中南大学材基课后题答案

中南大学材基课后题答案
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第一章原子排列与晶体结构

1.fcc结构的密排方向是,密排面是,密排面的堆垛顺序

是,致密度为,配位数是 ,晶胞中原子数为,把原子视为刚性球时,原子的半径r与点阵常数a的关系是;bcc结构的密排方向是,密排面是 ,致密度为 ,配位数是 ,晶胞中原子数为,原子的半径r与点阵常数a的关系是;hcp结构的密排方向是,密排面是,密排面的堆垛顺序是,致密度为,配位数是 ,,晶胞中原子数为,原子的半径r与点阵常数a的关系是。

2.Al的点阵常数为0.4049nm,其结构原子体积是,每个晶胞

中八面体间隙数为,四面体间隙数为。

3.纯铁冷却时在912e 发生同素异晶转变是从结构转变为

结构,配位数,致密度降低,晶体体积,原子半径发生。

4.在面心立方晶胞中画出晶面和晶向,指出﹤110﹥中位

于(111)平面上的方向。在hcp晶胞的(0001)面上标出晶面和

晶向。

5.求和两晶向所决定的晶面。

6 在铅的(100)平面上,1mm2有多少原子?已知铅为fcc面心立方结构,其原子半径R=0.175×10-6mm。

第二章合金相结构

一、填空

1)随着溶质浓度的增大,单相固溶体合金的强度,塑性,导电性,形成间隙固溶体时,固溶体的点阵常数。

2)影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是(1);

(2);(3);(4)和环境因素。

3)置换式固溶体的不均匀性主要表现为和。

4)按照溶质原子进入溶剂点阵的位置区分,固溶体可分为

和。

5)无序固溶体转变为有序固溶体时,合金性能变化的一般规律是强度和硬度,塑性,导电性。

6)间隙固溶体是,间隙化合物是。

二、问答

1、分析氢,氮,碳,硼在a-Fe 和g-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。已知元素的原子半径如下:氢:0.046nm,氮:0.071nm,碳:0.077nm,硼:0.091nm,a-Fe:0.124nm,g-Fe :0.126nm。

2、简述形成有序固溶体的必要条件。

第三章纯金属的凝固

1.填空

1. 在液态纯金属中进行均质形核时,需要起伏和起伏。

2 液态金属均质形核时,体系自由能的变化包括两部分,其中自由能

与过冷度vT关系

是形核的阻力,是形核的动力;临界晶核半径r

K

等于。

为,临界形核功vG

K

3 动态过冷度是指。

4 在工厂生产条件下,过冷度增大,则临界晶核半径,金属结晶冷却速度越快,N/G比值,晶粒越。

5. 获得非晶合金的基本方法是。

二、问答

1 根据凝固理论,试述细化晶粒的基本途径。

2 试根据凝固理论,分析通常铸锭组织的特点。

3 简述液态金属结晶时,过冷度与临界晶核半径,形核功及形核率的关系。

4 铜的熔点Tm=1356K,熔化热vHm=1628J/cm2,s=177×10-7J/cm,点阵常数

a=0.3615nm。求铜vT=100e 时均匀形核的临界核心半径。

5:何谓过冷,过冷度,动态过冷度,它们对结晶过程有何影响?

6根据冷却速度对金属凝固后组织的影响,现要获得微晶,非晶,亚稳相,请指出其凝固时如何控制。

7、简述纯金属凝固时润湿角θ、杂质颗粒的晶体结构和表面形态对异质形核的影响。

第四章二元合金相图与合金凝固

一、填空

1. 固溶体合金凝固时,除了需要结构起伏和能量起伏外,还要有起伏。

2. 按液固界面微观结构,界面可分为和。

3. 液态金属凝固时,粗糙界面晶体的长大机制是,光滑界面晶体的长大机制是和。

4 在一般铸造条件下固溶体合金容易产生偏析,用热处理方法可以消除。

5 液态金属凝固时,若温度梯度dT/dX>0(正温度梯度下),其固、液界面呈状,dT/dX<0时(负温度梯度下),则固、液界面为状。

6. 靠近共晶点的亚共晶或过共晶合金,快冷时可能得到全部共晶组织,这称为。

7 固溶体合金凝固时,溶质分布的有效分配系数k

e

= ,当凝固速率很

大时k

e

趋于。

8. 在二元相图中,L

1→a+L

2

叫反应,b→L+a称为转变,而

反应a

1—a

+b称为反应,a+b?g称为反应。

9 Fe-Fe

3

C相图中含碳量小于为钢,大于为铸铁;铁碳合金室温平衡组织均由和两个基本相组成;根据溶质原子的位置,奥氏体其晶体结构是,是固溶体,铁素体是,其晶体结构是,合金平衡结晶时,奥氏体的最大含量是;珠光体的含碳量是,它是由和组成的两相混合物;莱氏体的含碳量是;在常温下,亚共析钢的平衡组织是,过共析钢的平衡组织是,亚共晶白口铸铁的平衡组织是,莱氏

体的相组成物是,变态莱氏体的相组成物是,Fe

3C

I

是从

中析出的,Fe

3C

II

是从中析出的,Fe

3

C

III

是从中析出的,它们

的含碳量为,Fe

3

C主要性能特点是,A共析反应后的生成物称为。

2 问答

1 如图4-1所示为Ni-Al相图

1)填出相图中各相区的平衡相;

2)指出图中的稳定化合物和不稳定化合物;

3)写出图中存在的恒温反应,指明反应类型;

4)指出含Ni 30%(重量)的合金在平衡冷却时的相变过程,计算室温下的相组成与组织组成,并计算出其中组织组成物的百分数。

5)试说明含Ni89%(重量)的Ni-Al合金其平衡凝固与非平衡凝固后的显微组织的不同。

6)设X合金平衡凝固完毕时的组织为a(Al)初晶+(a+b)共晶,其中a 初晶占80%,则此合金中Ni组元的含量是多少?

7)绘出1500e 时Al-Ni合金系的自由能—成分曲线示意图。

图4-1 图

4-2

2 根据Cu-Sn相图(图4-2),Cu为fcc结构。回答下列问题:

1)a相为何种晶体结构?

温度时(共晶反应前)的平衡分配系数。

2)计算212℃时Cu-90%Sn合金在T

E

3)Cu-13.47%Sn合金在正常条件下凝固后,a相的晶界上出现少量b相,其原因何在?如何消除b相?

4)分析Cu-70%Sn合金平衡凝固过程,并计算共晶反应刚完毕时相组成物和组织组成物的相对含量。

5)画出Cu-Sn系合金在450℃时各相自由能---成分曲线示意图。

图4-3 图4-4

3 如图4-3为Mg-Y相图

1)填相区组成,写出相图上等温反应及Y=5%wt时的合金K在室温时的平衡组织。

2)已知Mg为hcp结构,试计算Mg晶胞的致密度;

3)指出提高合金K强度的可能方法

4)简述图中Y=10%wt之合金可能的强化方法。

4 试说明纯Al和铝-铜单相固溶体结晶的异同。

5 根据4-4的铁碳亚稳平衡相图回答下列问题:

1)写出下列Fe

3C

II

含量最多的合金;珠光体含量最多的合金;莱氏体

含量最多的合金。

2)指出此二元系中比较适合做变形合金和铸造合金的成分范围。

3)如何提高压力加工合金的强度。

4)标注平衡反应的成分及温度,写出平衡反应式。

5)分析Fe-1%C合金的平衡凝固过程,并计算室温下其中相组成物和组织组成物的百分含量,

6)分析Fe-1%C合金在亚稳冷却转变和淬火冷却转变后组织的差异。

7)根据Fe-Fe

3

C状态图确定下列三种钢在给定温度下的显微组织(填入表中)

含碳量温度显微组织温度显微组织

0.4 770℃停留一段

时间

P+F 900℃A+F

0.77 680℃P 刚达到770℃ A

1.0 700℃P+Fe

3CⅡ刚达到770℃A+Fe

3

C

8)画出1200℃时各相的自由能---成分曲线示意图。

图4-5 图4-6

6:A为金属元素,B为非金属元素,形成二元相图如图4-5:

1)画出Ⅱ合金平衡冷却曲线以及平衡结晶后组织示意图,计算其室温下相组成物及组织组成物相对含量。

2)试分析不同冷却速度对下图中Ⅰ合金凝固后显微组织的影响。

3)Ⅰ合金在工业条件冷凝后如对合金进行扩散退火,应如何确定退火温度。

7:简述典型金属凝固时,固/液界面的微观结构,长大机制,晶体在正温度梯度下、负温度梯度下成长时固/液界面的形态。

8:根据Pb-Bi相图(图4-6)回答下列问题:

1)把空相区填上相的名称。

2)设X合金平衡凝固完毕时的相组成物为b和(Bi),其中b相占80%,则X 合金中Bi组元的含量是多少?

3)设Y合金平衡凝固完毕时的组织为(Bi)初晶+[b+(Bi)]共晶,且初晶与共晶的百分含量相等,则此合金中Pb组元的含量是多少?

4)Pb-30%Bi合金非平衡凝固后室温下组织与平衡凝固组织有何不同。

中南大学模电试题(卷)与答案解析-成考类

中南大学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。 3.在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是放大器,A u2是放大器,A u3是放大器。 4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR =。 5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为200 1 200 f j A + = & ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。 6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D为理想元件,已知u i = 5sinωt V ,试对应u i画出u o的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分)

中南大学模电试卷及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12V ,R S 10k Ω,R B1 120k Ω, R B2 39k Ω,R C 3.9k Ω , R E 2.1k Ω, R L 3.9k Ω , r bb’ Ω,电流放大系数β50,电路中电容容量足够 大,要求: 1.求静态值I BQ ,I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V ); 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L

中南大学模电第二章作业答案解析

2.分别改正下图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原 (a)静态时,发射结正偏,集电结反偏,-VCC改为+VCC (b) 没有RB发射结会烧坏,集电结不能反偏 (c)没有RB1当ui=0时发射结两端电压为零,VBB反过来。 (d)没有RB在交流通路中,VBB短路,交流信号加不进来。 3.放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要求I CQ=2mA,确定此时的静态工作点,并确 定此时的R b的值; ②利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的最大不失真输出电压U om(有效值); ③若R b调至150kΩ且i B的交流分量i b(t)=20sinωt(μA),画出i C和u CE的波形图,这时出现什么失真?

解:(1)直流负载线 12 ,.4,0====-=Ce C c ce C c CC ce U O I I U R I V U 作负载线得:I CQ =40μA Ω =≈+=k R U R I V b CE b B CC 30004 .012 (2)R L =∞直流负载线与交流负载线重合Uom=6/1.414=4.23V R L =3K ?,R L //R C =1.5 K ? 当 U CEQ +1.5*I CQ =9 ,Uom=1.5*I CQ/1.414=2.12V

(3) 当RB=150K ?时,IBQ=80Ma 4.电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:

中南大学模电试卷及答案分解

1 + j A 中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第 1 套) 一、一、填空题(20 分,每空 1 分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工 作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知 A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为: A u1 是 放大器,A u2 是 放大器,A u3 是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极 R e 公共电阻对 信号 的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的 最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题 5 分,共 25 分) 1.如图所示电路中 D 为理想元件,已知 u i = 5sin ωt V ,试对应 u i 画出 u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100,r bb'=100Ω,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

中南大学电工学习题册习题答案 (1)

1 习题1——直流电路 1、 解1: 结点a :I 1+I 2=I 3 回路1:R 1I 1–R 2I 2+U S2–U S1=0 回路2:R 2I 2+ R 3I 3–U S2=0 图1 习题1的图 联立求解,得:I 1= –0.2A ,I 2= 1.6A ,I 3= 1.4A U s1起负载作用,其功率P 1= U s1 I 1= –2.4W U s2起电源作用,其功率P 2= U s2 I 2=24W 2、 解2:I 1 、I 2 、I 3 、I 4如图所示。 结点a :I 1+I +I 2=0 结点b :I 1+I =I 3+I 4 回路1:4I –8I 1=0 回路2:5I 2+9–4I 4–4I =0 回路3:2I 3=4I 4 图2 习题2的图 联立求解,得: I = 2/3A ,I 1= 1/3A ,I 2= –1A ,I 3= 2/3A ,I 4= 1/3A

3Ω 6 V 3Ω 1Ω 5Ω I 1 + - I 1a I 1b 3、 解3:①电压源单独作用时, I 1= –(I 1a + I 1b )= –(1+1) = –2A ②电流源单独作用时, I 2= –(I 2a + I 2b )= –(–1+3) = –2A 由叠加定理,I = I 1+ I 2= –4A 电压源单独作用 电流源单独作用 4、 图4 习题4的图 解4:①当开关在位置1时,电流源I S 单独作用时,毫安表读数I=K 1I S = 40mA ; ②当开关在位置2时,电流源I S 和电压源U S1同时作用,利用叠加定理有: I=K 1I S +K 2U S1 代入数据有:-60=40+ 10K 2 解得: K 2= -10 ③当开关在位置3时,电流源I S 和电压源U S2同时作用, U S1 I 1 S 2 3 U S2 R 5 + - - + U S2 I S R 4 R 3 R 2 R 1 A 3Ω 6 A 3Ω 1Ω 5Ω I 2 I 2a I 2b

电工技术作业参考答案

《电工技术》作业参考答案 作业1 1-1 00=--U I R E V E 23323056.0=+?= W EI P E 11655233=?==(发出) W R I P R 156.025020=?==(吸收) W P U 16505230=?=(吸收) U R E P P P +=0(功率平衡)该支路吸收电能 1-2 (1) N N N I U P = A I N 450200== Ω===5.1216 20020I P R N (2) V U 5245.050=?+= (3) A I Short 1045 .052== 1-3 (a) V U 44040105=?+= A I 1.050 5-=-= (b) V U 50)4010(1=+?= A I 1= 1-4 V U AB 914)16(7=---= 1-5 S 断开时 V U A 459186-=?-= S 闭合时 V U A 151 566=?+-= 作业2 2-1 0321=++I I I 0)()(2222011101=++-++-E I R R I R R E 0)()(3333011101=++-++-E I R R I R R E 代入数据解方程可得,1I =A 322,3 1132-==I I A 2-2 0)(3323=+++-R I R I I E s 0331=+-R I R I U S 代入数据解方程可得=3I -0.5A =U 3.5V 2-3 (略) 2-4 =I 0A 2-5该电路中只有两个结点,选左边结点为参考结点,结点电压方程如下:

V E E E U 344010 310440101101101101010321==++++= 再根据KVL 可得三个电流 3 221034402201=-=I A 3112-=I A 3113-=I A 2-6 将10Ω支路断开,左边回路电流为A 121315=- 右边回路电流为 A 22 4= V U C 12211130=?-+= Ω=+?++?= 111111111eq R A I 111211012=+= 2-7 (a ) Ω=1eq R V U C 111010=+= (b) Ω==+?=3 812328484eq R A I SC 5444=+= 作业3 3-1 Ω=?==50059.1314L X L ω A I 44.0500 220== )90314sin(244.0?-=t i Ω=?==1008 .313141016 WC X C 3-2 Ω=?==1003148.311016C X C ωA X I C 2.2220== )90314sin(22.2?+=t i 3-3 Ω+=+=K j jX Z L 25.15.1 A k V I 152.05.2380=Ω= 6.05 .25.1cos ==? W UI P 656.346.0152.0380cos =??==?VAR UI Q 2.468.0152.0380sin =??==? VA UI S 76.57152.0380=?== 3-4Ω=?==8.31100 3141016 C X C ω 8.318.31j jX R Z C -=-= A Z I 9.42 8.31220220=?== 3-5 3.433.3310150500032321j j j j Z Z Z Z Z =Ω+=-=+?+ A j I 9008.53 .4302201-∠=∠=?

中南大学模电试题四套

---○---○ --- ---○---○ --- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 2011 ~2012 学年2学期 模电II 课程 时间100分钟 48 学时, 3 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % —、填空题(10分,每空1分) 1.在本征半导体中加入__五价___元素可形成N 型半导体,加入__三价___元素可形成P 型半导体。 2.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是__ 减小温漂 __。 3.对于放大电路,所谓开环是指 _无反馈通路_,而所谓闭环是指 __存在反馈通路__。 4.交流负反馈是指__在交流通路中的负反馈___。 5.为了稳定静态工作点,应引入 直流负反馈 ;为了稳定放大倍数,应引入 交流负反馈 。 6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用 低通滤波电路。 7.功率放大电路的转换效率是指__最大输出功率与电源提供的平均功率之比_。 二、已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图所求电路中电阻R 的取值范围。(10分) 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

三、电路如图所示,晶体管的β=60,r bb '=100Ω。求解Q 点、u A 、R i 和R o ; (15分) 解:Q 点: A R R U V I e b BEQ CC BQ μβ31)1(≈++-= mA I I BQ CQ 86.1≈=β V R R I V U e c EQ CC CEQ 56 .4)(=+-≈ u A 、R i 和R o 的分析: Ω≈++=952mV 26)1(EQ bb'be I r r β Ω≈=952be b i r R R ∥ 95)(be L c -≈-=r R R A u ∥β Ω==k 3c o R R 四、通用型集成运放一般由几部分电路组成?每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? (10分) 解: 通用型集成运放通常由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四部分组成。对于由双极型管组成的集成运放,输入级多用差分放大电路,中间级为共射电路,输出级多用互补输出级,偏置电路是多路电流源电路。 输入级又称前置级它往往是一个双端输入的高性能差分放大电路。一般要求其输入电阻高,差模放大倍数大,抑制共模信号的能力强,静态电流小。 中间级是整个放大电路的主放大器,其作用是使集成运放具有较强的放大能力,多采用共射放大电路。而且为了提高电压放大倍数,经常采用复合管做放大管,以恒流源做集电极负载。 输出级应具有输出电压线性范围宽、输出电阻小(即带负载能力强)、非线性失真小等特点。 集成运放的输出级多采用互补对称输出电路。 偏置电路用于设置集成运放各级放大电路的静态工作点。与分立元件不同,集成运放采用电流源电路为各级提供合适的集电极(或发射极、漏极)静态工作电流,从而确定了合适的静态工作点。

中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

中南大学物化课后习题标准答案-8--章-电解质溶液

第8章 电解质溶液 1. As 2S 3(s)+HNO 3(浓)→H 3AsO 4 + H 2SO 4 + NO 2 + H 2O FeS 2(s) + O 2→Fe 2O 3(s) + SO 2 Cr 2O 3(s) + Na 2O 2(s)→Na 2CrO 4(s) + Na 2O(s) S + H 2SO 4(浓)→SO 2 + H 2O 2.用铂电极电解氯化铜CuCl 2溶液,通过的电流为st1:chmetcnv TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False" SourceValue="20" UnitName="a">20A ,经过15分钟后,在阴极上能析出多少克铜?在阳极上能析出多少dm 3的300.15K ,101.325kPa 的氯气? (答案:2.297 dm 3) 解:(1)在阴极 Cu 2+ + 2e → Cu 析出铜 (2) 在阳极 2Cl - →Cl 2(g) + 2e 析出氯 3.一电导池中装入0.02mol ·dm -3的KCl 水溶液,298.15K 时测得其电阻为453Ω。已知298.15K0.02mol ·dm -3溶液的电导率为0.2768S ·m -1。在同一电导池中装入同样体积的浓度为0.55g ·dm -3的CaCl 2溶液,测得电阻为1050Ω。计算电导池常数、该CaCl 2溶液的电导率和摩尔电导率Λm (1/2CaCl 2)。(答案:125.4 m -1,0.1194 S ·m -1,0.02388 S ·m 2·mol -1)

解:(1)电导池常数G (2)CaCl 2 的电导率 (3) 摩尔电导率 4.在298K,H+ 和HCO- 3的离子极限摩尔电导率λ H + =3.4982×10-2S·m2·mol-1,λ HCO - 3 = 4.45×10-3S·m2·mol-1。在同温度下测得0.0275mol·dm-3H 2 CO 3 溶液的电导 率κ=3.86×10-3S·m-1,求H 2CO 3 离解为H + 和HCO- 3 的离解度。(答案:α= 3.56 ×10-3) 解: 5.已知291K时NaCl ,NaOH及NH 4 Cl的极限摩尔电导率λ分别为1.086×10-2, 2.172×10-2及1.298×10-2S·m2·mol-1,291K时0.1及0.01mol·dm-3NH 3·H 2 O的 摩尔电导率λ m 分别为3.09和9.62S·cm2·mol-1,利用上述实测数据求0.1及 0.01mol·dm-3NH 3·H 2 O的离解常数K。(答案:K = 1.7×10-5)

中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 … … … … 评卷 密 封 线 … … … … …… 密 封线 内不 要答 题 ,密封 线外 不 准 填写 考 生信 息, 违 者 考试 成 绩 按0 分 处理 … … … ……… 评 卷 密封 线 … …… … 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

中南大学模电第二章作业答案

2. 分别改正下图所示各电路中的错误,使它 要求保留电路原们有可能放大正弦波信号 來的!輛接法和耕合方式。 (a) 静态时,发射结正 偏,集电结反偏,-VCC改为+VCC (b) 没有RB发射结会烧坏,集电结不能反偏 (c) 没有RB1当 ui=0时发射结两端电压为零,VBB反过来。 3. 放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要 求l cQ=2mA,确定此时的静态工作点,并 确定此时的R b的值; ②利用图解法分别求 出R L=R和R L=3k Q时的最大不失真输出电压U om (有效值); ③若R调至150k Q且i的交流分量i t) =20sin t(卩A),画出i和U的波形图,

U ce = V C^ " 1 c R C U =01=4 解:(1)直流负载线 ce ' c 作负载线得:I CQ =40卩A 1厂0叽=12 V CC = 1 B R b U CE 12 R b 300k'.1 0.04 (2) R L =%直流负载线与交流负载线重合 Uom=6/1.414=4.23V R L =3K? ,R L //R C =1.5 K?当 U CEQ +1.5*I CQ =9 ,Uom=1.5*l CQ /1.414=2.12V 0 4-12V (mA)

4.电路如图P2.7所示,晶体管的3 =80 , r bb ' =1001。分别计算R L m 和R L =3k I 时的 Q 点、A u 、R 和 R o 。 20( U A] 12 w CE (V) 7B 100( 11 A) --------- 80( U A) 4 60( I 】A) 一 40( u A) 2- 1- L I 2 4 ⑶ 当 RB=15O 农 时, IBQ=80Ma

中南大学物化课后习题答案-10章-电极过程

第10章电极过程1.用间接方法求得298.15K时,反应 H 2+?O 2 ==== H 2 O(l)=-236.65 kJ·mol-1 试问298.15K时,非常稀的硫酸溶液的分解电压是多少?设用的是可逆电极,并且溶液搅拌得很好。(答案:1.226V) 解:∵= - zFEΘ ∴U分 = E理 = EΘ= 2.298.15K时低电流密度电解稀硫酸水溶液,用银作两极的电极材料,和用光滑铂作两极材料,试分别确定其分解电压(已知在银电极上ηH2=0.87 ,ηO2=0.96V,在光滑铂电极上ηH2=0.09,ηO2=0.45V。并设稀硫酸水溶液中a H2O=1)。(答案:3.059V;1.769V) 解:电解稀硫酸水溶液,就是电解水,其理论(可逆)分解电压为1.229,考虑极化作用,则其实际分解电压 = 理论(可逆)分解电压 + ∑ 超电压,故, 用Ag作电极: U 分 = 1.229 + 0.87 + 0.96 = 3.059 V 用Pt作电极: U 分 = 1.229 + 0.09 + 0.45 = 1.769 V 3.某溶液中含10-2mol·dm-3CdSO 4,10-2mol·dm-3ZnSO4和0.5mol·dm-3H 2 SO 4 , 把该溶液放在两个铂电极之间,用低电流密度进行电解,同时均匀搅拌,试问

①哪一种金属将首先沉积在阴极上? ②当另一种金属开始沉积时,溶液中先析出的哪一种金属所剩余的浓 度为多少? (答案:6.65×10-15 mol·dm-3) 解:(1) 在此溶液中,,,而查表知: , ∴一定有:,故金属Cd先析出。 (2)在金属锌析出时Cd2+的浓度应满足关系: (-0.4026) + 0.02958 lg c Cd2+ = (-0.7628) + 0.0296lg(0.01) 解得:c Cd2+ = 6.65×10-15 mol·dm-3 4.电解某溶液在阴极上有Zn沉积,H 在Zn上的超电压为0.72V,欲使溶液中 2 气,溶液的pH值最小应控制为多Zn2+的浓度降到10-4mol·dm-3,阴极仍不析出H 2 少?(答案:2.7) 解:当c Zn2+= 1.0×10-4mol·dm-3时,有 时,有E H+/H2 = (-0.05916)×pH-0.72 析出H 2

中南大学模拟电子答案

中南大学模拟电子答案 【篇一:中南大学往届电子技术试卷及答案】 t>---○---○--- ?中南大学考试试卷(1) ??20~20学年课程时间100分钟 ? 线封密卷评 ?????? 理处分0一、选择题 (本题10分,每小题2分) 按绩1、电路如图所示,所有二极管均为 理想成元件,则d1、d2、d3的工作状态为试考()。者违a.d1 导通,d2、d3截止;,息b.d1、d2截止,d3导通;信c.d1、 d3截止,d2导通;生考d.d1、d2、d3均截止;写填准2、存 储器的电路结构中包含()、存储电路和输入/输出电路(或读写控 制电路)不这三个组成部分。外线封密3、已知intel2114是1k* 4 位的ram集成电路芯片,它有地址线()条,数据线,题()条。答要不4、右图所示波形反映的逻辑函数是()。内线(其中a、 b为输入波形,y为输出波形)封a.与非; b.异或; c.同或;d.或;密 ? ?5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下 能有()。 ??a.尽可能高的电压放大倍数b.尽可能大的输出功率??c. 尽可能小的零点漂移线封密6、位d/a转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平,则输出电压为卷()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。评 ? ?7、已知被转换 的信号的上限截止频率为10khz,则a/d转换器的采样频率应高于()??khz;完成一次转换所用的时间应小于()。 二、简答题(24分) 1.写出下图电路输出逻辑表达式。 2.图中各触发器的初始状态q=0,试画出在cp信号连续作用下 各触发器q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路 (1)说明该电路的功能; (2)试画出电路的电压传输特性曲线。 4.下图电路中,变压器副边电压有效值为2u2。 (1)画出u2、ud1和uo的波形; (2)求出输出电压平均值uo(av) 2 3

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