模拟电子技术基础学习心得

模拟电子技术基础学习心得
模拟电子技术基础学习心得

《模拟电子技术基础》学习心得

自动化一班文杰20151506087

时间过得真快,为期一学期的《模拟电子技术基础》的学习就快结束了。还清晰记得开学初刚拿到这本书的时候,面对如此厚的一本书,彷佛感受到了今后学习的艰辛。刚开始接触时,感觉这门课真的很难,虽然时间花得比较多,但还是收效甚微。在后来的几个星期,我下定决心坚持预习,在自己的努力下,终于跟上了老师的思路和进度,收效与时间成正比。总的来说,感觉对这门课程的吸收还是比较理想的。

很高兴自己能够遇上如此负责的老师。每次上课听着老师亲切的声音和不间断的讲解,我都彷佛能够看到老师辛苦备课的情形。听了老师的课后,我对书中容的了解更加清晰和深刻了,课后不用花很多时间来巩固,有种事半功倍的成就感。老师对作业的要求也使我获利不少,因为老师每次交作业后都会仔细讲解一番。我觉得这样自己能够更加积极主动地去对待作业,可以更加自由地支配作业、预习、巩固的时间,使时间的利用率最高。另一方面,我觉得老师不仅是传授我们知识,更是教我们如何做人,尤其是在守时和尊重人方面。要想获得他人的尊重,首先要学会尊重他人。

上完了这学期的《模拟电子技术基础》课,收获了很多,既扩充了自己的知识和思维,又懂得如何更加完善地做人。第一,掌握一些思考的方法,对待问题比较严谨。解决一个问题,应该选用正确的方法,否则将会很难甚至无法解决一

个问题。例如,在求不同组态负反馈的电压放大倍数时,不同组态有不同的方法,方法上必须要对应。对于同一问题的不同解法,尤其要注意方法的适用围,在合适的围使用方法。例如,在用微变等效电路求解有关基本放大电路时,只有输入信号是低频小信号时才成立,否则会造成很大的误差甚至是错误。在分析一些比较复杂的问题时,要学会站在更高的层次看待问题,要学会模块化地分析问题而不局限于其中的每个元件。例如,在运算放大电路分析中,在掌握基本模块如反相比例运放、同相比例运放等的前提下,对一些较为复杂的电路,可利用叠加原理看成是这些基本模块的叠加,从而简化问题的分析。第二,对一些工程思想有了初步的认识。俗话说:人无完人。当然作为每个具体的电路,在具有优点的同时肯定具有缺点的。我们分析问题的时候,不能一味地钻牛角尖,幻想找到一个能够十全十美解决问题的方法。很多时候,我们可以根据实际的要求,作一些合理的近似。先主要考虑最主要因素的影响,而忽略一些次要因素的影响,然后再在主要因素主导的方向下,结合实际的要求考虑其他次要因素。这样做往往能很大程度上简化问题,但又不会产生很大的误差。最后,自己更加深刻体会到了守时的重要性。虽然我们不能驾驭时间,但时间观淡薄的人将不会有很大的成就。守时不是一种形式,而是一种态度!

黑夜中的船因有灯塔而不会迷失方向,而我坚信:《模拟电子技术基础》课上的收获,将使我终生受用。

模拟信号隔离应用中隔离放大器设计的黄金法则

自动化二班20151506012 海龙

在电机和电子设计中经常需要对模拟信号进行隔离。模拟信号可以承载代表电压、电流、温度、压力、位置和流量等物理世界的信息,这些模拟信号通常必须在具有较大电平差,或者模块接地面间具有感应电气噪声的场合,由一个电路模块传送到另一个。这些常见的电路问题可能会影响数据的精确性、破坏测量系统,甚至于威胁到使用者的安全。

隔离放大器提供了一个可以解决这些问题的简单且高性价比的方案。这个方案通过采用Sigma-Delta模数转换器和光电耦合技术,在电气隔离屏障后精确地重建输入信号。采用微型化可自动插入封装供货,使用这些隔离放大器进行设计就如同将信号连接到输入并取得隔离后输出一样简单(参见图1)。

图1:隔离放大器在模拟信号隔离电路中的使用。

部分使用隔离放大器的应用包括模数转换接口、热电偶和转换器等感应电路、病患监测设备、电机速度和位置测量电路、音频和视频放大器,以及电源供应器中的电压反馈等。图2显示了隔离放大器应用在电机控制系统中作为电流传感器的典型应用,基于这个电路,我们将讨论几个“应该和不应该”的做法,帮助大家利用隔离放大器轻松实现模拟信号隔离设计。

图2:电机控制电路中使用的隔离放大器电流传感器。

电源供电

应该为隔离放大器VDD1和VDD2提供独立电源在图2的电路中,来自于高压(或高电位)端的信号必须和低压(低电位)端隔离,同样的VDD1和VDD2电源也一样需要隔离。在这个例子中,高电压端电源VDD1可以由推动高电压端功率晶体管的电源供应器取得,而在低电压端,VDD2则可以连接到通常会和交流市电隔离的控制器电源。同样的,GND1和GND2也应该各自独立。

不应该忽略VDD1和VDD2的旁路电容ACPL-C78X使用Sigma-Delta过采样技术将模拟输入信号转换为可以通过光学屏障传送的高速位流,在输出端,这个位流再通过模拟滤波器过滤并重建输入信号。需要旁路电容的主要原因在于隔离放大器号的高速数字特性。在印刷电路板上,旁路电容C1和C3必须尽可能地接近各自的隔离放大器引脚。

注应该意电源接脚上的电压瞬变电源连接线上过大的电压瞬变可能造成电气过载情况下器件的损坏,电源引脚上的浪涌也可能会触发器件进入锁定(latch-up)状态。除了在电源引脚上连接旁路电容外,也可以通过其他方式来减轻电源上的噪声和纹波,例如在稳压器的输入上串接一个电阻或电感,就可以和稳压器的输入旁路电容形成一个低通滤波器来减轻纹波。

连接输入端

应该在输入端加入RC抗混叠滤波器在输入端加入抗混叠滤波器,如图2中由R2和C2所构成的RC低通滤波器,可以避免高频噪声混叠到较低频率,造成输入信号的干扰。RC低通滤波器也在可靠性上扮演了非常重要的角色,它可以有效减轻静电放电和电气过载时流经隔离放大器输入电路的瞬变浪涌。

应该采用差动输入模式以取得较佳共模噪声抑制能力在图2中,ACPL-C78X采用了单端输入方式连接。由于该隔离放大器拥有全差分式输入结构,因此建议使用差分输入连接方式,如图3中的平衡输入模式来取得较好的性能。两根引脚上信号取样时的开关动作所带来的输入电流会在滤波器电阻上取得平衡并且相互抵消,感应到其中任何一根引脚上的噪声会通过电容C耦合到另一根而形成共模噪声,隔离放大器对此共模噪声加以抑制从而防止其对输出信号造成干扰。RA和RB的典型值为22Ω,C则为10nF。

图3:经过简化的差分输入连接。

在高噪声应用中使用隔离放大器应该注意闩锁效应CMOS器件的闩锁效应风险必须要仔细考虑,特别是直接连接到易受经常出现瞬变噪声影响的信号源时。ACPL-C78X的模拟输入结构在设计上考虑了经常发生在高噪声应用环境,例如电机驱动设备和其他电源逆变系统中的瞬变和浪涌,其它可能在输入上造成电压瞬变的场合包括短路和过载。ACPL-C78X 经过-2V到6V的直流电压测试,加上高达-6V的瞬变电压两秒钟,并未发生闩锁反应或器件受损的情况[1]。

应该检查VIN+和VIN-到GND1接地的输入共模电压隔离放大器的差模输入采用全差分开关电容电路实现。与使用具备差分式输入的隔离放大器和模数转换器类似,设计工程师必须了解通常会在数据手册中标明的输入共模电压。举例来说,ACPL-C78X的产品数据手

册就标明VIN+和VIN-的工作输入电压限制为±2V,超过这个限制就可能会损害增益和系统的性能[1]。

隔离

不应该混淆隔离电压和工作电压在设计模拟信号隔离电路时,设计工程师必须考虑到隔离放大器的隔离电压和连续工作电压,以确保产品符合相关的安全标准。隔离电压代表了在输入和输出上可以短暂承受的电压大小,依UL 1577标准,Avago的每一个隔离放大器都通过加上大于或等于1.2倍额定电压一秒钟进行验证和安全性测试,泄漏电流? 5μA,例如通过5000Vrms[2]验证的ACPL-C78A在批量生产测试中,每个器件都以≥6000Vrms 进行一秒钟测试。隔离电压是一个不应该被视为输入输出连续电压的绝缘电压规格。

工作电压则是系统保证可以持续安全工作而不会伤害隔离屏障的最高电压值,依

IEC/EN/DIN EN 60747-5-2,ACPL-C78X系列的最高工作绝缘电压为1140Vpeak,并且可以在806Vrms下连续工作。如果需要1000Vrms的工作电压,那么可以使用HCNR201[3],如果891Vpeak就可以满足设计要求,HCPL-7800A[4]也可以是一个选择。HCNR201和HCPL-7800A都是安华高科技公司所提供的高线性模拟光电耦合器产品。

电流感应的分流器选择

搭配分流电阻,隔离放大器可以形成隔离电流传感器,分流器的选择通常是在最低功耗和最大精确性间进行折中。较小的电阻值可以降低功率耗损,但较大的电阻值则可以通过使用隔离放大器的完整输入围来改善电路的精确性。由分流器在正常工作情况下可以承受的峰植电流和隔离放大器的目标输入围,我们可以使用欧姆定律来计算出分流电阻的大小。

调校可以将分流电阻本身误差值所带来的测量误差消除,但却无法解决因温度和时间所造成的电阻漂移问题。电阻的温度系数(TCR)是用来描述特定温度围因环境温度改变所造成的电阻值变化,50ppm/oC的分流电阻是常见的选择,市面上也提供有10ppm/oC的分流电阻产品,我们可以参考相关的产品数据手册对它的工作条件进行研究,并留意有时可能出现的非线性响应。

不应该只注意标称功率规格分流器的额定功率是一个非常重要的选择条件,在设计中,分流器上的功率消耗可以通过I(rms)2xR得出,脉冲电流所造成的功率耗损也应该加入计算。查看分流电阻规格时,如果考虑到环境温度,设计工程师必须注意标称额定功率外的

情况,并参考功率下滑曲线。另外,和直接采用气流散热的产品比较,部分分流电阻还可以加上散热片来有效强化可以处理的功率等级,因此最好使用具备足够功率处理能力的分流电阻以保留设计的安全余裕空间。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为:321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA , β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题(1) 一、填空(共30分,1分/空) 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体,加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中,测出某三极管三个管脚对地电位:①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ,则①端为 极、②端为 极、②端为 极,该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻,应引入 负反馈;为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示,已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大,最大输出电压幅值为±14V 。填空:电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈,电路的输入电阻趋近于 ,电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=,则=O U ;若1R 开路,则O U 变为 V ;若1R 短路,则O U 变为 V ;若2R 开路,则O U 变为 V ;若2R 短路,则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零,而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英品体呈 ;其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示,电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ;直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题(20分,1分/题) 1、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 ( ) 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 ( ) 4、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 ( ) 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 ( ) 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 ( ) 7、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 ( ) 8、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 ( ) 9、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 ( ) 10、放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。 ( ) 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 ( ) 12、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 ( )

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/943473510.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/943473510.html, 1,电子技术的发展,电子技术的发展,促进计算机技术的发展,使其“无处不在”,广泛用过的!广播和通信:发射机,接收机,公共地址,录音,程控交换机,电话,移动电话;网络:路由器,ATM交换机,收发器,调制解调器;行业:钢铁,石化,机械加工,数控机床;运输:飞机,火车,轮船,汽车;军事:雷达,电子导航;航空航天:卫星定位,监测医疗:伽马刀,CT,B超检查,微创手术;消费类电子产品:家用电器(空调,冰箱,电视,音响,摄像机,照相机,电子手表),电子玩具,各种警报器,安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/943473510.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年,1947年和1958年,从电子管到半导体管再到集成电路,集成电子管应运而生,晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管,晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/943473510.html,半导体组件的发展,贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管,在1958年制造了集成电路,在1969年制造了LSI,在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管,而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测,集成度将提高10倍/ 6年,到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术!hch a tsin https://www.360docs.net/doc/943473510.html,要记住的一些科学家!第一个晶体管的发明者(由贝尔实验室的John Bardeen,William schockley和Walter bradain发明)在1947年11月底发明了该晶体管,并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年,他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日,第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后,他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案 一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。 (a) (b) 二.(10分)放大电路如图所示。已知: R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K, R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ, V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态, 画出该电路的直流通路;(5分) 2.计算该电路的静态工作点。(5分) 3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入 电阻,输出电阻。 4.说明电路属于何种组态, 三.(18分)放大电路如图所示。已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。(4分) 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。(10分) 3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。(4分)

四.(12分)反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。(4分) 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分) (a ) (b ) 五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。 1.求出电路(a )的输出电压。(4分) 2.在电路(b )中,设t =0时v c =0,此时加入v i =1V ,求t =40ms 时v o =?(6分) (a ) (b ) 六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要 求在电路中应标出i V ,o V ,f V 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 (a ) (b ) 七.(10分)比较器电路如图所示,设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ,并画出比较器的电压传输特性

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 (一)课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课,是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础,以集成电路为主体,通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用;通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解,掌握基本电路的设计与调试方法,便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析和解决问题的能力。(二)基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求: 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点:

放大电路的模型,放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点: 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容: 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍,引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解,待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求: 了解集成运放的主要结构,掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路,包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件-PSPICE。 教学重点: 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点: 对理想放大器的理解,“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容: (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下,放大器的电路参数及其物理意义。

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷1答案

院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷1 答案 一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分) 1.在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。 2.当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。(填“增大”或者“减 小”或者“不变”)。 3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压D 0.7U =V ,则该电路的输出电压值U = V 。 4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O -du u RC dt = 。 5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数um ||A ? 为 100 ,电路的下限频率L f = 10 Hz 。 I ? 图1-1 图1-2 图1-3 6.按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。 7.正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ? ? = 。 8.正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路,其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。 9.直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。 10.在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。

模拟电子技术基础-课程作业

教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( A )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。 D 2 D 1 u O + - 图1 图2 5电路如图1所示,设输入信号u I 1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。

u I2 D 1 图1 图2 u u 第2章基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图()。 U o CC U CC U (c)(d) - o u o 2图示电路,已知晶体管 β=60,U BE .V =07 ,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流 I C调整到1.5mA,R B应取()。 (a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ

3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示,晶体T 的β=40,U BE . V =07,试求当RB1,RB2分别开路时各电极的电位(U B ,U C ,U E )。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 u o U CC 12V + - 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r be k =1Ω,电流放大系数β=50,要求: (1)画出放大器的微变等效电路; (2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数A u 。 Ω u o 12V + -

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管

电子教案-《模拟电子技术》(冯泽虎)教学课件知识点5:分压偏置共射极放大电路-电子教案 电子课件

《电工电子技术》课程电子教案 教师:宋静序号:05

知识引导 图7-22 温度对静态点的影响 2.基极分压式偏置电路 具有稳定工作点功能的典型分压式偏置电路如图 7-23所示。 a)电路原理图 b)直流通路图 图7-23压式偏置放大电路 1)稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化,致使放 大器的工作点发生变化,影响放大器的正常工作。如图 7-23 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来 改善直流工作点的稳定性的,其工作原理如下: (1)利用R B1和R B2的分压作用固定基极电压U B。 由图 7-23可知,当R B1、R B2选择适当,满足I2远 大于I B时,则有 PPT、动画演 示、图片

知识引导 中R B1、R B2和U CC都是固定的,不随温度变化,所以基极电位基本上为一定值。 (2)通过I E的负反馈作用,限制I C的改变,使工作点保持稳定。具体稳定过程如下: 从上述稳定过程可以看出,R E愈大,则在R E上产生的压降愈大,对I C变化的抑制能力愈强,电路稳定性愈好。 2)动态分析 首先画出7-23所示的射极偏置电路的微变等效电路如图7-24 a)交流通路图 b) )微变等效电路 图7-24分压式偏置电路交流通路图及微变等效电路 CC B B B B U R R R U 2 1 2 + = E BEQ B E CQ R U U I I - = ≈ ) ( E C C CC CEQ R R I U U+ - =β/ CQ BQ I I=

1. 求电压放大倍数Au 与单偏置共射极放大电路的公式一样. 2.求输入电阻 3.求输出 教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练 仿真练习分压式偏置共射放大电路的静态值及电压 放大倍数 仿真验证:运行Multisim9.0软件制作仿真电路,如图 7-25所示,启动仿真,所得静态值为:I BQ= 10.223uA,I CQ=1.398mA,U EQ=2.535V。由测量值可算出 三极管的放大倍数约为140。从示波器上可得输入与 输出电压波形,如图所示。输入电压的幅值约为l0mv, 输出电压的幅值约为 2.15V,并且两者相位相反,电 压放大倍数约为215 Multisim9.0 仿真软件的 使用 5 be ' L i o r R U U A u β - = =& & & be b2 b1 i r R R R∥ ∥ = c o R R=

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