，例如介质击穿、损耗因数、含湿量、固化程度、老化等。表2为高分子材料的电学性能及其研究的意义。表2 高分子材料的电学性能及测量的意义电学性能电导性能 ①电导（电导率γ，电阻率ρ=1/γ） ②电气强度（击穿强度Eb）介电性能 ③极化（介电常数εr） ④介电损耗（损耗因数tanδ）测量的意义实际意义 ①电容器要求材料介电损耗小，介电常数大，电气强度高。 ②仪表的绝缘要求材料电阻率和电气强度高，介电损耗低。 ③高频电子材料要求高频、超高频绝缘。 ④塑料高频干燥、薄膜高频焊接、大型制件的高频热处理要求材料介电损耗大。 ⑤纺织和化工为消除静电带来的灾害要求材料具适当导电性。理论意义研究聚合物结构和分子运动。 1 目的要求了解超高阻微电流计的使用方法和实验原理。测出高聚物样品的体积电阻率及表面电阻率，分析这些数据与聚合物分子结构的内在联系。 2 原理名词术语 1) 绝缘电阻：施加在与试样相接触的二电极之间的直流电压除以通过两电极的总电流所得的商。它取决于体积电阻和表面电阻。

桩基础工程施工的质量控制

桩基础工程施工的质量控制【摘要】：桩基工程涉及施工工序多，工艺要求高，稍有不慎，就可能造成质量问题或事故，作者结合自己多年的工作经验，并针对这些质量问题探讨了相关的处理措施，同时对在施工过程中容易出现的问题提出了预控方案。关键词：桩；基础工程；施工；常见问题；质量控制 l 引言桩基础工程的质量控制是工程施工中的重中之重，它直接影响到整个建筑物的工程质量。而桩基工程的施工现场条件复杂，工序繁多，工艺要求高，桩基的质量主要取决于勘察、设计、施工等诸多方面。工程地质勘察报告的是否详细准确、设计取值有无合理以及施工中的材料、工艺、设备等等都是影响桩基础工程质量的因素，稍有不慎，便会造成质量问题或事故。若处理不及或不当，就会给工程留下隐患。所以，对质量问题( 或事故)的分析与处理是否正确得当，通常都会影响到建筑物的安全使用、工程造价以及工期。为了防止类似的问题发生，能否在桩基工程施工中对质量问题及隐患进行正确的分析与妥善的处理，就显得尤为重要。 2 常见的质量问题 ( 1 ) 测量放线错误，使整个建筑物错位或桩位偏差过大； ( 2 ) 单桩承载力低于设计值； ( 3 ) 桩倾斜过大； ( 4 ) 预制桩接头断离； ( 5 ) 断桩。灌注混凝土施工质量失控，发生断桩事故； ( 6 ) 桩基验收时出现的桩位偏差过大； ( 7 ) 离析、桩身夹泥、混凝土强度达不到设计要求、钢筋错位变形严重等；( 8 ) 灌注桩顶标高不足。常见的有两种：①施工控制不严。在未达到设计标高时混凝土停浇；②虽然标高达到设计值，因桩顶混凝土浮浆层较厚，凿出后出现桩顶标高不足。 3 质量问题的原因剖析下面主要就单桩承载力低于设计值、桩倾斜过大、断桩接头断离、桩位偏差过大等五大类问题进行详细地剖析。 3 ．1桩承载力低于设计要求的常见原因 ( 1 ) 桩沉入深度不足； ( 2 ) 桩端未进入设计规定的持力层，但桩深已达设计值； ( 3 ) 最终贯入度过大； ( 4 ) 其他，诸如桩倾斜过大、断裂等原因导致单桩承载力下降； ( 5 ) 勘察报告所提供的地层剖面、地基承载力等有关数据与实际情况不符。 3 ．2倾斜过大的常见原因 ( 1 ) 预制桩质量差，其中桩顶面倾斜和桩尖位置不正或变形造成桩倾斜：( 2 ) 桩机安装不正，桩架与地面不垂直； ( 3 ) 桩锤、桩帽、桩身的中心线不重合，产生锤击偏心；

国家标准-硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法-编制说明-送审稿

国家标准《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》编制说明（送审稿）一、工作简况 1、立项的目的和意义硅单晶是典型的元素半导体材料，具有优良的热性能与机械性能，易于长成大尺寸高纯度晶体，是目前最重要、用途最广的半导体材料。在当今全球半导体市场中，超过95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是在硅单晶片上制作的，在未来30年内，它仍是半导体工业最基本和最重要的功能材料。一般而言，硅单晶的电学性能对器件性能有决定性的作用，其中电阻率是最直接、最重要的参数，直接反映出了晶体的纯度和导电能力。例如，晶体管的击穿电压就直接与硅单晶的电阻率有关。在器件设计时，根据器件的种类、特性以及制作工艺等条件，对硅单晶的电阻率的均匀和可靠都有一定的要求，因此，硅单晶电阻率的测试就显得至关重要。目前测试硅单晶电阻率时，一般利用探针法，尤其是直流四探针法。该方法原理简单，数据处理简便，是目前应用最广泛的一种测试电阻率的技术。由于硅单晶电阻率与温度有关，通常四探针电阻率测量的参考温度为23℃±1℃，如检测温度有异于该温度，往往需要进行温度系数的修正。原来GB/T 1551-2009标准中直接规定测试温度为23℃±1℃，对环境的要求过于严格，造成很多企业和实验室无法满足，因此需要对标准测试温度进行修订，超出参考范围可以用温度系数修正公式修正。另外，原标准四探针和两探针法的干扰因素没有考虑全面，修订后的新标准对干扰因素进行了补充和修正。原标准的电阻率范围没有对n型硅单晶和p型硅单晶做出区分，由于n型硅单晶电阻率比p型硅单晶电阻率范围大，所以应该对n型和p型硅单晶的电阻率测试范围区分界定。综上，需要对GB/T 1551-2009标准进行修订，以便更好满足硅单晶电阻率的测试要求。该标准的修订将有利于得到硅单晶电阻率准确的测量结果，满足产品销售的要求，为硅产业的发展提供技术保障。 2.任务来源根据《国家标准化管理委员会关于下达2018年第三批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2018] 60号）的要求，由中国电子科技集团公司第四十六研究所（中国电子科技集团公司第四十六研究所是信息产业专用材料质量监督检验中心法人单位）负责修订《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》，计划编号为20181809-T-469，要求完成时间2020年。计划项目由全国有色金属标准化技术委员会提出，后经标委会协调后于国家标准化

岩土工程勘察规范之12 水和土腐蚀性的评价精品

岩土工程勘察规范GB 50021 2001 之12 水和土腐蚀性的评价 12.1 取样和测试 12.1.1 当有足够经验或充分资料，认定工程场地的土或水(地下水或地表水)对建筑材料不具腐蚀性时,可不取样进行腐蚀性评价。否则，应取水试样或土试样进行试验，并按本章评定其对建筑材料的腐蚀性。 12.1.2 采取水试样和土试样应符合下列规定： 1 混凝土或钢结构处于地下水位以下时，应采取地下水试样和地下水位以上的土试样，并分别作腐蚀性试验。 2 混凝土或钢结构处于地下水位以上时，应采取土试样作土的腐蚀性试验； 3 混凝土或钢结构处于地表水中时，应采取地表水试样，作水的腐蚀性试验； 4 水和土的取样数量每个场地不应少于各2 件，对建筑群不宜少于各3 件。12.1.3 腐蚀性试验项目和试验方法应符合表12.1.3 的规定。注:1、序号l～7 为判定土腐蚀性需试验的项目，序号l～9 为判定水腐蚀性需试验的项目；2、序号10～12 为水质受严重污染时需试验的项目；序号13～16 为土对钢结构腐蚀性试验项目；3、序号l 对水试样为电位法对土试样为锥形电极法(原位测试)；序号2～12 为室内试验项目；序号13～15为原位测试项目；序号16为室内扰动土的

试验项目；4、土的易溶盐分析土水比为1：5。 12.2 腐蚀性评价 12.2.1 受环境类型影响，水和土对混凝土结构的腐蚀性，应符合表12.2.1 的规定；环境类型的划分按本规范附录G 执行。 12.2.2 受地层渗透性影响水和土对混凝土结构的腐蚀性评价，应符合表12.2.2 的规定。 12.2.3 当按表12.2.1 和12.2.2 评价的腐蚀等级不同时，应按下列规定综合评定：

表面电阻测试标准

Model 803B Model 850 Measures surface and volume resistance/resistivity of planar surfaces in accordance with ESDA, ASTM, NFPA, military and other standards. Features: 1 Probes meet: ESDA STM 11.11, 11.12, 4.1 ASTM D257, F150 NFPA 99 Military & IEC requirements 1 Concentric ring design (803B) 1 Direct x10 conversion to surface resistivity (Model 803B) 1 Specified 5 lb (2.2kg) weight 1 Conductive rubber electrodes 1 Ground & insulated test beds (Model 803B) 1 Optional calibration fixtures (Model 803B) 1 Optional Press (Model 847) Applications: Test standards used to characterize the surface and/or volume resistance/resistivity of material typically define specific electrode configurations. ASTM D257 specifies either parallel bar or concentric ring electrodes while the ESD Association (ESDA) standards define a specific concentric ring electrode configuration. To measure point-to-point and resistance-to-ground (RTG) of ESD protective work surfaces, floors and seating ESDA, NFPA, and ASTM test methods specify a 5 lb (2.2kg) probe with a 2.5” (64mm) diameter conductive rubber electrode. ETS resistance/resistivity probes are designed to meet these requirements. Where applicable, surface resistance measurements are easily converted to surface resistivity by multiplying the measured resistance by 10. Custom probes are available for virtually any application.

关于单晶电阻率判定标准的建议

关于直拉硅单晶电阻率判定标准的建议一、氧施主的理论分析氧是硅中的最主要杂质之一，在硅熔点处，最大溶解度为2.75×1018cm-3。氧直拉硅单晶的氧主要来源于石英埚，氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得P型硅晶体的电阻率变大，N型硅晶体的电阻率变小。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为热施主。一般认为，450℃是硅中热施主形成的最有效温度，在此温度下退火，100小时左右可达到施主浓度最大值(1×1016cm-3左右)，随后热施主浓度随时间的延长而下降。可以通过红外光谱直接测量到热施主的存在，还可以利用电子核磁共振谱的信号研究热施主。除了退火温度，硅中的初始氧浓度对热施主的形成速率和浓度有最大影响，初始氧浓度越高，热施主浓度越高，其形成速率也越快。一般地，直拉硅单晶样片经过650℃温度退火30分钟急冷降温后，在低温热处理生成的热施主会完全消失，可是当它在这个温度段较长时间热退火时，会有新的和氧有关的施主现象出现，这就是新施主，因此掌握退火时间是比较关键的。单晶的表皮氧含量往往由于扩散和冷却作用氧施主的形成极少，因此P型太阳能级单晶可以根据表皮电阻率来定义真实电阻率，而要得到真实的中心电阻率必须进行退火来实现。二、单晶电阻率反翘的分析 1、在硅单晶中一般主要存在硼和磷两种杂质，当硼杂质浓度大于磷杂质浓度时导电类型表现为P型，反之为N型，在有杂质补偿的情况下，电阻率主要由有效杂质浓度（N硼-N磷）或（N磷-N硼）决定。我们生产的单晶产品为P型掺硼单晶1-3Ω-cm，在电阻率一定范围内有效杂质浓度（N硼-N磷）也一定，由于现在太阳能电池片已研究出硅片中硼杂质过高会导致光致衰减过大，影响转换效率，因此要尽量减小磷杂质浓度，由于硅单晶中磷杂质难以检验，现