半导体发展简史

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半導體產業篇名

半導體產業作者

李鎮宇。市立三民高中。二年六班張傑浩。市立三民高中。二年六班張碩文。市立三民高中。二年六班

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半導體產業壹●前言自從有人類以來,已經過了上百萬年的歲月。社會的進步可以用當時人類使用的器物來代表,從遠古的石器時代、到銅器,再進步到鐵器時代。現今,以矽為原料的電子元件產值,則超過了以鋼為原料的產值,人類的歷史因而正式進入了一個新的時代,也就是矽的時代。矽所代表的正是半導體元件,包括記憶元件、微處理機、邏輯元件、光電元件與偵測器等等在內,舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車,這些半導體元件無時無刻都在為我們服務。矽是地殼中最常見的元素,許多石頭的主要成分都是二氧化矽,然而,經過數百道製程做出的積體電路,其價值可達上萬美金;把石頭變成矽晶片的過程是一項點石成金的成就,也是近代科學的奇蹟!在日本,有人把半導體比喻為工業社會的稻米,是近代社會一日不可或缺的。在國防上,惟有紮實的電子工業基礎,才有強大的國防能力,1991 年的波斯灣戰爭中,美國已經把新一代電子武器發揮得淋漓盡致。從 1970 年代以來,美國與日本間發生多次貿易摩擦,但最後在許多項目美國都妥協了,但是為了半導體,雙方均不肯輕易讓步,最後兩國政府慎重其事地簽訂了協議,足證對此事的重視程度,這是因為半導體工業發展的成敗,關係著國家的命脈,不可不慎。在台灣,半導體工業是新竹科學園區的主要支柱,半導體公司也是最賺錢的企業,台灣如果要成為明日的科技矽島,半導體工業是我們必經的途徑。貳●正文半導體的定義與製造流程所謂的半導體,是指在某些情況下,能夠導通電流,而在某些條件下,又具有絕緣體效用的物質;而至於所謂的 IC,則是指在一半導體基板上,利用氧化、蝕刻、擴散等方法,將眾多電子電路組成各式二極體、電晶體等電子元件,作在一微小面積上,以完成某一特定邏輯功能(例如:AND、OR、NAND 等),進而達成預先設定好的電路功能。隨著技術的進步,在一單一晶片聚集佰萬顆以上電晶體的IC,已非難事。一般而言,一顆 IC 的完成,通常先後需經過電路設計、光罩製作、晶片製造、晶片封裝和測試檢查等步驟。 IC 的上市,挾其輕、薄、短、小、省電、多功能、低成本等特長,席捲大半的半導體市場,成為半導體的主流產品。若按其製程技術來區分,可大略分為 Bipolar 和 MOS ( Metal Oxide Silicon )二大類。其中 Bipolar 製程技術發展較早,但集積度

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半導體產業較低且較耗電,除少數特定用途需較快工作速度和耐較高電壓的場合外;MOS 製程的產品已攻佔了絕大多數的應用市場。二、半導體的起源與電晶體的發明在二十世紀的近代科學,特別是量子力學發展知道金屬材料擁有良好的導電與導熱特性,而陶瓷材料則否,性質出來之前,人們對於四周物體的認識仍然屬於較為巨觀的瞭解,那時已經介於這兩者之間的,就是半導體材料。英國科學家法拉第(Michael Faraday, 1791~1867),在電磁學方面擁有許多貢獻,但較不為人所知的,則是他在 1833 年發現的其中一種半導體材料:

硫化銀,因為它的電阻隨著溫度上升而降低,當時只覺得這件事有些奇特,並沒有激起太大的火花;然而,今天我們已經知道,隨著溫度的提升,晶格震動越厲害,使得電阻增加,但對半導體而言,溫度上升使自由載子的濃度增加,反而有助於導電,這也是半導體一個非常重要的物理性質。 1874 年,德國的布勞恩(Ferdinand Braun,1850~1918),注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關,這就是半導體的整流作用。但直到 1906 年,美國電機發明家匹卡(G. W. Pickard,1877~1956),才發明了第一個固態電子元件:無線電波偵測器(cat’s whisker),它使用金屬與矽或硫化鉛相接觸所產生的整流功能,來偵測無線電波。在整流理論方面,德國的蕭特基(Walter Schottky,1886~1976)在 1939 年,於「德國物理學報」發表了一篇有關整流理論的重要論文,做了許多推論,他認為金屬與半導體間有能障(potential barrier)的存在,其主要貢獻就在於精確計算出這個能障的形狀與寬度。至於現在為大家所接受的整流理論,則是 1942 年,由索末菲(Arnold Sommerfeld, 1868~1951)的學生貝特(Hans Bethe,1906~ )所發展出來,他提出的就是熱電子發射理論(thermionic emission),這些具有較高能量的電子,可越過能障到達另一邊,其理論也與實驗結果較為符合。在半導體領域中,與整流理論同等重要的,就是能帶理論。布洛赫(Felix Bloch,1905~1983)在這方面做出了重要的貢獻,其定理是將電子波函數加上了週期性的項,首開能帶理論的先河。另一方面,德國人佩爾斯(Rudolf Peierls, 1907~ ) 於 1929 年,則指出一個幾乎完全填滿的能帶,其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋,這就是電洞概念的濫觴;他後來提出的微擾理論,解釋了能隙(Energy gap) 存在。早在 1930 與 1940 年代,使用半導體製作固態放大器的想法就持續不絕;第一個有實驗結果的放大器是 1938 年,由波歐(Robert Pohl, 1884~1976)與赫希(Rudolf Hilsch)所做的,使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極,儘管其操作頻率只有一赫茲,並無實際用途,卻證明了類似真空管的固態三端子元件的實用性。

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半導體產業二次大戰後,美國的貝爾實驗室(Bell Lab),決定要進行一個半導體方面的計畫,目標自然是想做出固態放大器,它們在 1945 年 7 月,成立了固態物理的研究部門,經理正是蕭克萊(William Shockley, 1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。由於使用場效應(field effect)來改變電導的許多實驗都失敗了,巴丁(John Bardeen, 1908~1991)推定是因為半導體具有表面態(surface state)的關係,為了避開表面態的問題,1947 年 11 月17 日,巴丁與布萊登(Walter Brattain 1902~1987)在矽表面滴上水滴,用塗了蠟的鎢絲與矽接觸,再加上一伏特的電壓,發現流經接點的電流增加了!但若想得到足夠的功率放大,相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英吋以下。12 月 16 日,布萊登用一塊三角形塑膠,在塑膠角上貼上金箔,然後用刀片切開一條細縫,形成了兩個距離很近的電極,其中,加正電壓的稱為射極 (emitter),負電壓的稱為集極 (collector),塑膠下方接觸的鍺晶體就是基極 (base),構成第一個點接觸電晶體 (point contact transistor),1947 年 12 月 23 日,他們更進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器,該日因而成為電晶體正式發明的重大日子。另一方面,就在點接觸電晶體發明整整一個月後,蕭克萊想到使用 p-n 接面來製作接面電晶體 (junction transistor) 的方法,在蕭克萊的構想中,使用半導體兩邊的 n 型層來取代點接觸電晶體的金屬針,藉由調節中間 p 型層的電壓,就能調控電子或電洞的流動,這是一種進步很多的電晶體,也稱為雙極型電晶體 (bipolar transistor),但以當時的技術,還無法實際製作出來。電晶體的確是由於科學發明而創造出來的一個新元件,但是工業界在 1950 年代為了生產電晶體,卻碰到許多困難。1951 年,西方電器公司(Western Electric)開始生產商用的鍺接點電晶體,1952 年 4 月,西方電器、雷神

(Raytheon)、美國無線電 (RCA) 與奇異(GE)等公司,則生產出商用的雙極型電晶體。但直到1954 年 5 月,第一顆以矽做成的電晶體才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發成功;約在同時,利用氣體擴散來把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室與奇異公司研發出來;在 1957 年底,各界已製造出六百種以上不同形式的電晶體,使用於包括無線電、收音機、電子計算機甚至助聽器等等電子產品。早期製造出來的電晶體均屬於高台式的結構。1958 年,快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)發展出平面工藝技術(planar technology),藉著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧,可以很容易地在矽晶片的同一面製作半導體元件。1960 年,磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發展出來了。至此,半導體工業獲得了可以批次 (batch)生產的能力,終於站穩腳步,開始快速成長。三、半導體產業在整體經濟上的重要性早期半導體產業多集中在日本、美國、西歐等地區發展,而亞洲地區一開始大多

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半導體產業以後段的封裝製程為主。然而韓國至 1980 年代末期、台灣自 1990 年初開始,則對困難度較高的半導體前段製程(亦即晶圓製造)進行大規模投資,同時新加坡也不甘示弱的繼台灣之後進行大手筆投資,於是以往半導體產業集中在美國、日本、西歐等地的情況,已經大為改變,現在全球半導體的製造重心,已經轉向到台灣、韓國、新加坡了。我國的半導體產業經過 30 多年的發展,目前已稍有成就,僅次於美國、日本、韓國等三國,居全球第四位的 IC 生產大國,是我國最具發展潛力的高科技產業之一,在我國整體產業結構中也佔有重要的比重。雖然國內積體電路產業的萌芽,是自 1966 年由外商來台設立封裝工廠開始,但當時只是以廉價的勞力作為考量,直到台灣第一家晶圓廠聯電在新竹科學園區成立後,才算正式進入積體電路產業的新紀元。當初在工研院電子工業研究所從事於技術的研究開發,而科學園區則提供一個完善的設廠孕育環境,兩者搭配下,包括聯電、台積電、台灣光罩、世界先進等公司陸續衍生成立,把台灣的半導體產業帶向了世界競爭的舞台,創造了今日「矽島」的傑出成就。尤其是在 1990 年代開始,國內多家半導體晶圓製造廠陸續成立,不僅帶動 IC 上下游產業,包括設計、封裝、測試業產值起飛,而且相關產業晶圓材料、設備、化學品、光罩等業別也趁勢興起,因而奠定了台灣現在是全世界第四大 IC 供應大國的傑出地位。若就國民生產毛額(G D P)的觀點而言,在 1999 年時,我國電子業佔總體製造業的比重(GDP 基礎)為 25.9%,IC 則佔電子業的 19.97%。雖然比重還不算太高,但是其影響力卻非常的大。舉例來說,在國內的證券集中市場或店頭市場,IC 相關類股的成交量與價格走勢,對於大盤都有很明顯、直接的影響,台積電、聯電等公司的資本額、市值,更是國內上市上櫃公司中極為龐大、最具影響力的公司。此外,就國內的製造業而言,科技業已成為未來發展的主力所在,科技實力更是評估一個國家競爭力強弱的重要指標。而新竹科學園區可說是國內高科技產業的重心所在,尤其對台灣的積體電路產業而言,幾乎所有的晶圓廠及為數甚多的 IC 設計業、測試業者,均於科學園區內設立有據點,至於設在科學園區附近的公司,也是多如牛毛。因此,若要探討 IC 產業在台灣的重要性,那麼拿它來與全國科技重心所在的新竹科學園區的其他高科技產業一併比較,應該是個相當好的指標。在今日的新竹科學園區六大產業中,單單積體電路產業的營業額高達新台幣 3,608 元,就佔園區總產值 6,509 億的 55.43%,比重之大、貢獻之高,以上數字說明一切。而在園區六大產業的總研發經費 245 億元中,積體電路產業更佔了其中的 68.73%,在園區實收資本額 5,660 億元中,積體電路產業也佔了 71.76%,因此,

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半導體產業若說台灣的產業應該朝向資本密集、技術密集的路線來發展,那麼由以上數據來看,積體電路產業正可以說是其中的典範了。四、台灣整體半導體產業概覽在低價電腦旋風、網際網路/電子商務興起、行動電話市場快速成長的促動下,1999 年全球半導體市場規模達 1,494 億美元,較之 1998 年成長近 19%。在國內的表現方面,1999年國內的 IC 需求市場規模達 107 億美元,較前一年成長了近 26 %,佔全球 IC 市場 8.2 %、亞太地區市場的 33.1 % 比重。也由於國產 IC 產品十分具有價格競爭力,再加上產品品質的提升,因此使得在 1999 年的 IC 進口產品的替代率大幅提昇,自給率由 1998 年的 22 % 大幅上升至 31 %。在國內 IC 產業的總體表現上,受到產能利用率提高、DRAM 價格回升、代工價格上漲、DRAM 製程微縮效應、投資效益顯現的推升下,1999 年我國 IC 產業產值達新台幣4,235 億元,成長率達 49.4 %,其中又以設計業近六成的成長,最是耀眼。在自有產品的表現上,1999 年國內 IC 產品產值達新台幣 1,987 億元,比前一年大幅成長了 62.2 %。其中仍以記憶體為最大宗,但所佔比重卻已有衰退;資訊應用雖仍為主流,但受到網際網路風行、IA 興起,已有逐漸轉向通訊及消費性 IC 的趨向。至於國產 IC 的主要市場仍以國內為主,佔了五成五,且有逐年增加的趨勢。專業分工之產業結構是我國半導體產業與國外最大之不同點。然而,在快速變遷之產業環境,以及日益擴大之資本設備投資額下,我國獨特之專業分工模式,確實符合了產業趨勢需求。國際大廠多以設計、製造、封裝、測試,甚至系統產品等上下游垂直整合方式經營,而國內上、下游水平分工的經營型態,確實與眾不同。在集中資源於單一產業領域之術業專攻模式進行下,這幾年也確實獲得相當好的成效。參●結論按照目前的半導體景氣趨勢來看,2000 年全球的半導體市場應該會成長 30 %以上,在全球電子、資訊、通訊、數位消費性電子需求市場持續熱絡的助力下,相信未來我國的半導體產業一定仍會有相當亮麗的成果展現,各別產業的產值成長率將有三成到一倍不等的高成長這其中又將以 IC 製造業的產值成長表現為最好,。就國內的各項產業來分析,半導體產業在未來幾年內仍舊會是當紅的明星產業之一,況且隨著台南科學園區的迅速發展,在未來的五到十年內,半導體產業仍會

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半導體產業有相當高幅度的成長表現。在業者大幅擴廠的情況下,對於相關人才的招募,仍舊存在有相當龐大的需求,因此對於電機、電子、材料、物理等相關系所的研發、製程專業人才,仍會有相當高度的需求;同時,在產業逐漸走向國際化、專業化的過程當中,對於國際行銷、策略規劃、法務、智權、財務管理等的相關人才,也有非常迫切的需求。因此,具有上述背景的專業人士,應該具有相當多的工作機會。雖然 IC 產業的從業人員,給予外界的感覺是擁有高物質報酬的年輕嬌客群,而且不可諱言的,有許多目前志在進入這個行業的人士,目的也只是為了追逐高的金錢收入。但是,在此必須奉勸真心有志於在此行業耕耘的有識之士,目光必須放遠一些,不應該老把重心都放在金錢、物質的追求上,應該在自己的專業領域上多加鑽研、不斷持續的學習,讓自己能隨著環境不斷的成長,如此才不至於在週遭追逐金錢的同僚中,迷失了自己。況且,現在所見的股票價值、金錢報酬是短暫的、未必實在的,自我本身實力的奠定才是永久、真實的。只要價值觀正確,實力基礎紮實,在這個行業中其實並不愁找不到更好的工作機會來發揮長才。園區、產業地理位置就那麼一點大,業界消息的往來更是十分頻繁,口碑相傳的效應是非常驚人的,因此,好的人才是不會寂寞的,短視近利者更終將被排斥。總之,眼光能放遠放長的聰明人,總是會處在事求人的機會中,反倒是那些短視近利的人,恐怕終究會淪陷在人求事的泥沼中。肆●引註資料註一、半導體產業 IChttps://www.360docs.net/doc/8715090847.html,.tw/employee/emp/001/002/ba1/ 註二、世界與我

國半導體演進史 https://www.360docs.net/doc/8715090847.html,.tw/history/history1.htm

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半导体发展简史

篇名 半導體產業 作者 李鎮宇。市立三民高中。二年六班張傑浩。市立三民高中。二年六班張碩文。市立三民高中。二年六班

壹●前言 自從有人類以來,已經過了上百萬年的歲月。社會的進步可以用當時人類使用的器物來代表,從遠古的石器時代、到銅器,再進步到鐵器時代。現今,以矽為原料的電子元件產值,則超過了以鋼為原料的產值,人類的歷史因而正式進入了一個新的時代,也就是矽的時代。矽所代表的正是半導體元件,包括記憶元件、微處理機、邏輯元件、光電元件與偵測器等等在內,舉凡電視、電話、電腦、電冰箱、汽車,這些半導體元件無時無刻都在為我們服務。 矽是地殼中最常見的元素,許多石頭的主要成分都是二氧化矽,然而,經過數百道製程做出的積體電路,其價值可達上萬美金;把石頭變成矽晶片的過程是一項點石成金的成就,也是近代科學的奇蹟! 在日本,有人把半導體比喻為工業社會的稻米,是近代社會一日不可或缺的。在國防上,惟有紮實的電子工業基礎,才有強大的國防能力,1991年的波斯灣戰爭中,美國已經把新一代電子武器發揮得淋漓盡致。從1970年代以來,美國與日本間發生多次貿易摩擦,但最後在許多項目美國都妥協了,但是為了半導體,雙方均不肯輕易讓步,最後兩國政府慎重其事地簽訂了協議,足證對此事的重視程度,這是因為半導體工業發展的成敗,關係著國家的命脈,不可不慎。在台灣,半導體工業是新竹科學園區的主要支柱,半導體公司也是最賺錢的企業,台灣如果要成為明日的科技矽島,半導體工業是我們必經的途徑。 貳●正文 半導體的定義與製造流程 所謂的半導體,是指在某些情況下,能夠導通電流,而在某些條件下,又具有絕緣體效用的物質;而至於所謂的IC,則是指在一半導體基板上,利用氧化、蝕刻、擴散等方法,將眾多電子電路組成各式二極體、電晶體等電子元件,作在一微小面積上,以完成某一特定邏輯功能(例如:AND、OR、NAND等),進而達成預先設定好的電路功能。隨著技術的進步,在一單一晶片聚集佰萬顆以上電晶體的IC,已非難事。 一般而言,一顆IC的完成,通常先後需經過電路設計、光罩製作、晶片製造、晶片封裝和測試檢查等步驟。 IC的上市,挾其輕、薄、短、小、省電、多功能、低成本等特長,席捲大半的半導體市場,成為半導體的主流產品。若按其製程技術來區分,可大略分為Bipolar 和MOS ( Metal Oxide Silicon )二大類。其中Bipolar製程技術發展較早,但集積度

半导体物理学基础知识_图文(精)

1半导体中的电子状态 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子的运动有效质量 1半导体中E与K的关系 2半导体中电子的平均速度 3半导体中电子的加速度 1.4半导体的导电机构空穴 1硅和锗的导带结构 对于硅,由公式讨论后可得: I.磁感应沿【1 1 1】方向,当改变B(磁感应强度)时,只能观察到一个吸收峰 II.磁感应沿【1 1 0】方向,有两个吸收峰 III.磁感应沿【1 0 0】方向,有两个吸收峰 IV磁感应沿任意方向时,有三个吸收峰 2硅和锗的价带结构 重空穴比轻空穴有较强的各向异性。 2半导体中杂质和缺陷能级 缺陷分为点缺陷,线缺陷,面缺陷(层错等 1.替位式杂质间隙式杂质

2.施主杂质:能级为E(D,被施主杂质束缚的电子的能量状态比导带底E(C低ΔE(D,施主能级位于离导带底近的禁带中。 3. 受主杂质:能级为E(A,被受主杂质束缚的电子的能量状态比价带E(V高ΔE(A,受主能级位于离价带顶近的禁带中。 4.杂质的补偿作用 5.深能级杂质: ⑴非3,5族杂质在硅,锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远,离价带顶也较远,称为深能级。 ⑵这些深能级杂质能产生多次电离。 6.点缺陷:弗仑克耳缺陷:间隙原子和空位成对出现。 肖特基缺陷:只在晶体内部形成空位而无间隙原子。 空位表现出受主作用,间隙原子表现出施主作用。 3半导体中载流子的分布统计 电子从价带跃迁到导带,称为本征激发。 一、状态密度 状态密度g(E是在能带中能量E附近每单位间隔内的量子态数。 首先要知道量子态,每个量子态智能容纳一个电子。 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目,随电子的能量按抛物线关系增大,即电子能量越高,状态密度越大。 二、费米能级和载流子的统计分布

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。 1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI (甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂

半导体物理知识点总结

半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时,引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴散射的概念。最后,介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节,半导体的几种常见晶体结构及结合性质。(重点掌握)在1.2节,为了深入理解能带的形成,介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较,在此基础上引入本征激发的概念。(重点掌握)在1.3节,引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。(重点掌握)在1.4节,阐述本征半导体的导电机构,由此引入了空穴散射的概念,得到空穴的特点。(重点掌握)在1.5节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。(理解即可)在1.6节,介绍Si、Ge的能带结构。(掌握能带结构特征)在1.7节,介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构,主要了解GaAs的能带结构。(掌握能带结构特征)本章重难点: 重点: 1、半导体硅、锗的晶体结构(金刚石型结构)及其特点; 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同:孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动,自由电子是在恒定为零的势场中运动,而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动(共有化运动),单电子近似认为,晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂,是形成半导体能带的原因,半导体能带的特点: ①存在轨道杂化,失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带,上能带称为导带,下能带称为价带②低温下,价带填满电子,导带全空,高温下价带中的一部分电子跃迁到导带,使晶体呈现弱导电性。

GaN基半导体材料发展历史和现状

GaN基半导体材料发展历史和现状 20世纪90年代中期,日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光LED的关键技术。GaN基蓝色LED的出现,大大扩展了LED的应用领域,从此掀开了第三代半导体材料GaN基半导体照明的革命。 GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优异性能,具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。 衬底材料的选择 [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小; [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强; [3]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀; [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小; [5]导电性好,能制成上下结构; [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收小; [7]机械性能好,器件容易加工,包括减薄、抛光和切割等; [8]价格低廉; [9]大尺寸,一般要求直径不小于2英吋。 GaN器件目前存在的问题 GaN材料折射率(2.5),高于蓝宝石衬底(1.7)以及外部封装树脂(1.5) Snell定律è临界角23度 有源区产生的光子在GaN 上下界面发生多次全反射,严重降低器件的光提取效率。 大量不能出射的光转化为热能,提高节温,加剧晶格振动,影响内部量子效率,降低寿命。 提高外量子效率的方法 在p 型GaN材料或铟锡氧化物(ITO)层表面制作二维结构来提高器件的光提取效率; 在蓝宝石衬底的底面制作类似透镜阵列的结构来提高底面的光提取效率; 在蓝宝石衬底制作二维结构,然后生长GaN材料制作成器件。patterned sapphire substrates 研究表明,第三种方法同时具有提高内量子效率和提取效率的效果。 相对于普通蓝宝石衬底,在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷,外延层晶体质量明显提高。另外,当光从外延层进入图形衬底时,会形成反射,从而改善GaN基发光二极管出光率。

(完整版)半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题: 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。 答: 能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。 单电子近似: 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似: 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案: 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数,而且某些能量区间能级是准连续的(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。从而利用量子力学的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k

半导体材料的历史现状及研究进展(精)

半导体材料的研究进展 摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。 关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势 一、半导体材料的发展历程 半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。 新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光

半导体物理知识点梳理

半导体物理考点归纳 一· 1.金刚石 1) 结构特点: a. 由同类原子组成的复式晶格。其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成 b. 属面心晶系,具立方对称性,共价键结合四面体。 c. 配位数为4,较低,较稳定。(配位数:最近邻原子数) d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。 2) 代表性半导体:IV 族的C ,Si ,Ge 等元素半导体大多属于这种结构。 2.闪锌矿 1) 结构特点: a. 共价性占优势,立方对称性; b. 晶胞结构类似于金刚石结构,但为双原子复式晶格; c. 属共价键晶体,但有不同的离子性。 2) 代表性半导体:GaAs 等三五族元素化合物均属于此种结构。 3.电子共有化运动: 原子结合为晶体时,轨道交叠。外层轨道交叠程度较大,电子可从一个原子运动到另一原子中,因而电子可在整个晶体中运动,称为电子的共有化运动。 4.布洛赫波: 晶体中电子运动的基本方程为: ,K 为波矢,uk(x)为一个与晶格同周期的周期性函数, 5.布里渊区: 禁带出现在k=n/2a 处,即在布里渊区边界上; 允带出现在以下几个区: 第一布里渊区:-1/2a

半导体的发展历程

半导体的发展历程 半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。材料的导电性是由“传导带”(conduction band)中含有的电子数量决定。当电子从“价带”(valence band)获得能量而跳跃至“导电带”时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。基本简介 半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。 无线-潜力大 由于智能型手机消费者需求的增加,无线市场目前是半导体应用中,成长扩大速度最快的一个领域。随着智能型手机需求的增加,而朝向无线基地台的普及及网路基本设备的扩展发展。Databeans在该报告中指出,通讯应用的各部门均分成无线市场与有线市场两大类。分类为「无线」的产品包含行动电话(功能型手机,智能型手机)、无线基本设备(行动电话基地台等)、短距离无线(802.11、蓝牙,ZigBee,NFC)、及其他无线(无线电芯片等)部门。将无线市场视为单一部门来看,则该市场规模在半导体领域上,是仅次于计算机市场的第二大市场。2012年预计全球市场的销售额将比前一年增加6%,达到约755亿美金。这是约占半导体全球市场的25%市占率的水准。更进一步来看,无线市场是半导体消费整体市场中成长率最高的部门,预计接下来的五年间,成长率将大于整体市场的成长率。 主要特点 半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。 ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 电子-模型图自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。 动态平衡:在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。 载流子的浓度与温度的关系:温度一定,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键束缚的自由电子增多,空穴

半导体物理知识

半导体物理知识整理

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基础知识 1.导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同?并以此说明半导体的导电机理(两种载流子参与导电)与金属有何不同? 导体:能带中一定有不满带 半导体:T=0K,能带中只有满带和空带;T>0K,能带中有不满带 禁带宽度较小,一般小于2eV 绝缘体:能带中只有满带和空带 禁带宽度较大,一般大于2eV 在外场的作用下,满带电子不导电,不满带电子可以导电 总有不满带的晶体就是导体,总是没有不满带的晶体就是绝缘体 半导体不时最容易导电的物质,而是导电性最容易发生改变的物质,用很方便的方法,就可以显著调节半导体的导电特性 金属中的电子,只能在导带上传输,而半导体中的载流子:电子和空穴,却能在两个通道:价带和导带上分别传输信息 2.什么是空穴?它有哪些基本特征?以硅为例,对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。 当满带附近有空状态k’时,整个能带中的电流,以及电流在外场作用下的变化,完全如同存在一个带正电荷e和具有正有效质量|m n* | 、速度为v(k’)的粒子的情况一样,这样假想的粒子称为空穴 3.半导体材料的一般特性。 电阻率介于导体与绝缘体之间 对温度、光照、电场、磁场、湿度等敏感(温度升高使半导体导电能力增强,电阻率下降;适当波长的光照可以改变半导体的导电能力) 性质与掺杂密切相关(微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力) 4.费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么?什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数。为什么通常情况下,半导体中载流子分布都可以

从半导体材料的发展看科学发展的普遍规律

从半导体材料的发展看科学发展的普遍规律 应数11 史益帆 2110908011 在人类文明的进程中,半导体材料的发现和应用无疑是其中值得大书特书的部分。很难想象没有半导体材料的世界会是怎样不同的模样。没有电子计算机,没有便捷的通信和网络,人类文明的发展的速度也会因此放慢许多。无需置疑,半导体材料在现在和将来很长一段时间里都将是科学研究的重要命题。作为这样一种重要的材料,其发展过程同其他许多重大发现一样充满了曲折,但人类的伟大往往在于坚持,也正是这样的曲折见证了科学的精神和智慧的光芒。我将从这段科学的发展谈起,通过半导体材料的发展探索科学发展的普适规律。 “半导体”这个词最早出现在1782年,Alexander Volta在他给伦敦皇家学会会刊的一篇文章中提到“半导体”这个概念。Volta 当时做了一个实验,目的是检验一个充电的静电计在与不同物质接触时的放电情况。通过这种方法,Volta能够区别金属、绝缘体和半导体。早期对于半导体的理解当然是肤浅的,科学家只是停留在表观上,以半导体指代那些导电性介于导体和绝缘体之间的物质。当时也有很多物理学家认为没有必要在半导体上浪费时间,因为当时作为半导体主要研究材料的是Ag2S,由其获得可重复性的实验结论较难,还有人怀疑半导体是否真正存在,有人甚至宣称:研究半

导体意味着科学的自杀。 我常常很敬佩那些迎难而上的科学家,尤其是那些在不被多数理解时却依然愿意在自己的科研领域默默耕耘的人。不得不承认,伟大的发现和创意往往在最初不被人看好,半导体并不是唯一遭此命运的一类物质。我们今天熟知的光纤在一开始同样不被人看好,致力于光纤研究的高锟当时还被人称作“疯子”。确实,要想让光纤达到普及,对技术和成本的要求都很高,但其最终的成功却是让世人惊艳的,高锟也最终因此获得了诺贝尔物理学奖。其实,这条规律也不只是在物理学、在科学上适用,在生活的方方面面我们都可以看到,越是走在时代前列的人就越是孤独。因此有人说,要想成为伟大的科学家,最重要的也许不是你的学识智力,而是你的精神,那种耐得住寂寞,安于自己本心而不为外物所干扰的定力。古往今来的事实皆表明,人云亦云只会始终平庸,有勇气独辟蹊径方能成就大业。 对半导体有更深一步的认识是在20世纪30年代后期,伴随它的是更先进的检测方法使得对纯度、化学计量比和晶格的精确控制成为可能。这正如光学显微镜、电子显微镜的发明都对各个学科的发展都产生了深远影响一样。中国古人说:工欲善其事,必先利其器。为了使科学中的量化成为可能,精密的测量是不可缺少的。尤

半导体物理答案知识讲解

半导体物理答案

一、选择 1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量(比半导体的大); 2.室温下,半导体Si 掺硼的浓度为1014cm -3,同时掺有浓度为1.1×1015cm -3的磷,则电子 浓度约为(1015cm -3 ),空穴浓度为(2.25×105cm -3 ),费米能级为(高于E i );将该半导 体由室温度升至570K ,则多子浓度约为(2×1017cm -3),少子浓度为(2×1017cm -3),费米 能级为(等于E i )。 3.施主杂质电离后向半导体提供(电子),受主杂质电离后向半导体提供(空穴),本征 激发后向半导体提供(空穴、电子); 4.对于一定的n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致(E F )靠近E i ; 5.表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为(施主态); 6.当施主能级E D 与费米能级E F 相等时,电离施主的浓度为施主浓度的(1/3)倍; 重空穴是指(价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴) 7.硅的晶格结构和能带结构分别是(金刚石型和间接禁带型) 8.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体(各元胞对应点出现的几率相同)。 9.本征半导体是指(不含杂质与缺陷)的半导体。 10.简并半导体是指((E C -E F )或(E F -E V )≤0)的半导体 11.3个硅样品的掺杂情况如下: 甲.含镓1×1017cm -3;乙.含硼和磷各1×1017cm -3;丙.含铝1×1015cm -3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高(以E V 为基准)的顺序是(甲丙乙) 12.以长声学波为主要散射机构时,电子的迁移率μn 与温度的(B 3/2次方成反比) 13.公式*/q m μτ=中的τ是载流子的(平均自由时间)。 14.欧姆接触是指(阻值较小并且有对称而线性的伏-安特性)的金属-半导体接触。 15.在MIS 结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压,在栅极电压由负值增加到足够大 的正值的的过程中,如半导体为P 型,则在半导体的接触面上依次出现的状态为(多数载 流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态)。 16.在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带(曲 率小),对应的有效质量(大),称该能带中的空穴为(重空穴E )。 17.如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(两性杂质)。 18.在通常情况下,GaN 呈(纤锌矿型 )型结构,具有(六方对称性),它是(直接带 隙)半导体材料。 19.同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4, m n */m 0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是(甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的 弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 )。 20.一块半导体寿命τ=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的(1/e 2)。 21.对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够 高、n i >> /N D -N A / 时,半导体具有 (本征) 半导体的导电特性。 22.在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向 (Ev )移动;当掺杂浓度一定时,温度从室温逐步增加,费米能级向( Ei )移动。 23.把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现(产生等电子 陷阱)。 24.对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与(非平衡载流子 浓度成反比)。

半导体的发展与历史-13页word资料

半导体的历史 2.1 The life before semiconductor 在没有半导体的存在之前,我们的生活会是如何的呢? 这些 非常微小的集成电路芯片虽然在我们日常生活中不易被我 们发现,不过他们很明确的隐藏在我们的生活周遭: 几乎所 有我们使用的电子相关产品,计算机相关组件里都有这些半 导体的存在。所以如果我们生活中缺少了这些小东西,可以说是非常的不方便,经济发展也一定受到影响。在1950年代贝尔实验室研究发展出最原始的半导体之前当时的电子 设备如同:收音机或是一些影像相关的电子仪器都是使用一种叫做真空管的零件在控制系统中的电子.这些使用真空管 的电子仪器成为了日后在地二次世界大战中扮演了极重要 的角色的雷达、微波以及导航系统的基石,也完全改变了历史的发展。.真空管也被使用在早期的计算机之中,而且就 算到了最近半导体高度发展的社会之中,真空管还使有备使用在电视还high power radio frequency transmitters之 中。 2.2 Innovation begins 在第二次世界大战刚结束不久的1947年三位贝尔实验室的 科学家的研究使得世界上第一个bipolar transistors 问世, 带领了人类迈向电子仪器还有产品的新纪元。这三位科学 家分别是: Jack S.Kilby, William Shockley and Robert

Noyce. Jack S.Kilby 生于1923年于美国Kansas洲,他的父亲是一位amateur radio operator 也因为他父亲的工作性质使得年轻的jack 对于电子相关的领域产生了浓厚的兴趣. 之后随着他的兴趣发展,他就读于University of Illinois并且在1947年毕业,之后在1958年进入了德州仪器工作。当他在德州仪器就义的期间他解决了一个叫做“tyranny of numbers”的问题,他利用一小块germanium 并在接上示波器, 按了一个开关,结果示波器上面显示了连续的sin的波, 这证明了他的集成电路是确实在运作的,也同时表示他解决了这个问题。他的第一项专利是“Solid Circuit made of Germanium”。顺代一题众所皆知的可携带式的电子计算器还有thermal printer都是他60几项的专利之一。. 在1970到1980年代中叶 Jack 在Texas A&M University的电机工程系教书,。不久之后他就离开了德州仪器. 他在2000年的时候荣获了科学界最高的荣耀---诺贝尔对于他所发明的集成电路。五年之后这位伟大的科学家因为癌正而逝世于2005 年。 William Shockley 生于1910年的伦敦,他虽然在英国出生可是他的父母都是美国人,之后他大部分的童年都在美国California渡过; 他在1936年在麻省理工学院获得了他的博士学位。在他获得了博士学位之后他就近入了贝尔实验

半导体物理与器件基础知识

9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触:通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时,在未接触时,半导体的费米能级高于金属的费米能级,接触后,半导体的电子流向金属,使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处,场强达到最大值,由于金属中场强为零,所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素:肖特基效应的影响,即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图: 电流——电压关系:金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流,而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线:反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较:1.反向饱和电流密度(同上),有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件,加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触 附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结:两种不同的半导体形成一个结 小结:1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时,半导体与金属之间的势垒高度降低,电子很容易从半导体流向金属,称为热电子发射。 2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大,因此达到相同电流时,肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结,两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管,是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高,集电区掺杂浓度最低 附常规npn截面图 造成实际结构复杂的原因是:1.各端点引线要做在表面上,为了降低半导体的电阻,必须要有重掺杂的N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管,各自必须隔离,应为不是所有的集电极都是同一个电位。 通常情况下,BE结是正偏的,BC结是反偏的。称为正向有源。附图: 由于发射结正偏,电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏,所以在BC结边界,理想情况下少子电子浓度为零。 附基区中电子浓度示意图: 电子浓度梯度表明,从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区,

半导体材料的发展历史

半导体材料的发展历史 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

半导体材料的发展历史 1833年,英国法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久, 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应,虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 前言 自从有人类以来,已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表,从远古的石器时代、到铜器,再进步到铁器时代。现今,以硅为原料的电子元件产值,则超过了以钢为原料的产值,人类的历史因而正式进入了一个新的时代,也就是硅的时代。硅所代表的正是半导体元件,包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内,举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车,这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。 硅是地壳中最常见的元素,许多石头的主要成分都是二氧化硅,然而,经过数百道制程做出的积体电路,其价值可达上万美金;把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就,也是近代科学的奇迹! 在日本,有人把半导体比喻为工业社会的稻米,是近代社会一日不可或缺的。在国防上,惟有扎实的电子工业基础,才有强大的国防能力,1991年的波斯湾战争中,美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年代以来,美国与日本间发生多次贸易摩擦,但最后在许多项目美国都妥协了,但是为了半导体,双方均不肯轻易让步,最后两国政府慎重其事地签订了协议,足证对此事的重视程度,这是因为半导体工业发展的成败,关系着国家的命脉,不可不慎。在台湾,半导体工业是新竹科学园区的主要支柱,半导体公司也是最赚钱的企业,台湾如果要成为明日的科技硅岛,半导体工业是我们必经的途径。 半导体的起源 在二十世纪的近代科学,特别是量子力学发展知道金属材料拥有良好的导电与导热特性,而陶瓷材料则否,性质出来之前,人们对于四周物体的认识仍然属于较为巨观的了解,那时已经介于这两者之间的,就是半导体材料。 英国科学家法拉第(Michael Faraday,1791~1867),在电磁学方面拥有许多贡献,但较不为人所知的,则是他在1833年发现的其中一种半导体材料:硫化银,因为它的电阻随着温度上升而降低,当时只觉得这件事有些奇特,并没有激起太大的火花;然而,今天我们已经知道,对于导体来说,随着温度的提升,晶格震动越厉害,使得电阻增加;但对半导体而言,温度上升使自由载子的浓度增加,反而有助于导电,这也是半导体一个非常重要的物理性质。 1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun,1850~1918),注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关,这就是半导体的整流作用。但直到1906年,美国电机发明家匹卡,1877~1956),才发明了第一个固态电子元件:无线电波侦测器(cat’s whisker),它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能,来侦测无线电波。在整流理论方面,德国的萧特基(Walter Schottky,1886~1976)在1939年,于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文,做了许多推论,他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在,其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。至于现在为大家所接受的整流理论,则是1942年由索末菲(Arnold Sommerfeld,1868~1951)的学生贝特(Hans Bethe,1906~ )所发展出来,他提出的就是热电子发射理论(thermionic emission),这些具有较高能量的电子,

半导体材料发展史

1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久, 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 前言 自从有人类以来,已经过了上百万年的岁月。社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表,从远古的石器时代、到铜器,再进步到铁器时代。现今,以硅为原料的电子元件产值,则超过了以钢为原料的产值,人类的历史因而正式进入了一个新的时代,也就是硅的时代。硅所代表的正是半导体元件,包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内,举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车,这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。 硅是地壳中最常见的元素,许多石头的主要成分都是二氧化硅,然而,经过数百道制程做出的积体电路,其价值可达上万美金;把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就,也是近代科学的奇蹟! 在日本,有人把半导体比喻为工业社会的稻米,是近代社会一日不可或缺的。在国防上,惟有扎实的电子工业基础,才有强大的国防能力,1991年的波斯湾战争中,美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。从1970年代以来,美国与日本间发生多次贸易摩擦,但最后在许多项目美国都妥协了,但是为了半导体,双方均不肯轻易让步,最后两国政府慎重其事地签订了协议,足证对此事的重视程度,这是因为半导体工业发展的成败,关系着国家的命脉,不可不慎。在台湾,半导体工业是新竹科学园区的主要支柱,半导体公司也是最赚钱的企业,台湾如果要成为明日的科技硅岛,半导体工业是我们必经的途径。

院士讲材料——半导体材料的发展现状与趋势汇总

主持人: 观众朋友,欢迎您来到CETV学术报告厅,最近美国的一家公司生产出一千兆的芯片,它是超微技术发展史上的一个分水岭,个人电脑业的发展,也将步入一个新的历史阶段,对整个信息业来说,它的意义不亚于飞行速度突破音速的极限,当然整个技术上的突破,也要依赖于以硅材料为基础的大规模集成电路的进一步微型化,50年代以来,随着半导体材料的发现与晶体管的发明,以硅为主的半导体材料,成为整个信息社会的支柱,成为微电子、光电子等高技术产业的核心与基础,这个情况,将会持续到下个世纪的中叶,当然,面对更大信息量的需求,硅电子技术也有它的极限,将会出现新的、替补性的半导体材料。关于半导体材料的发展现状与发展趋势,请您收看中国科学院王占国院士的学术报告。 王占国: 材料已经成为人类历史发展的里程碑,从本世纪的中期开始,硅材料的发现和硅晶体管的发明以及五十年代初期的以硅为基的集成电路的发展,导致了电子工业大革命。今天,因特网、计算机的到户,这与微电子技术的发展是密不可分的,也就是说以硅为基础的微电子技术的发展,彻底地改变了世界的政治、经济的格局,也改变着整个世界军事对抗的形式,同时也深刻影响着人们的生活方式。今天如果没有了计算机,没有了网络,没有了通信,世界会是什么样子,那是可想而知的。从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。 70年代超晶格概念的提出,新的生长设备,像分子束外延和金属有机化合物化学汽相淀积等技术的发展,以及超晶格、量子阱材料的研制成功,使半导体材料和器件的设计思想发生了彻底的改变。就硅基材料的器件和电路而言,它是靠P型与N型掺杂和PN结技术来制备二极管、晶体管和集成电路的。然而基于超晶格、量子阱材料的器件和电路的性质,则不依赖于杂质行为,而是由能带工程设计决定的。也就是说,材料和器件的光学与电学性质,可以通过能带的设计来实现。设计思想从杂质工程发展到能带工程,以及建立在超晶格、量子阱等半导体微结构材料基础上的新型量子器件,极有可能引发新的技术革命。从微电子技术短短50年的发展历史来看,半导体材料的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 现在,我来讲一讲几种重要的半导体材料的发展现状与趋势。我们首先来介绍硅单晶材料。硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路,其中有90%到95%都是用硅材料来制作的。根据预测,到2000年底,它的规模将达到60多亿平方英寸,整个硅单晶材料的产量将达到1万吨以上。目前,8英寸的硅片,已大规模地应用于集成电路的生产。到2000年底,或者稍晚一点,这个预计可能会与现在的情况稍微有点不同,有可能完成由8英寸到12英寸的过渡。预计到2007年前后,18英寸的硅片将投入生产。我们知道,直径18英寸相当于45厘米,一个长1米的晶锭就有几百公斤重。那么随着硅单晶材料的进一步发展,是不是存在着一些问题亟待解决呢?我们知道硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的,它用石墨作为加热器。所以,来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染,使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染,随着硅单晶直径的增大,长度的加长,它的分布也变得不均匀;这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀,会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧,在器件和电路的制作过程中,它要发生沉淀,沉淀时的体积要增大,会导致缺陷产生,这将直接影响器件和电路的性能。因此,为了克服这个困难,满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高,人们不得不采用硅外延片,就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样,可以有效地避免氧和碳等杂质的污染,同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法,还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结,这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产,8英寸的硅外延片,也正在从实验室走向工业生产;更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外,还有一些大功率器件,一些抗辐照的器件和电路等,也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的,它在生长时,不与石英容器接触,材料的纯度可以很高;利用这种材料,采用中子掺杂

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