模电(李国立)6章习题答案
6 场效应管放大电路
自我检测题
一．选择和填空
1. 共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。 2．共漏极放大电路无电压放大作用，v o 与v i 同 相位。 3．共栅极放大电路v o 与v i 反 相位。
4. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路 低 ，输入电阻 高 。
5. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题5所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。
（1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b 、d ；
（2）增强型MOS 场效应管可以采用图示中的 c 、d ；
（3）耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的 a 、b 、c 、d 。 6．在共源组态和共漏组态两种放大电路中， A 的电压放大倍数v
A 比较大，
B 的输
出电阻比较小。 B 的输出电压与输入电压是同相的。
（A ．共源组态，B ．共漏组态）
(a )
( b )( c )
图选择题5
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。 （ √ ） 2. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。 （ × ）
3．MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。 （ × ） 4．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（ √ ），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。（ × ） 5．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（ √），输出电阻也很大。（ × ）
6．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（ √ ），所以不能实现功率放大。（ × ） 7．场效应管的跨导g m =I DQ /V GSQ （ × ）还是m g ＝D I ?/GS V ?。（ √ ）
8．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。 （ × ） 9．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。 （ × ）
习题
6.1场效应管电路和该管的漏极特性曲线如图题6.1所示。试问当GS V 为3V 、5V 、7V 时，管子分别工作在什么区（恒流区、 截止区、 可变电阻区）？D I 和DS V 各为多少？
DS V
5
14
2
68
10
图题6.1
解：作出直流负载线如图示：V DS =10-I D R d =10-3I D
当V GS ＝3V ，工作在截止区，I D ＝0mA ，V DS ＝10V 当V GS ＝5V ，工作在恒流区，I D ＝1.3mA ，V DS =6.1V 当V GS ＝7V ，工作在可变电阻区，I D ≈2.6mA ，V DS ≈2V
6.2定性判断图题6.2中哪些电路不具备正常的放大能力，说明不能放大的原因。
( a )( b )( c )
图题6.2
解：
（a ）不能放大，栅、源间缺少必要的正向静态电压
（b ）能放大
（c ）不能放大，DD V 极性不正确
6.3放大电路和场效应管恒流区内的转移特性如图题6.3所示，场效应管的r dS 可视为开路。电容的容抗对交流信号可视为短路。
（1）图解确定静态工作点I DQ 、V GSQ ； （2）图解确定工作点处的跨导g m ； （3）求电压放大倍数v A 。
R L Ω
图题6.3
解：
（1）作负载线D s D GS i R i v 330-=-=得 I DQ ≈3mA ，V GSQ =-1V
（2）过Q 点作切线，g m ≈4.7/2.7≈1.7mS （3）8.7-=-=L d m v R R g A
6.4
已知图题6.4所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导g m ＝1mS ，s r d 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数v A 、输入电阻i R 、输出电阻o R 。
R L 15k Ω
图题6.4
解：
（1）微变等效电路图如下图所示
L
（2）7.4-=-=d m v R g A R i =R g =1M Ω R o =R d =6.8k Ω
6.5已知图题6.5所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导g m ＝2mS ，s r d 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数v A 、输入电阻i R 、输出电阻o R 。
10k Ω
R L
图题6.5
解：
（1）微变等效电路图如下图所示
R L
（2）1.8-=-=L d m v R R g A R i =R g + R g1// R g2 ≈10M Ω
R o =R d =6.8k Ω
6.6图题6.6所示电路中，场效应管的DSS I ＝5mA ，P V ＝－3V ，各电容都足够大，对交流信号可视为短路。
（1）求静态工作点I DQ 、V DSQ ； （2）画出微变等效电路图；
（3）求电压放大倍数v A 、输入电阻i R 、输出电阻o R 。
R L 15k Ω
图题6.6
解：
（1）V GSQ =-2V
mA
mA V V I I P
GSQ DSS DQ 56.0)3
21(5)1(2
2
=---
=-
=
V R I V V d DQ DD DSQ 4.4=-= （2）微变等效电路图如下图所示
L
（3）DQ
DSS P
m
I I V g -=
2=1.1mS 67
.6-=-=L d m v R R g A
R i =R g =1M Ω R o =R d =10k Ω
6.7已知图题6.7所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导g m ＝3mS ，s r d 可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数v A 、输入电阻i R 、输出电阻o R 。
R L 12k Ω
图题6.7
解：
（1）微变等效电路图如下图所示
L
（2）92
.01≈+=
L
s
m L s m v
R R g R R g A
R i = R g1// R g2 ≈667k Ω R o =
m
g 1//R s =316Ω
6.8图题6.8所示电路中，场效应管的DSS I ＝6mA ，P V ＝－2V ，并已知电路静态的I DQ
＝1mA ，V DSQ ＝5V 。
（1）s R 、d R 应取多大？
（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻各等于多大（电容的容抗可忽略不计）？
R L 10k Ω
图题6.8
解： （1）由
2
)
1(P
GSQ DSS DQ V V I I -
= 解出V GSQ =-1.18V
又 V GSQ =-I DQ R s
所以R s =1.18k Ω
由)(s d DQ DD DSQ R R I V V +-= 解出R d =5.8k Ω （2）DQ
DSS P
m
I I V g -=
2=2.45mS 9
-=-=L d m v R R g A
R i =R g =1M Ω R o =R d =5.8k Ω
6.9已知图题6.9所示电路中场效应管的跨导g m ＝3mS ，s r d 可视为无穷大，电容对交流信号可视为短路。
（1）求电压放大倍数i o11/v v A v =、i o22/v v A v =； （2）求输入电阻i R 和输出电阻o1R 、o2R 。
v o1
v o2
图题6.9
解：
（1）91
.011-≈+-=
s m d m v R g R g A
91
.011≈+=
s
m s
m v R g R g A
（2）R i =R g =1M Ω R o1=R d =3.3k Ω
R o =m
g 1//R s =303Ω
模拟电路习题答案第6章放大电路中的反馈题解
第六章放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。 （1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（） （3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（） 解：（1）×（2）√（3）×（4）√ 二、已知交流负反馈有四种组态： A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、判断图所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求 A 或f s u A 。设图中所有电容出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数 f u 对交流信号均可视为短路。
图 解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反 馈条件下的电压放大倍数f u A 分别为 L 3 1321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u 式中R L 为电流表的等效电阻。 图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 2f 2 1R R A R F u 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 1f u A F 图（d ）所示电路中引入了正反馈。 四、电路如图所示。
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模拟电子技术模电课后习题含答案第三版
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模电第6章习题答案
题6－1说明存在哪些反馈支路,判断反馈极性;直流反馈或交流反馈.若为交流反馈,分析反馈 的组态. (a) (b) (c) R F →级间交直流 电流 并联 负反馈, R e1→交直流 电流 串联 负反馈 ? R e2 、 C e →直流 电流 串联 负反馈 (d) R F →级间交流 电压 并联 负反馈, R e1→交直流 电流串联负反馈 (e) R F →级间交直流 电压 串联 负反馈, R e3→交直流 电流串联负反馈 (f) R b 、 C 3 →级间交流 电压 并联 正反馈, R e →交直流 电压 串联负反馈 习题6-2 判断反馈极性和组态 (a) 电压并联正反馈 (b) R F1电压并联负反馈 R F2 电压串联正反馈 (c) 电压并联负反馈 (d) 电流串联负反馈 (e) 电压串联负反馈 (f) 电流并联负反馈 习题6-5：满足深度负反馈条件,估算电压放大倍数 (C) 电压并联负反馈 (d) 电流串联负反馈 (e)21R R A F uuf += (f) e e F C uu f R R R R R A 1)(+=
习题6-13：按要求引入适当的反馈。 （1）提高从b1端看进去的输入电阻 应引入级间串联负反馈,即接R F从e3到e1 （2）减小输出电阻 应引入电压负反馈,即接R F从c3到b1 （3）R c3改变时,其上的I o (在给定U i情况下的输出交流电流有效值) 基本不变。 应引入电流负反馈 即接R F从e3到e1 （4）希望各级静态工作点基本稳定 接R F从c3到b1 或接R F从e3到e1 （5）希望输出端接上负载电阻R L后,U o (在给定U i情况下的输出交流电压有效值) 基本不变。 应引入电压负反馈，接R F从c3到b1 习题6-9 判断反馈极性和组态 习题6-19 判断能否产生自激 (a)产生自激振荡(b)不产生
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模拟电子技术基础 第六章课后答案
题6.1判断图6-23所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。如是负反馈，说明是何种反馈类型。 - +++ + - i U o U CC V VT 1VT 2b1R b2 R c R e11 R e12 R e2 R f R 1 C 2 C 3C e C +- +++ - i U o U C C V VT 11 C 2 C e1 R +VT 2 b21R b22R c2 R e2 R e C 4 C 3 C f R ++b11R b12 R c1R - + + + - i U o U +V 12CC V VT 1 VT 2 Ω39k Ω k 12ΩM 1Ω k 220Ω k 9.3 （a ） （b ） （c ） 图6-21 解：（1）电压并联负反馈；（2）电压串联正反馈；（3）电压串联负反馈 题6.2 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图6-22所示，请回答： 1．电路中的反馈是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈？ 2．若是负反馈，其类型怎样？电压放大倍数又是多少？ ∞ A o U i U -+ - +L R 3 R 2 R 1R ∞A i U -+ - +Ω k 30Ω k 5.7Ω k 10 图6-22 解：1.反馈类型分别是电压串联交直流负反馈，电流并联负反馈； 2.放大倍数分别为4、2 L R R - 题6.3判断图6-23中各电路所引反馈的极性及反馈的组态。 ∞ A o U i U - +-+L R 2 R 1 R o I ∞A o U i U - +- +L R 3 R 2R o I 4 R 1 R ∞A o U i U -+ - + L R 4 R 2R 5 R 1 R 3 R （a ） （b ） （c ） 图6-23 解：（1）电流串联负反馈；（2）电流并联负反馈；（3）电压并联负反馈 题6.4判断图6-24所示电路的交流反馈类型。 A 1 R F R ' R u I u O +_ +_∞
模电二三两章习题及答案
1、(1) 输入端a点的电位接近于0，若把a点接地，试问运算放大器能否正常工作？为什么？ (2)输入电流接近于0，若把输入端a断开，试问运放能否正常工作？为什么？ 2、用集成运放设计出能完成以下功能的电路 (1) uo=2us1-us2 (2) u0=5ui 3、如图，已知Ui1=0.5V，Ui2=-2V，Ui3=1V， （1）A1、A2构成何种单元电路？(2)求Uo (3)确定R3的大小 4、试求电路的输出电压
1、二极管的正向电阻( )，反向电阻( ) a)大b)小 2、锗二极管的导通电压( )，死区电压( ) 硅二极管的导通电压( )，死区电压( ) a)0.7V b)0.2V c)0.3V d)0.5V 3、二极管的导通条件是外加电压U D( ) a)U D>0 b)U D>死区电压c)U D>击穿电压d)U D<死区电压 4、当温度升高后，二极管的反向电流（） a)增大b)减小c)基本不变 5、稳压管工作在（）状态 a)正向导通b)反向截止c)反向击穿 6、在并联式稳压电路中限流电阻的作用是（） a)作为负载b) 提高电压c)限定工作电流 7、稳压管电路如图，U Z＝6.3V，正向导通压降U D＝0.7V，其输出电压为（） a)6.3V b)0.7V c)7V d)14V 8、稳压管电路如图，U S1＝7V，U S2＝3V，其输出电压为（） a)0.7V b)1.4V c)3V d)7V 9、稳压管电路如图，U S1＝U S2＝7V，正向导通压降U D＝0.7V，其输出电压为（） a)1.4V b)7V c)10V d)14V
2.已知一个BJT的ICEO为200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO 约等于( ) a)8mA b)10mA c)5μA d)4μA 3.NPN管工作在放大区时，三个极的电位特点是( ) a)UC>UB>UE b)UC 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极 模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题： （1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？ 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 （2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。 （4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？ 答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电 路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。 对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二： 当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解： 选择合适的答案填入空内。 （1）对于放大电路，所谓开环是指。 A．无信号源B．无反馈通路 C．无电源D．无负载 而所谓闭环是指。 A．考虑信号源内阻B．存在反馈通路 C．接入电源D．接入负载 （2）在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 （3）直流负反馈是指。 A．直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 （4）交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 （5）为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入； ②为了稳定放大倍数，应引入； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入； ④为了抑制温漂，应引入； ⑤为了展宽频带，应引入。 解：（1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B 选择合适答案填入空内。 A．电压B．电流C．串联D．并联 （1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈； （2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈； （3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入负反馈； （4）为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈； （5）为了增大放大电路的输出电阻，应引入负反馈； （6）为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。 解：（1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 判断下列说法的正误，在括号内填入“√”或“×”来表明判断结果。 （1）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 习题 6.1 试判断题图所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。 解： 电路(a)为串联电压负反馈。 电路(b)为串联电压负反馈。 电路(c) V 1与V 3间为电压串联负反馈。 电路(d)为电压由V 3的射极经R 6至V 1的射极组成了电压串联负反馈。 U i (a) CC (b) (c) U CC (d) 题图 6.2 试判别所示各电路的反馈类型和反馈极性。 解:电路(a)为电压并联负反馈。 电路(b)：经A 2、R 2组成电压并联正反馈电路；经R 3组成电压并联负反馈电路。 6.3 一电压串联负反馈放大器，其基本放大器的电压增益A u =100，反馈网络的反馈系数B u =。 由于温度变化，A u 增大到120，试求负反馈放大电路的电压增益变化率uf uf A A ?。 解: % 54.1)1(1 ≈?++??= ?v v v v v vf vf B A A A A A A 或 % 8.111 ≈+??= ?v v v v vf vf B A A A A A 6.7 某放大器的放大倍数A(j ω)为 6 1011000ω ωj )j (A += 若引入F=的负反馈，试问: U i U o R 3 (a) U i 题图 (1)开环中频放大倍数A I ?f H =? (2)闭环中频放大倍数A If =?f Hf =? ()MHz ..f FA f ..FA A A )(kHz .f ) dB (A )(H I Hf I I If H H I 751211021591119 90100001011000 1221592102601000136=??=+==?+=+=====π πω解： 6.8 电路如题图(a)和(b)所示。试问： (1) 反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果，两个电路对R S 有何要求？ (2) 当信号源内阻变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能 力强？ (3) 当负载R L 变化时，哪个电路输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益稳定能力强？ 解：(1)图(a)：第一级是电流串联负反馈，第二级是电压并联负反馈，第一级对第二级相当于恒流源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒压源激励，以使电流串联负反馈起作用，即R S 越小越好。 图(b)：第一级是电压并联负反馈，第二级是电流串联负反馈，第一级对第二级相当于恒压源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒流源激励以使电压并联负反馈起作用，即R S 越大越好。 (2)图(a)：输入端是串联负反馈，R if 大，R S 小，而且R if >>R S ，当R S 变化时，源电压增益的变化不大，即稳定性较好，输出电压当然也就稳定。 图(b)：输入端是并联负反馈，R if 小，R S 大，而且R if << R S ，当R S 变化时，源电压增益不稳定，输出电压也不稳定 (a) CC CC + o + U o (b) 图 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。 （1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ） （2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ） （3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） （4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、已知交流负反馈有四种组态： A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈， 并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或f s u A 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 图T6.3 解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反 馈条件下的电压放大倍数f u A 分别为 L 3 1321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。 图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 2f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 1f ≈=u A F 图（d ）所示电路中引入了正反馈。 四、电路如图T6.4所示。 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。 （A ）β（B ）β2 （C ）2β（D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u 0。 第6章 放大电路中的反馈 自测题 一、已知交流负反馈由四种组态：A.电压串联负反馈；B.电压并联负反馈； C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈。选择合适答案填入下列空格内。 1.欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入( B )。 2.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( C )。 3.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入( A )。 4.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入( D )。 二、判断图T6.2所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数uf A 或usf A 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) 图T6.2 解：图(a)所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数分别为：13123F ui O R R u F i R R R = =++； 12313 O O L uf L I F u i R R R R A R u u R R ++==≈。 式中R L 为电流表的等效电阻。 图(b)所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放 大倍数分别为：21 F iu O i F u R = ≈-； 2111 O O O uf I I F u u u R A u i R i R R ==≈=- 图(c)所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条件下的电压放 大倍数分别为：1O uu F u F u = = 1O O uf I I u u A u u =≈= 图(d)所示电路中引入了正反馈。 三、电路如图T6.3 所示。 图T6.3 (1)正确接入信号源和反馈，使电路的输入电阻增大，输出电阻减小； (2)若20o u i U A U = =，则R f 应取多少千欧？ 解：(1)应引入电压串联负反馈，如解图T6.3所示。 (2)因1 120f u R A R ≈+ = ，故190f R k =Ω。 解图T6.3 四、已知一个负反馈放大电路的基本放大电路的对数幅频特性如图T6.4所示，反馈网络由纯电阻组成。试问：若要求电路稳定工作，即不产生自激振荡，则反馈系数的上限值为多少分贝？简述理由。 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1 第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案
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