辐射骚扰极化特性解决问题的案例

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辐射骚扰极化特性解决问题的案例

电磁辐射分析仪辐射骚扰极化特性解决问题的案例辐射骚扰整改方法与案例 The technique to Re F and one case 深圳电子产品质量检测中心李思雄 CQC深圳分中心徐毅敏摘要辐射骚扰超标通常是电磁兼容测试中最常见也是最难对付的;文章通过案例清楚说明了一般整改思路及每一步骤,特别强调超标原因的正确分析;并就此指出几个关键注意事项。关键词辐射骚扰超标整改思路案例 Abstract Radiation emission test frequently fail and it is very difficult to mend usually. In this article, technique and process to solve Re F (Radiation emission test fail) are introduced clearly by one case that accentuated to research problem exactly. The key to Re F was indicated. Keywords Re F mend technique case (一)引言辐射骚扰主要是指能量以电磁波形式由源发射到空间或能量以电磁波形式在空间传播的现象。辐射骚扰是电磁兼容的重要内容,也是测试最不容易通过且最难整改的项目,谈到电磁兼容测试不合格令人首先想到的就是辐射骚扰超标(Re F);辐射骚扰超标的产品可能引起周围装置、设备或系统性能降低或者对有生命或无生命物质产生损害,一定要整改合格、符合有关法规标准要求,产品才能顺利走向市场。部分企业重视EMC,开发出来的产品能够一次通过测试;但多见的情况是样品经过艰辛整改才勉强合格;有相当多IT数码产品本来就容易发生辐射骚扰超标(Re F),要依靠EMC设计才能有效解决问题的,可企业在产品开发阶段根本没有考虑EMC设计,也没有进行相应EMC测试以验证设计方案就投入量产,致使大量产品最终检验不合格而需要整改。(二)整改要求和整改方法概述如果产品辐射骚扰容易超标、整改不可避免,就要有负责整改的工程师;如整改工程师掌握无线电基础知识,了解辐射骚扰概念,能看懂电路和辐射骚扰测试图,兼有电子设计经验或EMC行业工作经验,就容易形成一套解决问题的办法。辐射骚扰整改的一般要求:对于已经材料齐套的批次产品、半成品或完成品,电路板不能改排版,成本要低,要能批量改进或生产;整改措施对下批次或类似产品设计具有指导意义。实施整改,通常要准备样品两台、说明书、电路图、结构图各一份;最好有一名熟练工人辅助操作。 Re F整改方法:首先,初步了解产品特点,尽量多地了解当前产品辐射骚扰超标具体情况;其次,针对整改要求,了解产品电路原理,根据客户提供的信息判断是何种类型的超标(工作所需要的振荡信号谐波超标还是其它问题)以及可能的骚扰源;再次,结合电路分析,通过产品内部检查和近场探头探查,具体确定辐射骚扰源和主要的辐射发射途径;为确保入手正确,安排必要的排查测试作问题症结的进一步确认;第四步,综合分析结果,采取措施,进行整改;如果超标严重(6dB以上),必须从源头开始治理(超标12dB以上时往往还要同时采取其他办法);如果超标不严重(不超过6dB),可以直接从较易处理的主要问题点(可能是骚扰源也可能是传播途径)开始着手;第五步,验证整改效果;第六步,效果不理想则返回检查,效果好则可以考虑方案简化和综合验证,以找出最方便、经济的达标办法;第七步,做个笔记,小结经验。(三)整改方法案例讲解这里详细介绍一款医疗产品Re F 整改的每一步骤,基于保密和篇幅原因,但凡可以不提的信息全部略去。·整改第一步,初步了解产品、了解辐射骚扰超标具体情况案例产品为医疗电子设备,塑料外壳,有两对输出长线连接作为电极的金属棒,电极用于连接人体不同部位,工作频率(10Hz~1MHz)可单一设定或程控交替变换。客户称该产品八月份在美国做FDA测试时Re F,三个多月来一直努力改进,始终未获通过。客户提供了此前每次整改前后的测试情况,简述如下:①第一次,水平和垂直测试曲线(August 17 First Scan);②第二次,线缆加铁氧体材料后改进不大;③第三次用近场探头查找骚扰源;④第四次把样机内外的线缆去除,没有负载状态时,测试曲线除了基底降低外几乎无变化;⑤第五次箱体、线缆屏蔽后测试,结果改进不大;⑥第六次24MHz和6MHz晶体振荡器接0.33Pf到地,电极和电源线上增加磁珠串接,测试结果没有明显改进。⑦第七次采取样品内部屏蔽、电极和电源线上增加磁珠串接,晶振接地等措施,测试结果没有明显改进。⑧第八次测试(Nov 09, 2005 Re with pads removed

and 160 ohm Resistors connected),没有明显改进,Radiated Emissions 30 MHz - 1000 MHz 水平极化测试数据如下: EN55011 Grp 1 Class B (Pk-H) Frequency Peak FS Limit@10m Margin RA CF AG AF (MHz) dB(uV) dB(uV/m) dB dB(uV) dB dB dB(1/m) 1.45E 08 49.6 30 19.6 66.9 4.7 32.9 10.9 3.15E 08 47.4 37 10.4 61 5.6 32.8 13.6 3.60E 08 51.1 37 14.1 63.4 5.8 32.8 14.7 3.84E 08 47.9 37 10.9 59.7 5.9 32.8 15.1 4.33E 08 48 37 11 58.2 6.1 32.8 16.4 EN55011 Grp 1 Class B (Pk-Vertical) 垂直极化测试数据略 ?整改第二步,了解产品电路原理,判断超标类型和骚扰源认真阅读说明书和电路图,可以把电路图示简化为如图1:从客户所提供的以上信息,可以得到如下基本判断: 1、产品辐射骚扰严重超标,最大超标28 dB(uV/m)以上;辐射骚扰超标由两部分叠加,其一为24 MHz在70 MHz~700 MHz的谐波,其二为120 MHz~300 MHz间的辐射群波骚扰;为此需要对应两部分问题同时考虑整改措施。 2、 24 MHz在70 MHz~700 MHz的谐波超标非常严重(几乎高出基底群波30dB),必须从源头开始治理。 3、从客户提供的第四次(把样机内外的线缆尽量多去除,没有输出、没有负载状态的)测试曲线结果看,线缆、输出线和负载是群波辐射骚扰的主要发射载体。 4、从客户提供的每次整改后测试结果看,如下整改措施效果不佳:箱体屏蔽、样品内部屏蔽、线缆屏蔽,24Mhz和6Mhz晶体振荡器接0.33Pf到地或晶振外壳接地,样品改接地点等;恰好从电路、结构看,这些措施本来就不是好办法。 1整改第三步,结合电路分析,安排必要的排查验证测试,确认问题症结所在结合第二步分析,可以非常清楚看出,该案例Re涉及关键地方为:24MHz晶振电路、供电回路、地回路,24MHz晶振信号传输线,5V/72V DC/DC模块,DC/DC模块输入输出电路,外接电缆端口。从电路图看,主要问题有:24MHz晶振与振荡管之间未接入磁珠以吸收晶振振荡谐波,24MHz晶振电路由5V供电(一般3V供电的多,5V供电时24MHz振荡幅度很可能会过大,能否降低一些?),24MHz晶振信号传输线和供电线未接入磁珠或安排任何EMI抑制虑波电路, DC/DC模块输入端没有任何EMI抑制电路或器件安排,输出电路正负极之间只连接一个104电容。一句话,完全缺乏EMC考虑。估计电路排版也非常糟糕(该案例没有电路排版图、内部结构图), Re 超差才会这么严重。拆开样品查看结构和电路排版,果不出所料,设计工程师没有EMC经验,不知道高频电流环路面积S越大, EMI辐射会越严重,电路排版随心所欲,毫无顾忌:整体电路分布安排欠佳,致使24MHz晶振信号传输线和供电线排得很长,旁边也没有安排相伴地回线;输出端口与实际电路输出部位分别在两头且没有任何处置,正负极输出电缆分别连接人体不同部位,几乎形成开放性天线;大多数地线形成孤岛和尖锐边角。局部电路排版(反面)如照片1所示:改进EMC问题,如同诊治疾病,一定要先查清病灶。以上根据电路和排版,作了一些初步分析,为了验证客户提供信息的真实可参考,把骚扰源头摸透彻,以便下一步实施整改时有的放矢,需安排必要的排查测试(一般产品120 MHz以上,水平测试较垂直测试骚扰超标会较严重;本案例主要排查120 MHz以上骚扰时,只安排水平测试)。排查测试一,样品未整改,正常状态下水平测试结果曲线如图Th1;排查测试二,样品未整改,只有电源线、去除样机内外的输出线缆、没有负载状态,测试结果曲线如图Th2;以上测试非常重要。说明客户信息真实,可确认前述分析结果:①产品辐射骚扰超标非常严重,以至于只保留需要的电源线、去除样机内外的输出线缆状态下,测试结果基本不受影响;辐射骚扰超标由两部分叠加,其一为24 MHz在70 MHz~700 MHz的谐波,其二为120 MHz~300 MHz间的基底群波辐射骚扰;②24 MHz在70 MHz~700 MHz的谐波超标非常严重(几乎高出群波30dB),必须从源头开始治理。借助高频示波器或频谱分析仪加上近场探头寻找主要骚扰源,初步确认24MHz晶振电路为70 MHz~700 MHz的24 MHz谐波骚扰源头,5V/72V DC/DC模块为基底群波辐射骚扰源头。 24 MHz谐波理论上也是6MHz晶振谐波, 6MHz晶振电路对70 MHz~700 MHz范围内的谐波有多大程度的贡献?放大电路对于基底群波辐射骚扰多大程度的贡献?为了进一步确认,考虑安排如下几组排查测试:排查测试三:正常测试

状态下,让24MHz晶体开路,没有24MHz振荡信号时水平/垂直测试,测试结果曲线如图Thv3:(上面一条为水平测试结果)排查测试四,正常测试状态下,断开放大电路72V供电时水平测试,测试结果曲线与Th2相似,说明整个有用低频信号放大电路对辐射骚扰贡献很小,可以不予考虑。排查测试五,正常测试状态下,断开5V/72V DC/DC模块的5V输入,让5V/72V DC/DC模块不工作(同时会影响低频信号放大电路也停止工作),天线水平极化,测试结果曲线如图Th5,可以看出,由于没有了原来凸起来基底群波,整个辐射骚扰测试曲线低了很多:为进一步确认5V/72V DC/DC模块的缺陷,把5V/72V DC/DC模块取出,进行单独空载测试,即只给输入,输出端没有任何连接,测试结果曲线如图:水平Th6、垂直Tv7 基于DC/DC空载状态下,骚扰严重超出限值的情况,建议客户更换DC/DC模块。如能更换,将会大大简化整改措施,否则,这种DC/DC模块在电路中输入和输出都未有抑制安排的情况下,免不了要加装或加焊常规共模和差模抑制器件,内部处理不能完全消减骚扰至合格水平时外部电缆就免不了要加套磁环,即外部要采用带磁环电缆,会引起费用增加和装配不规范等新的问题。通过以上几步,问题非常明晰:24MHz晶振电路为70 MHz~700 MHz的24 MHz谐波骚扰源头,5V/72V DC/DC模块为基底群波辐射骚扰源头。 o整改第四、第五步,综合分析结果,整改、验证第一整改目标:把24 MHz在70 MHz~700 MHz的谐波抑制到不高出群波3dB(最大不高出群波5dB);采取措施降低24MHz晶振信号幅度、消减24MHz谐波信号。具体整改措施:(1)保证不影响样品正常工作,减小晶振幅度,实际IC1正常工作电压2~6伏特,原5伏特供电调整为2.7伏特;(2)利用合适的高频吸收器件,吸收晶振谐波, 24 MHz晶振回路与IC脚连接间串接102磁珠(100MHz时阻抗1000欧姆。磁珠选择原则为在希望起作用的频率范围内,如案例中70 MHz~700 MHz,阻抗大,等效电感小,电流限值足够,尺寸大小适合安装,选择原则下同);(3)在电源线、24 MHz时钟信号线两端串接磁珠,减小晶振谐波的耦合、沿长线传播引起强辐射,特别避免晶振谐波不必要地从一个芯片传送至另一芯片被二次放大;(4)地线完整性检查及改进,使电源线、信号线环路面积最小(必要时可增加电源线、信号线的伴随地线),消灭地线孤岛。经过以上步骤,用频谱仪在同方位、同角度、同距离情况下比较未经改进和已经改进的两个样品的24MHz谐波信号大小,发现大有改进。通过测试,证明效果很好。第二整改目标:把群波峰顶抑制到限值 6dB以下(最好在限值10dB以下);降低DC/DC 模块导致的基底抬高、隆起。整改具体措施:(1)分别在5V/72V DC/DC模块输入和输出端插入典型电源EMI抑制电路,如图2;(2)由于未更换电源模块,同时客户没有现成合适的抑制器件,加之安装不便利,DC/DC模块输入和输出端拟插入的典型抑制电路只能“偷工减料”实施一半(如照片2三个瓷片电容和两个差模线圈)。由于内部处理不充分,外部电源线、两对输出电缆都要加套磁环或采用带磁环电缆。经过以上步骤,用频谱仪在同方位、同角度、同距离情况下比较未经改进和已经改进的两个样品,发现改进情况很好。安排效果验证测试八,正常状态下,水平、垂直测试图Th8/Tv8。证明第一、二步整改措施恰当有效。 ?第六步,方案简化和综合验证已整改的样品Re合格,功能检验正常,性能检验时发现输出波形有一点点毛刺,好像最后工作输出波形有所变化,经进一步检查、对照未改进前样品波形,发现输出波形比以前有很大改进(原来毛刺太多,波形密集时连在一起看上去反而以为正常),去除了叠加在有用波形上的大部分无用信号,剩下很少的微弱不稳定毛刺,为了更好消除剩余杂波,放大电路光耦输入端串接的小电阻变更为差不多等阻值的102磁珠,结果输出波形更加漂亮。一般说来,正确的EMC整改,只会提高产品性能。考虑以上方案中,24MHz晶振谐波和DC/DC模块导致的基底群波抑制效果很好,几乎都有10dB以上裕量,可以适当考虑简化整改方案。试着取消电源线非晶振端的串接磁珠,取消地线完整性措施,(如果更换DC/DC模块可以取消更多第二步措施。)按照简化方案再改多两台样品,安排最后验证测试,完全达到整改效果,仍有5dB以上裕量。安排效果验证测试九,正常测试状态下,水平极化测试图Th9较之Th8结果稍差,垂直极化测试

图与Tv8几乎完全相同。 ?第七步,做个笔记,小结经验整改工作完成后,一方面,要认真落实整改方案、跟踪检查,另一方面,建议把整改、测试相关资料整理存档,做个小结笔记-特别考虑如果重新开发一样的产品时,应该在设计中注意什么。比如这次整改完成,对下批次或类似产品设计具有如下指导意义:

⑴重新选购合格的DC/DC模块;⑵电路板重新排版:在原有线路板层数和器件不变时,尽量减小所有的高速信号及时钟信号线构成的环路面积,使信号线紧邻地回路;印制板分层原理与布线原理一样,电源平面与其对应的地平面相邻,相邻层的高速信号不跨区;所有的信号层特别是高速信号、时钟信号与地平面相邻,尽量避免两信号层相邻;⑶I/O排线采用屏蔽性能好的线缆,屏蔽层可作为回线;内导线采用多股双绞线,使空间场互抵。(四)本文小结整改成果不限于效果本身,最重要的是掌握整改方法,并从中意识到产品EMC重在设计、整改只是补救措施。辐射骚扰超标是电磁兼容常见现象,也是最难对付的项目;如整改思路明确,有步骤做实七步工作,关键是准确无误找到问题症结-这是整改核心,就可以取得较好效果;但治病不如防病,趁早考虑和解决EMC问题是最佳选择。

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辐射骚扰整改方法.

辐射骚扰整改方法 辐射骚扰主要是指能量以电磁波形式由源发射到空间或能量以电磁波形式在空间传播的现象。辐射骚扰是电磁兼容的重要内容,也是测试最不容易通过且最难整改的项目,谈到电磁兼容测试不合格令人首先想到的就是辐射骚扰超标(Re F);辐射骚扰超标的产品可能引起周围装置、设备或系统性能降低或者对有生命或无生命物质产生损害,一定要整改合格、符合有关法规标准要求,产品才能顺利走向市场。 部分企业重视EMC ,开发出来的产品能够一次通过测试;但多见的情况是样品经过艰辛整改才勉强合格;有相当多IT 数码产品本来就容易发生辐射骚扰超标(Re F),要依靠EMC 设计才能有效解决问题的,可企业在产品开发阶段根本没有考虑EMC 设计,也没有进行相应EMC 测试以验证设计方案就投入量产,致使大量产品最终检验不合格而需要整改。 (二)整改要求和整改方法概述 如果产品辐射骚扰容易超标、整改不可避免,就要有负责整改的工程师;如整改工程师掌握无线电基础知识,了解辐射骚扰概念,能看懂电路和辐射骚扰测试图,兼有电子设计经验或EMC 行业工作经验,就容易形成一套解决问题的办法。 辐射骚扰整改的一般要求:对于已经材料齐套的批次产品、半成品或完成品,电路板不能改排版,成本要低,要能批量改进或生产;整改措施对下批次或类似产品设计具有指导意义。实施整改,通常要准备样品两台、说明书、电路图、结构图各一份;最好有一名熟练工人辅助操作。 > Re F整改方法:首先,初步了解产品特点,尽量多地了解当前产品辐射骚扰超标具体情况;其次,针对整改要求,了解产品电路原理,根据客户提供的信息判断是何种类型的超标(工作所需要的振荡信号谐波超标还是其它问题)以及可能的骚扰源;再次,结合电路分析,通过产品内部检查和近场探头探查,具体确定辐射骚扰源和主要的辐射发射途径;为确保入手正确,安排必要的排查测试作问题症结

传导骚扰抗扰度(CS)测试

传导骚扰抗扰度(CS) 1.传导骚扰抗扰度 1.1 传导骚扰抗扰度概述 本标准主要介绍国际标准IEC61000-4-6:2006,对应国家标准GB/T17626.6:1998《电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度》的试验方法。 1.2 传导骚扰抗扰度试验目的和应用场合 本标准所涉及的主要骚扰源是来自9kHz~80MHz频率范围内射频发射机产生的电磁场。该电磁场会作用于电气、电子设备的电源线、通信线和接口电缆等连接线路上,这些连接引线的长度则可能与干扰频率的几个波长相当,因此,这些引线就变成被动天线,接受外界电磁场的感应,引线电缆就可以通过传导方式耦合外界干扰到设备内部(最终以射频电压和电流所形成的近场电磁骚扰到设备内部)对设备产生干扰。从而影响设备的正常运行。所以,本标准的目的主要是建立一个评估射频场感应的传导骚扰抗扰度性能的公共参考,为有关产品的专业技术委员会或用户和制造商提供一个基本参考。 2 传导骚扰抗扰度常见术语 2.1 人工手 模拟正常工作条件下,手持式电气设备和地之间的人体阻抗的电网络

2.2 辅助设备 为受试设备正常运行提供所需信号的设备和检验受试设备性能的设备。 2.3 注入钳 u 电流钳 由被注入信号的电缆构成的二次绕组实现的电流变换器。 u 电磁钳 由电容和电感耦合相组合的注入装置。 2.4 共模阻抗 在某一端口上共模电压和共模电流之比。 2.5 耦合系数 在耦合装置的受试设备端口所获得的开路电压(电动势)与信号发生器输出端上的开路电压的比值 2.6 耦合网络 以规定的阻抗从一电路到另一电路传输能量的电路。 2.7 去耦网络

压电陶瓷材料及应用

压电陶瓷材料及应用 一、概述 1.1电介质 电介质材料的研究与发展成为一个工业领域和学科领域,是在20世纪随着电气工业的发展而形成的。国际上电介质学科是在20世纪20年代至30年代形成的,具有标志性的事件是:电气及电子工程师学会(IEEE)在1920年开始召开国际绝缘介质会议,以后又建立了相应的分会(IEEE Dielectric and Electrical Insulation Society)。美国MIT建立了以Hippel教授为首的绝缘研究室。苏联列宁格勒工学院建立了电气绝缘与电缆技术专业,莫斯科工学院建立了电介质与半导体专业。特别是德国德拜教授在20世纪30年代由于研究了电介质的极化和损耗特性与其分子结构关系获得了诺贝尔奖,奠定了电介质物理学科的基础。随着电器和电子工程的发展,形成了研究电介质极化、损耗、电导、击穿为中心内容的电介质物理学科。 我国电介质领域的发展是在1952年第一个五年计划制定和实行以来,电力工业和相应的电工制造业得到迅速发展,这些校、院、所、首先在我国开展了有关电介质特性的研究和人才的培养,并开出了“电介质物理”、“电介质化学”等关键专业课程,西安交大于上海交大、哈尔滨工大等院校一道为我国培养了数千名绝缘电介质专业人才,促进了我国工程电介质的发展。80年代初中国电工技术学会又建立了工程电介质专业委员会。 近年来,随着电子技术、空间技术、激光技术、计算机技术等新技术的兴起以及基础理论和测试技术的发展,人们创造各种性能的功能陶瓷介质。主要有: (1)、电子功能陶瓷如高温高压绝缘陶瓷、高导热绝缘陶瓷、低热膨胀陶瓷、半导体陶瓷、超导陶瓷、导电陶瓷等。 (2)、化学功能陶瓷如各种传感器、化学泵等。 (3)、电光陶瓷和光学陶瓷如铁电、压电、热电陶瓷、透光陶瓷、光色陶瓷、玻璃光纤等。(电介质物理——邓宏)

辐射骚扰整改方法

辐射骚扰整改方法与案例The technique to Re F and one case 深圳电子产品质量检测中心李思雄CQC 深圳分中心徐毅敏文章通过案例清楚说明了一摘要辐射骚扰超标通常是电磁兼容测试中最常见也是最难对付的;般整改思路及每一步骤,特别强调超标原因的正确分析;并就此指出几个关键注意事项。关键词辐射骚扰超标整改思路案例Abstract Radiation emission test frequently fail and it is very difficult to mend usually. In this article, technique and process to solve Re F (Radiation emission test fail) are introduced clearly by one case that accentuated to research problem exactly. The key to Re F was indicated. Keywords Re F mend technique case (一)引言辐射骚扰主要是指能量以电磁波形式由源发射到空间或能量以电磁波形式在空间传播的现象。辐射骚扰是电磁兼容的重要内容,也是测试最不容易通过且最难整改的项目,谈到电磁兼容测试不合格令人首先想到的就是辐射骚扰超标(Re F);辐射骚扰超标的产品可能引起周围装置、设备或系统性能降低或者对有生命或无生命物质产生损害,一定要整改合格、符合有关法规标准要求,产品才能顺利走向市场。部分企业重视EMC,开发出来的产品能够一次通过测试;但多见的情况是样品经过艰辛整改才勉强合格;有相当多IT 数码产品本来就容易发生辐射骚扰超标(Re F),要依靠EMC 设计才能有效解决问题的,可企业在产品开发阶段根本没有考虑EMC 设计,也没有进行相应EMC 测试以验证设计方案就投入量产,致使大量产品最终检验不合格而需要整改。(二)整改要求和整改方法概述如果产品辐射骚扰容易超标、整改不可避免,就要有负责整改的工程师;如整改工程师掌握无线电基础知识,了解辐射骚扰概念,能看懂电路和辐射骚扰测试图,兼有电子设计经验或EMC 行业工作经验,就容易形成一套解决问题的办法。辐射骚扰整改的一般要求:对于已经材料齐套的批次产品、半成品或完成品,电路板不能改排版,成本要低,要能批量改进或生产;整改措施对下批次或类似产品设计具有指导意义。实施整改,通常要准备样品两台、说明书、电路图、结构图各一份;最好有一名熟练工人辅助操作。Re F 整改方法:首先,初步了解产品特点,尽量多地了解当前产品辐射骚扰超标具体情况;其次,针对整改要求,了解产品电路原理,根据客户提供的信息判断是何种类型的超标(工作所需要的振荡信号谐波超标还是其它问题)以及可能的骚扰源;再次,结合电路分析,通过产品内部检查和近场探头探查,具体确定辐射骚扰源和主要的辐射发射途径;为确保入手正确,安排必要的排查测试作问题症结的进一步确认;第四步,综合分析结果,采取措施,进行整改;如果超标严重(6dB 以上),必须从源头开始治理(超标12dB 以上时往往还要同时采取其他办法);如果超标不严重(不超过6dB),可以直接从较易处理的主要问题点(可能是骚扰源也可能是传播途径)开始着手;第五步,验证整改效果;第六步,效果不理想则返回检查,效果好则可以考虑方案简化和综合验证,以找出最方便、经济的达标办法;第七步,做个笔记,小结经验。(三)整改方法案例讲解这里详细介绍一款医疗产品Re F 整改的每一步骤,基于保密和篇幅原因,但凡可以不提的信息全部略去。整改第一步,初步了解产品、整改第一步,初步了解产品、了解辐射骚扰超标具体情况案例产品为医疗电子设备,塑料外壳,有两对输出长线连接作为电极的金属棒,电极用于连接人体不同部位,工作频率(10Hz~1MHz)可单一设定或程控交替变换。客户称该产品八月份在美国做FDA 测试时Re F,三个多月来一直努力改进,始终未获通过。客户提供了此前每次整改前后的测试情况,简述如下:①第一次,水平和垂直测试曲线(August 17 First Scan);②第二次,线缆加铁氧体材料后改进不大;③第三次用近场探头查找骚扰源;④第四次把样机内外的线缆去除,没有负载状态时,测试曲线除了基底降低外几乎无变化;⑤第五次箱体、线缆屏蔽后测试,结果改进不大;⑥第六次24MHz 和6MHz 晶体振荡器接0.33Pf 到地,电极和电源线上增加磁珠串接,测试结果没有明显改进。⑦第七次采取样品内部屏蔽、电极和电源线上增加磁珠串接,晶振接地等措施,测试结果没有明显改进。⑧第八次测试(Nov 09, 2005 Re with pads removed and 160

(工艺技术)压电陶瓷的压电原理与制作工艺

压电陶瓷的压电原理与制作工艺 1.压电陶瓷的用途 随着高新技术的不断发展,对材料提出了一系列新的要求。而压电陶瓷作为一种新型的功能材料占有重要的地位,其应用也日益广泛。压电陶瓷的主要应用领域举例如表1所示。

2.压电陶瓷的压电原理 2.1 压电现象与压电效应 在压电陶瓷打火瓷柱垂直于电极面上施加压力,它会产生形变,同时还会产生高压放电。在压电蜂鸣器电极上施加声频交变电压信号,它会产生形变,同时还会发出声响。归纳这些类似现象,可得到正、逆压电效应的概念,即:压电陶瓷因受力形变而产生电的效应,称为正压电效应。压电陶瓷因加电压而产生形变的效应,称为逆压电效应。2.2 压电陶瓷的内部结构 材料学知识告诉我们,任何材料的性质是由其内部结构决定的,因而要了解压电陶瓷的压电原理,明白压电效应产生的原因,首先必须知道压电陶瓷的内部结构。 2.2.1 压电陶瓷是多晶体 用现代仪器分析表征压电陶瓷结构,可以得到以下几点认识: (1)压电陶瓷由一颗颗小晶粒无规则“镶嵌”而成,如图1所示。 图1 BSPT压电陶瓷样品断面SEM照片 (2)每个小晶粒微观上是由原子或离子有规则排列成晶格,可看为一粒小单晶,如图2所示。 图2 原子在空间规则排列而成晶格示意图 (3)每个小晶粒内还具有铁电畴组织,如图3所示。

图3 PZT陶瓷中电畴结构的电子显微镜照片 (4)整体看来,晶粒与晶粒的晶格方向不一定相同,排列是混乱而无规则的,如图4所示。这样的结构,我们称其为多晶体。 图4 压电陶瓷晶粒的晶格取向示意图 2.2.2 压电陶瓷的晶胞结构与自发极化 (1)晶胞结构 目前应用最广泛的压电陶瓷是钙钛矿(CaTiO3)型结构,如PbTiO3、BaTiO3、K x Na1-x NbO3、Pb(Zr x Ti1-x)O3等。 该类材料的化学通式为ABO3。式中A的电价数为1或2,B的电价为4或5价。其晶胞(晶格中的结构单元)结构如图5所示。 图5 钙钛矿型的晶胞结构

瞬态传导抗扰度测试常见问题对策及整改措施

4.1 综述 电磁兼容所说的瞬态脉冲是指干扰脉冲是断续性的,一般具有较高的干扰电压,较快速的脉冲上升时间,较宽的频谱范围。一般包括:静电放电、电快速瞬变脉冲群、浪涌冲击等。由于它们具有以上共同特点,因此在试验结果的判断及抑制电路上有较大的共同点。在此处先进行介绍。 4.1.1 瞬态脉冲抗扰度测试常见的试验结果说明 对不同试验结果,可以根据该产品的工作条件和功能规范按以下内容分类: A:技术要求范围内的性能正常; B:功能暂时降低或丧失,但可自行恢复性能; C:功能暂时降低或丧失,要求操作人员干预或系统复位; D:由于设备(元件)或软件的损坏或数据的丧失,而造成不可恢复的功能降低或丧失。 符合A的产品,试验结果判合格。这意味着产品在整个试验过程中功能正常,性能指标符合技术要求。 符合B的产品,试验结果应视其产品标准、产品使用说明书或者试验大纲的规定,当认为某些影响不重要时,可以判为合格。 符合C的产品,试验结果除了特殊情况并且不会造成危害以外,多数判为不合格。 符合D的产品判别为不合格。 符合B和C的产品试验报告中应写明B类或C类评判依据。符合B类应记录其丧失功能的时间。 4.1.2常用的瞬态脉冲抑制电路: 4.1.2.1 箝位二极管保护电路: 图10二极管保护电路 工作原理如图10。 使用2只二极管的目的是为了同时抑制正、负极性的瞬态电压。瞬态电压被箝位在V++VPN~V--VPN范围内,串联电阻担负功率耗散的作用。利用现有电源的电压范围作为瞬态电压的抑制范围,二极管的正向导通电流和串联电阻的阻值决定了该电路的保护能力。本电路具有极好的保护效果,同时其代价低廉,适合成本控制比较严、静电放电强度和频率不十分严重的场合。 4.1.2.2 压敏电阻保护电路: 压敏电阻的阻值随两端电压变化而呈非线性变化。当施加在其两端的电压小于阀值电压时,器件呈现无穷大的电阻;当施加在其两端的电压大于阀值电压时,器件呈现很小电阻值。此物理现象类似稳压管的齐纳击穿现象,不同的是压敏电阻无电压极性要求。使用压敏电阻保护电路的特点是简单、经济、瞬态抑制效果好,且可以获得较大的保护功率。 4.1.2.3 稳压管保护电路: 背对背串接的稳压管对瞬态抑制电路的工作原理是显而易见的。当瞬态电压超过V1的稳压值时,V1反向击穿,V2正向导通;当瞬态电压是负极性时,V2反向击穿,V1正向导通。将这2只稳压管制作在同一硅片上就制成了稳压管对,使用更加方便。 4.1.2.4 TVS(瞬态电压抑制器)二极管: 这是最近发展起来的一种固态二极管,适用用于ESD保护。一般选择工作电压大于或等于电路正常工作电压的器件。TVS二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。由于TVS二极管的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理想的保护作用。但同时必须注意,结面积大造成结电容增大,因而不适合高频信号电

压电陶瓷电特性测试与分析

摘要:通过对压电陶瓷器件进行阻抗测试可得到压电振子等效电路模型参数与谐振频率。通过对压电陶瓷器件电容值、温度稳定性、绝缘电阻、介质耐电压等电性能参数进行测量与分析后可知:压电陶瓷器件电特性符合一般电容器特点,所用连接线材在较低频率下寄生电容不明显,在常温下工作较稳定,厚度较厚的产品绝缘性和可靠性指标较好。 关键词:压电陶瓷;等效电路模型;电特性;可靠性 0 引言 压电陶瓷(Piezoelectric Ceramics,PZT)受到微小外力作用时,能把机械能变成电能,当加上电压时,又会把电能变成机械能。它通常由几种氧化物或碳酸盐在烧结过程中发生固相反应而形成,其制造工艺与普通的电子陶瓷相似。与其他压电材料相比,具有化学性质稳定,易于掺杂、方便塑形的特点[1],已被广泛应用到与人们生活息息相关的许多领域,遍及工业、军事、医疗卫生、日常生活等。利用铁电陶瓷的高介电常数可制作大容量的陶瓷电容器;利用其压电性可制作各种压电器件;利用其热释电性可制作人体红外探测器;通过适当工艺制成的透明铁电陶瓷具有电控光特性,利用它可制作存贮,显示或开关用的电控光特性器件。通过物理或化学方法制备的PZT、PLZT等铁电薄膜,在电光器件、非挥发性铁电存储器件等有重要用途[2-5]。 为了保护生态环境,欧盟成员国已规定自2006年7月1日起,所有在欧盟市场上出售的电子电气产品设备全部禁止使用铅、水银、镉、六价铬等物质。我国对生态环境的保护也是相当重视的。因此,近年来对无铅压电陶瓷进行了重点发展和开发。但无铅压电陶瓷性能相对于PZT陶瓷来说,总体性能还是不足以与PZT陶瓷相比。因此,当前乃至今后一段时间内压电陶瓷首选仍将是以PZT为基的陶瓷。 本文将应用逆压电效应以压电陶瓷蜂鸣片为例进行阻抗测试、电容值、绝缘电阻、介质耐电压等电性能参数进行测量与分析。 1 测量参数和实验方法依据 目前我国现有的关于压电陶瓷材料的测试标准主要有以下: GB/T 3389-2008 压电陶瓷材料性能测试方法 GB/T 6427-1999 压电陶瓷振子频率温度稳定性的测试方法 GB/T 16304-1996 压电陶瓷电场应变特性测试方法 GB 11387-89 压电陶瓷材料静态弯曲强度试验方法 GB 11320-89 压电陶瓷材料性能方法(低机械品质因数压电陶瓷材料性能的测试)

压电陶瓷测量原理

压电陶瓷及其测量原理 近年来,压电陶瓷的研究发展迅速,取得一系列重大成果,应用范围不断扩大,已深入到国民经济和尖端技术的各个方面中,成为不可或缺的现代化工业材料之一。由于压电材料的各向异性,每一项性能参数在不同的方向所表现出的数值不同,这就使得压电陶瓷材料的性能参数比一般各向同性的介质材料多得多。同时,压电陶瓷的众多的性能参数也是它广泛应用的重要基础。 (一)压电陶瓷的主要性能及参数 (1)压电效应与压电陶瓷 在没有对称中心的晶体上施加压力、张力或切向力时,则发生与应力成比例的介质极化,同时在晶体两端将出现正负电荷,这一现象称为正压电效应;反之,在晶体上施加电场时,则将产生与电场强度成比例的变形或机械应力,这一现象称为逆压电效应。这两种正、逆压电效应统称为压电效应。晶体是否出现压电效应由构成晶体的原子和离子的排列方式,即晶体的对称性所决定。在声波测井仪器中,发射探头利用的是正压电效应,接收探头利用的是逆压电效应。 (2)压电陶瓷的主要参数 1、介质损耗 介质损耗是包括压电陶瓷在内的任何电介质的重要品质指标之一。在交变电场下,电介质所积蓄的电荷有两种分量:一种是有功部分(同相),由电导过程所引起;另一种为无功部分(异相),由介质弛豫过程所引起。介质损耗是异相分量与同相分量的比值,如图 1 所示,C I 为同相分量,R I 为异相分量,C I 与总电流 I 的夹角为δ,其正切值为 CR I I C R ωδ1 tan == 其中ω 为交变电场的角频率,R 为损耗电阻,C 为介质电容。

图 1 交流电路中电压-电流矢量图(有损耗时) 2、机械品质因数 机械品质因数是描述压电陶瓷在机械振动时,材料内部能量消耗程度的一个参数,它也是衡量压电陶瓷材料性能的一个重要参数。机械品质因数越大,能量的损耗越小。产生能量损耗的原因在于材料的内部摩擦。机械品质因数m Q 的定义为: π2 的机械能 谐振时振子每周所损失能谐振时振子储存的机械?=m Q 机械品质因数可根据等效电路计算而得 11 1 11 R L C R Q s s m ωω= = 式中1R 为等效电阻(Ω),s ω 为串联谐振角频率(Hz ),1C 为振子谐振时的等效电容(F ),1L 为振子谐振时的等效电感。m Q 与其它参数之间的关系将在后续详细推导。 不同的压电器件对压电陶瓷材料的m Q 值的要求不同,在大多数的场合下(包括声波测井的压电陶瓷探头),压电陶瓷器件要求压电陶瓷的m Q 值要高。 3、压电常数 压电陶瓷具有压电性,即在其外部施加应力时能产生额外的电荷。其产生的电荷与施加的应力成比例,对于压力和张力来说,其符号是相反的,电位移 D (单位面积的电荷)和应力σ 的关系表达式为:dr A Q D == 式中 Q 为产生的电荷(C ),A 为电极的面积(m 2),d 为压电应变常数(C/N )。 在逆压电效应中,施加电场 E 时将成比例地产生应变 S ,所产生的应变 S 是膨胀还是收缩,取决于样品的极化方向。

压电陶瓷及其应用

压电陶瓷及其应用 一. 概述 压电陶瓷是一种具有压电效应的多晶体,由于它的生产工艺与陶瓷的生产工艺相似(原料粉碎、成型、高温烧结)因而得名。 某些各向异性的晶体,在机械力作用下,产生形变,使带电粒子发生相对位移,从而在晶体表面出现正负束缚电荷,这种现象称为压电效应。晶体的这种性质称为压电性。压电性是J·居里和P·居里兄弟于1880年发现的。几个月后他们又用实验验证了逆压电效应、即给晶体施加电压时,晶体会产生几何形变。 1940年以前,只知道有两类铁电体(在某温度范围内不仅具有自发极化,而且自发极化强度的发向能因外场强作用而重新取向的晶体):一类是罗息盐和某些关系密切的酒石酸盐;一类是磷酸二氢钾盐和它的同品型物。前者在常温下有压电性,技术上有使用价值,但有易溶解的缺点;后者要在低温(低于—14 C)下才有压电性,工程使用价值不大。 1942-1945年间发现钛酸钡(BaTiO)具有异常高的介电常数,不久又发现它具有压电性,BaTi O压电陶瓷的发现是压电材料的一个飞跃。这以前只有压电单晶材料,此后出现了压电多晶材料——压电陶瓷,并获得广泛应用。1947年美国用BaTiO陶瓷制造留声机用拾音器,日本比美国晚用两年。BaTiO存在压电性比罗息盐弱和压电性随温度变化比石英晶体大的缺点。 1954年美国B·贾菲等人发现了压电PbZrO-PbTiO(PZT)固溶体系统,这是一个划时代大事,使在BaTiO时代不能制作的器件成为可能。此后又研制出PLZT透明压电陶瓷,使压电陶瓷的应用扩展到光学领域。

迄今,压电陶瓷的应用,上至宇宙开发,下至家庭生活极其广泛。 我国对压电陶瓷的研究始于五十年代末期,比国外晚10年左右,目前在压电陶瓷的试制、工业生产等方面都已有相当雄厚力量,有不少材料已达到或接近国际水平。 二. 压电陶瓷压电性的物理机制 压电陶瓷是一种多晶体,它的压电性可由晶体的压电性来解释,晶体在机械力作用下,总的电偶极矩(极化)发生变化,从而呈现压电现象、因此压电性与极化,形变等有密切关系。 1. 极化的微观机理 极化状态是电场对电介质的荷电质点产生相对位移的作用力与电荷间互相吸引力的暂时平衡统一的状态。极化机理主要有三种。 (1)电子位移极化——电介质的原子或离子在电场力作用下,带正电原子核与壳层电子的负电荷中心出现不重合。 (2)离子位移极化——电介质正、负离子在电场力作用下发生相对位移,从而产生电偶极矩。 (3)取向极化——组成电介质的有极分子,有一定的本征(固有)电矩,由于热运动,取向无序,总电矩为零,当外加电场时,电偶极矩沿电场方向排列,出现宏观电偶极矩。 对于各向异性晶体,极化强度与电场存在有如下关系 m,n=1,2,3 式中为极化率,或用电位移写成:

CDN法测试与辐射骚扰的电波暗室法对比验证

CDN法测试与辐射骚扰的电波暗室法对比验证 【摘要】依据最新版《电气照明和类似设备的无线电骚扰特性的限值和测量方法》要求,在全面对比分析灯具产品辐射骚扰测试的电波暗室法和CDN法试验方法及试验结果的基础上,本文重点总结了两种方法的差异性及其成因,并结合当前行业内的做法,就CDN试验方法的应用提出个人见解。 【关键词】电波暗室法 CDN法探析 1.概况介绍 相对于旧版本的灯具类产品EMC标准,依据最新版本CISPR 15 / EN 55015 / GB 17743 《电气照明和类似设备的无线电骚扰特性的限值和测量方法》要求,需要增加测量频率范围30MHz~300MHz的辐射骚扰场强,测量方法可以为: (1)依据CISPR 22在开阔场或电波暗室进行试验,应用CISPR 22:2008第10章规定的方法。 (2)使用符合下列要求的耦合/去耦网络(CDN)进行测量: ①CDN阻抗参数在IEC 61000-4-6中规定; ②∣Zce∣阻抗应为150Ω,在扩展的80MHz~300MHz频率范围内公差为+60 Ω /-60 Ω。 CDN测试试验布置如下图1所示,照明设备放置在一块或者多块非导电木块上,木块高度为(10±0.2)cm,再将木块放置在接地金属板上,金属板的尺寸比照明设备至少大20cm。 照明设备通过一根长(20±10)cm的电源电缆与适当的耦合/去耦网络相连接,电缆离金属板的距离应为(4±1)cm,并使用高度为(4±0.2)cm的非导电支撑件,CDN安装在金属板上。如果照明设备有控制端子,这些端子用同样的方法连接到CDN-AF2,见IEC 61000-4-6。 CDN测试试验布置操作步骤如下: (1)把CDN、测量接收机的地线进行接地连接,并确保接地良好; (2)接上被测设备EUT; (3)把CDN网络的电源输入端连接到供电电源; (4)将CDN网络的BNC射频端口连接上测量接收机; (5)由于在CDN的RF输出端有6dB衰减器,6dB也应修正到最终结果中。 测量可以在无屏蔽的室内进行,离导电部件的距离应大于40cm。 图1 测试布置示意图 R—测量接收机CDN—耦合/去耦网络SV—电源 EUT—受试设备MP—接地平板T-6dB, 50Ω衰减器

辐射抗扰度测试

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 辐射抗扰度测试 辐射抗扰度测试指导老师:陈洁作者:胡力元11721297 时间:2011年12月16号 1/ 50

主要内容1.抗扰度测量 2.抗扰度试验准则和一般测量方法 3.电磁兼容测试场地 4.辐射敏感度的测量 5.辐射抗扰度测试实质 6.测试案例分析 7.参考文献

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 1.抗扰度测量抗扰度是指装置、设备或系统面临电磁骚扰不降低运行的能力。 设备的抗扰度测试又称为设备的敏感度测试(EMS),目的是测试设备承受各种电磁骚扰的能力。 当设备由于受到骚扰影响而性能下降时其性能判据可分为4级。 (1)EUT工作完全正常(2)EUT工作指标或功能出现非期望偏离,但当骚扰去除后可自行恢复。 (3)EUT工作指标或功能出现非期望偏离,骚扰源去除后不能自行恢复,必须依靠操作人员介入,例如“复位”方可恢复(4)EUT 的元器件损坏、数据丢失、软件故障等。 3/ 50

1.抗扰度测量在测量中,所关心的是一些敏感设备在遇到辐射或传导干扰的影响是,敏感设备的工作状态会发生怎么样的变化。 在试验中,通过测试设备将这些干扰模拟出来,再通过一些测试附加件,例如天线或传导注入所用的耦合部件等,讲上述干扰施加给EUT。 EUT的工作状况根据其特点选择合适的方式进行监测。 敏感性测量关注的是 EUT刚呈现性能降低时,外部施加干扰量的描述;抗干扰度关注的是即将出现性能降低时,外部施加干扰量的描述。

最新辐射发射(RE)测试

辐射发射(RE) 1.辐射发射(RE)测试概述 辐射发射(Radiated Emission)测试是测量EUT通过空间传播的辐射骚扰场强。可以分为磁场辐射、电场辐射,前者针对灯具和电磁炉,后者则应用普遍。另外,家电和电动工具、AV产品的辅助设备有功率辐射发射的要求(称为骚扰功率)。 2. 辐射发射(RE)测试标准: a) 电场辐射:CISPR22/EN55022(信息技术产品),CISPR13/EN55013(音频类产品),CISPR11/EN55011(工科医),CISPR14-1,CISPR15/EN55015(灯具); b) 磁场辐射:CISPR15(工作电流频率超过100Hz的灯具),CISPR11(电磁炉); c) 骚扰功率:CISPR14-1(工作频率不超过9kHz的一部分设备除外),CISPR13(只对辅助设备)。 3. 辐射发射(RE)测试方法: 1) 辐射发射测试仪器和设备: a) 电场辐射:接收机(1G以下)、频谱仪(1G以上)、电波暗室、天线(1G以下一般用双 锥和对数周期的组合或用宽带复合天线,1G以上喇叭天线); b) 磁场辐射:接收机、三环天线或单小环远天线; c) 骚扰功率:接收机、功率吸收钳。 接收机遵循CISPR16-1-1的要求,天线、场地遵循CISPR16-1-4的要求,吸收钳遵循CISPR16-1-3的要求。 2) 辐射发射测试场地布置:

a)电场辐射:也是分台式与落地式,与传导发射 相同(因为辐射发射结果与产品布置的关系 尤为密切,因此需要严格按照标准布置包括产品、辅助设备、所有电缆在内的受试样品); b)磁场辐射:不同尺寸的三环天线对能够测试的EUT最大尺寸是有限制的,以2m直径的环形三环天线为例,长度小于1.6m的EUT能够放在三环天线中心测试;在CISPR11中,超过1.6m的电磁炉用0.6m直径的单环远天线在3m外测量,最低高度1m; c)骚扰功率:分台式与落地式,台式设备放在0.8m的非金属桌子上,离其他金属物体至少0.8m(通常是屏蔽室的金属内墙,这个距离要求在CISPR14-1中是至少0.4m);落地式设备放在0.1m的非金属支撑上;被测线缆(LUT)布置在高0.8m、长6m的功率吸收钳导轨上,吸收钳套在线缆上,电流互感器端朝向被测设备。如果被测设备有其他线缆,在不影响功能的情况下能断开的断开,不能断开的用铁氧体吸收钳隔离。 3) 辐射发射测试频段:电场辐射一般是30MHz-1GHz(有些产品需要测超过1G,根据具体标准的规定),磁场9kHz-30MHz,骚扰功率30-300MHz。 4) 辐射发射测试限值:随不同标准,场地是3m、10m或其他尺寸,不同的产品分类 (Group 1/2, Class A/B)而限值不同。 5) 辐射发射测试过程: a)30MHz-1GHz电场辐射:在半电波暗室中进行,EUT随转台360度转动,天线在1-4m高度

压电陶瓷的极化

压电陶瓷的极化 压电陶瓷必须经过极化之后才具有压电性能。所谓极化(Poling),就是在压电陶瓷上加一强直流电场,使陶瓷中的电畴沿电场方向取向排列,又称人工极化处理,或单畴化处理。 1.极化机理 测试技术与理论分析表明,压电陶瓷的极化机理取决于其内部结构。压电陶瓷是由一颗颗小晶粒无规则地“镶嵌”而成,如图1所示。 图1 压电陶瓷显微照片(×3000) 每个小晶粒可看为一个小单晶,其中原子(离子)都是有规则(周期性)的排列,形成晶格,晶格又由一个个重复单元—晶胞组成,如图2、3所示。 图2 简单立方晶格示意图

图3 钙钛矿型材料的晶胞结构 晶粒与晶粒的晶格方向不一定相同,从整体看,仍是混乱、无规则的,如图 ),其正负电荷中心不重4所示。因而称其为多晶体。晶胞在一定温度下(T<T C ,极化方向从负电荷中心指向正电荷中心,如图5所示。合,产生自发极化P s 图4 压电陶瓷晶粒的晶格取向示意图 (a)立方相时(T>T C),不出现自发极化(b)四方相时(T<T C),出现自发极化 图5 BaTiO3晶相与自发极化示意图

为了使压电陶瓷处于能量(静电能与弹性能)最低状态,晶粒中就会出现若干小区域,每个小区域内晶胞自发极化有相同的方向,但邻近区域之间的自发极化方向则不同。自发极化方向一致的区域称为电畴,整块陶瓷包括许多电畴,如图6所示。 (a)电畴结构的显微照片(×26000) (b)对应显微照片的示意图 图6 PZT陶瓷中电畴结构 人工极化处理的作用,就是在压电陶瓷上加一足够高的直流电场,并保持一定的温度和时间,迫使其电畴转向,或者说迫使其自发极化作定向排列。图7示意陶瓷中电畴在极化处理前后的变化情况。 (a)极化处理前 (b)极化处理过程中 (c)极化处理后 图7 压电陶瓷在极化中电畴变化示意图 极化前,各晶粒内存在许多自发极化方向不同的电畴,陶瓷内的极化强度为零,如图7(a)所示。极化处理时,晶粒可以形成单畴,自发极化尽量沿外场

压电陶瓷的测试 -

第二章压电陶瓷测试 2.4 NBT基陶瓷的极化与压电性能测试 2.4.1 NBT基陶瓷的极化 1. 试样的制备 为对压电陶瓷进行极化和性能测试,烧结后的陶瓷需要进行烧银处理。烧银就是在陶瓷的表面上涂覆一层具有高导电率,结合牢固的银薄膜作为电极。电极的作用有两点:(1)为极化创造条件,因为陶瓷本身为强绝缘体,而极化时要施加高压电场,若无电极,则极化不充分;(2)起到传递电荷的作用,若无电极则在性能测试时不能在陶瓷表面积聚电荷,显示不出压电效应。 首先将烧结后的圆片状样品磨平、抛光,使两个平面保持干净平整。然后在样品的表面涂覆高温银浆(武汉优乐光电科技有限公司生产,型号:SA-8021),并在一定温度干燥。将表面涂覆高温银浆的样品放入马弗炉进行处理,慢速升温到320~350℃,保温15min以排除银浆中的有机物,快速升温到820℃并保温15min后随炉冷却,最后将涂覆的银电极表面抛光。 2. NBT基压电材料的极化 利用压电材料正负电荷中心不重合,对烧成后的压电陶瓷在一定温度、一定直流电场作用下保持一定的时间,随着晶粒中的电畴沿着电场的择优取向定向排列,使压电陶瓷在沿电场方向显示一定的净极化强度,这一过程称为极化[70]。极化是多晶铁电、压电陶瓷材料制造工艺中的重要工序,压电陶瓷在烧结后是各向同性的多晶体,电畴在陶瓷体中的排列是杂乱无章的,对陶瓷整体来说不显示压电性。经过极化处理后,陶瓷转变为各向异性的多晶体,即宏观上具有了极性,也就显示了压电性。 对于不同类型的压电陶瓷,进行合适的极化处理才能充分发挥它们最佳的压电特征。决定极化条件的三个因素为极化电压、极化温度和极化时间。为了确定NBT基压电材料的最佳极化条件,本文采用硅油浴高压极化装置(华仪电子股份有限公司生产,型号:7462)详细研究了样品的极化行为,并确定了最佳的极化条件。 2.4.2 NBT基陶瓷的压电性能测试 1.压电振子及其等效电路

需要辐射骚扰RE 和辐射抗扰度RS 测试的产品及标准列表

需要辐射骚扰RE 和辐射抗扰度RS 测试的产品及标准列表 With the frequency of electronic control circuitry or oscillator frequency is higher and higher, more and more products need radiated disturbance and radiated immunity test, and the frequency range required by radiated disturbance and radiated immunity test is higher and higher. Now nearly all electrical products are required to perform radiated disturbance and radiated immunity test. Please see table 1 for details: Country/ Region Products Standards* Test Item Note Europe HA appliances EN 55014-1 RE √ EN 55014-2 RS √ EN 60335-1 RS √E-toy EN 55014-1 RE √ EN 55014-2 RS √Lighting equipment EN 55015 RE √ EN 61547 RS √IT equipment EN 55022 RE √ EN 55024 RS √AV equipment EN 55013 RE √ EN 55020 RS √ISM equipment EN 55011 RE √ EN 55014-2 RS √Industrial,commercial equipment EN 61000-6-1 RE √ EN 61000-6-3 EN 61000-6-2 RS √ EN 61000-6-4 Medical electrical equipment EN 60601-1-2 RE √ RS √Automatic electrical controls EN 60730-1 RE √ RS √Electronic switches EN 60669-2-1 RE √ RS √Marine navigational equipment EN 60945 RE √ RS √Measurement equipment EN 61326-1 RE √ RS √Adjustable speed power drives EN 61800-3 RE √ RS √Radio communication ETSI EN 300 series RE √ equipment (wireless product) ETSI EN 301 489 RE √ series RS √Component in vehicle, trailers EN 55025 RE √ EMF for HA EN 62233 - - EMF for lighting EN 62493 RE √ All appliances-Harmonic current EN 61000-3-2 - - EN 61000-3-12 All appliances-Flicker EN 61000-3-3 - - EN 61000-3-11 USA Radio devices FCC part 15 RE √ISM equipment FCC part 18 RE √Canada ISM equipment ICES-001 RE √

压电陶瓷特性分析(一) 压电效应

压电陶瓷特性分析(一) 压电效应 压电效应是1880年由居里兄弟在α石英晶体上首先发现的。它是反映压电晶体的弹性和介电性相互耦合作用的,当压电晶体在外力作用下发生形变时,在它的某些相对应的面上产生异号电荷,这种没有电场作用,只是由于形变产生的现象称为正压电效应。当压电晶体施加一电场时,不仅产生了极化,同时还产生了形变,这种由电场产生形变的现象称为逆压电效应,逆压电效应的产生是由于压电晶体受到电场作用时,在晶体内部产生了应力,这应力称为压电应力,通过它的作用产生压电应变,实验证明凡是具有正压电效应的晶体,也一定具有逆压电效应,两者一一对应[92]。 任何介质在电场中,由于诱导极化的作用,都会引起介质的形变,这种形变与逆压电效应所产生的形变是有区别的。电介质可能在外力作用下而引起弹性形变,也可能受外电场的极化作用而产生形变,由于诱导极化作用而产生的形变与外电场的平方成正比,这是电致伸缩效应。它所产生的形变与外电场的方向无关。逆压电效应所产生的形变与外电场成正比例关系,而且当电场反向时,形变也发生变化(如原来伸长可变为缩短,或者原来缩短可变为伸长)。此外,电致伸缩效应在所有的电介质中都具有,不论是非压电晶体还是压电晶体;只是不同结构的电介质晶体的电致伸缩效应的强弱不一样。而逆压电效应只有在压电晶体中才具有。 能产生压电效应的晶体叫压电晶体。一类压电晶体是单晶,如石英(SiO2),酒石酸钾钠(又称洛瑟盐,NaKC4H4O6?H2O),锗酸铋(Bi12GeO20)等。另一类压电晶体 称为压电陶瓷,如钛酸钡(BaTiO3),锆钛酸铅[Pb(Zr x Ti rx)O3,代号PZT],日本制成的铌镁锆钛酸铅[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3加入PZT,代号PCM],中国制成的锑锰锆钛酸铅[Pb(Mn1/2Sb2/3)O3加入PIT代号PMS]等。 电介质的极化 压电晶体都是电介质,而且是各向异性电介质,因此压电晶体的介电性质与各向同性电介质的介电性质是不同的。 电介质在电场作用下要产生极化,极化状态是电场对电介质的荷电质点产生相对位移的作用力与电荷间的相互吸引力的暂时平衡统一的状态。电场是极化的外因,极化的内因在于介质的内部,随着介质内部的微观过程的不同,极化的主要机理有三种[97]。 (1) 组成电介质的原子或离子,在电场 作用下,带正电荷的原子核与其壳层电子 的负电中心出现不重合,从而产生电偶极 矩,这种极化称为电子位移极化。 (2) 组成电介质的正负离子,在电场 作用下发生相对位移,从而产生电偶极 矩,这种极化称为离子位移极化。 (3) 组成电介质的分子是有极分子,具有一定的本征电矩,但由于热运动,取向是无序的,整个电介质的总电矩为零(图5.1)。当外电场作用时,这些电偶极矩将

辐射骚扰测试及整改方法

浅谈手机辐射骚扰抗扰度测试(RS)及整改方法 近年来,随着人们生活水平的提高和信息技术的飞速发展,广大消费者对手机性能的要求也越来越高。因此,对于手机制造商以及设计公司来说,只有不断提升手机的性能水平,才能满足日益增长的市场需求。 提高手机的性能水平,我们就必须关注手机的测试中,一项重要的测试项目:辐射骚扰抗扰度测试(R S)。辐射骚扰抗扰度测试(RS)的测试目的是检验手机抗外界辐射骚扰的能力,从而提高手机应对外界骚扰的能力,使手机更加稳定的工作。在手机的CE标准(EN301 489-1和EN301 489-7)和国家进网的标准(YD-1032)中,对辐射骚扰抗扰度测试(RS)都是极为严格的。在这里我们将对手机辐射骚扰抗扰度测试(RS)及测试中的一些整改措施做如下介绍: (一)试验方法和等级: 表1 试验等级 1)手机RS测试的试验等级一般为表1中等级2,即场强3V/M。作为试验设备,要用1KHz的正弦波对未调制信号进行80%的条幅调制来模拟实际情况。 2)频率扫描步长应为瞬时频率的1%。 3)试验应在80MHZ-1GHZ整个频率范围内进行,但发信机,收信机或作为收发信机一部分的收信机 的免测频段除外。 4)实验时,手机应放置于一个0.8M高的绝缘试验台上。

5)如果受试设备的进、出线没有规定,则使用非屏蔽平行导线。从受试设备引出的连线暴露在电磁场 中的距离为1M。 6)受试设备的连线应平行于均匀域布置,以使其处于较敏感的位置。 (二)性能判据: 试验时,应建立并保持通信连接。如果收信机或作为收发信机一部分的收信机在离散频率点的相应是窄带相应,那么此相应忽略不计。试验频率应记录在报告中 1) 对EUT,当通过一个CF为1KHZ,BW为200HZ的音频BPF测量是,上行和下行语音输出电平应至少比记录的参考电平低35dB。试验后,EUT应正常工作,没有用户控制功能的丧失或存储数据的丢 失,并且保持通信连接。 2) 试验时,EUT下行链路的RXQUAL的值应不超过3. 空闲模式下也要进行测试。 以上是相关的标准要求,但是为了提供手机的性能一些大的手机生产厂商把测试等级加强,如诺基亚把试验等级为场强提高到10V/M,并且试验频率在80MHZ-2GHZ的范围内进行。这就提高了手机的性能, 加强了客户对诺基亚的信任。 (三)容易出现的问题: 1)手机在测试过成中出现断话,只有重新建立通话才能测试。(如果此问题反复出现说明手机设计有 比较严重的问题,一般需要更改手机内部的电路板) 2)上行和下行语音输出电平超出记录的参考电平35dB。 3)下行链路的RXQUAL的值超过3. (四)整改方法: 辐射骚扰抗扰度测试(RS)的测试除了和手机本身有很大关系外,和充电器及电池也有很大关系。因为骚扰信号可能通过充电器和电池耦合到手机的内部从而影响手机的性能。整改方法如下:

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