模拟电子与数字逻辑第11章交流放大电路作业习题解答
第11章 基本放大电路
清华大学电机系电工学教研室 唐庆玉编 2002年8月23日
11-2 图11-38电路，80 ,k 1 ,k 5 ,k 10 ,k 5021=Ω=Ω=Ω=Ω=βE C R R R R 。
（1） 求电路的静态工作点；
（2） 求电压放大倍数V A 和输入电阻i
r 、输出电阻o r ； （3）若放大电路接入有负载Ω=k 10L R 时，再求V A 、i
r 和o r ； （4）画出所示电路的微变等效电路。若输入端作用有m V sin 5t u i ω=的信号电压时，通过微变等效电路，求出电流b i 、c i 和电路输出电压o u （负载Ω=k 10L R ）
（5）根据电路的静态值和动态值，定性画出所示电路中电压B u 、C u 和电流B i 、C i 的波形。
解：
（1） 求电路的静态工作点
V
3.413.1528.112U mA
28.1016.080I mA 016.01
803
.11I mA 3.11
3.1I V 3.17.02V
250
1010
12CE C B E 212=?-?-=--==?==≈+=+=
====-≈-==+?=+?
≈E E C C CC B E E E BE B E CC B R I R I U I I R U U U U R R R U U ββ
（2） 求电压放大倍数（空载）
Ω=Ω≈++=++=k 1.9219203
.126
)801(300mA)(mV )(26)
1(300E be I r β
+
u
U
+12
图
20892
.1580-≈?-=-=be C V
r R A β Ω
==Ω≈==k 5k 56.192.1//10//50////21C o be i R r r R R r
（3） 求电压放大倍数（带载）
13992
.1)10//5(80)//(-≈?-=-=be L C V
r R R A β Ω
==Ω≈==k 5k 56.192.1//10//50////21C o be i R r r R R r
（4） 微变等效电路
A sin 6.2)
(k 1.92(m V ) sin 5μωωt t r u i be i b =Ω==
A sin 208sin 6.280μωωβt t i i b c =?== m V sin 695sin 5139t t u A u i
V o ωω-=?-== （5） 波形图
m V sin 5 V 2t u U u i B B ω+=+=
A sin 6.216μωt i I i b
B B +=+=
m A sin 208.028.1t i I i c C C ω+=+=
V sin 695.0 V 6.5t u U u c C C ω-=+=
V sin -0.695t u u c o ω==
+
o
t
t t t
t
U C
11-3 图11-39所示电路，
,k 5 ,k 30 ,k 120 ,k 1 m V , sin 521Ω=Ω=Ω=Ω==C S S R R R R t u ω
60 ,k 5 ,k 2=Ω=Ω=βL E R R 。
（1）求电压放大倍数S
o VS U U A =及电压o u ； （2）求输入电阻i r 和输出电阻o r 。
解：求静态工作点：
V
7215.1514.115U mA
14.1016.060I A 19mA 019.01
6015.11I mA 15.12
7
.03I V
330
12030
15CE C B E 212=?-?-=--==?===≈+=+=
=-=-==+?=+?≈E E C C CC B E E BE B CC B R I R I U I I R U U R R R U U βμβ
求输入电阻、输出电阻：
Ω≈Ω≈++=++=k 1.68167915
.126
)601(300mA)(mV )(26)
1(300E be I r β
Ω
==Ω≈==k 5k 68.168.1//30//120////21C o be i R r r R R r
求电压放大倍数：
56168.168.168.1)5//5(60)//(-≈+??-=+?-=S i i be L C VS
R r r r R R A β 求输出电压：m V sin 280sin 556t t u A u S
VS o ωω-=?-==
+
u
U
+15
图
R
L
11-4 ,k 5.0 ,k 5.1 ,k 5 ,k 30 ,k 120 ,k 121Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=e E C S R R R R R R
60 ,k 5=Ω=βL R
（1） 画出所示电路的微变等效电路；
（2） 若m V sin 10t u S ω=，求电压放大倍数VS A 及输出电压o
u ； （3）求输入电阻i r 和输出电阻o r 。
解：
（1） 微变等效电路
（2
mA 15.12
7
.03I V
330
12030
15E 212=-=-=
=+?=+?≈E BE B CC B R U U R R R U U
Ω≈Ω≈++=++=k 1.68167915
.126
)601(300mA)(mV )(26)
1(300E be I r β
Ω
==Ω≈?++=++=k 5k 71.13]5.0)160(68.1//[30//120])1(//[//21C o e be i R r R r R R r β
（3）求电压放大倍数及输出电压
37.4171.1371.135.06168.1)5//5(60)1()//(-≈+??+?-=+?++-=S i i e be L C VS
R r r R r R R A ββ m V sin 7.43sin 1037.4t t u A u S
VS o ωω-=?-== +
u
U
+15
题11-4
+
S
U o
11-5 80 ,k 2 ,k 50 ,k 10021=Ω==Ω=Ω=βE C R R R R 。 若m V sin 500t u i ω=，求电压1o u 和2o u 。
解：
mA
15.227
.05I V
550
10050
15E 212=-=-==+?=+?
≈E BE B CC B R U U R R R U U
Ω≈++=++=k 1.2715
.226
)801(300mA)(mV )(26)1(300E be I r β
98.02
8127.12
80)1(1-≈?+?-=++-=E be C V R r R A ββ
99.02
8127.12
81)1()1(2
≈?+?=+++=E be E V R r R A ββ
m V sin 490sin 50098.011t t u A u i V o ωω-=?-== m V sin 495sin 50099.022t t u A u i
V o ωω=?== 结论：1o u 近似反相输出，2o u 近似同相输出。
11-6 图11-42所示电路， ,M 1 ,k 50 ,k 100 m A/V , 5.021Ω=Ω=Ω==R R R g m
Ω=Ω=Ω=k 10 ,k 10 ,k 10L S D R R R 。
（1） 画出所示电路的微变等效电路；
（2） 求V A ，i
r 和o r 。
+
u
U
+15
题
解：
（1） 微变等效电路见图11-42-1。
（2）求V A ，i
r 和o r ： Ω
==Ω=Ω+Ω=+=-=?-=-=k 10M 1.033k 100//50M 1//5.2)10//10(5.0)//(21D o i L
D m V R r R R R r R R g A
补充题1：如图11-补1所示电路称为场效应管源极跟随器，已知：g m 、R G 、R 1、R 2、R S ，推导电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
+1
5 V
+
u
图
11-42
+U S
+ u 图11-补1
R
+U o U 图11-补1-1
+
U o
U 图11-42-1
R
解：微变等效电路如图11-补1-1所示。
o i gs U U U -= （1） S gs m o R U g U =
（2）
由（1）、（2）得：
S m S m gs
S m S gs m i o V R g R g U R g R U g U U A +=
+==1)1( 输入电阻：
21//R R R r G i +=
输出电阻求法：将输入信号i
U 短路，在输出端用“加压求流法”（图11-补1-2）。 o
gs U U -= o m S o gs m S o o U g R U U g R U I +=-= S m S o
m S
o
o
o o o R g R U g R U U I U r +=
+==1
11-7 （射极输出器）80 ,k 5 ,k 9.3 ,k 200B =Ω=Ω=Ω=βL E R R R
求电压放大倍数V A 和输入电阻i
r
和输出电阻o r 。
+
R
R
R
E
C
C
u
U
+12 V
题
u
+
R
+
D G
S
o
U gs
U gs
m U g 图11-补
1-2 o I
解：
Ω=Ω==+=Ω≈?+=++=≈?+?=+++=Ω≈?+=++=≈?=+=≈?++-=++-=
19.5k 0195.081
59
.1//9.31//
k 94)]5//9.3(8159.1//[200)]//)(1(//[991.0)
5//9.3(8159.1)5//9.3(81)//)(1()//)(1(k 59.177
.1268130026)
1(300mA 77.10219.081)1(mA
0219.09
.3)180(2007
.012)1(βββββββbe E o L E be B i L E be L E V
E be B E E B BE CC B r R r R R r R r R R r R R A I r I I R R U U I
(复合管组成的射极跟随器)
40 70, ,k 10 ,k 10 ,k 2 ,k 300 ,k 2002121==Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=ββL E S R R R R R
(1) 画出微变等效电路;
(2) 求VS A 和输入电阻i
r
解：
(1)微变等效电路
U
+15 题
u
+
2
S
O
i
U R
（2）放大倍数公式推导
S
i i
V
VS L E be be i L E be be L E i
o V L
E
b
be b be b i
L E b L E c b o c b e b b c b c b e b b c R r r A A R R r r R R r R R r r R R U U A R R I r I r I U
R R I R R I I U I I I I I I I I I I I I I +=+++++=+++++++=
=+++++=++=+=+=+==+=+=== )]//)(1)(1()1(//[//)//)(1)(1()1()//)(1)(1()//()1)(1()1()//()1)(1()//)(( , )1()1(212112*********
1
2
1
1
212222212222111211ββββββββββββββββββ输入电阻：
（3）代入数值计算
97
.02
120120
988.0988.0k 120)]10//10)(140)(170(7.1)170(100//[300//200k 7.126
)
1(300k 10026
)1(300mA 0185.041
76.01I mA
76.0104
.1927.0I V
9300
200300
152
221
1122E1E2212≈+?=+=≈Ω≈+++?++=Ω≈++=Ω≈++===+=
=-=?-==+?=+=S i i V
VS V
i E be E be E E B CC B R r r A A A
r I r I r I R U R R R U U βββ
多级放大器
图11-45所示电路，u i =t mV, R 11 = 100 k , R 12 = 20 k , R C1 = 10 k , R E1 = 2 k , R 21 = 39 k , R 22 = 10 k , R C2 = 5 k , R E2 = k , 1 = 2=50,
（1） 求R L = 10 k 时，输出电压u o 。 （2） 求输入电阻、输出电阻。
（1）求第1级静态工作点及r be1
mA
65.02
7
.02I V
220
10020
12111E1
1211121=-=-==+?=+?≈E BE B CC B R U U R R R U U
Ω≈Ω++=++=k 2.3465
.026
)501(300mA)(mV )(26)
1(300111E be I r β
（2）求第2级静态工作点及r be2
mA
17.15
.17
.045.2V
45.210
391012222E2
2221222=-=-==+?=+?≈E BE B CC B R U U I R R R U U
Ω≈Ω++=++=k 1.4317
.126
)501(300mA)(mV )(26)
1(300222E be I r β
第2级输入电阻：
Ω≈==k 21.143.1//10//39////222212be i r R R r
（3）放大倍数
2334.2)21.1//10(50)//(12111
-≈?-=-=be i C V r r R A β 11743.1)10//5(50)//(22212
-≈?-=-=be L C V r R R A β 2691)117()23(2
1=-?-=?=V V V A A A m V sin 5.1345sin 5.02691t t u A u i
V o ωω=?==
图
+
u
U
+12
（4）输入电阻、输出电阻
Ω
==Ω≈==k 5k 34.234.2//20//100////211211C o be i R r r R R r
11-10 图11-46所示电路， ,k 5,k 150,k 150 ,k 5001211Ω=Ω=Ω=Ω=D R R R R
m A/V , 1,k 5,k 2.1,k 5,k 6.5 ,k 402221=Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=m L E C g R R R R R
60=β。
（1） 画出微变等效电路；
（2） 求V
A 及输入电阻、输出电阻。
（1） 微变等效电路
（2） 第2级静态工作点、r be2
mA
64.02
.17
.047.1V
47.16
.5406
.512222E2
2221222≈-=-=≈+?=+?≈E BE B CC B R U U I R R R U U
Ω≈Ω++=++=k 2.7864
.026
)601(300mA)(mV )(26)
1(300222E be I r β
（3） 求电压放大倍数
第2级输入电阻：Ω≈==k 86.178.2//6.5//40////222212be i r R R r
图11-46
+
u
U
+12
V
+
o
U
第1级放大倍数：36.1)86.1//5(1)//(2
1-≈?-=-=i D m V r R g A 第2级放大倍数：96.5378
.2)
5//5(60)
//(2
2
-≈?-
=-=be L C V r R R A β
总电压放大倍数：39.73)96.53)(36.1(21≈--==V V V A A A
（4） 输入电阻、输出电阻
Ω
==Ω≈+=+=k 5k 265150//500150//1211C o i R r R R R r
11-15 图11-50所示电路，Ω==Ω=k 5 ,k 52212R R R C ，晶体管B-E 间的交流电阻
V 03.0 V , 05.0 ,50 ,k 2212121====Ω==S S be be U U r r ββ。电路在所示信号的作用下，
放大电路的共模输出电压V 01.0=OC U ，求所示电路的差模放大倍数d A ，共模放大倍数c A 及共模抑制比CMR K 。
解：
差模电压放大倍数：7.352
55
501
121-=+?-
=+-
=be C
d r R R A β 共模输入电压：V 04.0203
.005.0221=+=+=
S S IC U U U 共模电压放大倍数：25.004
.001
.0===
IC OC c U U A 共模抑制比： dB 1.4325
.07
.35log 20log
20=-==c d CMR A A K U
+
U
++
图11-50（注：此图教材上画错！）
11-16 图11-51所示电路，若要求负载L R 中有 mA 的电流, 该电路输入的差值电压O
U 应是多少 晶体管1T 、2T 的60=β。
解：
mA 12
2
221===
=C E E I I I Ω=?
+==k 89.11
26
6130021be be r r 4.889
.110)25//5(60)2//
(1121-=+?-=+-
=be L C d r R R R A β
V 5.255.0=?==L O O R I U
V 298.04
.85
.221-=-==
-=d O S S d A U U U U
负反馈放大器
11-20 估算图11-54(a)、（b ）、（c ）、（d ）所示各个电路的电压放大倍数VF
A 。 已知：（a ）Ω=Ω=k 2.0 ,k 51e F R R ； （b ）Ω=Ω=k 20 ,k 21F R R ； （c ）Ω==Ω=k 5 ,k 5.0L C e R R R ；
（d ）Ω==Ω=Ω=Ω=k 5,k 2 ,k 20 ,k 222L C e F S R R R R R 。
U
+
U
R
R
5
+
图
10
10
R
5
5
（a ）解：
R e1、R E1：直流负反馈，电流反馈，作用是稳定第1级静态工作点。 R E2： 直流负反馈，电流反馈，作用是稳定第2级静态工作点。
R e1： 交流反馈，电流串联负反馈，局部反馈，作用是稳定本级电压放大倍数。 R e1、R F ：交流反馈，电压串联负反馈，级间反馈，作用是稳定电压放大倍数。
262.052.011111
=+=+==+=e F e VF F
e e R R R F
A R R R F
（b ）解：
解：
R F ：提供基极静态工作点；直流负反馈，起稳定静态工作点作用。 R F ：交流负反馈，电压并联负反馈。
① 推导电压放大倍数
忽略b
I ， ,0≈be U 则F F b i I I I I ≈+=
+
u
U
+
+
u
题11-20（b ）
F o F i i R U I R U I -≈≈ ,1
F F o i i R I U R I U -== ,1 1022011
-=-=-=-==R R R I R I U U A F i F F i o F ②用反馈系数的概念推导电压放大倍数
F F
F o o f R U R U U I F 1-=-== ，
F F R F A -==' 1 1111
111R R R A R F R I U R I
U U U A F F fi o i o i o F -='=?====
11-21 对图11-55（a ）、（b ）、（c ）、（d ）所示电路，回答下列问题：
（1） 标出反馈支路，判断哪些起直流反馈作用，哪些起交流反馈作用； （2） 判断哪个电路是正反馈，哪个是负反馈。对负反馈电路，估算出电压放大倍数。
已知：（a ）Ω=Ω=k 1 ,k 1011e F R R
（b ）Ω=Ω=Ω=Ω=k 5.0 ,k 10 ,k 1 ,k 10121R R R R e F （c ）Ω=Ω=k 5.0 ,k 101e F R R （d ）Ω=Ω=k 5.0 ,k 101e F R R
反馈支路分析：
此电路是两级直接耦合的交流放大器
+
u
+
的图
R F1 、R e1：起交流电压串联负反馈，级间反馈，作用是稳定电压放大倍数。
（理由：设↑↑??-=↓↑?↑?↑?211120)(11B C R i be be R C u u u u u u u u u e e
↓↓??o C u u 2）
R F1 ：又起直流电压负反馈作用，
R F2 ： 直流电流并联负反馈，为第1级建立支流静态工作点。
电压放大倍数估算：
交流电压负反馈系数：11
1
1101111=+=+=e F e R R R F
交流电压放大倍数： 111
==F
A VF
11-21（b ）交流正反馈（分析略）。
11-21（c ）交流正反馈（分析略）。
解：
①反馈支路分析
R 1、R 2：级间直流负反馈作用，电流反馈，起稳定第2级的静态工作点的作用，同时为第1级提供静态基极电流；
R e1、R e2、R e3：起局部直流负反馈作用，电流反馈，稳定本级的静态工作点； R F 、C F 、R e1：交流电压串联负反馈，起稳定输出电压的作用。判断方法如下：
设↓↓↓?↑?↑??↑?↑o e c b c e o u u u u u u u 即 ,22211 ②电压放大倍数估算
21121
1
5.0105.011===
+=+=F
A R R R F
VF e F e +
+
u
题11-21（d ）的
图
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电路第三版课后习题答案详解
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
模拟电子线路习题习题答案(DOC)
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
模拟电子技术试卷五套 含答案
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V， V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则 复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
模拟电路试卷(总集)
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
模拟电路基础知识大全
模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。
20个常用模拟电路
一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型： 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程： 当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载R L 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止，负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程：输出端接负载R L 时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也
向电容C充电，充电时间常数为τ 充=（Ri∥R L C）≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt 1 时，有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过R L 放电，放电时间常数为R L C，放 电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时，u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0，ωt 3 后，电容通 过R L 放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间，输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧（3~5）T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ，每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度，但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点：两者区别为：信号滤波器用来过滤信号，其通带是一定的频率范围，而电源滤波器则是用来滤除交流成分，使直流通过，从而保持输出电压稳定；交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点：都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时，电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中，常有R<<ωL,所以有Z≈
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
模拟电子电路技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。 9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）
信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率
模拟电子电路考卷
功放的主要优点是 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法 。乙类 A 、反向偏置击穿状态 、反向偏置未击穿状态 C 正向偏置导通状态 、正向偏置未导通状态 2、在本征半导体中掺入（ ）构成N 型半导体。 A 、积分运算电路 B 、微分运算电路 C 、过零比较器 D 、滞回比较 模电重修考卷 一、填空题（共20分，每空1分）。 1、 二极管的最主要特性是 ____________ o PN 结外加正向电压时，扩散电流 __________ 漂移电流，耗尽层 _____________ o 2、 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V,试问该三极管是 ____________ 管（材料）， ________ 型的三极管，该 管的集电极是a 、b 、c 中的 _____________ o 3、 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和20dB,则该 放大电路总的对数增益为 _____ dB ，总的电压放大倍数为 ________ o 4、 已知某差动放大电路 A d =100、K cMR =60dB,则其A= _______________ 。集成电路运 算放大器一般由 _________________ 、中间级、输出级、 __________________ 四部 分组成。 &差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 _________________________ 具有放 大能力， 它对 __________________ 具有抑制能力。 7 、 负反馈放大电路的四种基本类型 是 ______________________ 、 _____________________ 、 ____________________ 、 和 ________________ o 8、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 是 二、单项选择题（共20分，每小题2分，在每小题给出的选项中只有一个符合 题目要求，把所选项前的字母填入题前的表格内 ） 1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A 3价元素 B 、4价元素 C 5价元素 D 、6价元素 3、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示 ，该电路可能是（）o
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
常见的20个基本模拟电路
电子电路工程师必备的20种模拟电路 对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟 电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。高级层次是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性：伏安特性曲线：理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程：输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。 二、电源滤波器
1、电源滤波的过程分析：波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器1、信号滤波器的作用：与电源滤波器的区别和相同点：2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。3、画出通频带曲线。计算谐振频率。 四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。 五、共射极放大电路 1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。 2、元器件的作用、电路的用途、电压
电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
模拟电路基础知识大全
一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
模拟电子电路第4章答案
简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=50μA/V 2，V t =1V ，以及W /L =10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS =5V 且V DS =1V ； （2）V GS =2V 且V DS =； （3）V GS =且V DS =； （4）V GS =V DS =5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。