电子技术教案

教学过程

一、半导体的导电特性

1、光敏性、热敏性、可掺杂性

2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。

3、N型半导体

结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子

4、P型半导体

结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子

二、PN结的形成与特性

1、形成过程

2、特性：单向导电性

三、二极管

1、结构、外形、分类：

(1)按材料分:有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。

(2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。

(3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。

(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。

2、主要参数

3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。

4、二极管的伏安特性。

5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管

课题半导体三极管课型

教学

目的

1、了解三极管的结构与特性；

2、掌握三极管的类型和电流放大原理；

3、理解三极管的特性曲线和主要参数。

重点

难点

三极管的电流放大原理

三极管的输入输出特性

教具

挂图

教学方法

授课

班级

授课

日期

月日月日月日月日月日月日月日

教学过程

一、三极管的基本结构和类型

二、三极管在电路中的联接方式

三、三极管的电流放大作用及原理

三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。

1）发射区向基区发射电子的过程

2）电子在基区的扩散和复合过程

3）电子被集电区收集的过程

二、特性曲线和主要参数

1、输入特性：i B=f(u BE)=

u常数2、输出特性：i C=f(u CE)=

i常数课后

小结

了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；

理解三极管的特性曲线和主要参数。

I B

≈

第5、6 课时

第7、8 课时

教学过程

一、三极管的微变等效电路：

二、放大器的微变等效电路：

三、交流动态参数的计算：1、电压放大倍数

2.输入输出电

课后

小结

掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。

第9、10 课时

第11、12 课时

第13、14 课时

第15、16课时

第17、18 课时

第19、20 课时

第21、22 课时

模拟电子技术教案

授课计划授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间：课题：半导体二极管教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成教学难点：PN结及其单向导电性教学类型：理论课教学方法：讲授法、启发式教学教学过程：引入新课：模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟）讲授新课：一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟）半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

《电子技术基础》正式教案

电子技术基础教案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性重点与难点重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性导体和绝缘体的导电原理：了解简介。

一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同）有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论（1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。（2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。（3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。（4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。二、N型半导体和P型半导体本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。杂质半导体在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴

电子技术教案

第1、2 课时教学过程一、半导体得导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体:纯净得半导体称为本征半导体。 3、N型半导体结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子就是多子4、P型半导体结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴就是多子二、PN结得形成与特性 1、形成过程 2、特性:单向导电性三、二极管 1、结构、外形、分类: (1)按材料分:有硅二极管,锗二极管与砷化镓二极管等。 (2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 (3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 2、主要参数 3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管得伏安特性。 5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管第 3、4 课时

教学目得 1、了解三极管得结构与特性; 2、掌握三极管得类型与电流放大原理; 3、理解三极管得特性曲线与主要参数。重点难点三极管得电流放大原理三极管得输入输出特性教学过程一、三极管得基本结构与类型二、三极管在电路中得联接方式三、三极管得电流放大作用及原理三极管实现放大作用得外部条件就是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1)发射区向基区发射电子得过程 2)电子在基区得扩散与复合过程 3)电子被集电区收集得过程二、特性曲线与主要参数 1、输入特性:i B=f(u BE)= CE u常数2、输出特性:i C=f(u CE)= B i常数课后小结了解三极管得结构与特性;掌握三极管得类型与电流放大原理; 理解三极管得特性曲线与主要参数。第 5、6 课时课题共发射极放大电路课型教学目得 1、了解电路得结构组成 2、用图解法分析静态工作点与动态波形 I I B C β ≈

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

数字电子技术实验教案

湖南工学院教案用纸实验1基本门电路逻辑功能测试（验证性实验）一、实验目的 1?熟悉基本门电路图形符号与功能； 2?掌握门电路的使用与功能测试方法； 3?熟悉实验室数字电路实验设备的结构、功能与使用。二、实验设备与器材双列直插集成电路插座，逻辑电平开关，LED发光显示器，74LS00, 74LS20 , 74LS86，导线三、实验电路与说明门电路是最简单、最基本的数字集成电路，也是构成任何复杂组合电路和时序电路的基本单元。常见基本集门电路包括与门、或门、与非门、非门、异或门、同或门等，它们相应的图形符号与逻辑功能参见教材P.176, Fig.6.1。根据器件工艺，基本门电路有TTL门电路和CMOS门电路之分。TTL门电路工作速度快，不易损坏，CMOS门电路输出幅度大，集成度高，抗干扰能力强。 1.74LS00 —四2输入与非门功能与引脚： 2. 74LS20 —双4输入与非门功能与引脚： 3. 74LS86 —四2输入异或门功能与引脚：四、实验内容与步骤 1.74LS00功能测试： ①74LS00插入IC插座；②输入接逻辑电平开关；③输出接LED显示器；④接电源；⑤拔

动开关进行测试，结果记入自拟表格。湖南工学院教案用纸

2. 74LS20功能测试: 实验过程与74LS00功能测试类似。 3. 74LS86功能测试：实验过程与74LS00功能测试类似。 4. 用74LS00构成半加器并测试其功能： ①根据半加器功能：S A B , C AB，用74LS00设计一个半加器电路； ②根据所设计电路进行实验接线； ③电路输入接逻辑电平开关，输出接LED显示器； ④通电源测试半加器功能，结果记入自拟表格。 5. 用74LS86和74LS00构成半加器并测试其功能：实验过程与以上半加器功能测试类似。五、实验报告要求 1. 内容必须包括实验名称、目的要求、实验电路及设计步骤、实验结果记录与分析、实验总结与体会等。2?在报告中回答以下思考题： ①如何判断逻辑门电路功能是否正常？ ②如何处理与非门的多余输入端？实验2组合逻辑电路的设计与调试（设计性综合实验）一、实验目的 1?熟悉编码器、译码器、数据选择器等MSI的功能与使用； 2?进一步掌握组合电路的设计与测试方法； 3?学会用MSI实现简单逻辑函数。二、实验设备与器材

电工电子技术教案课程.docx

厦门电子职业中专学校教案纸第页第一章直流电路检查学《电子电科工技术》§1.1电路授课班级授课时数2教具多媒体、黑板、粉笔授课时间2016 . 9教学方法讲解，启发，问答、实物演示 1．介绍课程以及教学大纲教学目的2．了解电路的基本概念及组成 3．掌握元件符号教学重点1．电路的基本组成2．掌握元件符号和难点 3．学会画电路图掌握元件符号和电路图复习提问教学内容、方法、过程和板书设计教学追记 §1.1电路一、电路的基本组成 1．什么是电路？电路是由各种元器件(或电工设备 )按一定方式联接起来的总体，为电流的流通提供了路径。如图 1-1 所示。图 1-1 简单的直流电路 2．电路的基本组成电路的基本组成包括以下四个部分： (1)电源(供能元件)：为电路提供电能的设备和器件。提问 (2)负载 (耗能元件 )：使用 (消耗 )电能的设备和器件 (如灯泡等用电器 )。 (3)控制器件：控制电路工作状态的器件或设备(如开关等 )。 (4)联接导线：将电器设备和元器件按一定方式联接起来(如各种铜、铝电缆线等 )。

教案纸附页教学内容、方法、过程和板书设计 3．电路的状态 (1)通路 (闭路 )：电源与负载接通，电路中有电流通过，电气设备或元器件获得一定的电压和电功率，进行能量转换。 (2)开路 (断路 )：电路中没有电流通过，又称为空载状态。 (3)短路 (捷路 )：电源两端的导线直接相连接，输出电流过大对电源来说属于严重过载，如没有保护措施，电源或电器会被烧毁或发生火灾，所以通常要在电路或电气设备中安装熔断器、保险丝等保险装置，以避免发生短路时出现不良后果。二、电气元件符号三、基本电路图由理想元件构成的电路叫做实际电路的电路模型，也叫做实际电路的电路原理图，简称为电路图。例如，图 1-2 所示的手电筒电路。理想元件：电路是由电特性相当复杂的元器件组成的，为了便于使用数学方法对电路进行分析，可将电路实体中的各种电器设备和元器件用一些能够表征它们主要电磁特性的理想元件 (模型 )来代替，而对它的实际上的结构、材料、形状等非电磁特性不予考虑。第 1 页教学追记画图讲解图 1-2 手电筒的电路原理图

数字电子技术基础教案

数字电子技术基础教案太原工业学院第1章逻辑代数基础

目的与要求：熟练掌握基本逻辑运算和几种常用复合导出逻辑运算；熟练运用真值表、逻辑式、逻辑图来表示逻辑函数。重点与难点：重点：三种基本逻辑运算和几种导出逻辑运算；真值表、逻辑式、逻辑图之间的相互转换。难点：将真值表转换为逻辑式。所谓数字电路，就是用0和1数字编码来表示和传输信息的系统，即信息数字化（时代）。数字电路与传统的模拟电路比较，其突出的优点是：（如数字通信系统）抗干扰能力强、保密性好、计算机自动控制、（数字测量仪表）精度高、智能化、（集成电路）可靠性高、体积小等。数字电子技术基础，是电子信息类各专业的主要技术基础课。 1、1概述一、模拟量（时间、温度、压力、速度、流量）：时间上和幅值上连续变化的物理量；模拟信号（正弦交流信号）：表示模拟量的信号。数字量：时间上和幅值上都不连续变化的物理量（工厂中生产的产品个数）；数字信号、数字电路。数字电路中的数字信号采用0、1两种数值（便于实现）（位bit 、拍） 0、1表示方法：电位型：电位高低（不归零型数字信号）脉冲型：有无脉冲（归零型数字信号）二、数制及其转换由0、1数值引入二进制及其相关问题。常用数制：举例：十进制、二进制（双）、七进制（星期）、十二进制（打）等。特点：基数：数制中所用数码的个数；位权。 1．十进制数基数：10 位权：n 10 表达式：10)(N =（P2 式1-1）=i n m i i a 101 ?∑--= （1-1）推广到任意进制R ：基数：R 位权：n R

表达式：R N )(=（P2 式1-2）=i n m i i R a ?∑--=1 （1-2） 2．二进制数表达式：2)(N =（P3 式1-3）=i n m i i a 21 ?∑--= （1-3）位权：以K 为单位；按二进制思维（如1000个苹果问题）；例如：（1101.01）2= 0-16对应的二进制数特点：信息密度低，引入八、十六进制。 3．八进制、十六进制八进制：基数：8（0-7）位权：n 8 表达式：8)(N == i n m i i a 81?∑--= （ 1-4）十六进制：基数：16（0-9，A ，B ，C ，D ，E ，F ）位权：n 16 表达式：16)(N ==i n m i i a 161?∑--= 特点：和二进制有简单对应关系；信息密度高，便于书写。 4．不同进制数的转换 ⑴ R →十：按位权展开，再按十进制运算规则运算。例1-1、1-2、1-3（P4） ⑵ 十→R ：分两步整数部分：除R 取余，注意结束及结果；小数部分：乘R 取整，注意精度及结果；结果合并： ⑶ R=2k 进制之间的转换二?八：3位?1位，二?十六：4位?1位，八?十六：以二进制为过度， 5．进制的另一种表示方法： B （inary ）----二； H(exadecimal)----十六； D(ecimal)----十； O----八三、二—十进制代码（BCD 代码）

电工电子技术教案

厦门电子职业中专学校教案纸第页

§1.1电路一、电路的基本组成 1．什么是电路？电路是由各种元器件(或电工设备)按一定方式联接起来的总体，为电流的流通提供了路径。如图1-1所示。图1-1 简单的直流电路 2．电路的基本组成电路的基本组成包括以下四个部分： (1)电源(供能元件)：为电路提供电能的设备和器件。提问 (2)负载(耗能元件)：使用(消耗)电能的设备和器件(如灯泡等用电器)。 (3) 控制器件：控制电路工作状态的器件或设备(如开关等)。 (4) 联接导线：将电器设备和元器件按一定方式联接起来(如各种铜、铝电缆线等)。教案纸附页教学内容、方法、过程和板书设计教学追记

3．电路的状态 (1) 通路(闭路)：电源与负载接通，电路中有电流通过，电气设备或元器件获得一定的电压和电功率，进行能量转换。 (2) 开路(断路)：电路中没有电流通过，又称为空载状态。 (3) 短路(捷路)：电源两端的导线直接相连接，输出电流过大对电源来说属于严重过载，如没有保护措施，电源或电器会被烧毁或发生火灾，所以通常要在电路或电气设备中安装熔断器、保险丝等保险装置，以避免发生短路时出现不良后果。二、电气元件符号三、基本电路图由理想元件构成的电路叫做实际电路的电路模型，也叫做实际电路的电路原理图，简称为电路图。例如，图1-2所示的手电筒电路。理想元件：电路是由电特性相当复杂的元器件组成的，为了便于使用数学方法对电路进行分析，可将电路实体中的各种电器设备和元器件用一些能够表征它们主要电磁特性的理想元件(模型)来代替，而对它的实际上的结构、材料、形状等非电磁特性不予考虑。图1-2 手电筒的电路原理图画图讲解厦门电子职业中专学校教案纸学《电子电检查

《电子技术基础》教案

《电子技术基础》教案适用学时：前60（54）学时编写日期：2006年2月1日

§绪言学时：1学时教学内容一、电子技术基础课的性质电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件第一节半导体的基本知识学时：1学时教学要求： 1．了解半导体的一般概念 2．理解半导体的导电机理与导电特性 3．理解掺杂半导体的产生及导电类型 4．了解PN结的概念 5．理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性教学内容一、半导体的导电特性

（a ）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。图1.2 N 2、P 型半导体在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成所示。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲课程名称：模拟电子技术基础教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授）学时：64学时一、课程的教学目标与任务通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。二、课程具体内容及基本要求（一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时）介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求（1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。（2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。（二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时）主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求（1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。（2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。（3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。（4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。（5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。（三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时）主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

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第1、2课时课题半导体特性、 PN 结、二极管课型教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性目的掌握二极管、稳压管的特性重点PN结的形成与特性难点二极管的伏安特性教学过程一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通二极管电路的分析主要采用模型分析法稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区

第 3、4 课时课题半导体三极管课型教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理；目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。重点三极管的电流放大原理难点三极管的输入输出特性教学过程一、三极管的基本结构和类型二、三极管在电路中的联接方式三、三极管的电流放大作用及原理三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。

数字电路课程教案

课时授课计划 - 1 课号：1 (共8学时理论6学时实验0学时习题2学时) 课题：第1章绪论 1.1 概述 1.2 数制和码制目的与要求：了解本门课程的基本内容；了解数字电路的特点及应用、分类及学习方法；掌握二、八、十、十六进制的表示方法及相互转换；知道8421BCD码、余三码、格雷码的意义及表示方法。重点与难点：重点：数制与码制的表示方法；难点：二、八、十六进制的转换。教具：课堂讨论：离散信号；二、十、八、十六进制的特点及表示方法；码的作用； 8421BCD码的特点及应用。现代教学方法与手段：数字电路网络课程 PowerPoint 复习（提问）：什么是模拟信号模拟电路；什么是二进制代码。授课班次：课时分配：

提纲第1章绪论 1.1 概述 1 . 1 . 1 数字信号和数字电路 1、数字信号与模似信号 2、模拟电路与数字电路 1 . 1 . 2 数字电路的分类 1、按电路类型分类 2、按集成度分类 3、按半导体的导电类型分类 1 . 1 . 3 数字电路的优点 1、易集成化 2、抗干扰能力强，可靠性高 3、便于长期存贮 4、通用性强，成本低，系列多 5、保密性好 1 .1 .4 脉冲波形的主要参数 1．脉冲幅度Um 2．脉冲上升时间 3．脉冲下降时间 4．脉冲宽度 5．脉冲周期 6．脉冲频率 7．占空比q 1.2 数制和码制 1 . 2 . 1 数制一、十进制二、二进制三、八进制和十六进制 1 . 2 .2 不同数制间的转换一、各种数制转换成十进制二、十进制转换为二进制三、二进制与八进制、十六进制间相互转换 1 . 2 . 3 二进制代码一、二-十进制代码 8421码、5421码和余3码二、可靠性代码 1．格雷码 2．奇偶校验码作业：

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编号：1—1 教研室主任签字:王亚君授课日期授课班级课题名称第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识教学目的 1. 知道半导体的导电特性 2．知道两种杂质半导体的形成、特点 3．提高学生学习本课程的兴趣。 4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。教学重点半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点教学难点PN结的形成及其特性教学方法讲练法课题类型新授课课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结→作业教学环节教学内容教学活动时间型半导体型和授讲新课P二、N

型半导体的形成及特点1、N教师板书，分钟15）形成：在纯净的半导体中掺入五价元1学生听述素磷并记录笔2）特点：自由电子多、空穴少记、2P型半导体的形成及特点）形成：在纯净的半导体中掺入三价元1 素硼 2）特点：自由电子少、空穴多）、1常用的半导体材料是（习练学5分生自己钟）。和（完成、）型半导体的多数载流子是2、N（。少数栽流子是（）型半导体的电中性讲型和P、3N课新授30分钟学生听述三、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 1）扩散运动：物质从浓度高的地方向浓板书度低的地方的运动 2）漂移运动：载流粒子在电场的作用下发生的移动 3）PN结的形成扩散运动和漂移运动达到动态平衡时形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷区也叫阻挡层、耗尽层 2、PN结的特点 PN结正偏时，电阻小导通，PN结反偏时，电阻大截止。

:王亚君教研室主任签字编号：2—1 授课日期授课班级课题名称第一章常用半导体器件 §1-2 二极管教学目的1、认识二极管的结构和符号

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲二、课程内容（一）课程教学目标本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容第一章、绪论教学目的与要求：了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和主要性能指标。教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。教学难点：放大电路的主要性能指标及应用考虑。教学内容：简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。第二章、集成电路运算放大器教学目的与要求：了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。教学重点：理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。教学难点：对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。教学内容： (1)集成电路运算放大器了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

数字电子技术完整教(学)案

第一次教案一、章节·课题 1.1.1数制二、教学目的和要求：掌握数字信号与模拟信号的区别，几种进制之间的转换。三、重难点分析进制之间的转换四、课型：讲授五、教法：讲授、任务驱动法六、教具：计算机、多媒体等七、教学容与过程：（见教案）八、课后记

教学过程（一）、导入新课回忆计算机基础中所讲的二进制，引出本次课容。（二）、讲授新课一、数字电路概述 1、模拟信号与数字信号区别 2、数字信号的表示：逻辑0和逻辑1（二值数字逻辑） 3、、数字电路的基本知识二、进制十进制、二进制、十六进制、八进制三、二进制与八进制、十六进制之间的转换详见PPT

第二次教案一、章节·课题 1.1.2编码二、教学目的和要求：熟悉几种常用的编码三、重难点分析 8421码、余三码、格雷码的特点。四、课型：讲授五、教法：讲授、任务驱动法六、教具：计算机、多媒体等七、教学容与过程：（见教案）八、课后记

教学过程（一）、导入新课：提问进制的容，引出编码的容。（二）、讲授新课 1. 二—十进制编码（BCD码）（1）8421码（2）5421码（3）余3码2. 其它常用的代码（1）格雷码（又称循环码）（2）奇偶校验码（3）字符码详见PPT

第三次教案一、章节·课题 1.2逻辑函数二、教学目的和要求：掌握逻辑代数三种基本运算，掌握逻辑代数的基本定律和常用公式；掌握逻辑代数的基本定律的证明方法三、重难点分析 2. 逻辑代数的基本定律的证明四、课型：讲授五、教法：讲授、任务驱动法六、教具：计算机、多媒体等七、教学容与过程：（见教案）八、课后记

电子技术教案课程

第1.2 课时教学内容：1、半导体的基本知识 2、PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、应用电路教学目标：知识目标：让学生了解半导体材料的基本结构及PN结的形成，掌握PN结的单向导电工作原理技能目标：能运用常用公式解题。情感目标：1. 养成良好的学习习惯 2. 教学重点：树立坚强乐学的意识从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、教学难点：PN结的单向导电工作原理教学准备：教学PPT。教学过程：引述导入：今天我们来学习交流电路。板书课题：半导体的基本知识新授内容： 1 半导体的基本知识 1.1 半导体材料根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化傢（GaAS等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（卩）、锢（In ）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。

半导体有以下特点： 1 ．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2 ．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显着变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 1.2 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显着变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体一一掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体一一掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，在P型半导体中空穴是多数载流子? 2PN 结的形成及特性 2.1PN结的形成：在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。 2.2PN结的单向导电性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

汽车电工电子技术基础教案设计学习资料

《电工基础》教案

《电工基础》教案教学总结本节课内容较浅，再加上勤与学生互动，是可以达到教学目标的。课堂练习 4个小组各选1名学生上黑板默画几种常用的标准图形符号。作业 1．名词解释(1) （P 36） 2．填空题(1) （P 36）章节第1章直流电路 1.1.2电路的基本物理量——电流学时 1学时授课类型新授课教学目标 1、理解电流产生的条件和电流的概念， 2、掌握电流的计算公式。教学重点、难点重点：电流的计算公式。难点：电流产生的原因、条件。教法类比、讲解、练习教学过程过程设计创设情景引入新课复习提问：初中对电流是如何定义的？引入：在初中我们就知道：大量的自由电荷定向移动形成电流。电流就如同水流一般，在大量自由电荷（自由运动的水分子）的两端加上电压（水压）就发生定向移动而形成电流（水流）。新课讲解一、电流的形成 1、电流：大量的电荷的定向移动形成电流。 2、在导体中形成电流的条件： (1) 要有自由电荷。 (2) 必须使导体两端保持一定的电压（电位差）。二、电流 1、电流的强弱用电流强度表示。电流强度简称为电流。

《电工基础》教案

《电工基础》教案一、电能 1、设导体两端电压为U，通过导体横截面的电量为q，电场力所做的功为：W = q U 而q = I t，所以 W = U I t 单位：W－焦耳（J）；U－伏特（V）；I－安培（A）；t－秒（s）。 2、电场力所做的功即电路所消耗的电能W = UIt 3、电流做功的过程实际上是电能转化为其他形式的能的过程。二、电功率 1、定义：单位时间内，某段电路传送或转换的电能。 W P= t 或P= UI 单位：P－瓦特（W）。常用单位：千瓦（kw）电能的常用单位（kW ? h) 1度 =h k W 1?= 3.6?106J 2 、电气设备的额定值 1）定义：电气设备在给定的工作条件下，正常运行时所规定的最大允许值。 2）实际工作时，如果超过电气设备的额定值，会是使用寿命缩短获造成损伤；如果小于电气设备的额定值，电气设备的利用率降低，甚至不能正常工作。 3）额定功率—P N 额定电压—U N ：。额定电流—I N 例:有一功率为60 W的电灯，每天使用它照明的时间为4小时，如果平均每月按30天计算，那么每月消耗的电能为多少度？合为多少

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收集于网络，如有侵权请联系管理员删除编号：1—1 教研室主任签字:王亚君课题名称第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识教学目的 1. 知道半导体的导电特性 2．知道两种杂质半导体的形成、特点 3．提高学生学习本课程的兴趣。 4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。教学重点半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点教学难点 PN 结的形成及其特性教学方法讲练法课题类型新授课课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结 →作业

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N型半导体的结构 P型半导体的结构三、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 1）扩散运动：物质从浓度高的地方向浓度低的地方的运动 2）漂移运动：载流粒子在电场的作用下发生的移动 3）PN结的形成扩散运动和漂移运动达到动态平衡时形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷区也叫阻挡层、耗尽层 2、PN结的特点 PN结正偏时，电阻小导通，PN结反偏时，电阻大截止。总结PN 结的形成及特点板书教学环节教学内容教学活动时间收集于网络，如有侵权请联系管理员删除

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收集于网络，如有侵权请联系管理员删除编号：2—1 教研室主任签字:王亚君课题名称第一章常用半导体器件 §1-2 二极管教学目的 1 、认识二极管的结构和符号 2、记忆二极管的伏安特性. 3、注意养成教育，安全、择业观的引导教学重点二极管的符号、伏安特性教学难点二极管的符号、伏安特性教学方法讲练法课题类型新授课课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结 →作业

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第1.2课时教学内容：1、半导体的基本知识 2、PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、应用电路教学目标：知识目标：让学生了解半导体材料的基本结构及PN结的形成，掌握PN结的单向导电工作原理技能目标：能运用常用公式解题。情感目标：1.养成良好的学习习惯 2.树立坚强乐学的意识教学重点：从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、教学难点：PN结的单向导电工作原理教学准备：教学PPT。教学过程：引述导入：今天我们来学习交流电路。板书课题：半导体的基本知识新授内容： 1 半导体的基本知识 1.1 半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。半导体有以下特点：

1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 1.2 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，在P型半导体中空穴是多数载流子. 2 PN结的形成及特性 2.1 PN结的形成：在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。 2.2 PN结的单向导电性当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。