模拟电路期中试卷含答案

苏州大学模拟电子技术课程期中试卷

共 5 页考试形式开卷 2014 年 11 月院系年级专业学号姓名成绩

一、（8分）什么是放大？放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处？

答：放大指不失真地将微弱的电信号增强到人们所需要的数值。放大对象为电信号（电压、电流或功率）。负载上获得的功率来自直流电源的能量。

二、（10分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明。

答：包括纯净半导体（或本征半导体）和掺杂半导体（或杂质半导体）。

纯净半导体又包括元素半导体和化合物半导体。

元素半导体，如硅（Si ）、锗（Ge ）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs ）等。

掺杂半导体又包括N 型和P 型半导体。N 型半导体：比如在硅材料中掺杂五价元素如磷（P ）、砷（As ）或锑（Sb ）等；P 型半导体：比如在硅材料中掺杂三价元素如硼（B ）或铟（In ）等。

三、（10分）说明二极管V -I 特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称，分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。

答：理想模型，恒压降模型和折线模型，分别如下图所示。

D D D D 0,when:00,when:0i v i v >=??==??=

D th ,when:0,when:v V i v V R i v V -?>≥???=

（1）判断二极管是否导通；（2）画出等效电路图；（3）求输出电压v O 。

解：（1）假设二极管D 导通，则二极管可用短路线等效，其电流为i D =(?9+6)∕3=?1mA

，和假设矛

盾，所以二极管实际截止；（2）；（3）v O=?6V。

五、（10分）BJT共射输出特性曲线上有哪几个工作区域？写出BJT的电压电流在这些工作区域内分别具备的特征。

答：①截止区，v BE< V on，v CE>v BE，i B=0，i C≈0。

②放大区，v BE≥V on，v CE>v BE，i C≈βi B＋I CEO。

③饱和区，v BE≥V on，v CE≤v BE，Δi C≠βi B＋I CEO，v CE≈V CES。

六、（8分）BJT的安全工作区由哪几个参数确定？

答：集电极最大允许电流I CM、集电极最大允许功率损耗P CM、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压V BR(CEO)。

七、（8分）什么是放大电路的静态工作点Q？为什么要设置Q点？

答：指放大电路在仅有直流电源激励时候各个位置的直流电压电流（也称作偏置量或偏置点）。设置静态工作点的目的是为了将放大管设置在合适的工作区域（即放大区）。

八、（10分）画出NPN型双极结型晶体管（BJT）的低频小信号电路模型，在模型中标注发射极、基极和集电极，以及交流小信号量v be、i b、v ce和i c，并写出基?射极间交流小信号电阻r be的估算表达式。

答：参见教材p.129 图4.3.12，p.130 式(4.3.7b)。

九、（12分）一个三极管放大电路中，测得BJT三个引脚1、2、3对地电压分别为V1=0.7V，V2=0V , V3=5V，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT为NPN还是PNP管，是硅管还是锗管。

答：硅NPN型三极管，1、2、3引脚分别是基极、射极和集电极。

十、（12分）图示电路中，已知BJT静态时V BEQ=0.7V，共射

电流放大系数为β=80，各电阻R s=1.2kΩ，R b=500kΩ，

R c=R L=5kΩ，V CC=12V，各电容对交流可视作短路。小信号等

效电路参数r be=1.2kΩ，r ce忽略不计。

（1）画出该放大电路直流通路图，并估算放大电路的静态工

作电流、电压：I BQ、I CQ、和V CEQ；

（2）作出该放大电路中频状态下的交流通路图和交流小信号

等效电路图；

（3）试求该放大电路的电压增益A v、源电压增益A vs、输入电

阻R i和输出电阻R o。

解：（1），

CC BEQ

B b

22.6μA V V I R -==，C 0B 1.808mA I I β≈=，CE CC C c 2.96V V V I R =-=。

（2）

（3）忽略ce r ，[]

0c L v be

166.67R R A r β-=≈- ，i b be 1.2k R R r =≈Ω ，o c 5k R R ≈=Ω， i

vs v i s

83.33R A A R R =?≈-+。

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题与答案详解

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别

模拟电路期末试卷及标准答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合; 阻容耦合;变压器耦合; 在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式,h 接成共基组态，T 2接成共集组态,R i 和R 2的作用是为T1管提供基极偏置。 I ------------ 1 ------------------------------ 曲叫前卜L 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射一共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小干共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是T （j ?） = -1，相应的振幅条件是T （j ） =1，图1

相位条件是T 匸：吆

二、简答(共3小题，每小题5分，共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示 (1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出答：见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1 分, 共3 分) (2)估算(b)图晶体管的1和〉值 p 0.985 （各1分，共2分） 1 e , b ，c 极; I C 6 'LOT 60，图2

模拟电路测验试题套和答案

模拟电路测验试题套和答案 1 / 29

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坑爹的模电试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 1 / 29

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.

路。二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。图3

《数字电路》期末模拟考试试题及答案

数字电子电路模拟试题-2 一、填空题（共30分） 1. 三极管有NPN和PNP两种类型，当它工作在放大状态时，发射结＿＿＿＿，集电结＿＿＿＿＿＿；NPN型三极管的基区是＿＿＿＿＿＿型半导体，集电区和发射区是＿＿＿＿＿＿型半导体。 2. 把高电压作为逻辑1，低电平作为逻辑0的赋值方法称作＿＿＿＿＿＿＿逻辑赋值。一种电路若在正逻辑赋值时为与非门，则在负逻辑赋值时为＿＿＿＿＿＿＿＿。 3. 四位二进制编码器有＿＿＿＿个输入端；＿＿＿＿个输出端。 4. 将十进制数287转换成二进制数是＿＿＿＿＿＿＿＿；十六进制数是＿＿＿＿＿＿＿。 5. 根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是＿＿＿＿触发器、＿ 6. 下图所示电路中， 7. Y 2 二、选择题(共 20分) 1. 当晶体三极管＿＿＿＿时处于饱和状态。 A. 发射结和集电结均处于反向偏置 B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C. 发射结和集电结均处于正向偏置

2. 在下列三个逻辑函数表达式中，＿＿＿＿是最小项表达式。 A ．B A B A )B ,A (Y += B. C B C B A BC A )C ,B ,A (Y ++= C. C AB ABC B C A C B A )D ,C ,B ,A (Y +++??= 3．用8421码表示的十进制数45，可以写成＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿ A ．45 B. [101101]BCD C. [01000101]BCD D. [101101]2 4．采用OC 门主要解决了＿＿＿＿＿ A ．TTL 与非门不能相与的问题 B. TTL 与非门不能线与的问题 C. TTL 与非门不能相或的问题 5．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为＿＿＿ A ． Q n+1 ＝A B. n n 1n Q A Q A Q +=+ C. n n 1n Q B Q A Q +=+ 三、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式：（共20分） 1． BC A C B A C B B A Y 1+?++= 2． Y 2＝Σm （0，1，8，9，10，11） 3． Y 3见如下卡诺图

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

深圳大学模拟电路必考期末试题(老师给的习题,但就是考试题)

第八章作业解答 8.3 差动放大电路如下图所示，已知V CC ＝V EE ＝12V ，R b ＝1k Ω，R c ＝12k Ω，R L ＝36k Ω，R e ＝11.3k Ω，R w ＝200Ω,6021==ββ，Ω='300b b r ，U BE ＝0.7V 。（1）估算静态工作点Q （I BQ 、I CQ 、U CEQ ）；（2）估算差模电压放大倍数A ud ；（3）估算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。解：（1）静态时，U BQ ≈0，U EQ ＝－U BE ＝－0.7V ，由方程)(2)5.0(EE EQ e EQ w EQ V U R I R I --=?+?解得： mA I EQ 5.03 .1121.07.012≈?+-= mA I I EQ CQ 5.0≈≈ A I I CQ BQ μβ 3.8== V 7.67.0125.01212=+?-=-?-=EQ C CQ CEQ U R I U （2） k Ω47.35 .0266130026)1(=?+=++='EQ b b be I mV r r β 87.401 .06147.31)18//12(605.0)1()5.0//(-=?++-=?+++-=w be b L R r R R R A ββC ud （3） k Ω14.21)1.06147.31(2]5.0)1([2=?++?=?+++?=W be b id R r R R β k Ω242=?=C o R R 8.4 具有集电极调零电位器R w 的放大电路如下图所示，设电路参数完全对称，50=β，k Ωbe 8.2=r ，当R w 动端置于中点位置时，试计算：

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= （）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

华南理工大学网络教育学院期末考试电路原理模拟试题(和答案)

华南理工大学网络教育学院期末考试《电路原理》模拟试题注意事项： 1.本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟，闭卷； 2.考前请将密封线各项信息填写清楚； 3.所有答案请直接做在试卷上，做在草稿纸上无效； 4.考试结束，试卷、草稿纸一并交回。一、单项选择题（每小题2分，共70分） 1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1- 2、图1-3所示，其中表达式正确的是（ b ）。（a ）图1-1 （b ）图1-2 （c ）图1-3 图 1图 2 图 3图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中，已知U ＝4V ，电流I =－2A ，则电阻值R 为（ b ）。（a ）-2Ω （b ）2Ω （c ）-8Ω 3、在图1-5所示电路中， U S ，I S 均为正值，其工作状态是（ b ）。（a ）电压源发出功率（b ）电流源发出功率（c ）电压源和电流源都不发出功率 4、图1-6所示电路中的等效电阻R AB 为（ b ）。（a ）4Ω （b ）5Ω （c ）6Ω R U I S 图1-6 5、在计算非线性电阻电路的电压和电流时，叠加定理（ a ）。（a ）不可以用（b ）可以用（c ）有条件地使用 6、理想运放工作于线性区时，以下描述正确的是（ c ）。（a ）只具有虚短路性质（b ）只具有虚断路性质（c ）同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法，求图1-7中A 、B 端的等效电阻R AB 为（ b ）。（a ）6Ω （b ）7Ω （c ）9Ω 8、图1-8所示电路中，每个电阻R 均为8Ω，则等效电阻R AB 为（ a ）。（a ）3Ω （b ）4Ω （c ）6Ω

模拟电路期末试卷答案

――――――――――――――――――――――――――――――――――一．选择题（每小题2分，共20分） 1．稳压管是特殊的二极管，它一般工作在【】状态。【 C 】A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.饱和区 2．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的【】。【 B 】A.直流参数 B.交流参数 C.静态工作点 D.交流和直流参数 3．在放大电路中，场效应管应工作在【】。【 B 】A.可变电阻区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区 4．P 型半导体的多数载流子为【】。【 B 】A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5．工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运算的主要区别是，前者的运放通常工作在【 A 】A．开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 6．甲类功放效率低是因为【 B 】 A.只有一个功放管 B.静态电流过大 C.管压降过大 D.静态电流过小 7．直接耦合放大器放大倍数越大，零点漂移现象就越【 C 】A.轻 B.与放大倍数无关 C.严重 D.同或门 8．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入【 D 】 A.电压负反馈 B.交流负反馈 C.电流负反馈 D.直流负反馈 9．石英晶体振荡器的主要优点是【 B 】A．振幅稳定B．频率稳定度高 C．频率高 D.选频特性好 10．为了使高内阻信号源与低阻负载能够很好地配合，可以在信号源与低阻负载之间接入【 C 】A．共射电路 B. 共基电路 C.共集电路 D. 共集-共基电路二．填空题（每小题2分，共20分） 1．测得量三极管三个电极对地电位如图2所示，试判断三极管的工作状态放大。图2 2．晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 3.放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；容阻耦合变压器耦合。 4．工作在线性区的理想运放器，两个输入端的电位相等称为虚地。 5．正弦波振荡电路发生自激振荡的振幅平衡条件是。 6．迟滞比较器有二个门限电压。 7.在信号处理电路中，有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管型锗管型硅管型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 2

模拟电子技术基础期末试题(西安交大)

模电试题三、计算题(每题1０分，共60分) １.某放大电路输入电阻Ri＝１0kΩ，如果用１μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为1０ｍＡ，开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ａp。 2．二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AＯ。设二极管是理想的。

３.电路如图题所示，设BJT的β=8０，V BE＝０.6 V,I CＥO、V CES可忽略不计,试分析当开关Ｓ分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。 4.电路参数如图所示,FET工作点上的互导g m＝１ｍｓ,设r d>>R d。(1)画出电路的小信号模型;(2)求电压增益Av；(3)求放大器的输入电阻Ri。

5．电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Ｖｏ的值。

6.由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示,设BJT的V ＝0．7 V。(1）求出ＢJT的c、ｂ、ｅ各极的电位值；(2)若电压表ＢE 读数为2０0mV,试求BJＴ的β值。一、选择题(每题2分,共２0分) （1）PＮ结加正向电压时,PＮ结将。Ａ. 变窄B．基本不变C．变宽

（2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通B.反向截止C.反向击穿 (３）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 (４)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。 A.五价Ｂ. 四价C．三价（5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。 A.增大B．不变Ｃ. 减小 (６）工作在放大区的某三极管,如果当I B从１2μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为。 A. 83 B. 91 C. 10０（７）已知变压器副边电压有效值U２为１0V,采用桥式整流R L C≥3(T/2)（T为电网电压的周期)。测得输出电压平均值U O可能的数值为A.１4V B. 12V C.9V D．4．5V （８）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。 A.交流功率Ｂ.直流功率C.交直流功率 (9)功率放大电路的转换效率是指。 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。