第一章 电路基础知识
第一章 电路基础知识
§1-1电流和电压
一、填空题
1．_ ___流通的路径称为电路，通常电路是由__ __、__ __、__ __和__ __组成。
2．习惯上规定__ __电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向___ _。
3．金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向__ __。
4．电流分__ __和 两大类，凡____ ___ _的电流称为_ ___，简称 ；凡 的电流称为 ，简称 。．
5．若3 min 通过导体横截面的电荷量是1.8 C ，则导体中的电流是 A 。
6．测量电流时，应将电流表__ __接在电路中，使被测电流从电流表的__ __接线柱流进，从__ __接线柱流出；每个电流表都有一定的测量范围，称为电流表的__ __。
7．电压是衡量__ __做功能力的物理量；电动势表示电源____ __的能力。
8．电路中某点与__ __的电压即为该点的电位，若电路中a 、b 两点的电位分别为
a U 、
b U ，
则a 、b 两点间的电压ab U =__ __；ba U = 。 9．参考点的电位为__ __，高于参考点的电位取__ __值，低于参考点的电位取_ ___值。
10.电动势的方向规定为在电源内部由__ __极指向 极。
11．测量电压时，应将电压表和被测电路__ __联，使电压表接线柱的正负和被测两点的电位__ __。
12.如图1-1所示，电压表的a 应接电阻的_ __端，b 应接电阻的__ __端。电流表的a 应接电阻的__ __端。
一、判断题
( )1．导体中的电流由电子流形成，故电子流动的方向就是电流的方向。
( )2．电源电动势的大小由电源本身性质所决定，与外电路无关。
( )3．电压和电位都随参考点的变化而变化。
图1-1
( )4．我们规定自负极通过电源内部指向正极的方向为电动势
的方向。
． 三、问答题
1．电路主要由哪些部分组成？它们的主要功能是什么？
2．简述电压、电位、电动势的区别。电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因是否一样？
3．什么是电流？电路中存在持续电流的条件是什么？
4．用电流表测量电流时，有哪些注意事项？
四、计算题
1．在5 min 内，通过导体横截面的电荷量为3.6 C ，则电流是多少安？合多少毫安？
2．在图1-2中，当选c 点为参考点时，，已知：a U ＝-6 V ，b U =-3 V ，d U =-2 V ， =-4 V 。求ab U 、cd U 各是多少？若选d 点为参考点，则各点电位各是多少？
图1-2
§1-2电阻
一、填空题
1．根据导电能力的强弱，物质一般可分为、和__ __。
2．导体对电流的__ __作用称为电阻。
3．均匀导体的电阻与导体的长度成__ __比，与导体的横截面积成比，与材料性质有关，而且还与___ _有关。
4．电阻率的大小反映了物质的___ _能力，电阻率小说明物质导电能力，电阻率大说明物质导电能力__ __。
5．电阻率的倒数称为__ __，它表示电流通过的难易程度，其数值越大，表示电流越__ __通过。
6．一般来说，金属的电阻率随温度的升高而_ __，碳等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而__ __。
二、选择题
1．一根导体的电阻为R，若将其从中间对折合并成一根新导线，其阻值为( )。
A．R/2 B．R C.R/4 D．R/8
2．甲乙两导体由同种材料做成，长度之比为3：5，直径之比为2:1，则它们的电阻之比为( )。
A．12：5 B．3：20 C．7:6 D．20：3
3．制造标准电阻器的材料一定是( )。
A．高电阻率材料 B．低电阻率材料 C．高温度系数材料 D．低温度系数材料
4．导体的电阻是导体本身的一种性质，以下说法错误的是( )。
A．和导体面积有关 B．和导体长度有关 C．和环境温度无关 D．和材料性质有关 5．用万用表测量电阻的刻度，下列说法正确的是( )。
A．刻度是线性的 B．指针偏转到最右端时，电阻为无穷大
C．指针偏转到最左端时，电阻为无穷大
6．关于万用表的使用方法，下列说法错误的是( )。
A．在测量过程中，应根据测量量的大小拨动转换开关，为了便于观察，不应分断电源
B．测量结束后，转换开关应拨到交流最大电压挡或空挡
C．测量电阻时，每换一次量程都应调一次零
三、问答题
1．根据物质导电能力的强弱，可分为哪几类？它们各有什么特点？
2．在温度一定的情况下，导体电阻的大小由哪些因素决定？写出导体电阻大小的表达式。
3．用万用表测电阻时，应注意哪几点？
四、计算题
一根铜导线长l =2 000 m ，截面积S=2mm 2，导线的电阻是多少？（铜的电阻率 =1.75 ×l0-8Ω·m ）
若将它截成等长的两段，每段的电阻是多少？若将它拉长为原来的2倍，电阻又将是多少？
§1-3欧姆定律
一、。填空题
1．导体中的电流与这段导体两端的__ __成正比，与导体的__ __成反比。
2．闭合电路中的电流与电源的电动势成__ __比，与电路的总电阻成__ __比。
3．全电路欧姆定律又可表述为：电源电动势等于 与___ _之和。
4．电源__ __随 变化的关系称为电源的外特性。
5．电路通常有__ __、__ __和__ __三种状态。
6．两个电阻的伏安特性如图1-3所示，则a R 比b R ___ _（大、小），a R = ，b R ＝___ _。7．如图1-4所示，在U ＝0.5V 处，1R _ 2R (>、＝、<)，其中1R 是___ _电阻，2R 是_ ___电阻。
8．已知电炉丝的电阻是44Ω，通过的电流是5A ，则电炉所加的电压是___ _V 。
9．电源电动势E=4.5 V ，内阻r ＝0.5Ω，负载电阻R=4Ω，则电路中的电流I= A ，端电压U= V 。
10. 一个电池和一个电阻组成了最简单的闭合回路。当负载电阻的阻值增加到原来的3倍时，电流变为原来的一半，则原来内、外电阻的阻值比为__ __。
11.通常把通过 的负载称为小负载，把通过 的负载称为大负载。
二、判断题
( )1．导体的长度和截面都增大1倍，则其电阻值也增大1倍。
( )2．电阻两端电压为10 V 时，电阻值为10Ω；当电压升至20V ，电阻值将变为20Ω。
( )3.导体的电阻永远不变。
( )4．当电源的内阻为零时，电源电动势的大小就等于电源端电压。
图1-4 图1-3
( )5．当电路开路时，电源电动势的大小为零。
( )6．在通路状态下，负载电阻变大，端电压就变大。
( )7.在短路状态下，端电压等于零。
( )8.在电源电压一定的情况下，电阻大的负载是大负载。
( )9.负载电阻越大，在电路中所获得的功率就越大。
三、选择题
1．用电压表测得电路端电压为零，这说明( )。
A.外电路断路 B．外电路短路 C．外电路上电流比较小 D．电源内电阻为零
2．电源电动势是2V，内电阻是0.1 Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别是( )。
A. 0、2V B．20 A、2V C．20 A、0 D．O、O
3．上题中当外电路短路时，电路中的电流和端电压分别是( )。
A．20 A、2V B．20 A、0 C. O、2V D．O、O
四、计算题
1．有一灯泡接在220 V的直流电源上，此时电灯的电阻为484 Ω，求通过灯泡的电流。
2．某太阳能电池板不接负载时的电压是600μV，短路电流是30 μA，求这块电池板的内阻。
3．已知某电池的电动势为1. 65 V，在电池的两端接有一个阻值为5 Ω的电阻，测得电路中的电流为300 mA，求电池的端电压和内阻。
4．如图1-5所示，已知E=10 V，r=0.1Ω，R=9.9 Ω。试求开关S在不同位置时电流表和电压表的读数。
图1-5
5．某电源的外特性曲1R 线如图1-6所示，求此电源的电动势E 及内阻r 。
五、实验题
图1-7所示为一个用电流表和电阻箱测定电池的电动势和内电阻的实验电路，图中R 是电阻箱电阻。(1)简要说明实验步骤，写出电动势E 和内电阻r 的计算公式。(2)某同学在实验时记录了以下数据：第一次，1R =9.4Ω，1I =0.2 A;第二次，2R =4.4 Ω，2I =0.4 A 。根据这些数据，计算电动势和内电阻的测量值。(3)考虑一下，还可以设计出哪几种测量电动势和内电阻的方法？画出实验电路图。
§1-4电功和电功率
一、填空题
1．电流所做的功，简称__ ，用字母 表示，单位是____；电流在单位时间内所做的功，称为_ ___，用字母 表示，单位是 。
2．电能的另一个单位是____，它和焦耳的换算关系为__________________________。
3．电流通过导体时使导体发热的现象称为____ ____，所产生的热量用字母____表示，单位是 。
4．电流通过一段导体所产生的热量与__ __成正比，与导体的_ ___成正比，与___ _成正比。
5．电气设备在额定功率下的工作状态，叫做__ __工作状态，也叫_ ___；低于额定功率的额定状态叫__ __；高于额定功率的工作状态叫_ ___或__ __，一般不允许出现 。
6．在4s 内供给6Ω电阻的能量为2 400J ，则该电阻两端的电压为____V 。
7．若灯泡电阻为24 Ω，通过灯泡的电流为100 mA ，则灯泡在2h 内所做的功是 J ，合____度。
8．-个220 V/100 W 的灯泡，其额定电流为 A ，电阻为___ _Ω。
二、判断题
图1-6
图1-7
( )1．负载在额定功率下的工作状态叫满载。
( )2．功率越大的电器电流做的功越大。
( )3．把25 W/220 V的灯泡接在1 000 W/220 V的发电机上时，灯泡会烧坏。
( )4．通过电阻上的电流增大到原来的2倍时，它所消耗的功率也增大到原来的2倍。
( )5．两个额定电压相同的电炉，R1＞R2，因为P=I2R，所以电阻大的功率大。
三、选择题
1．为使电炉上消耗的功率减小到原来的一半，应使( )。
A．电压加倍 B.电压减半 C．电阻加倍 D．电阻减半
2．12 V/6 W的灯泡，接入6V电路中，通过灯丝的实际电流是( )A。
A．1 B.0.5 C．0.25 D．0.125
3. 220V的照明用输电线，每根导线电阻为1Ω，通过电流为10A，则10 min内可产生热量( )J。
A．1×l04 B．6×104 C．6×103 D．1×103
4.1度电可供220 V/40 W的灯泡正常发光( )h。
A．20 B.40 C．45 D．25
四、问答题
1．为什么灯在夜深人静时要比在晚上七、八点钟时亮？
2．有人说“电流大功率就大”，这种说法正确吗？试举出一个例子证明。
五、计算题
1．-个电阻为1210 Ω的电烙铁，接在220 V的电源上，使用2h能产生多少热量？
2．如图1-8所示，E＝220 V，负载电阻R为219 Ω，电源内阻r为l Ω，试求：负载电阻消耗的功率P负、电源内阻消耗的功率P内及电源提供的功率P。
图1—8
3．两个长度相同且均由圆截面铜导线制成的电阻器，接在相同的电压上，已知一种铜导线的直径为另一种铜导线直径的2倍，试求两个电阻器所消耗的功率比。
4．如图1-9所示，灯HL1的电阻为5Ω，HL2的电阻为4Ω，S1合上时灯泡HL1的功率为5W，S1分断、S2合上时灯泡HL2的功率为5.76 W，求E和r o。
图1-9
5．一电解槽两极间的电阻为0.1 Ω，若在两极间加25 V的电压，通过电解槽的电流为10 A，求：(1)1 min内，电解槽共从电路吸收多少电能？(2)其中转化为热能的电能有多少？
电子电路基础知识69440
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
电子电路基础知识点总结
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
《电路理论基础》(第三版 陈希有)习题答案第一章
答案1.1 解：图示电路电流的参考方向是从a 指向b 。当时间t <2s 时电流从a 流向b,与参考方向相同，电流为正值；当t >2s 时电流从b 流向a ，与参考方向相反，电流为负值。所以电流i 的数学表达式为 2A 2s -3A 2s t i t ? 答案1.2 解：当0=t 时 0(0)(59e )V 4V u =-=-<0 其真实极性与参考方向相反，即b 为高电位端，a 为低电位端； 当∞→t 时 ()(59e )V 5V u -∞∞=-=>0 其真实极性与参考方向相同， 即a 为高电位端，b 为低电位端。 答案1.3 解：(a)元件A 电压和电流为关联参考方向。元件A 消耗的功率为 A A A p u i = 则 A A A 10W 5V 2A p u i === 真实方向与参考方向相同。 (b) 元件B 电压和电流为关联参考方向。元件B 消耗的功率为 B B B p u i = 则 B B B 10W 1A 10V p i u -===- 真实方向与参考方向相反。 (c) 元件C 电压和电流为非关联参考方向。元件C 发出的功率为 C C C p u i = 则 C C C 10W 10V 1A p u i -===-
真实方向与参考方向相反。 答案1.4 解：对节点列KCL 方程 节点③: 42A 3A 0i --=，得42A 3A=5A i =+ 节点④: 348A 0i i --+=，得348A 3A i i =-+= 节点①: 231A 0i i -++=，得231A 4A i i =+= 节点⑤: 123A 8A 0i i -++-=，得123A 8A 1A i i =+-=- 若只求2i ，可做闭合面如图(b)所示，对其列KCL 方程，得 28A-3A+1A-2A 0i -+= 解得 28A 3A 1A 2A 4A i =-+-= 答案1.5 解：如下图所示 (1)由KCL 方程得 节点①： 12A 1A 3A i =--=- 节点②： 411A 2A i i =+=- 节点③： 341A 1A i i =+=- 节点④： 231A 0i i =--= 若已知电流减少一个，不能求出全部未知电流。 (2)由KVL 方程得
电子电路基础知识
电子电路基础知识 () 电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 VCC：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系 统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： VCC：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： VCC：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就 OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；
TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 VCC：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： VCC：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： VCC：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC 一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) VCC=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。 为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL VCC=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V LVPELC：Low Voltage PECL VCC=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网
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电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础知识点总结
知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
第1章电路基本概念与电路定律习题与答案
第1章 习题与解答 1－1 2C 的电荷由a 点移到b 点，能量的改变为20J ，若（1）电荷为正且失去能量；（2）电荷为正且获得能量；求ab u 。 解：（1）2C 的电荷由a 点移到b 点，2q C ?=，这时意味着电流从a 点流到b 点； 电荷为正且失去能量，2W OJ ?=，ab u 为正且 2102ab W OJ u V q C ?= ==? （2）2C 的电荷由a 点移到b 点，2q C ?=，这时意味着电流从a 点流到b 点； 电荷为正且获得能量，2W OJ ?=，ab u 为负且 2102ab W OJ u V q C ?-===? 所以 10ab u V =- 1－2 在题1－2图中，试问对于A N 与B N ，u i 、的参考方向是否关联此时下列各组乘积u i ?对A N 与B N 分别意味着什么功率并说明功率是从A N 流向B N 还是相反。 （a ）15,20i A u V == (b) 5,100i A u V =-= 题1－2图 (c) 4,50i A u V ==- (d) 16,25i A u V =-=-
解：（a ）15,20i A u V == ，此时A N 非关联，3000P ui W ==>，发出功率 B N 关联，3000P ui W ==>，吸收功率。功率从A N 流向B N 。 (b) 5,100i A u V =-= ，此时A N 非关联，5000P ui W ==-<，吸收功率 B N 关联，5000P ui W ==-<，发出功率。功率从B N 流向A N 。 (c) 4,50i A u V ==- ，此时A N 非关联，2000P ui W ==-<，吸收功率 B N 关联，2000P ui W ==-<，发出功率。功率从B N 流向A N 。 (d) 16,25i A u V =-=- ，此时A N 非关联，4000P ui W ==>，发出功率 B N 关联，4000P ui W ==>，吸收功率。功率从A N 流向B N 。 1－3 题1－3图所示电路由5个元件组成，其中 12349,5,4,6,u V u V u V u V ===-=512310,1,2,1u V i A i A i A ====-。试求： （1） 各元件的功率； （2） 全电路吸收功率及发出功率各为多少说明了什么规律 u -+ 题1－3图 解：（1）元件1：919P ui W ==?=，电压与电流为关联方向，故吸收功率。 元件2：515P ui W ==?=，电压与电流为非关联方向，故发出功率。 元件3：428P ui W ==-?=-，电压与电流为关联方向，故发出功率。 元件4：6(1)6P ui W ==?-=-，电压与电流为关联方向，故发出功率。 元件5：10(1)10P ui W ==?-=-，电压与电流为非关联方向，故吸收功率。
电子专业技术基础试题及答案10套
电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。 带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C)。 A.EF B.F E+E F C.E+F
电子电路基础知识考题
电子电路基础知识--测试 第一篇电子电路基础知识 一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（√） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（√） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（×） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中“1”比“0”大。（×） 说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（√） 6、直流放大器只能放大直流信号。（√） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（√） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（×） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（×） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（×） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（√） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（×） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（×） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（√） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（×） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（×） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（×） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（×）
电路基础第1章习题解答
第一章 电路的基本概念和基本定律 习题解答 1-1 题1-1图所示电路，求各段电路的电压U ab 及各元件的功率，并说明元件是消耗功 率还是对外提供功率 解 根据功率计算公式及题给条件，得 （a ）U ab =6V, P =6×2= 12W 消耗功率 （b ）U ab =-8V ，P =1×(-8)=-8W 提供功率 （c ）U ab =-10V, P =-(-8)?(-10)=-80W 提供功率 （d ）U ab =-8V, P =-(-2)?(-8)=-16W 提供功率 （e ）U ab =-(-6)=6V, P =-(-1)?(-6)=-6W 提供功率 （f ）U ab =-16V, P =(-2)?16=-32W 提供功率 1-2 在题1-2图所示各元件中，已知：元件A 吸收66W 功率，元件B 发出25W 功率；元 件C 吸收负68W 功率，求i A 、u B 和i C 。 解 根据题意，对元件A ，有 P A =6i A =66, i A ==11A 对元件B ，有 P B =-5u B =-25, u B ==5V 对元件C ，有 P C =-4i C =-68, i C ==17A 1-3 题1-3图所示电路中，5个元件代表电源或负载。通过实验测量得知：I 1=-2A ，I 2=3A ， I 3=5A ，U 1=70V ，U 2=-45V ，U 3=30V ，U 4=-40V ，U 5=-15V 。 （１）试指出各电流的实际方向和各电压的实际极性 （２）判断那些元件是电源；那些元件是负载 （３）计算各元件的功率，验证功率平衡 (a) (b) (d) (e) (f) a 6V b a -8V b a -10V b (c) a -8V b a 16V b a -6V b 题1-1图 题1-2图 6V B -4V
电子电路基础知识大全
电子电路单元分布一般规律 电源电路在图右下方，信号源电路在电路图左侧，负载电路在右侧。 各级放大器电路从左向右排列，双声道电路中的左右声道是上下排列的 产生电流的两个条件 1.闭合回路 2.电源 电平概念解说 其是表示电功率、电压和电流相对大小的量 电平用分贝(dB) 分贝=10lgP2/P1=20lgU2/U1=20lgI2/I1 其中： P2为放大器输出功率，P1为放大器输入功率 U2为放大器输出信号电压，U1为放大器输入信号电压 I2为放大器输出信号电流，I1为放大器输入信号电流 电阻在电路中的作用 1.给电路中某点加上电压 2.降低电路中某点电压 3.将电路中的两点隔离 4.将电流转换成电压 5.分压 6.分流 7.阻尼 8.限流保护 电位器参数标注解说 某电位器外壳上标出：51K-0.25/X 其中， 51K是标称阻值51k欧姆，0.25表示额定功率为0.25瓦。X表示X型电位器电位器共分三种： X型-----线性变化，可以用于音响电路，构成立体声平衡控制器 Z型-----指数特性变化，可用来构成音响控制其电路 D型-----对数特性变化，用于一些音调控制器电路，作为音调电位器 电容电路解说 1.耦合电容 2.滤波电容 3.退耦电容 4.高频削震电容
5.谐振电容 6.旁路电容 7.积分电容8.微分电容9小火花电容10.分频电容 电解电容故障 击穿、漏电大故障、容量减小故障、开路故障、爆炸故障 需要注意的是： 爆炸故障：此种情况只出现在有极性电解电容器在跟换新电容器之后，由于正负脚接反而发生爆炸 电容并联解析 1.一大一小电容并联 主要出现在电源滤波电路中，并且在大电容的容量很大很大时才出现这种情况 如果容量不是很大，感抗不明显，则没有必要再接一个小电容 作用： 大电容为电源滤波电容 小电容为高频滤波电容 2.两个大电容并联 用于电源滤波电路或者是OTL功放电路输出回路作为输出端耦合电容 作用：高频滤波电容 3.两个等容量小电容并联 这是彩色电视机行震荡器电路中的行定时电容电路 其中： 一个为聚酯电容，是正温度系数电容 一个为聚丙烯电容，师负温度系数电容主要是为了实现温度的互补！！ RC电路分析 1.RC串联 RC串联电路总的阻抗是随频率变化而变化的 总的阻抗=电阻+C容抗 转折频率公式: f=1/2∏RC 2.RC并联 转折频率公式: f=1/2∏RC 3.RC串并联
第一章 电路基础知识
第一章 电路基础知识 §1-1电流和电压 一、填空题 1．_ ___流通的路径称为电路，通常电路是由__ __、__ __、__ __和__ __组成。 2．习惯上规定__ __电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向___ _。 3．金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向__ __。 4．电流分__ __和 两大类，凡____ ___ _的电流称为_ ___，简称 ；凡 的电流称为 ，简称 。． 5．若3 min 通过导体横截面的电荷量是1.8 C ，则导体中的电流是 A 。 6．测量电流时，应将电流表__ __接在电路中，使被测电流从电流表的__ __接线柱流进，从__ __接线柱流出；每个电流表都有一定的测量范围，称为电流表的__ __。 7．电压是衡量__ __做功能力的物理量；电动势表示电源____ __的能力。 8．电路中某点与__ __的电压即为该点的电位，若电路中a 、b 两点的电位分别为 a U 、 b U ， 则a 、b 两点间的电压ab U =__ __；ba U = 。 9．参考点的电位为__ __，高于参考点的电位取__ __值，低于参考点的电位取_ ___值。 10.电动势的方向规定为在电源内部由__ __极指向 极。 11．测量电压时，应将电压表和被测电路__ __联，使电压表接线柱的正负和被测两点的电位__ __。 12.如图1-1所示，电压表的a 应接电阻的_ __端，b 应接电阻的__ __端。电流表的a 应接电阻的__ __端。 一、判断题 ( )1．导体中的电流由电子流形成，故电子流动的方向就是电流的方向。 ( )2．电源电动势的大小由电源本身性质所决定，与外电路无关。 ( )3．电压和电位都随参考点的变化而变化。 图1-1
电子电路基础知识点总结
电子电路基础知识点总结 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为呂 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上 限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1。
7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是 由少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为 1.2倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于错管的死区电压。
电路基础第一章练习题[1](可编辑修改word版)
第一章练习题 一、填空题 1.所有电路从本质上来说都是由三部分组成：、负载和中间环节。 2.电路有通路、短路和开路三种状态，其中时，电路中会有大电流，从而损坏电源和导线，应尽量避免。 3.电感元件的伏安关系表达式为。 4.电容元件的伏安关系表达式为。 5.有一个电阻，两端加上 50V 电压时，电流为 10A，当两端加上 10V 电压时，电流值是A。 6.一个电源E=10V，r=2Ω，若外电路接一负载，则负载大小为时，有最大输出功率P MAX。 7.一只“220V，40W”的灯泡正常发光时它的灯丝电阻是Ω。 8.实际电压源的端电压随负载的增加而。 9.实际电流源的输出电流随端电压的增加而。 10.受控源分为电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电流源和。 11.图1（a）中电流为。 12.图1（b）中电压为。 + 20V -+ U - （a）（b） 13.一个电源电压U S=10V，内阻r=1Ω，外电阻R=9Ω。则该电路的总功率为。 14.当元件的电压U、电流I 为非关联参考方向时，功率P＝。 15.串联电路中，电阻越大，该电阻两端的电压。 16.并联电路中，支路电阻越大，流经该支路的电流。 17.一个电源电压U S=10V，内阻r=1Ω，外电阻R=9Ω。则该电路内电路的功率为。 18.若要扩大电流表的测量量程，应将该电压表与电阻。 19.一个电源电压U S=10V，内阻r=1Ω，外电阻R=9Ω。则该电路外电路的功率为。 20.如图所示，电流I=－0.5A,则流过电阻R 的电流的实际方向为。 I A B 二、判断题 1.电路的基本作用是实现电能和非电能的转换。（） 2.电感元件的电压与电流的大小和方向无关，只与电流的变化率有关。（） 3.电容元件的电流与其端电压的大小和方向无关，只与电压的变化率有关。（） 4.理想电压源的端电压随着与它联接的外电路不同而改变。（） 5.理想电流源的输出电流随着与它联接的外电路不同而改变。（） 6.理想电压源与理想电流源之间可以进行等效变换。（） 7.如果选定电流从标以“+”极性的一端流入，从标以“-”极性的另一端流出，则把电流和电压的这种参考方向称为非关联参考方向。（） 8．等电位点之间电压等于零，没有电流流过。（）
电子电路基础知识考题
一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中―1‖比―0‖大。（） 说明：逻辑电路中―1‖与―0‖不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（） 6、直流放大器只能放大直流信号。（） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（） 说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标―+‖号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（） 30、若放大电路的负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。（） 31、放大器引入电流串联负反馈后，能稳定输出电流，所以也能稳定电流增益。（） 32、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。（） 33、半导体三极管由两个ＰＮ结组成，因此用两个二极管也可以代替一个三极管。（） 34、共基放大电路只能放大电流,不能放大电压。（） 35、交流放大器中没有零点漂移现象，直流放大器中存在零点漂移现象。（） 36、负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路之外无效。（） 37、限幅电路可以用来对输入信号进行整形，?上限幅电路可以将输入信号的正半周全部去掉，也可以只是去掉正半周信号的顶部一部分。串联上限幅电路和并联上限幅电路对输入信号的限幅作用是一样的。双向限幅电路可以对输入信号的正、负半周信号同时进行限幅处理。（） 38、当增加反向电压时，因在一定温度条件下，少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿。（） 39、管子末击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。（） 40、管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。（）
(完整版)北京联合大学2004专接本《电子电路基础》试卷
绝密★启用前 2004 年北京联合大学高职升本科基础课、专业基础课考试 考试科目电子电路基础答案 （总分：150 分 考试时间：150 分钟） 一、填空题（本大题共 50 个空格，每空格 1 分，共 50 分） 1. 有下列各基本逻辑门符号，请正确说明其逻辑门电路的名称。（设它们均为 TTL 门电路） (a) 与非门 (b)或非门 (c)与或非门 (d)异或门 C EN e)三态与非门 (f)开路与非门 (g)CMOS 传输门 (h)同或门 2. 进位制数间的转换。 (255)10＝(11111111)2＝（377 ）8＝( FF )16。 3. 十进制数与 BCD 码间的转换。 (459)10=( 010*********)8421=( 0111 1000 1100 )余3 4. 数字集成电路常用的有 TTL 和 CMOS 两种类型，两类相比较，一般静态功耗 CMOS 比 TTL 小；传输延迟时间 CMOS 比 TTL 大。 5. 组合逻辑电路和时序逻辑电路在构成上主要区别在于，组合逻辑电路中没有 触发信 号 ，而时序逻辑电路一定含有 触发信号 ，因此，任一时刻组合逻辑电路的输出仅取决于当前的 输入 ；任一时刻时序逻辑电路的输出不仅取决于当前 输入 ， 而且与历史 输入 有关。 6. 为了保证 TTL 与非门正常工作，其多余输入端不允许接 地 ；为了保证 TTL 或非 门正常工作，其多余输入端不允许接 高电平 。 7. 有一组合逻辑函数表达式为 F = AB + AB ，其与非—与非表达式为 AB ? AB ，其标准与或表达式（最小项表达式）为 AB + AB 。 8. 测得放大电路中的 T 1、T 2 两个双极型晶体三极管各级电位分别如下： T 1 管: U 1=0V,U 2=0.3V,U 3=﹣5V; T 2 管:U 1=﹣10V,U 2=﹣2.3V,U 3=﹣3V 。 其中，U 1、U 2、U 3 分别为三极管管脚 1、管脚 2、管脚 3 电位，试判断它们各是 NPN 型还是 PNP 型？是硅管还是锗管？确定每管的 B 、E 、C 。 T 1 管是 PNP 型， 锗 管，管脚 1 为 B 、管脚 2 为 E 、管脚 3 =1 =1 & & U o /U i TG U i /U o
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答 题 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。 解： 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为～。锗管的导通压降为～。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。 分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。 图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位 N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当 于短路。所以 V U AO 6-=； 图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N P U U < ∴ VD 处于反偏而截止 ∴ V U AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时 ∵ V U P 01= V U N 121 -= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U < ∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止 V U AO 0=； 或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起 ∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位 V U AO 0=，