2014模拟电子技术复习思考题
模拟电子技术复习思考题
1. 杂质半导体有哪两种?在本征半导体中掺入几阶元素杂质才能形
成P型半导体或N型半导体？P型半导体和N型半导体中的多数载流子和少数载流子各是什么?PN结的主要特性是什么?
2. 二极管的主要特性是什么?熟悉二极管的伏安特性曲线,了解二
极管的各个工作区。硅、锗二极管的死区电压是多少？正向导通压降是多少？怎样在特性曲线上读出击穿电压？如何根据特性曲线判断是硅管还是锗管？
3. 稳压管工作于哪个区？怎样使稳压管工作于击穿区而不被损
坏？稳压管的稳定电压为6V，最大允许功耗为0.5W，则该稳压管中允许的最大电流是多少？
4. 正确画出光电二极管、发光二极管、普通二极管、稳压二极
管、PNP型三极管、NPN型三极管、增强型N沟道MOS管，耗尽型N 沟道MOS管、P沟道结型场效应管的符号。
5. 什么是三极管的共发射极电流放大倍数？三极管有哪几个工作
区？各自的条件和特点是什么？NPN型硅三极管工作于放大区要满足怎样的电压关系？两个PN结工作状态如何？如果一个NPN型硅三极管各电极的电压为U C=6V，U B=6.3V，U E=5.6V则该三极管工作于什么状态？如果一个三极管的三个电极的电位分别是
U1=3V；U2=9V；U3=2.3V，则该判断该三极管的类型、电极、材料。
6. 场效应管有那些类型？工作特点是什么？什么是跨导？什么是
开启电压或夹断电压？如何判断结型场效应管和增强型MOS管的工作区？了解各种场效应管的特性曲线，了解如何在特性曲线上找到U T，U p，I DSS等参数。如何根据转移特性曲线确定场效应管的类型？
7. 共发射极基本放大电路中输入和输出端的电容是什么电容？其
作用是什么？什么是直流通路和交流通路？什么是基本放大电路的静态工作点？如何用估算法求共射基本放大电路和分压式偏置静态工作点稳定电路的静态工作点？怎样求场效应管放大电路的静态工作点？
8. 如何用图解法求共射基本放大电路的静态工作点？什么是直流
负载线？如何根据电路参数画出直流负载线？
9. 如何用微变等效电路求共射、共集、共源、共漏基本放大电路
的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻？放大电路的失真有几
种？波形怎样？原因是什么？如何纠正？如何计算放大电路的最大不失真输出电压？
10. 基本放大电路的各种组态中，哪种具有电压放大和电流放大倍
数均较大的特点？哪种组态电压放大倍数小于1，但具有输入阻抗高输出阻抗低的特性？那种组态输入与输出信号反相？
11. 多级放大电路有哪几种耦合方式？各自的特点是什么？结构简
单，静态工作点相互独立的是哪一种？适合集成化，能放大缓慢信号的是哪一种？
12. 掌握差动放大电路的电路结构与组成，会分析长尾形和恒流源
差动放大电路的静态工作点、放大倍数和输入输出电阻。
13. 功率放大电路有哪几种类型？各自的特点是什么？导通角是多
少？甲乙类互补对称功率放大电路中P om如何计算？三极管如何连接？中点电位和静态工作电流如何调整？什么是OTL,OCL电
路？
14. 反馈的分类有哪几个方面？如何判断？电压负反馈、电流负反
馈、直流负反馈分别稳定什么？负反馈如何影响输入电阻和输出电阻？为了提高输入电阻应接入哪种反馈？为了减小输出电阻应接入哪种反馈？如何估算深负反馈放大电路的电压放大倍数？
15. 什么是放大电路的频率响应？是什么原因造成放大电路在低频
段和高频段放大倍数下降，相移增大？根据已知上下限频率和中频电压增益画幅频特性曲线和相频特性曲线，或根据已知的波特图确定放大电路的上下限频率、中频电压增益、通频带、放大电路的级数。频率响应的一般表达式是什么，如何在表达式中找到f L、f H、A usm？f L、f H分别与那些因素有关？
16. 正弦波振荡电路由哪几部分组成？LC振荡电路和RC振荡电路的
振荡频率如何计算？石英晶体振荡器有何特点？各自适用于什么场合？正弦波振荡电路的起振条件是什么，如何判断一个电路能否产生自激振荡？熟练掌握RC文氏电桥振荡器的组成、原理、参数计算，掌握变压器反馈式、电感三点式、电容三点式振荡电路连接规律和振荡频率的计算。
17. 理想运放工作于线性区时的两大特性是什么？如何理解虚断和
虚短？运放的符号是什么？理想运放工作于非线性区时输出电压如何确定？
18. 掌握同相输入比例运算、反相输入比例运算、反相输入求和运
算、减法运算、积分运算电路的构成和输入、输出关系，掌握电压比较电路的输入输出关系。
19. 有源滤波器有哪些类型？画出四种类型滤波器的幅频特性曲
线。若有用信号大于、等于、小于5KHz，应各采用那种类型的滤波器？滤波器的截止频率是如何定义的？高阶滤波器与一阶滤波器相比有何优点？
20. 掌握桥式整流、电容滤波、三端稳压器构成的电源电路的工作
原理和主要参数的分析计算，掌握串联调整型稳压电路的工作原理、电路组成和输出电压的调整范围的计算。掌握三端稳压器的型号意义和基本应用电路，了解三端稳压器输入输出电压差的范围
21. 复习必做题：教材：模拟电子技术基础（第四版）清华大学
第一章：1.8；1.9；1.10；1.13
第二章：2.4；2.9；2.11；2.12；2.13；2.16
第三章：3.4；3.6
第五章：5.3；5.6
第六章：6.4-6.9；6.11；6.15
第七章：7.10；7.11
第八章：8.6；8.8；8.11；8.14
第九章：9.4；9.11
第十章：10.11；10.17；P.567 自测题六
各章自测题
22. 例题：放大电路如图一所示，已知三极管的电流放大倍数为β
＝40，ＵBEQ为0.7Ｖ。若三极管为NPN，试在图上标出发射极。
求使静态时ＵCEQ＝6Ｖ的Ｒb值；求放大器输入电阻、输出电
阻。求电压放大倍数Ａu；当输入电压为20mV时，其输出电压是多少？该电路易产生何种失真？输出波形如何？最大不失真输出电压约为多少？如何调整电路参数消除失真？
图一图二
23. 如图二所示电路，已知三极管电流放大倍数为，其它参数如图
中所标，试求：
1） 画出直流通路，求静态工作点；
2） 画出微变等效电路，求电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；
3） 若输入电压，则输出电压是多少？
4） 若输出电压产生截止失真，试画出失真波形示意图，并说明
产生失真的原因和消除失真的措施。
24. 电路见图三，若所有元件参数已知，求静态工作点，放大倍
数，输入、输出电阻。
图三
25. 用理想运放设计一个电路，使之能完成如下运算：U O= (4U i1-
6U i2-8U i3);画出电路图，并计算电路中各元件的参数。（设运放的反馈电阻为120k）
26. 如图四所示电路中，A1、A2为理想运放，其最高输出电压为
±10V。问（1）A1，A2接成哪种典型用电路？（2）写出输出电压U o的表达式。若t=0时电容上的电压为0，试求t=5秒时的输出电压U o。（3）t=5秒时的输出电压U o。
图四
27. 电路如图五所示。问
(1)此电路由哪些基本单元组成?
(2)设u I1＝u I2= 0时，电容器电压的u c＝0，u0＝+12V，求当u I1＝一10V，u I2= 0时，经过多少时间u0由+12V变为一12V?
(3)u0变成一12 V后，u I2由0改为+15 V，求再经过多少时间u0由一12 V 变为+12 V。
图五
28. 在下列几种情况下,应分别采用哪种类型的滤波电路(低通,高通,
带通,带阻)?
（1）有用信号频率为100
（2）有用信号频率低于400
（3）希望抑制50交流电源的干扰
（4）希望抑制500以下的信号.
（5）用于300Hz~3kHz语音信号的传输。
29. 图六电路中，U i=12V，输出电流为0.5A，求：
输出电压
变压器副边电压U2
电容C1的容量和耐压
二极管的工作电流和最高电压
电容C2一般取多大
图六
30.在图七所示电路中，画出整流二极管的符号，若输出电压是20V，负
载电阻为400欧，则电容C应取多少？
图七
31.判断如图八所示电路的反馈类型，并说明反馈对电路输入、输出电阻的影响，如为交流负反馈，则假定满足深负反馈条件，求闭环电压放大倍数Auf。
图八
32.文氏电桥振荡器电路如图九所示,求振荡器的振荡频率.，为保证电路起振,若R1=5K，则R f应如何取值?为了稳定输出幅度，电阻R1选热敏电阻，其温度系数应符合什么要求？
图九图十
33.OCL功率放大电路如图十所示，试求对三极管极限参数的要求；若管子饱和压降为2V，问实际可能的最大输出功率有多大？若静态时输出端电压略大于0，则应如何调节才能使中点电位为0？若R1=3K，三极管的β＝60,当D1,D2支路断路时，三极管将会出现什么情况？
模拟电子技术复习题
1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可 分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高 ，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并 联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于 单极型器件。 5、 二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电 路可分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移 动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流 负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电， 属于双极型器件。 欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路 一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为 管和 管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须 ，集电结必须 。 放大电路存在两种状态即未输入信号时的 态和输入信号时的 态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的 电容和 电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是 电流实现 对 电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是 负反馈，能使输入电阻提高的是 负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制 信号，放大 信号。 5、负反馈有四种基本组态： 、 、 、和 。
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。
模拟电子技术基础期末复习详细总结
模拟电子技术期末复习详细总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与 该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 模拟电子技术复习思考题 1.杂质半导体有哪两种?P型，n型在木征半导体屮掺入几阶元素杂质才能形成P型半导体3或N 型半导体5? P型半导体和N型半导体中的多数载流了空穴自由电了和少数载流子口由电了空穴各是什么?PN结的主要特性是什么？单向导通性。 2.二极管的主要特性是什么?正向导通性熟悉二极管的伏安特性曲线，了解二极管的各个工作区。 硅、错二极管的死区电压是多少？正向导通压降是多少？怎样在特性llh线上读出击穿电压？如何根据特性曲线判断是硅管还是餡管？ 3.稳压管工作于哪个区？怎样使稳压管工作于击穿区而不被损坏加限流电阻？稳压管的稳定电 压为6V,最大允许功耗为0. 5W,则该稳压管中允许的最大电流是多少？ 4.正确画出光电二极管、发光二极管、普通二极管、稳压二极管、PNP型三极管、NPN型三极 管、增强型N沟道M0S管，P沟道结型FET的符号。 5.什么是三极管的共发射极电流放人倍数？三极管有哪几个工作区？各自的条件和特点是什么？ NPN型硅三极管工作于放大区要满足怎样的电压关系？两个PN结工作状态如何？如果一个NPN 型硅三极管各电极的电压为Uc=6V, U B=6. 3V, U E二5.6V则该三极管工作于什么状态？如果一个三极管的三个电极的电位分别是U.= 3V； U2=9V； "2.3V,则该判断该三极管的类型、电极、材料。 6.场效应管有那些类型？工作特点是什么？什么是跨导？什么是开启电压或夹断电压？如何才能 使结型场效应管和增强型M0S管工作于恒流区？了解各种场效应管的特性曲线，了解如何在特性曲线上找到Ut, U P, I DSS等参数。如何根据转移特性曲线确定场效应管的类型？ 7.共发射极基本放大电路中输入和输出端的电容是什么电容？其作用是什么？什么是直流通路和 交流通路？什么是基本放大电路的静态工作点？如何用估算法求共射基本放大电路和分压式偏迸静态工作点稳定电路的静态工作点？ &如何用微变等效电路求共射、共集基木放人电路的电压放人倍数、输入电阻和输出电阻？ 9.放大电路的失真冇儿种？波形怎样？原因是什么？如何纠正？如何计算放大电路的最大不失真 输出电压? 10.基本放大电路的各种组态中，哪种貝有电压放大和电流放大倍数均较大的特点？哪种组态电压 放人倍数小于1,但具有输入阻抗高输出阻抗低的特性？ 11.多级放人电路有哪几种耦合方式？各自的特点是什么？结构简单，静态工作点相互独立的是哪 一种？适合集成化，能放大缓慢信号的是哪一种？ 12.掌握差动放大电路的电路结构与组成，会分析长尾形和恒流源差动放大电路的放大倍数和输入 输出电阻。 13.功率放人电路有哪儿种类型？各白的特点是什么？导通角是多少？甲乙类互补对称功率放人电 路屮Pom如何计算？三极管如何连接？屮点电位和静态工作电流如何调整？什么是OTL, OCL电路？ 14.反馈的分类有哪几个方面？如何判断？电压负反馈、电流负反馈、直流负反馈分别稳定什么？ 负反馈如何影响输入电阻和输出电阻？为了提高输入电阻应接入哪种反馈？为了减小输出电阻应接入哪种反馈？ 15.什么是放人电路的频率响应？是什么原因造成放人电路在低频段和高频段放人倍数下降，相移 增大？根据已知上下限频率和中频电压增益画幅频特性曲线和相频特性曲线，或根据已知的波特图确定放大电路的上下限频率、中频电压增益、通频带、放大电路的级数。频率响应的一般表达式是什么，如何在表达式中找到仇、兔A爲？仇、你分别与那些因素有关？ 16.正弦波振荡电路由哪儿部分纽成？LC振荡电路和RC振荡电路的振荡频率如何计算？石英晶体 振荡器有何特点？各白适用于什么场合？正弦波振荡电路的起振条件是什么，如何判断一个电路能否产生自激振荡？熟练学握RC文氏电桥振荡器的组成、原理、参数计算。变压器反馈式、 模拟电子技术复习题 (含答案) 模拟电子技术复习题 一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。） 第二章 （×）1. 运算电路中一般引入正反馈。 （√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章 （×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。 （√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 （√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 第四章 （√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （×）3. 晶体管的参数不随温度变化。 （√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。 （×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。 （√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。 （×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。 （√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章 （×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。 一、填空题（每空1分，共22分） 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中，抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电，固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路，可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为：串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象（信号）的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分，有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题（每小题2分，共18分） 1、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为：（C）。 A． C, B, A B． E, C, B C． C, E, B D．不确定 2、在下图所示的电路中，U 为（ B ）。 3、射极输出器（ A ）。 A．有电流放大作用，没有电压放大作用。 B．有电流放大作用，也有电压放大作用。 C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 D．没有电流放大作用，有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ A ） A．电路引入负反馈 B．电路引入正反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈 D．不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中，已知U Z =6V，则U O 为（ D ）。 6、下图所示电路中，Y恒为0的图是（ B ）。 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2 模拟电子技术复习题2 5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。 5.2电路如右图所示，其中 (a) (b) 图(a)是__C __组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 图(b)是_ _D__组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g =1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。 m 该电路的=_A___。 A. -3 B. 3 C. -5 D. 5 该电路的R i =___C_ 。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 该电路的R o =__D__。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。 A. 减小 B. 增大 C. 不变 6.1电流源电路的特点是：__D____。 A. 一个双口网络 B. 端口电流恒定，交流等效电阻小 C. 端口电压恒定，交流等效电阻大 D. 端口电流恒定，交流等效电阻大 6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。 A. 截止 B. 放大 C. 饱和 D. 不确定 6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。 A. 提高放大倍数的稳定性 B. 提供静态偏置，提高放大倍数 C. 作为放大电路的输入信号 D. 用来放大信号 6.4 4个电流源电路如图所示。其中哪个电路不能正常工作？___C _____。 6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。 A. 电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级 《模拟电子技术基础》基本概念复习题 一、判断题 1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。× 2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。√ 3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。× 4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√ 7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 √ 8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 10、 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ 11、 稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。× 12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。× 13、 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。√ 14、 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 15、 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 17、 共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 18、 共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 19、 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 20、 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 21、 射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 22、 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 23、 放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 24、 输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。√ 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 一、基本概念 1. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相并联时，电流源两端的电压是（D ）。 A 、1V ； B 、10V ； C 、50V ； D 、100V 。 2. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相串联时，流过电压源的电流是（A ）。 A 、1A ； B 、10A ； C 、50A ； D 、100A 。 3. 一个电感线圈在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的感抗较大？（ C ）正比，wL A 、f =100Hz ； B 、f =200Hz ； C 、f =300Hz ； D 、f =1Hz 。 4. 一个电容器在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的容抗较大？（ D ）反比,1/wC A 、f =100Hz ； B 、f =200Hz ； C 、f =300Hz ； D 、f =1Hz 。 5. 对于纯电容性负载，其电压与电流的相位关系是（ C ）。-90 A 、电压与电流同相位； B 、电压超前电流90°； C 、电流超前电压90°。 6. 对于纯电感性负载，其电压与电流的相位关系是（ B ）。U-i ，90 A 、电压与电流同相位； B 、电压超前电流90°； C 、电流超前电压90°。 7. 在计算戴维南电路的等效电阻时，将原电路的电源置零意味着（ B ）。 A 、电压源开路、电流源短路； B 、 电压源短路、电流源开路； B 、电压源开路、电流源开路； D 、 电压源短路、电流源短路。 8. 当理想二极管外加正向电压时，其电流为（ C ），其正向压降为（ B ）。 A 、0=I ； B 、0=U ； C 、=I 常数； D 、=U 常数。 9. 测得某无源一端口网络的电压u=100sin （2t+60°）V ，电流i=5sin （2t-30°）A ，则该网络的等效阻抗是多少？它是电阻性、电感性还是电容性的网络？（ B ）。J=90 A 、20、阻性； B 、j20、感性； C 、-j20、容性； D 、20+j20、感性。 10. 某网络的端口电压和电流分别为u=40sin （10t+60°）V ，i=8sin （10t+90°）A ，则该网络的功率因数cos ?为（ B ）。U-i A 、21； B 、2 3； C 、0.9； D 、1。 11. 在集成运算放大器的分析计算中，虚短的概念是指（ C ）。 A 、0=+U ； B 、0=-U ； C 、-+=U U 。 D 、0==-+I I 。 《模拟电子与数字电子技术》复习思考题 试题答案 在图示电路中，已知ui =10sinωt V， US=5V，二极管的正向压降可忽略不 计，试画出输出电压uo的波形。 答：根据二极管的单向导电性： 当ui 指出图示放大器中的反馈环节，并判别 其反馈类型和反馈方式。 解： 答：反馈环节为RF 负反馈 电流并联 图示运算放大器电路中，R1=25kΩ， R2=50kΩ，RF=100kΩ，已知uI1=1V， uI2=，求输出电压uO. 解： uo=－(RF/R1)×uI1－(RF/R2)×uI2 = －(100/25)×1－100/50×＝－5V 已知图示逻辑电路和输入波形，写出输 出F的逻辑表达式，并画出输出的波 形。 答：输出F的逻辑表达式：F=AB 输出的波形： 分析图示组合逻辑电路的逻辑功能： （1）由图写出逻辑式，并进行化简； （2）列出真值表； （3）分析电路的逻辑功能 解：（1）由图可写出逻辑式： （2）真值表为： 目录 习题一 (1) 习题二 (6) 习题三 (16) 习题四 (24) 习题五 (30) 习题六 (35) 习题七 (37) 习题八 (46) 习题一 1.1 解释名词：①测量；②电子测量。 答：测量是为确定被测对象的量值而进行的实验过程。在这个过程中，人们借助专门的设备，把被测量与标准的同类单位量进行比较，从而确定被测量与单位量之间的数值关系，最后用数值和单位共同表示测量结果。从广义上说，凡是利用电子技术进行的测量都可以说是电子测量；从狭义上说，电子测量是指在电子学中测量有关电的量值的测量。 1.2 叙述直接测量、间接测量、组合测量的特点，并各举一两个测量实例。 答：直接测量：它是指直接从测量仪表的读数获取被测量量值的方法。如：用电压表测量电阻两端的电压，用电流表测量电阻中的电流。 间接测量：利用直接测量的量与被测量之间的函数关系，间接得到被测量量值的测量方法。如：用伏安法测量电阻消耗的直流功率P，可以通过直接测量电压U，电流I，而后根据函数关系P＝UI，经过计算，间接获得电阻消耗的功耗P；用伏安法测量电阻。 组合测量：当某项测量结果需用多个参数表达时，可通过改变测试条件进行多次测量，根据测量量与参数间的函数关系列出方程组并求解，进而得到未知量，这种测量方法称为组合测量。例如，电阻器电阻温度系数的测量。 1.3 解释偏差式、零位式和微差式测量法的含义，并列举测量实例。 答：偏差式测量法：在测量过程中，用仪器仪表指针的位移(偏差)表示被测量大小的测量方法，称为偏差式测量法。例如使用万用表测量电压、电流等。 零位式测量法：测量时用被测量与标准量相比较，用零示器指示被测量与标准量相等(平衡)，从而获得被测量从而获得被测量。如利用惠斯登电桥测量电阻。 微差式测量法：通过测量待测量与基准量之差来得到待测量量值。如用微差法测量直流稳压源的稳定度。《模拟电子技术》复习题10套及答案
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