南京工业大学模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）
一、 选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二
B.三
C.四
D.五
2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二
B.三
C.四
D.五
3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子
B.空穴
C.离子
D.分子
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D. 无法确定
8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C. )1e (S －T U U I
D. I S
。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
D. 前者反偏、后者正偏
11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
D. 都有可能
12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22
A. 83
B. 91
C. 100
D. 10
13、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能
14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量
D 。
A.I B
B.I C
C.U BE
D.U CE 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间]
A.NPN 硅管
B.PNP 硅管
C.NPN 锗管
D.PNP 锗管
17、增强型
PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V
图2
A.只能为正
B.只能为负
C.可正可负
D.
可正可负，也可为零
18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区
B.截止区
C.饱和区
D.击穿区
19、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。
A.夹断电压U GS(off)
B.低频跨导g m
C.饱和漏极电流
I DSS D.开启电压U GS(th)
20、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制
电压 D.电压控制电流
21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入
信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源
D.防止输出电压被短路
22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。
A.限制集电极电流的大小
B.将输出电流的变化量转
化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.保护直流电压源E C
23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出U CE≈0，可能是因为 A 。
A.R b短路
B.R b开路
C.R c短路
D.β过小
24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察
输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位 A 。
A.相同
B.相反
C.相差90°
D.相差270°
25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b失真消除，这种失真一定是 B 失真。
A.饱和
B.截止
C.双向
D.相位
26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B=20μA，
I C=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则
I B和I C分别是 A 。
A. 10μA，1mA
B. 20μA，2mA
C. 30μA，3mA
D. 40μA，4mA
27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大
器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，
测得甲的输出电压小，这说明甲的 B 。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
28、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A 。
A.环境温度变化引起参数变化
B.放大倍数太大
C.采用了直接耦合方式
D.外界存在干扰源
29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选 B 耦合方
式。
A.阻容
B.直接
C.变压器
D.阻容或变压
器
30、放大电路的三种组态（ C ）。
A. 都有电压放大作用
B. 都有电流放大作用
C. 都有功率放大作用
D. 都不是
一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益
分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（ C ）。
A. 30dB
B. 40dB
C. 70dB
D. 1200dB
31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（ A ）。
A. 提高
B. 降低
C. 不变
D. 不确定
二、填空
1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流
的方向是从N区到P区。
2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电
位。
4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时，电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。
7、P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体中的多数载流子是电子。
以上为第一章习题
8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。
9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于1 11、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级
30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100 ，总的放大倍数为 10 。
12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的
0.707 时，所对应的两个频率分别称为上限频
率和下限频率，它们之间的频率围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
13、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。
三、判断题
1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（√）
2、PN结正向电流的大小由温度决定的。（×）
3、PN结的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
（×）4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）
5、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）
6、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）
7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）
8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√）
9、若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明
显变小。（×）
以上为第一章习题
10、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）
11、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）
12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）
13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）
（√）
14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；
15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）
16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（×）
17、某两级放大器中各级电压增益为：第一级2dB、第二级
3dB，放大器的总增益为6 dB。（×）
四、分析题
1、已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求左图所示电路中电阻R的取
值围。
解：稳压管的最大稳定电流
I ZM＝P ZM/U Z＝25mA
电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所
以其取值围为
Ω=-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R
2、下图示电路中，已知输入R 1=1k Ω，R L =3k Ω，U I =12V ，U Z =6V ，
I Z =5mA ，P ZM =90mW ，问输出电压U O 能
否等于6V ？
解：稳压管正常稳压时，工作电流
I DZ 应满足I Z ＜I DZ ＜I ZM ，而
mA V
mW U P I Z ZM ZM 15690===
即 5mA ＜I DZ ＜15mA 设电路中D Z 能正常稳压，则U O =U Z =6V 。可求得：
mA R U R U U I I I L
Z Z I L R DZ 4=--=-= 显然，I DZ 不在稳压工作电流围。
以上为第一章习题
3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是
3.5V ，2.8V ，7.8V 。试判断它是NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出e 、b 、c 。
4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。
(A) +0.1V
＋6V -0.2V -3V (C) -2V 0V +0.3V (B) +5.5V +6V +5.3V (D) (E)
+4V ＋4V +4V
解：（A）NPN型管。U BE=0.1-(-0.2)=0.3V，J E正偏，
U BC＝0.1-6＝-5.9V，J C反偏。
故该管工作在放大状态，为锗管。
（B）PNP型管。U EB=1-0.3=0.7V，J E正偏，
U CB＝-2-0.3＝-2.3V，J C反偏。
故该管工作在放大状态，为硅管。
（C）NPN型管。U BE= -3-(-2)=-1V，J E反偏，
U BC＝-3-0＝-3V，J C反偏。
故该管工作在截止状态。
（D）PNP型管。U EB=6-5.3=0.7V，J E正偏，
U CB＝5.5-5.3＝0.2V，J C正偏。
故该管工作在饱和状态，为硅管。
（E）NPN型管。U BE= 4-4=0V，
U BC＝4-4＝0V。
则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态
图（a）没有放大作用。V BB对信号有短接作用；U BE过大，J E可能烧毁。在V BB中串接电阻R B。
图（b）没有放大作用。放大元件T没有合适的偏置状态。R B 接点移至到C1后
五、计算题(都为第二章习题)
1、在右图所示电路中，已知R B1=5k Ω,
R B1=20k Ω, R E =2.3k Ω, R C =R L =10k Ω, V CC =15V,
β=80, r bb ′＝100Ω，U BEQ =0.7V 。试求解：
（1）估算静态工作点Q ；
（2）估算电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和
输出电阻R o 。
（3）若将晶体管换成β为100的管子，Q
点将如何变化？
（4）若C E 开路，则A u 与R i 将如何变化。
解（1）求解Q 点。因为R B1＜＜(1+β) R E ，所以
A mA I I
mA R U U I V V R R R U EQ
BQ E BEQ BQ EQ CC B B B BQ μβ5120125080
111327033152055211....==≈+==-=-=
=?+=?+≈
V R R I V U E C EQ CC CEQ 723210115.).()(=+?-=+-=
（2）求解A u 、R i 和R o 。
画出微变等效电路
Ω
ΩΩβk .)mA ()mV ()()()mA ()mV ()(222200126801100261=≈++=++='E b b be I r r
1822221080-≈?-='-=./be L u r R A β Ωk ..///////4212
2120151121≈++=
=be B B i r R R R k Ω10==C o R R （3）当β由80变为100时，I CQ 与U CEQ 基本不变，而
A A .μ10010100
11001==≈+=m I I EQ
BQ （4）C E 开路，那么
电路的微变等效电路如
图
[P79T2.3.4]所示。
1723
2801222108011..)(./)()(-≈?++?-=++'-=??++'??-=E be L E b be L b u R r R R i r R i A ββββ Ωβk .)
../(//])(//[//9233280221201511121≈?+++=
++=E be B B i R r R R R k Ω10==C o R R 2、如右图所示电路中，已知V CC =15V,R B =750k Ω,
R C =R L =5.1k Ω,β=80, r bb ′＝100Ω。试求解：
（1）静态工作点Q ；
（2）R L 接入和断开两种情况下的A u 。
（3）输入电阻R i 和输出电阻R o 。
（4）若信号源有阻，且R S =1.42k Ω，则负载时的A us ＝？
解：（1）利用估算法求Q
A mA mA R V R U V I
B C
C B BEQ
CC
BQ μ20020750
15===≈-=.
mA mA I I BQ CQ 6102080..=?=?=β
V R I V U C CQ CC CEQ 846156115...=?-=?-=
（2）求A u
I EQ ≈
I CQ =1.6mA
先求
R L 断开时28742
115
80-≈?-=-=..be L r R Au β
R L 接入时1444212
1
580-≈?-='
-=..be
L
u r R A β
（3）求解R i 和R o 。
ΩΩ
k .k .//15421===≈=C o be be B i R R r r R R
（4）求负载时的A us
72
14442142142
1-=-?+=?+=)(...u
i
s i
us A R R R A
3、如下图所示电路中，已知RB=250k Ω， RE=5k Ω，
VCC=15V ， β=80，rbe=2k Ω ，UBEQ = 0.7V 。试求解：
（1）估算静态工作点Q ；
Ω
ΩΩβk .)
mA (.)
mV ()()()
mA ()
mV ()(42114206126801100261=≈++=++='E b b be I r r R +V C
C C 2
（2）求RL= 5k Ω时的电压放大倍数Au 和
输入电阻Ri 。
解：（1）先求静态工作点Q
（2）当R L =5k Ω时，
《模拟电子技术》复习题综合（第3、
4章） 一． 填空题 μA
22mA 022.05812507
.015)1(=≈?+-=++-=E
B BEQ
CC BQ
R R U V I βmA
78.1mA 022.081)1(=?=+=BQ EQ I I βV
1.6578.115=?-=-=E
EQ CC CEQ R I V U Ω=='k 5.2//L E L R R R 990
.0
5
.28125.281)1()1(≈?+?
='++'
+=L be L u R r R A ββΩ
≈?++=++=k 1555
8121
25011
]
)1(//[E be B i R r R R β
3-1．差分放大电路，若两个输入信号u I1=u I2，则输出电压，u O= 0 ；若u I1=100μV，u I 2=80μV则差模输入电压u Id=20μV；共模输入电压u Ic=90 μV。3-2．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ=
0 、静态时的电源功耗P DC= 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。
3-3．差动放大器输入信号为零时，输出电压偏离其起始值的现象称为失调电压。
3-4．理想情况下，集成运放的各项技术指标为: A V= ∞，R i= ∞，R O= 0 ，BW从 0 到
∞，K CMR= ∞，V＋－V－= 0 ，I＋—I－= 0 。
3-5．在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为共模信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为差模信号。
3-6．集成运放的输入级都采用差动放大电路，输出级通常采用甲乙类互补电路。
3-7. 在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是甲类，失真最小的是甲乙类。4-1．串联负反馈可以使放大器的输入电阻增大，并联负反馈可以使放大器的输入电阻减小，电压负反馈可以使放大器的输出电压稳定，电流负反馈可以使放大器的输出电流稳定。
4-2．射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数约等于
1 ，电压跟随性好，输入阻抗大，输出阻抗
小，而且具有一定的电流放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是电压串联负反馈。
4-3. 直流负反馈的作用是稳定静态工作点。
二．判断题
3-1. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（√）
3-2. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√）
3-3. 差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。
（√）
3-4.零点漂移就是静态工作点的漂移。（√）
3-5.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√）
3-6.不管差分放大电路的参数是否理想对称，RE均有共模负反馈作用。（√）
3-7．差分放大电路采用恒流源代替RE是为了增大差模放大倍数。（×）
3-8．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。（×）
3-9.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（√）
3-10.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够
增大差模放大倍数。（√）同时也可以增大共模抑制比。（√）
4-1．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（√）
三．选择题
3-1、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了
C 。
A.稳定增益
B.提高输入电阻
C.抑制温漂
D.扩展频带3-2、差模信号是差分放大电路两个输入端信号的 B 。
A.和
B.差
C.比值
D.平均值
3-3、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电
阻R E可视为 B 。
A.开路
B.短路
C.2R E
D.R E
3-4、在长尾式差分放大电路中，R E的主要作用是 B 。
A.提高差模增益
B.提高共模抑制比
C.增大差分放大电路的输入电阻
D.减小差分放大
电路的输出电阻
3-5、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数将 A ；改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将 C 。
A.不变
B.增大一倍
C.减小一半
D.不确
定
3-6、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其输入电阻将 A ；输出电阻将 A ；若改接成单端输入－单端输出时，其输入电阻将 A ，输出电阻将 C 。
A.不变
B.增大一倍
C.减小一半
D.不确
定
3-7、差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端输出时 A 。
A.强
B.弱
C.相同
D.无法比较
3-8、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 C 。
A.很大
B.很小
C.不太大
D.等于零
3-9、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容
C．效率高 D．无交越失真
3-9、与乙类功率放大电路比较，甲乙类功率放大电路的主要优点是 D 。
A.放大倍数大
B.效率高
C.输入电阻大
D.
交越失真小
3-10、理想状态下，甲类功率放大电路的效率最大可达 A ，乙类功率放大电路的效率最大可达 C 。
A.50%
B.87.5%
C.78.5%
D.100%
3-11、所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时， D 。
A.晶体管上得到的最大功率
B.电源提供的最大功率
C.负载上获得的最大直流功率
D.负载上获得的最大交流功率
3-12、当互补推挽功率放大电路的输入信号为1kHz、10V的正弦电压时，输出电压波形如图4-1所示。说明电路中出现了 A ；
A.饱和失真
B.截止失真
C.频率失真
D.
交越失真
图4－1 图4－2
为了改善输出电压波形，应 D 。
A.进行相位补偿
B.适当减小功率放大管的直流偏
置电压|U BE|
C. 适当增大功率放大管的直流偏置电压|U BE|
D.适
当减小输入信号
3-13、当互补推挽功率放大电路的输入信号为1kHz、10V的正弦电压时，输出电压波形如图4-2所示。说明电路中出现了 D ；为了改善输出电
压波形，应 C 。
3-14、图4-3所示电路为 D 。
A.OTL乙类
B.OTL甲乙类
C.OCL乙类
D.OCL甲乙类
静态时，A点的电位为 A 。
A.0V
B.5V
C.10V
D.20V
图4－3
若管子的饱和压降不计，电路的最大不失真输出功率P om＝
B 。
若管子的饱和压降UCES=2V，则P om＝ A 。
A.4W
B.6.25W
C. 8W
D. 12.5W
3-15、集成运放的A od越大，表示 D ；K CMR越大，表示 B 。
A.最大共模输入电压越大
B.抑制温漂的能力越强
C.最大差模输入电压越大
D.对差模信号的放大能力越强
3-16、关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零
B．输入信号为零时，输出处于零电位
C．频带宽度从零到无穷大
D．开环电压放大倍数无穷大
3-17、差动放大电路接入长尾电阻后，A d将 C ，K CMR
将 A 。
A. 增大，
B. 减小，C．基本不变。
3-18、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级多采用 C
A．共射放大电路 B.差分放大电路 C.OCL电路
D.OTL电路
3-19、集成运放的互补输出级采用 C
A．共射接法 B.共基接法 C.共集接法 D.差分电路其原因是 C 。
A．频带宽 B.放大电压的能力强 C.带负载能力强 D.输入电阻大
4-1、电流并联负反馈对放大器的影响，正确的是（ D ）A．能稳定静态工作点，增加电压放大倍数的稳定性，减小输入电阻
B．使放大器不稳定，可能产生自激振荡
C．能稳定静态工作点，提高输入电阻，稳定放大器的输出电压
D．能稳定放大器的输出电流，减小输入电阻，但放大器带动负载能力减小
4-2、为了稳定静态工作点，应引入 A ；为稳定增益，应引入 B 。
A.直流负反馈
B.交流负反馈
C.直流正反馈
D.交流正反馈
4-3、某负反馈放大电路，输出端接地时，电路中的反馈量仍存在，则表明该反馈是 B 。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
4-4、某负反馈放大电路，输出端接地时，电路中的反馈量变为零，则表明该反馈是 A 。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
4-5、如果希望减小放大电路向信号源索取的电流，则宜采用C 负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
4-6、如果希望负载变化时输出电流稳定，则应引入 B 负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
4-7、如果希望负载变化时输出电压稳定，则应引入 A 负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
4-8、射级跟随器是 A 。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
4-9、要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入 A 。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流
并联
4-10、 B 深度负反馈的闭环增益为uu
uuf F A &&1≈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.
电流串联
4-11、分析图4-4所示电路。
（1）该电路级间存在 D 负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.
电流并联
（2）当R L 变化时，该电路具有稳定 的作用。
A.I RC2
B.I E2
C.I L
D.U o
（3）要增加电路的反馈深度，应该 A 。
A.减小R F
B.减小R E2
C.增大R F
D.减小R E2
4-12、自激振荡输出波形的变化规律取决于 C 。
A.外界的干扰源
B.元器件的噪声
C.电路自身
的参数 D.输入信号
4-13、负反馈放大电路的自激振荡产生在 D 。
A.仅中频段
B.仅高频段
C.仅低频段
D.
图4-4
高频段或低频段
4-14、负反馈放大电路产生自激振荡的条件除了满足相位平衡条件φA +φB ＝（2n+1）π，还需满足的幅值条件是 A 。 A.F A &&=1 B. F A &&＞1 C.F A &&＜1 D.F
A &&= 《模拟电子技术》复习题综合（第5章）
一、填空题
1.集成运算放大器工作在线性区时，两输入端的电位可以近似为U + = U -。
2.理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念，就是流进运放的电流为 0 ，两个输入端的电压为 相等 ，为保证运放工作在线性状态，必须引入 负 反馈。
3.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于 负反馈 状态；为了工作在非线性区，应使集成运放电路处于 正反馈或无反馈 状态。
4.输入电阻很大的运算电路是 同相 比例运算放大器，电路中引入的是 电压串联 负反馈。
5.电压比较器中的集成运放通常工作在 非线性 区，电路工作在 开环 状态或引入 正 反馈。
6.在模拟运算电路时，集成运算放大器工作在 线性 区，而在比较器电路中，集成运算放大器工作在 非线性 区。
7.过零比较器可将正弦波变为 方 波，积分器可将方波变为 三角 波。
二、选择题
1.集成运放电路实质上是一个 A 。
A.直接耦合的多级放大电路
B.阻容耦合的多级放
大电路
B.变压器耦合的多级放大电路
C.单级放大电路
2.为了工作在线性工作区，应使集成运放电路处于 B 状
《数字电路》期末模拟试题及答案
. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B 电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变 泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟） 一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值，分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4， 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。 二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。 3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算： 、 和 。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.360docs.net/doc/a912581351.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③ 数字电子技术模拟考试试 题及答案 Last revision on 21 December 2020 《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 （15） 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 1、证明：B A B A A +=+（4分） 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝ ；CP0＝ 。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝ ；K1＝ ；J0＝ ；K0＝ 。 3）列出其输出方程：（1分） Z ＝ 4）求次态方程：（4分） =+11n Q ；=+10n Q 5）作状态表及状态图（9分） Z 《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明： 4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5． 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 电子技术模拟试题及其参考答案2 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计28分) 1、(本小题2分) 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。 (a) 发射极(b)集电极(c) 基极 2、(本小题2分) 晶体管的开关作用是( )。 (a) 饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开 (b) 饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通 (c) 饱合和截止时集—射极均断开 3、(本小题2分) 由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。 (a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门 A 4、(本小题2分) T形电阻网络D/A 转换器是由（）组成。 (a) T形电阻网络和集成运算放大器 (b) T形电阻网络和触发器 (c) T形电阻网络和振荡器 5、(本小题2分) 电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u O =（）。 (a) －2V (b) 0V (c) 6V (d) 12V 在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( )。 (a) 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性 (b) 工 作 在 非 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 (c) 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 7、(本小题2分) 一 个 正 弦 波 振 荡 器 的 反 馈 系 数 F =∠? 1 5 180 ，若 该 振 荡 器 能 够 维 持 稳 定 振 荡，则 开 环 电 压 放 大 倍 数 A u 必 须 等 于 （ ） 。 (a) 15360∠? (b) 15 0∠? (c) 5180 ∠-? 8、(本小题2分) 整 流 电 路 如 图1 所 示，输 入 电 压u U t =2sin ω，输 出 电 压 u O 的 波 形 是 图2中( )。 图1 2U －图2 t t + - u O 9、(本小题2分) 若 晶 闸 管 的 控 制 电 流 由 大 变 小， 则 正 向 转 折 电 压 （ ）。 (a) 由 大 变 小 (b) 由 小 变 大 (c) 保 持 不 变 10、(本小题2分) 晶 闸 管 导 通 后， 其 正 向 压 降 约 等 于 （ ）。 (a) 零 (b) 0.3 V (c) 1 V 左 右 11、(本小题2分) 某 数/模 转 换 器 的 输 入 为 8 位 二 进 制 数 字 信 号（D 7 ~ D 0)，输 出 为 0~25.5V 的 模 拟 电 压。若 数 字 信 号 的 最 低 位 是“1” 其 余 各 位 是“0”， 则 输 出 的 模 拟 电 压 为( )。 (a) 0.1V (b) 0.01V (c) 0.001V 数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020 《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器 5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝ 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 电子技术模拟卷 一．选择： 1. (1分)P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ C ）。 (A) 带正电 (B) 带负电 (C) 不带电 2.(1分)三极管工作在放大区时，其各结之间的偏置为（ A ）。 (A) 发射结正偏，集电结反偏 (B) 发射结反偏，集电结正偏 (C) 发射结正偏，集电结正偏 (D) 发射结反偏，集电结反偏 3（1分）.运算放大器工作在饱和区时，其输出电压o u 为（A ）。 (A) 当-+>u u 时，o(sat)o U u += (B) 当-+>u u 时，o(sat)o U u -= (C) 当-+ >u u 时，V 0o =u (D) 当-+ 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分） 题型分布：填空题2*9=18、选择题3*4=12、逻辑函数化简6+7+7=20、画波形10、分析与设计15+25=40 一、填空题 1、与非门的逻辑功能为。 2、数字信号的特点是在上和上都是断续变化的，其高电平和低电平常用 和来表示。 3、三态门的“三态”指，和。 4、逻辑代数的三个重要规则是、、。 5、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器 受到外触发时进入态 6、计数器按增减趋势分有、和计数器。 7、一个触发器可以存放位二进制数。 8、优先编码器的编码输出为码，如编码输出A 2A 1 A =011，可知对输入的进 行编码。 9、逻辑函数的四种表示方法是、、、。 10、移位寄存器的移位方式有，和。 11、同步RS触发器中，R，S为电平有效，基本RS触发器中R，S为 电平有效。 12、常见的脉冲产生电路有 13、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 14、常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路 有、。 15、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两 类：、。 16、寄存器按照功能不同可分为两类：寄存器和寄 存器。 17、逻辑函数F== 18、触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态 为，0状态为，可见触发器的状态指的是端的状态。 19、一个触发器可以记忆位二进制代码，四个触发器可以记忆位二进 制代码。 20、主从JK触发器的特性方程。 21、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时 序电路和时序电路。 22、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触 发器受到外触发时进入态。 23、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 24、逻辑函数的化简有，两种方法。 25、组合逻辑电路没有功能。 26、主从JK触发器的特性方程，D触发器的特性方(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案
电力电子技术-模拟试题2-试卷
数字电子技术模拟试题4
模拟电子技术题库
模拟电子技术基础考试试题答案-(1)
数字电子技术模拟考试试题及答案
数字电子技术模拟试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题(B)
模拟电子技术基础试题汇总
电子技术模拟试题及其参考答案2
数字电子技术模拟试题及答案
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础考试试题答案
电子技术本科模拟试题2答案
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术》模拟试题与答案解析
数字电路模拟题